JPS58176204A - ポリ４−メチル−１−ペンテン製デイスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリ４−メチル−１−ペンテン製ディスク及び
その製造方法に関する。更に詳しくは、光メモリディス
クに好適な反りの少ないポリ４−メチル−１−ペンテン
製ディスク及びその製造方法に関する。

光学式ビデオディスク、デジタルオーディオディスク等
の光メモリディスクの１つにアクリル樹脂、ポリ塩化ビ
ニル等の樹脂基盤にレーザー光線を反射させるアルミニ
ウム膜を蒸着し、さらに樹脂保護膜を塗布し、保護膜同
志が接するように表裏２枚の片面ディスクを貼り合わし
たディスクがある。中でもアクリル樹脂が、（１）透明
性が良い、（１１）流動特性に優れている、Ｑｉ＋）複
屈折率が小さい等の特徴を有していることから、光メモ
リディスクの材料として使用できることが知られている
（例えば特開昭５６−１３１６５４号）。しかしながら
アクリル樹脂は吸水率が大きいので、ディスクの様な片
面をアルミニウム膜で被膜したものは、空気中の水分を
吸収して反りを生じる虞れがあり、また耐熱性も不充分
である。一方、光メモリディスクはその性質上、樹脂の
配向状態が少なくとも同心円状に同質である必要があり
、且つ反りや歪があつてはならない。そこで本発明者ら
は、アクリル樹脂に代わる光メモリディスク用基盤とし
て種々検討した結果、特定のポリ４−メチル−１−ペン
テンを用い、且つ特定の射出成形法を採ることにより、
反りが少なく、配向状態が同心円状に同質なポリ４−メ
チル−１−ペンテン製ディスクが得られることが分かり
本発明に到達した。

すなわち本発明は、荷重５ｋｇ、温度２６０℃における
メルト７０−レートが５０ｇ／１０ｍ１ｎ以上のポリ４
−メチル−１−ペンテン（Ａ）を用い、ゲート径３゜−
以下のセンターピンゲート、又はゲート厚１ａｍ以下の
センターディスクゲートを用いて、射出成形することを
特徴とする配向状態が同心円状に同質で且つ反りの少な
いポリ４−メチル−１−ペンテン製ディスク及びその製
造方法を提供するものである。

本発明におけるポリ４−メチル−１−ペンテン淳）とは
４−メチル−１−ペンテンの単独重合体もしくは４−メ
チル−１−ペンテンと他のａ−オレフィン、例えばエチ
レン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オ
クテン、１−デセン、１−テトラデセン、１−オクタデ
セン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重
合体で通常４−メチル−１−ペンテンを８５モル％以上
含む４−メチル−１−ペンテンを主体とした重合体であ
る。ポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）のメルトフロ
ーレート（荷重５ｋｇ、温度２６０℃、以下ＭＦＲと略
す）は５０　ｇ／　１０　ｍｉｎ以上、好ましくは２０
０ないし２０００ｇ／１０ｍ１ｎの範−〇ものである。

ＭＰＲが５０ｇ／１０ｍ１ｎ未満の／ もりは、たとえ後述の範囲のセンターゲート、又は□デ
ィスクゲートな用いて成形した場合、反りの大きいディ
スクしか得られない。本発明に用いる４−メチル−１−
ペンテン（蜀のＭＦＲ値は、成形する直前の値であり、
成形に供するベレットのＭＦＲ値ではなく、むしろ成形
品のＭＦＲ値に近い値である。

４−メチル−１−ペンテンは、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の他のポリオレフィンと異なす、成形温度、成
形時間を適宜選択することにより、ＭＩＦＲ値を調節す
ることが可能であり、例えばペレットのＭＰＲが５０ｇ
／１０ｍ１ｎ未満のものでも、射出成形機の押出機の中
で可塑化し、射出する時点で５０ｇ７１０ｍｔｎを越え
るＭＦＲ値にすれば、本発明の目的を達成することがで
きる。

前記ポリ４−メチル−１−ペンテン（菊には、耐熱安定
剤、塩酸吸収剤、耐候安定剤、顔料、充填材、帯電防止
剤等の通常ポリオレフィンに添加して使用される各種配
合剤を本発明の目的を損わない範囲で添加してもよい。

ポリ４−メチル−１−ペンテン（勾を用いてディスクを
射出成形する際のゲートは１ゲ一ト径５ｍｍ以下、好ま
しくは０．５ないし２．０　ｍｍのセンターピンゲート
、又はゲート層１ｍｍ以下、好ましくは０．２ないしＱ
Ｊ３　ｍｍのセンターディスクゲートである。

ゲート径が３ｍｍを越えるセンターゲートもしくはダイ
レクトゲートを用いると、得られるディスクの反りが大
きく、実用に適さない。またゲート厚が１ｍｍを越える
ディスクゲートを用いても、得られるディスクの反りが
大きい０ ポリ４−メチル−１−ペンテン製ディスクハ、前記範囲
のＭＦＲを有するポリ４−メチル−１−ペンテン（Ａ）
を通常２６０ないし３６０℃、好ましくは２８０ないし
５４０℃の温度で溶融後、通常１４０ないし１０Ａ９／
Ｃ１４２（ゲージ）、好ましくは１００ないし２０に９
／ｆｆ１２（ゲージ）の条件下で前記範囲のセンターゲ
ート、又はディスクゲートより、射出成形することによ
り製造することができる。

本発明の方法により得られるポリ４−メチル−１−ペン
テン製ディスクは反りが少な（、配向状態が同心円状に
同質であり、透明性も良く、細部に渡り金型の転写性に
優れているので、光学式ビデオディスク、デジタルオー
ディオディスク等の光メモリディスクの基盤として好適
である。

次に実施例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、これらの例に何ら制
約されるものではない。

実施例１ ＭＦＲニア０ｇ／１０ｍ１ｎのポリ４−メチル−１−ペ
ンテン（商品名ＴＰＸ■ＤＸ８１０、玉押石油化学工業
（株）製）を用い、厚さ１．２ｍｍ、直径３００ｍｍφ
〜ゲート径２．２　ｍｒｎφのセンターゲート（ピンゲ
ート）のディスク成形用金型を取付けた射出成形機（Ｍ
−２００、Ｃ株）毛様製作所製）を用い、シリンダ一温
度３００℃、金型温度６０℃、射出圧力４０ｋｇ／ａＩ
Ｉ２（Ｉｆ−ジ）、射出速度：中速度の条件下でディス
クを成形した。得られたディスクのＭＩＦＲは、２５０
ｇ／１０ｍ１ｎであり、以下の方法で測定した反り高さ
くｋ）は０−３ｍｍで、非常に反りの少ないものであっ
た。

反り高さくｈ）：定盤上にディスク凸面が下になるよう
に置き、一端を押えてディスクと定盤面とが接する状態
にした場合の他端と定盤との高さを反り高さくｈ：ｍｍ
）とした。

比較例１ 実施例１で用いた金型のゲート部をゲート径５ｍｍφの
センターゲート（ダイレクトゲート）にする以外は実施
例１と同一条件でディスクを成形した。その結果、得ら
れたディスクのｈは５．５ｍｍと反りが大きく実用に適
さないものであった。尚ディスク（７）ＭＦＲは１２０
ｇ／１０ｍ１ｎであった。

比較例２ 実施例１で用いたＴＰＸ■ＤＸ８１０の代わりにＶＦＲ
２６ｇ／１０ｍ１ｎのポリ４−メチル−１−ペンテン（
商品名ＴＰＸ■ＲＴ−［１，玉押石油化学工業（株）製
）を用いる以外は実施例１と同一条件でディスクを成形
した。その結果、ｈが１１北と非常に反りが大きいディ
スクで実用に適さないものであった（ディスクのＭＦＲ
は４０ｇ／　１０ｍ１ｎ）。

実施例２ 比較例２の成形条件において、シリンダ一温度を３６０
℃に変える以外は比較例２と同一条件でディスクを成形
した。その結果、得られたディスクのＭＦＲは１２０ｇ
／１０ｍ１ｎであり、ｈもＯＪ３　ｍｍと小さく反りの
少ない実用に供し得るものであった。

実施例３ 実施例１で用いた金型のゲート部をゲート厚０．５ｍｍ
のセンターディスクゲートを用いる以外は実施例１と同
一条件でディスクを成形した。その結果りが０．５ｍｍ
と非常に反りが少なく、実用に十分供し得るディスクが
得られた（ディスクのＭＦ１２５０ｇ／１０ｍ１ｎ）。

参考例１ 樹脂としてポリカーボネート（商品名パンライ）Ｌ−１
２５０、余人化成（株）製）を用いた場合は、実施例１
、実施例２及び実施例乙のいずれの成形条件下において
も、樹脂が完全に充填されず、しかも変形が著しく大き
いものしか得られなかった。

出願人　　三井石油化学工業株式会社 代理人　　山　　口　　　　　和

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）荷重５ｋｇ、温度２６０℃におけるメルトフロー
   レートが５０ｇ／１０ｍ１ｎ以上のポリ４−メチル−１
   −ペンテン（Ｎからなることを特徴とするポリ４−メチ
   ル−１−ペンテン製ディスク。
2. （２）　　荷重５ｋｇ、温度２６０℃におけるメルトフ
   ローレートが５０ｇ／１０ｍ１ｎ以上のｌす４−メチル
   −１−ペンテン（ト）を用い、ゲート径３ｍｍφ以下の
   センタービンゲート、又はゲート厚１ｍｍ以下のセンタ
   ーディスクゲートを用いて射出成形することを特徴とす
   るポリ４−メチル−１−ペンテン製ディスクの製造方法
   。