JPS58176204A - ポリ4−メチル−1−ペンテン製デイスク及びその製造方法 - Google Patents
ポリ4−メチル−1−ペンテン製デイスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS58176204A JPS58176204A JP57059609A JP5960982A JPS58176204A JP S58176204 A JPS58176204 A JP S58176204A JP 57059609 A JP57059609 A JP 57059609A JP 5960982 A JP5960982 A JP 5960982A JP S58176204 A JPS58176204 A JP S58176204A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pentene
- methyl
- gate
- poly
- disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスク及び
その製造方法に関する。更に詳しくは、光メモリディス
クに好適な反りの少ないポリ4−メチル−1−ペンテン
製ディスク及びその製造方法に関する。
その製造方法に関する。更に詳しくは、光メモリディス
クに好適な反りの少ないポリ4−メチル−1−ペンテン
製ディスク及びその製造方法に関する。
光学式ビデオディスク、デジタルオーディオディスク等
の光メモリディスクの1つにアクリル樹脂、ポリ塩化ビ
ニル等の樹脂基盤にレーザー光線を反射させるアルミニ
ウム膜を蒸着し、さらに樹脂保護膜を塗布し、保護膜同
志が接するように表裏2枚の片面ディスクを貼り合わし
たディスクがある。中でもアクリル樹脂が、(1)透明
性が良い、(11)流動特性に優れている、Qi+)複
屈折率が小さい等の特徴を有していることから、光メモ
リディスクの材料として使用できることが知られている
(例えば特開昭56−131654号)。しかしながら
アクリル樹脂は吸水率が大きいので、ディスクの様な片
面をアルミニウム膜で被膜したものは、空気中の水分を
吸収して反りを生じる虞れがあり、また耐熱性も不充分
である。一方、光メモリディスクはその性質上、樹脂の
配向状態が少なくとも同心円状に同質である必要があり
、且つ反りや歪があつてはならない。そこで本発明者ら
は、アクリル樹脂に代わる光メモリディスク用基盤とし
て種々検討した結果、特定のポリ4−メチル−1−ペン
テンを用い、且つ特定の射出成形法を採ることにより、
反りが少なく、配向状態が同心円状に同質なポリ4−メ
チル−1−ペンテン製ディスクが得られることが分かり
本発明に到達した。
の光メモリディスクの1つにアクリル樹脂、ポリ塩化ビ
ニル等の樹脂基盤にレーザー光線を反射させるアルミニ
ウム膜を蒸着し、さらに樹脂保護膜を塗布し、保護膜同
志が接するように表裏2枚の片面ディスクを貼り合わし
たディスクがある。中でもアクリル樹脂が、(1)透明
性が良い、(11)流動特性に優れている、Qi+)複
屈折率が小さい等の特徴を有していることから、光メモ
リディスクの材料として使用できることが知られている
(例えば特開昭56−131654号)。しかしながら
アクリル樹脂は吸水率が大きいので、ディスクの様な片
面をアルミニウム膜で被膜したものは、空気中の水分を
吸収して反りを生じる虞れがあり、また耐熱性も不充分
である。一方、光メモリディスクはその性質上、樹脂の
配向状態が少なくとも同心円状に同質である必要があり
、且つ反りや歪があつてはならない。そこで本発明者ら
は、アクリル樹脂に代わる光メモリディスク用基盤とし
て種々検討した結果、特定のポリ4−メチル−1−ペン
テンを用い、且つ特定の射出成形法を採ることにより、
反りが少なく、配向状態が同心円状に同質なポリ4−メ
チル−1−ペンテン製ディスクが得られることが分かり
本発明に到達した。
すなわち本発明は、荷重5kg、温度260℃における
メルト70−レートが50g/10m1n以上のポリ4
−メチル−1−ペンテン(A)を用い、ゲート径3゜−
以下のセンターピンゲート、又はゲート厚1am以下の
センターディスクゲートを用いて、射出成形することを
特徴とする配向状態が同心円状に同質で且つ反りの少な
いポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスク及びその製
造方法を提供するものである。
メルト70−レートが50g/10m1n以上のポリ4
−メチル−1−ペンテン(A)を用い、ゲート径3゜−
以下のセンターピンゲート、又はゲート厚1am以下の
センターディスクゲートを用いて、射出成形することを
特徴とする配向状態が同心円状に同質で且つ反りの少な
いポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスク及びその製
造方法を提供するものである。
本発明におけるポリ4−メチル−1−ペンテン淳)とは
4−メチル−1−ペンテンの単独重合体もしくは4−メ
チル−1−ペンテンと他のa−オレフィン、例えばエチ
レン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オ
クテン、1−デセン、1−テトラデセン、1−オクタデ
セン等の炭素数2ないし20のα−オレフィンとの共重
合体で通常4−メチル−1−ペンテンを85モル%以上
含む4−メチル−1−ペンテンを主体とした重合体であ
る。ポリ4−メチル−1−ペンテン(A)のメルトフロ
ーレート(荷重5kg、温度260℃、以下MFRと略
す)は50 g/ 10 min以上、好ましくは20
0ないし2000g/10m1nの範−〇ものである。
4−メチル−1−ペンテンの単独重合体もしくは4−メ
チル−1−ペンテンと他のa−オレフィン、例えばエチ
レン、プロピレン、1−ブテン、1−ヘキセン、1−オ
クテン、1−デセン、1−テトラデセン、1−オクタデ
セン等の炭素数2ないし20のα−オレフィンとの共重
合体で通常4−メチル−1−ペンテンを85モル%以上
含む4−メチル−1−ペンテンを主体とした重合体であ
る。ポリ4−メチル−1−ペンテン(A)のメルトフロ
ーレート(荷重5kg、温度260℃、以下MFRと略
す)は50 g/ 10 min以上、好ましくは20
0ないし2000g/10m1nの範−〇ものである。
MPRが50g/10m1n未満の/
もりは、たとえ後述の範囲のセンターゲート、又は□デ
ィスクゲートな用いて成形した場合、反りの大きいディ
スクしか得られない。本発明に用いる4−メチル−1−
ペンテン(蜀のMFR値は、成形する直前の値であり、
成形に供するベレットのMFR値ではなく、むしろ成形
品のMFR値に近い値である。
ィスクゲートな用いて成形した場合、反りの大きいディ
スクしか得られない。本発明に用いる4−メチル−1−
ペンテン(蜀のMFR値は、成形する直前の値であり、
成形に供するベレットのMFR値ではなく、むしろ成形
品のMFR値に近い値である。
4−メチル−1−ペンテンは、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等の他のポリオレフィンと異なす、成形温度、成
形時間を適宜選択することにより、MIFR値を調節す
ることが可能であり、例えばペレットのMPRが50g
/10m1n未満のものでも、射出成形機の押出機の中
で可塑化し、射出する時点で50g710mtnを越え
るMFR値にすれば、本発明の目的を達成することがで
きる。
ピレン等の他のポリオレフィンと異なす、成形温度、成
形時間を適宜選択することにより、MIFR値を調節す
ることが可能であり、例えばペレットのMPRが50g
/10m1n未満のものでも、射出成形機の押出機の中
で可塑化し、射出する時点で50g710mtnを越え
るMFR値にすれば、本発明の目的を達成することがで
きる。
前記ポリ4−メチル−1−ペンテン(菊には、耐熱安定
剤、塩酸吸収剤、耐候安定剤、顔料、充填材、帯電防止
剤等の通常ポリオレフィンに添加して使用される各種配
合剤を本発明の目的を損わない範囲で添加してもよい。
剤、塩酸吸収剤、耐候安定剤、顔料、充填材、帯電防止
剤等の通常ポリオレフィンに添加して使用される各種配
合剤を本発明の目的を損わない範囲で添加してもよい。
ポリ4−メチル−1−ペンテン(勾を用いてディスクを
射出成形する際のゲートは1ゲ一ト径5mm以下、好ま
しくは0.5ないし2.0 mmのセンターピンゲート
、又はゲート層1mm以下、好ましくは0.2ないしQ
J3 mmのセンターディスクゲートである。
射出成形する際のゲートは1ゲ一ト径5mm以下、好ま
しくは0.5ないし2.0 mmのセンターピンゲート
、又はゲート層1mm以下、好ましくは0.2ないしQ
J3 mmのセンターディスクゲートである。
ゲート径が3mmを越えるセンターゲートもしくはダイ
レクトゲートを用いると、得られるディスクの反りが大
きく、実用に適さない。またゲート厚が1mmを越える
ディスクゲートを用いても、得られるディスクの反りが
大きい0 ポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスクハ、前記範囲
のMFRを有するポリ4−メチル−1−ペンテン(A)
を通常260ないし360℃、好ましくは280ないし
540℃の温度で溶融後、通常140ないし10A9/
C142(ゲージ)、好ましくは100ないし20に9
/ff12(ゲージ)の条件下で前記範囲のセンターゲ
ート、又はディスクゲートより、射出成形することによ
り製造することができる。
レクトゲートを用いると、得られるディスクの反りが大
きく、実用に適さない。またゲート厚が1mmを越える
ディスクゲートを用いても、得られるディスクの反りが
大きい0 ポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスクハ、前記範囲
のMFRを有するポリ4−メチル−1−ペンテン(A)
を通常260ないし360℃、好ましくは280ないし
540℃の温度で溶融後、通常140ないし10A9/
C142(ゲージ)、好ましくは100ないし20に9
/ff12(ゲージ)の条件下で前記範囲のセンターゲ
ート、又はディスクゲートより、射出成形することによ
り製造することができる。
本発明の方法により得られるポリ4−メチル−1−ペン
テン製ディスクは反りが少な(、配向状態が同心円状に
同質であり、透明性も良く、細部に渡り金型の転写性に
優れているので、光学式ビデオディスク、デジタルオー
ディオディスク等の光メモリディスクの基盤として好適
である。
テン製ディスクは反りが少な(、配向状態が同心円状に
同質であり、透明性も良く、細部に渡り金型の転写性に
優れているので、光学式ビデオディスク、デジタルオー
ディオディスク等の光メモリディスクの基盤として好適
である。
次に実施例を挙げて、本発明を更に詳しく説明するが、
本発明はその要旨を越えない限り、これらの例に何ら制
約されるものではない。
本発明はその要旨を越えない限り、これらの例に何ら制
約されるものではない。
実施例1
MFRニア0g/10m1nのポリ4−メチル−1−ペ
ンテン(商品名TPX■DX810、玉押石油化学工業
(株)製)を用い、厚さ1.2mm、直径300mmφ
〜ゲート径2.2 mrnφのセンターゲート(ピンゲ
ート)のディスク成形用金型を取付けた射出成形機(M
−200、C株)毛様製作所製)を用い、シリンダ一温
度300℃、金型温度60℃、射出圧力40kg/aI
I2(If−ジ)、射出速度:中速度の条件下でディス
クを成形した。得られたディスクのMIFRは、250
g/10m1nであり、以下の方法で測定した反り高さ
くk)は0−3mmで、非常に反りの少ないものであっ
た。
ンテン(商品名TPX■DX810、玉押石油化学工業
(株)製)を用い、厚さ1.2mm、直径300mmφ
〜ゲート径2.2 mrnφのセンターゲート(ピンゲ
ート)のディスク成形用金型を取付けた射出成形機(M
−200、C株)毛様製作所製)を用い、シリンダ一温
度300℃、金型温度60℃、射出圧力40kg/aI
I2(If−ジ)、射出速度:中速度の条件下でディス
クを成形した。得られたディスクのMIFRは、250
g/10m1nであり、以下の方法で測定した反り高さ
くk)は0−3mmで、非常に反りの少ないものであっ
た。
反り高さくh):定盤上にディスク凸面が下になるよう
に置き、一端を押えてディスクと定盤面とが接する状態
にした場合の他端と定盤との高さを反り高さくh:mm
)とした。
に置き、一端を押えてディスクと定盤面とが接する状態
にした場合の他端と定盤との高さを反り高さくh:mm
)とした。
比較例1
実施例1で用いた金型のゲート部をゲート径5mmφの
センターゲート(ダイレクトゲート)にする以外は実施
例1と同一条件でディスクを成形した。その結果、得ら
れたディスクのhは5.5mmと反りが大きく実用に適
さないものであった。尚ディスク(7)MFRは120
g/10m1nであった。
センターゲート(ダイレクトゲート)にする以外は実施
例1と同一条件でディスクを成形した。その結果、得ら
れたディスクのhは5.5mmと反りが大きく実用に適
さないものであった。尚ディスク(7)MFRは120
g/10m1nであった。
比較例2
実施例1で用いたTPX■DX810の代わりにVFR
26g/10m1nのポリ4−メチル−1−ペンテン(
商品名TPX■RT−[1,玉押石油化学工業(株)製
)を用いる以外は実施例1と同一条件でディスクを成形
した。その結果、hが11北と非常に反りが大きいディ
スクで実用に適さないものであった(ディスクのMFR
は40g/ 10m1n)。
26g/10m1nのポリ4−メチル−1−ペンテン(
商品名TPX■RT−[1,玉押石油化学工業(株)製
)を用いる以外は実施例1と同一条件でディスクを成形
した。その結果、hが11北と非常に反りが大きいディ
スクで実用に適さないものであった(ディスクのMFR
は40g/ 10m1n)。
実施例2
比較例2の成形条件において、シリンダ一温度を360
℃に変える以外は比較例2と同一条件でディスクを成形
した。その結果、得られたディスクのMFRは120g
/10m1nであり、hもOJ3 mmと小さく反りの
少ない実用に供し得るものであった。
℃に変える以外は比較例2と同一条件でディスクを成形
した。その結果、得られたディスクのMFRは120g
/10m1nであり、hもOJ3 mmと小さく反りの
少ない実用に供し得るものであった。
実施例3
実施例1で用いた金型のゲート部をゲート厚0.5mm
のセンターディスクゲートを用いる以外は実施例1と同
一条件でディスクを成形した。その結果りが0.5mm
と非常に反りが少なく、実用に十分供し得るディスクが
得られた(ディスクのMF1250g/10m1n)。
のセンターディスクゲートを用いる以外は実施例1と同
一条件でディスクを成形した。その結果りが0.5mm
と非常に反りが少なく、実用に十分供し得るディスクが
得られた(ディスクのMF1250g/10m1n)。
参考例1
樹脂としてポリカーボネート(商品名パンライ)L−1
250、余人化成(株)製)を用いた場合は、実施例1
、実施例2及び実施例乙のいずれの成形条件下において
も、樹脂が完全に充填されず、しかも変形が著しく大き
いものしか得られなかった。
250、余人化成(株)製)を用いた場合は、実施例1
、実施例2及び実施例乙のいずれの成形条件下において
も、樹脂が完全に充填されず、しかも変形が著しく大き
いものしか得られなかった。
出願人 三井石油化学工業株式会社
代理人 山 口 和
Claims (2)
- (1)荷重5kg、温度260℃におけるメルトフロー
レートが50g/10m1n以上のポリ4−メチル−1
−ペンテン(Nからなることを特徴とするポリ4−メチ
ル−1−ペンテン製ディスク。 - (2) 荷重5kg、温度260℃におけるメルトフ
ローレートが50g/10m1n以上のlす4−メチル
−1−ペンテン(ト)を用い、ゲート径3mmφ以下の
センタービンゲート、又はゲート厚1mm以下のセンタ
ーディスクゲートを用いて射出成形することを特徴とす
るポリ4−メチル−1−ペンテン製ディスクの製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57059609A JPS58176204A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | ポリ4−メチル−1−ペンテン製デイスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57059609A JPS58176204A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | ポリ4−メチル−1−ペンテン製デイスク及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176204A true JPS58176204A (ja) | 1983-10-15 |
JPH0330931B2 JPH0330931B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=13118161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57059609A Granted JPS58176204A (ja) | 1982-04-12 | 1982-04-12 | ポリ4−メチル−1−ペンテン製デイスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58176204A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157338A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 光情報記録媒体 |
EP0518231A2 (en) * | 1991-06-05 | 1992-12-16 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of substrates for optical disk |
US5575544A (en) * | 1992-08-26 | 1996-11-19 | Clarion Co., Ltd. | Vehicle-mounted equipment anti-theft mechanism |
-
1982
- 1982-04-12 JP JP57059609A patent/JPS58176204A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63157338A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 光情報記録媒体 |
EP0518231A2 (en) * | 1991-06-05 | 1992-12-16 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of substrates for optical disk |
US5354517A (en) * | 1991-06-05 | 1994-10-11 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of substrates for optical disk |
US5575544A (en) * | 1992-08-26 | 1996-11-19 | Clarion Co., Ltd. | Vehicle-mounted equipment anti-theft mechanism |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0330931B2 (ja) | 1991-05-01 |
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