JPH05182260A

JPH05182260A - 光ディスク基板の製造方法

Info

Publication number: JPH05182260A
Application number: JP4150959A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Minoda; 武美濃田
Original assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Current assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date: 1991-06-10
Filing date: 1992-06-10
Publication date: 1993-07-23

Abstract

(57)【要約】【目的】高密度記録されピットサイズが小さくても、
基板上に形成されたピットの転写性のよい光ディスク基
板の製造方法を提供すること。【構成】熱可塑性樹脂を射出成形して光ディスク基板
を製造する際に、得られる基板の直径をＤ（ｃｍ）、厚
みをｔ（ｍｍ）としたときに、射出成形時の充填時間
（Ｔ（秒））が下記の範囲にあることを特徴とする光デ
ィスク基板の製造方法。２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／
１.２≦Ｔ≦１２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ
^0.5）×ｔ／１.２

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は光ディスク基板の製造方法
に関し、さらに詳しくは、高密度記録されてピットサイ
ズが小さくなった場合でも、基板上に転写されるピット
の転写性が良好な光ディスク基板の製造方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】近年コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）、レーザーディスク（ＬＤ）などの光ディスクで
は、高密度記録をして再生時間を長くすることが検討さ
れている。同一径で再生時間を長くするためには、トラ
ックピッチを狭くして半径方向単位長さ当たりのトラッ
ク本数を増やしたり、ピットサイズを小さくして再生時
の線速（回転数）を落とす必要がある。たとえば、直径
が３０ｃｍ、記録ゾーン径がφ１２〜φ２９ｃｍ、片面
の再生時間が３０分、再生時の線速度が１９ｍ／秒の光
ディスクのトラックピッチが１.６μｍ、最短ピット長
が０.５０μｍである場合、同一径の光ディスクで片面
で６０分の再生時間を達成するためには、再生時の線速
度が１５ｍ／秒のときに、トラックピッチが１.０１μ
ｍ、最小ピットのサイズは約０.４μｍとなる。

【０００３】ピットサイズが小さくなると、射出成形時
にスタンパーから基板に転写されるピットの転写性が問
題となる。ピットが正確に転写されていないと、再生時
の信号品質にムラが生じ、再生信号の質が悪化する。

【０００４】従来は、光ディスク基板の材料としては、
ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレートが使用さ
れているが、これらの材料は高密度記録された光ディス
クの射出成形を行うとピットの転写率が低いという問題
があった。

【０００５】本発明者らはこのような従来技術に鑑み鋭
意検討したところ、射出成型時の充填時間を特定の範囲
にすると、ピットサイズが小さくてもピット転写性のよ
い光ディスク基板を得ることができ、射出成型時の充填
時間を特定の範囲にするとともに、特定の環状オレフィ
ン系ポリマーを基板材料として用いると、さらに転写性
のよい光ディスク基板が得られることを見いだして本発
明を完成するに到った。

【０００６】

【発明の目的】本発明は、高密度記録されてピットサイ
ズが小さくなった場合でも、基板上に形成されたピット
の転写性のよい光ディスク基板の製造方法を提供するこ
とを目的としている。

【０００７】

【発明の概要】本発明に係る光ディスクの製造方法は、
熱可塑性樹脂を射出成形して光ディスク基板を製造する
際に、得られる基板の直径をＤとし（ｃｍ）、厚みをｔ
（ｍｍ）としたときに、射出成形時の充填時間（Ｔ
（秒））が下記の範囲にあることを特徴とする光ディス
ク基板の製造方法である。２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２≦Ｔ ≦１２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２このような本発明に係る光ディスクの製造方法では、上
記熱可塑性樹脂が環状オレフィン系ポリマーであること
が好ましい。

【０００８】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光ディスク基
板の製造方法について具体的に説明する。本発明では加
熱溶融した熱可塑性樹脂を、スタンパが装着された金型
内に射出して、光ディスク基板を成形する。

【０００９】熱可塑性樹脂を射出成形する際の充填時間
（Ｔ（秒））は、得られる基板の直径をＤ（ｃｍ）と
し、厚みをｔ（ｍｍ）としたときに、通常２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２≦Ｔ ≦１２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２好ましくは、３.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２≦Ｔ ≦１０.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２の範囲である。

【００１０】このようにして得られる光ディスク基板の
トラックピッチは、通常０.５〜１.６μｍである。ま
た、高密度記録光ディスク基板の場合はトラックピッチ
は、０.５〜１.４μｍである。

【００１１】射出成型時の充填時間を上記のような範囲
にすることにより、高密度記録された光ディスク基板を
製造する場合であっても、ピット転写性のよい光ディス
ク基板を成形することができる。

【００１２】射出成型時の充填時間（Ｔ（秒））が上記
範囲より長い場合は、ピット転写性が悪化するのはもち
ろんのこと、基板の内周部と外周部とでピット転写性に
差が発生することもある。結果として、再生時の信号品
質にムラが生じ再生信号の質が悪化する。

【００１３】充填時間（Ｔ（秒））が上記範囲より短い
場合は、樹脂が射出成形機のノズル部や、ディスク金型
のゲート部を通過する時の速度が非常に速いため、剪断
発熱により局部的に樹脂が分解劣化し、成形された基盤
中に微細な気泡が発生したり、基板表面にシルバースト
リークが発生したりする。

【００１４】金型温度などの他の成形条件は使用する熱
可塑性樹脂により異なるが、たとえば、後述するような
本発明において好ましく用いられる環状オレフィン系ポ
リマーの場合は、シリンダ温度は通常２５０〜３５０
℃、好ましくは２６０〜３３０℃、金型温度は通常７０
〜１５０℃、好ましくは１００〜１３５℃、射出圧力は
通常１００〜２０００ｋｇ／ｃｍ²、好ましくは３００
〜１７００ｋｇ／ｃｍ²であることが望ましい。

【００１５】本発明に係る光ディスク基板の製造方法で
は、光ディスクが再生専用型、ライトワンス型、リライ
タブル型のいずれであっても同様に基板を成形すること
ができる。

【００１６】本発明で用いられる熱可塑性樹脂は特に限
定されないが、基板に成形したときに透明であることが
好ましく、具体的には、ポリメチルメタクリレート、ポ
リカーボネート、ポリカーボネートとポリスチレンのポ
リマーアロイ、米国特許４６１４７７８号明細書で示さ
れるような環状オレフィン系ポリマー、ポリ４-メチル-
１-ペンテン、エポキシ樹脂、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリサルフォン、ポリエーテルイミドなどが使用で
きる。

【００１７】本発明では、転写性に優れ、しかも複屈折
率が小さいという観点から、下記に示すような環状オレ
フィン系ポリマーが特に好ましく用いられる。好ましい
環状オレフィン系ポリマーは、（ｉ）エチレンと、（i
i）下記式［Ｉ］または［II］で表わされる不飽和単量
体からなる群から選ばれた少なくとも一種の環状オレフ
ィンとの共重合体であって、１３５℃のデカリン中で観
測した極限粘度［η］が０.０５〜１０ｄｌ／ｇの範囲
にある環状オレフィン系ランダム重合体である。

【００１８】

【化５】

【００１９】ただし上記式［Ｉ］において、ｎは０また
は１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０また
は１である。また、Ｒ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^a、Ｒ^bは、そ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素
基を表す。

【００２０】ここで、ハロゲン原子としては、例えば、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子を挙
げることができる。また、炭化水素基としては、それぞ
れ独立に、通常は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、
炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基を挙げることが
でき、アルキル基の具体的な例としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキ
シル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基およびオク
タデシル基を挙げることができる。またシクロアルキル
基の具体的な例としては、シクロヘキシル基を挙げるこ
とができる。

【００２１】さらに上記式［Ｉ］において、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶
とが、Ｒ¹⁷とＲ¹⁸とが、さらにＲ¹⁵とＲ¹⁷とが、Ｒ¹⁶と
Ｒ¹⁸とが、Ｒ¹⁵とＲ¹⁸とが、あるいはＲ¹⁶とＲ¹⁷とがそ
れぞれ結合して（互いに共同して）、単環または多環の
基を形成していてもよく、しかも、このようにして形成
された単環または多環の基が二重結合を有していてもよ
い。

【００２２】また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸
とでアルキリデン基を形成していてもよい。

【００２３】

【化６】

【００２４】（式［II］中、ｐは０または１以上の整数
であり、ｑおよびｒは、０、１また２であり、Ｒ¹〜Ｒ
¹⁵はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭
化水素基、芳香族炭化水素基、およびアルコキシ基であ
り、Ｒ⁵（またはＲ⁶）とＲ⁹（またはＲ⁷）とは、炭素数
１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよく、ま
た何の基も介さずに直接結合していてもよい。）さらに
上記式［II］は、下記式［II−ａ］で表される環状オレ
フィンであってもよい。

【００２５】

【化７】

【００２６】ただし上記式［II−ａ］において、ｐは０
または正の整数であり、好ましくは０〜３である。また
上記式［II−ａ］において、ｍおよびｎは０、１または
２である。さらに、ｑは０または正の整数であり、好ま
しくは０または１である。

【００２７】そして、Ｒ¹〜Ｒ¹⁹は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群か
ら選ばれる原子もしくは基である。ここで、ハロゲン原
子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子
およびヨウ素原子を挙げることができる。また、炭化水
素基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素
原子数５〜１５のシクロアルキル基、炭素原子数６〜１
２の芳香族基を挙げることができる。そして、アルキル
基の具体的な例としては、メチル基、エチル基、イソプ
ロピル基、イソブチル基、ｎ-アミル基、ネオペンチル
基、ｎ-ヘキシル基、ｎ-オクチル基、ｎ-デシル基およ
び２−エチルヘキシル基等を挙げることができ、シクロ
アルキル基の具体的な例としては、シクロヘキシル基、
メチルシクロヘキシル基およびエチルシクロヘキシル基
等を挙げることができ、また、芳香族基の具体的な例と
しては、フェニル基、ナフチル基およびビフェニル基等
を挙げることができる。

【００２８】また、上記式［II−ａ］において、Ｒ⁹が
結合している炭素原子とＲ¹³が結合している炭素原子、
または、Ｒ¹⁰が結合している炭素原子とＲ¹¹が結合して
いる炭素原子とは、炭素数１〜３のアルキレン基を介し
て結合していてもよく、また何の基も介さずに直接結合
していてもよい。

【００２９】さらに、ｎ＝ｍ＝０のとき、Ｒ¹⁵とＲ¹²ま
たはＲ¹⁵とＲ¹⁹とは互いに結合して単環または多環の芳
香族環を形成していてもよい。なお、上記式［Ｉ］にお
いて、ｋが０の場合は、ｋを用いて表わされる環は五員
環を形成し、この場合環状オレフィンは、下記式［Ｉ-
a］で表わされる。

【００３０】

【化８】

【００３１】（式［Ｉ-a］中、ｎは０または１であり、
ｍは０または正の整数であり、Ｒ¹ 〜Ｒ¹⁸は、それぞれ
独立に、水素原子、ハロゲン原子および炭化水素基であ
り、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合して単環または多環を形
成していてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を
有していてもよく、また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷
とＲ¹⁸とでアルキリデン基を形成していてもよい）。

【００３２】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体のうち、軟化温度（ＴＭＡ）が７０℃以上である環
状オレフィン系ランダム共重合体（以下、環状オレフィ
ン系ランダム共重合体［Ａ］という）が好ましく用いら
れる。この環状オレフィン系ランダム共重合体［Ａ］
は、一般式［Ｉ］または［II］で示される環状オレフィ
ン類と、エチレンとを、炭化水素混合溶液中あるいは上
記環状オレフィンからなる溶液中で、該溶媒に可溶性の
バナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる
触媒存在下に共重合させることにより製造することがで
きる。

【００３３】前記式［Ｉ］で表される環状オレフィン
は、シクロペンタジエン類と対応するオレフィン類とを
ディールス・アルダー反応させることにより容易に製造
することができる。

【００３４】この環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］は、上記のようにエチレンおよび前記環状オレフ
ィンを必須成分とするものであるが、該必須の二成分の
他に本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他
の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよ
い。任意に共重合されていてもよい該不飽和単量体とし
て、具体的には、たとえば生成するランダム共重合体中
のエチレン成分単位と等モル未満の範囲のプロピレン、
１-ブテン、４-メチル-１-ペンテン、１-ヘキセン、１-
オクテン、１-デセン、１-ドデセン、１-テトラデセ
ン、１-ヘキサデセン、１-オクタデセン、１-エイコセ
ンなどの炭素原子数が３〜２０のα-オレフィンなどを
例示することができる。

【００３５】上記のような環状オレフィン系ランダム共
重合体［Ａ］では、エチレンに由来する繰り返し単位
（ａ）は４０〜８５モル％、好ましくは５０〜７５モル
％の範囲で存在しており、また該環状オレフィンに由来
する繰り返し単位（ｂ）は１５〜６０モル％、好ましく
は２５〜５０モル％の範囲で存在しており、エチレンに
由来する繰り返し単位（ａ）および該環状オレフィンに
由来する繰り返し単位（ｂ）は、ランダムに実質上線状
に配列している。なお、エチレン組成および環状オレフ
ィン組成は¹³Ｃ−ＮＭＲによって測定した。

【００３６】この環状オレフィン系ランダム共重合体が
実質上線状であり、ゲル状架橋構造を有していないこと
は、該共重合体が１３５℃のデカリン中に完全に溶解す
ることによって確認できる。このような環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ａ］の１３５℃のデカリン中で測
定した極限粘度［η］は０.０５〜１０ｄｌ／ｇ、好ま
しくは０.０８〜５ｄｌ／ｇの範囲にある。

【００３７】また環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ａ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）は７０℃以上、好ましくは９０〜
２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃の範囲にあ
る。なお軟化温度（ＴＭＡ）は、デュポン社製Thermo M
echanical Analyzerを用いて１ｍｍ厚さシートの熱変形
挙動により測定した。すなわちシート上に石英製針をの
せ、荷重４９ｇをかけ、５℃／分で昇温し、針が０.６
３５ｍｍ侵入した温度をＴＭＡとした。また、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］のガラス転移温度
（Ｔｇ）は通常５０〜２３０℃、好ましくは７０〜２１
０℃の範囲にあることが望ましい。

【００３８】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ａ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は０
〜１０％、好ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５
％の範囲である。

【００３９】本発明では、また上記のような軟化温度
（ＴＭＡ）が７０℃以上である環状オレフィン系ランダ
ム共重合体［Ａ］に、エチレンと、上記式［Ｉ］または
［II］で表わされる環状オレフィンとの共重合体であっ
て、１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度［η］が
０.０１〜５ｄｌ／ｇの範囲にあり、軟化温度（ＴＭ
Ａ）が７０℃未満である環状オレフィン系ランダム共重
合体（以下環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］と
いう）を配合してなる環状オレフィン系ランダム共重合
体組成物から基板を形成することが特に好ましい。

【００４０】上記のような軟化点（ＴＭＡ）が７０℃未
満である環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］で
は、エチレンに由来する繰り返し単位（ａ）は６０〜９
８モル％、好ましくは６０〜９５モル％の範囲で存在し
ており、また該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
（ｂ）は２〜４０モル％、好ましくは５〜４０モル％の
範囲で存在しており、エチレンに由来する繰り返し単位
（ａ）および該環状オレフィンに由来する繰り返し単位
（ｂ）は、ランダムに実質上線状に配列している。な
お、エチレン組成および環状オレフィン組成は¹³Ｃ−Ｎ
ＭＲによって測定した。この環状オレフィン系ランダム
共重合体［Ｂ］が実質上線状であり、ゲル状架橋構造を
有していないことは、該共重合体が１３５℃のデカリン
中に完全に溶解することによって確認できる。

【００４１】このような環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］の１３５℃のデカリン中で測定した極限粘度
［η］は０.０１〜５ｄｌ／ｇ、好ましくは０.０５〜５
ｄｌ／ｇ、より好ましくは０.０８〜３ｄｌ／ｇの範囲
にある。

【００４２】また環状オレフィン系ランダム共重合体
［Ｂ］のサーマル・メカニカル・アナライザーで測定し
た軟化温度（ＴＭＡ）は７０℃未満、好ましくは−１０
〜６０℃、より好ましくは１０〜５５℃の範囲にある。
さらに、該環状オレフィン系ランダム共重合体［Ｂ］の
ガラス転移温度（Ｔｇ）は、通常−３０〜６０℃、好ま
しくは−２０〜５０℃の範囲にあることが望ましい。

【００４３】また、この環状オレフィン系ランダム共重
合体［Ｂ］のＸ線回析法によって測定した結晶化度は０
〜１０％、好ましくは０〜７％、より好ましくは０〜５
％の範囲である。

【００４４】本発明において、基板として環状オレフィ
ンランダム共重合体組成物を用いる場合には、該環状オ
レフィン系ランダム共重合体［Ａ］／該環状オレフィン
系ランダム共重合体［Ｂ］の重量比は１００／０.１〜
１００／１０、好ましくは１００／０.３〜１００／
７、より好ましくは１００／０.５〜１００／５の範囲
であることが望ましい。

【００４５】本発明における基板を構成する上記の環状
オレフィン共重合体［Ａ］および［Ｂ］は、特開昭６０
-１６８７０８号公報、特開昭６１-１２０８１６号公
報、特開昭６１-１１５９１２号公報、特開昭６１-１１
５９１６号公報、特開昭６２-２５２４０６号公報、特
開昭６２-２５２４０７号公報、特開昭６１-２７１３０
８号公報、特開昭６１-２７２２１６号公報などにおい
て本出願人が提案した方法に従い適宜条件を選択するこ
とにより、製造することができる。

【００４６】また、基板を形成する樹脂として、上記の
ような環状オレフィンランダム共重合体と共に、前記式
［Ｉ］で表わされる環状オレフィンが開環重合すること
により形成される次式［III］で表わされる繰り返し単
位を含む重合体あるいは共重合体を用いることもでき、
さらに上記式［III］で表わされる繰り返し単位を水添
することにより形成される次式［IV］で示すような繰り
返し単位を含む重合体あるいは共重合体を用いることも
できる。

【００４７】

【化９】

【００４８】

【化１０】

【００４９】（上記式［III］および［IV］において、
ｍ、ｎ、ｋおよびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^a、Ｒ^bは、前記
式［Ｉ］で示される環状オレフィンにおけるｍ、ｎ、ｋ
およびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ^a、Ｒ^bと同様である。）上
記環状オレフィン共重合体には必要に応じ、耐熱安定
剤、耐候安定剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロ
ッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成
油、ワックスなどを配合することができ、その配合割合
は適宜量である。

【００５０】また、本発明の光ディスクの基板には、本
発明の目的および透明性を損なわない範囲で、シリカ、
珪藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽
石粉、軽石バルーン、水酸化アルミニウム、水酸化マグ
ネシウム、塩基性炭酸マグネシウム、ドロマイト、硫酸
カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸
カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アスベスト、ガ
ラス繊維、ガラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ酸カル
シウム、モンモリナイト、ベントナイト、グラファイ
ト、アルミニウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭
化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊
維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維等の充填剤を配
合してもよい。

【００５１】上記のような環状オレフィン系ポリマーを
用い、前記の充填時間で射出成形することにより、さら
に転写性に優れた光ディスク基板を得ることができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明に係る光ディスク基板の製造方法
では、熱可塑性樹脂を射出成形する際に、特定の時間の
範囲で樹脂を金型に充填しているので、高密度記録であ
りピットサイズが小さくてもピット転写性に優れ、得ら
れた光ディスクは再生信号の質が良好である。

【００５３】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００５４】

【実施例１】充填時間を０.４秒に設定し、エチレン−
テトラシクロドデセン共重合体（¹³Ｃ−ＮＭＲ分析で測
定したエチレン含量５９モル％、１３５℃デカリン中で
測定した極限粘度［η］が０.４２ｄｌ／ｇ、軟化温度
（ＴＭＡ）１５４℃）を射出成形して、直径が３０ｃ
ｍ、厚みが１.２ｍｍ、トラックピッチが１.１３μｍ、
最小ピットサイズが０.３６μｍのレーザーディスク用
基板を製造した。

【００５５】得られたディスク基板の中心から１４ｃｍ
の位置のピット転写率を測定した結果、転写率は９５％
であった。

【００５６】

【比較例１】実施例１で使用したものと同様のエチレン
−テトラシクロドデセン共重合体を用い、充填時間を
１.００秒に設定して射出成形して、直径が３０ｃｍ、
厚みが１.２ｍｍ、トラックピッチが１.１３μｍ、最短
ピットピッチが０.３６μｍのレーザーディスク用基板
を製造した。

【００５７】得られたディスク基板の中心から１４ｃｍ
の位置のピット転写率を測定した結果、転写率は８０％
であった。

【００５８】

【比較例２】実施例１で使用したものと同様のエチレン
−テトラシクロドデセン共重合体を用い、充填時間を
０.０９秒に設定して射出成形して、直径が３０ｃｍ、
厚みが１.２ｍｍ、トラックピッチが１.１３μｍ、最短
ピットピッチが０.３６μｍのレーザーディスク用基板
を製造した。

【００５９】得られたディスク基板の表面にはシルバー
ストリークが発生していた。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｂ２９Ｌ 11:00 4Ｆ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱可塑性樹脂を射出成形して光ディスク
基板を製造する際に、得られる基板の直径をＤ（ｃｍ）とし、厚みをｔ（ｍ
ｍ）としたときに、射出成形時の充填時間（Ｔ（秒））
が下記の範囲にあることを特徴とする光ディスク基板の
製造方法。２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２≦Ｔ ≦１２.０×（０.００１×Ｄ＋０.００５×Ｄ^0.5）×ｔ／１.２
【請求項２】上記光ディスク基板のトラックピッチが
０.５〜１.４μｍの範囲である請求項１に記載の光ディ
スク基板の製造方法。
【請求項３】上記熱可塑性樹脂が、（ａ）下記式
［Ｉ］および／または下記式［II］で表される環状オレ
フィンをエチレンとのランダム共重合体、（ｂ）下記式
［III］で表される繰り返し単位を含む重合体もしくは
共重合体、（ｃ）下記式［IV］で表される繰り返し単位
を含む重合体もしくは共重合体、よりなる群から選ばれ
る少なくとも１種の重合体である請求項１または請求項
２に記載の光ディスク基板の製造方法。【化１】（式［Ｉ］中、ｎは０または１であり、ｍは０または正
の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ¹〜Ｒ¹⁸およびＲ^a、Ｒ^bは、それぞれ独立に、水素原
子、ハロゲン原子および炭化水素基よりなる群から選ば
れる原子もしくは基を表し、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、互いに結合して単環または多環を形成し
ていてもよく、かつ該単環または多環が二重結合を有し
ていてもよく、また、Ｒ¹⁵とＲ¹⁶とで、またはＲ¹⁷とＲ¹⁸とでアルキリ
デン基を形成していてもよい。）【化２】（式［II］中、ｐは０または１以上の整数であり、ｑお
よびｒは、０、１また２であり、Ｒ¹〜Ｒ¹⁵はそれぞれ
独立に水素原子、ハロゲン原子、脂肪族炭化水素基、芳
香族炭化水素基、およびアルコキシ基であり、Ｒ⁵（ま
たはＲ⁶）とＲ⁹（またはＲ⁷）とは、炭素数１〜３のア
ルキレン基を介して結合していてもよく、また何の基も
介さずに直接結合していてもよい。）【化３】（式［III］中、ｎ、ｍ、ｋおよびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびにＲ
^a、Ｒ^bは、式［Ｉ］と同様である。）【化４】（式［IV］中、ｎ、ｍ、ｋおよびＲ¹〜Ｒ¹⁸ならびに
Ｒ^a、Ｒ^bは、上記式［Ｉ］と同様である。）
【請求項４】上記光ディスク基板が再生専用光ディス
ク基板である請求項１ないし請求項３に記載の光ディス
ク基板の製造方法。