JPH0985743A - 成形方法、および成形品 - Google Patents
成形方法、および成形品Info
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- JPH0985743A JPH0985743A JP7270620A JP27062095A JPH0985743A JP H0985743 A JPH0985743 A JP H0985743A JP 7270620 A JP7270620 A JP 7270620A JP 27062095 A JP27062095 A JP 27062095A JP H0985743 A JPH0985743 A JP H0985743A
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- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来からの表面精度の測定ではその存在が確
認できないような、径０．２〜２μｍ、深さ１５０ｎｍ
程度の微小なくぼみが少ない表面を有した熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂成形品を得る。 【解決手段】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂をそのガラ
ス転移温度より６０℃低い温度以上に２時間以上保持し
た後６時間以内に成形する。例えば、ガラス転移温度が
約１４０℃であれば、好ましくは１００〜１２０℃程度
で６〜１２時間保持し、６時間以内に溶融成形（例え
ば、射出成形）する。
認できないような、径０．２〜２μｍ、深さ１５０ｎｍ
程度の微小なくぼみが少ない表面を有した熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂成形品を得る。 【解決手段】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂をそのガラ
ス転移温度より６０℃低い温度以上に２時間以上保持し
た後６時間以内に成形する。例えば、ガラス転移温度が
約１４０℃であれば、好ましくは１００〜１２０℃程度
で６〜１２時間保持し、６時間以内に溶融成形（例え
ば、射出成形）する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱可塑性ノルボル
ネン系樹脂の成形方法、および成形品に関し、さらに詳
しくは、成形品表面に微細なくぼみがない熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂の成形方法、および成形品に関する。
ネン系樹脂の成形方法、および成形品に関し、さらに詳
しくは、成形品表面に微細なくぼみがない熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂の成形方法、および成形品に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、その透
明性、機械的特性、耐候性などの特性を活かし、様々な
分野で使用されている。
明性、機械的特性、耐候性などの特性を活かし、様々な
分野で使用されている。
【０００３】近時、情報ディスク基板など、高い表面精
度を求められる分野にも、熱可塑性ノルボルネン系樹脂
は使用されるようになってきた（特開平７−１５３０６
０号公報など）。これらの分野では、技術の進歩に従っ
て、より高い表面精度が要求されるようになってきた。
その結果、熱可塑性ノルボルネン系樹脂成形品において
は、従来から知られている方法で測定した表面精度、例
えばＲａ、Ｒｆなどでは要求性能を満たすにも関わら
ず、径が１μｍ、深さ１５０ｎｍ程度のドーナッツ状の
くぼみが多く存在する場合があることがわかった。この
くぼみが存在すると、例えば、情報ディスク基板上に記
録膜を形成すると記録膜の歪みの原因となることがある
など、特定の用途においては、実用上、表面精度が不十
分となることがあった。
度を求められる分野にも、熱可塑性ノルボルネン系樹脂
は使用されるようになってきた（特開平７−１５３０６
０号公報など）。これらの分野では、技術の進歩に従っ
て、より高い表面精度が要求されるようになってきた。
その結果、熱可塑性ノルボルネン系樹脂成形品において
は、従来から知られている方法で測定した表面精度、例
えばＲａ、Ｒｆなどでは要求性能を満たすにも関わら
ず、径が１μｍ、深さ１５０ｎｍ程度のドーナッツ状の
くぼみが多く存在する場合があることがわかった。この
くぼみが存在すると、例えば、情報ディスク基板上に記
録膜を形成すると記録膜の歪みの原因となることがある
など、特定の用途においては、実用上、表面精度が不十
分となることがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ようなくぼみをなくし、表面精度に優れた成形品を得る
ことにある。
ようなくぼみをなくし、表面精度に優れた成形品を得る
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意努力
の結果、一定時間を超えて保存したペレット状、セメン
ト状などの熱可塑性ノルボルネン系樹脂を成形するとく
ぼみが現れ、保存期間が増えるに従って問題のくぼみが
増加すること、これを高温下に保持することでくぼみが
なくなることを見い出し、本発明を完成させるにいたっ
た。かくして本発明によれば、熱可塑性ノルボルネン系
樹脂を溶融して成形する方法であって、熱可塑性ノルボ
ルネン系樹脂をそのガラス転移温度より６０℃低い温度
以上にに２時間以上保持し、保持終了後６時間以内に成
形することを特徴とする成形方法、及び該成形方法で成
形した成形品が提供される。
の結果、一定時間を超えて保存したペレット状、セメン
ト状などの熱可塑性ノルボルネン系樹脂を成形するとく
ぼみが現れ、保存期間が増えるに従って問題のくぼみが
増加すること、これを高温下に保持することでくぼみが
なくなることを見い出し、本発明を完成させるにいたっ
た。かくして本発明によれば、熱可塑性ノルボルネン系
樹脂を溶融して成形する方法であって、熱可塑性ノルボ
ルネン系樹脂をそのガラス転移温度より６０℃低い温度
以上にに２時間以上保持し、保持終了後６時間以内に成
形することを特徴とする成形方法、及び該成形方法で成
形した成形品が提供される。
【０００６】
【発明の実施の形態】（熱可塑性ノルボルネン系樹脂）
熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、特開平１−１６８７２
５号公報、特開平１−１９０７２６号公報、特開平３−
１４８８２号公報、特開平３−１２２１３７号公報、特
開平４−６３８０７号公報などで公知の樹脂であり、具
体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加
物、ノルボルネン系単量体の付加型重合体、ノルボルネ
ン系単量体とオレフィンの付加型重合体などが挙げられ
る。
熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、特開平１−１６８７２
５号公報、特開平１−１９０７２６号公報、特開平３−
１４８８２号公報、特開平３−１２２１３７号公報、特
開平４−６３８０７号公報などで公知の樹脂であり、具
体的には、ノルボルネン系単量体の開環重合体水素添加
物、ノルボルネン系単量体の付加型重合体、ノルボルネ
ン系単量体とオレフィンの付加型重合体などが挙げられ
る。
【０００７】ノルボルネン系単量体も、上記公報や特開
平２−２２７４２４号公報、特開平２−２７６８４２号
公報などで公知の単量体であって、例えば、ノルボルネ
ン、そのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体お
よびこれら置換または非置換のオレフィンのハロゲン、
水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド
基、イミド基、シリル基などの炭素以外の元素を有する
置換基で置換された置換体、例えば、２−ノルボルネ
ン、５−メチル−２−ノルボルネン、５，５−ジメチル
−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、
５−ブチル−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−
ノルボルネン、５−メトキシカルボニル−２−ノルボル
ネン、５−シアノ−２−ノルボルネン、５−メチル−５
−メトキシカルボニル−２−ノルボルネン、５−フェニ
ル−２−ノルボルネン、５−フェニル−５−メチル−２
−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボエルネン、
５−オクチル−２−ノルボルネン、５−オクタデシル−
２−ノルボルネンなど； ノルボルネンに一つ以上のシ
クロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の
誘導体や置換体、例えば、１，４：５，８−ジメタノ−
２，３−シクロペンタジエノ−１，２，３，４，４ａ，
５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−メチル−
１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，
７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，４：５，
１０：６，９−トリメタノ−２，３−シクロペンタジエ
ノ−１，２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，
１０，１０ａ−ドデカヒドロアントラセンなど； シク
ロペンタジエンがディールス・アルダー反応によって多
量化した多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や
置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、２，３−ジヒ
ドロジシクロペンタジエンなど； シクロペンタジエン
とテトラヒドロインデンなどとの付加物、その上記と同
様の誘導体や置換体、例えば、１，４−メタノ−１，
４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフ
ルオレン、５，８−メタノ−２，３−シクロペンタジエ
ノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒド
ロナフタレンなど； などが挙げられる。
平２−２２７４２４号公報、特開平２−２７６８４２号
公報などで公知の単量体であって、例えば、ノルボルネ
ン、そのアルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体お
よびこれら置換または非置換のオレフィンのハロゲン、
水酸基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド
基、イミド基、シリル基などの炭素以外の元素を有する
置換基で置換された置換体、例えば、２−ノルボルネ
ン、５−メチル−２−ノルボルネン、５，５−ジメチル
−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、
５−ブチル−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−
ノルボルネン、５−メトキシカルボニル−２−ノルボル
ネン、５−シアノ−２−ノルボルネン、５−メチル−５
−メトキシカルボニル−２−ノルボルネン、５−フェニ
ル−２−ノルボルネン、５−フェニル−５−メチル−２
−ノルボルネン、５−ヘキシル−２−ノルボエルネン、
５−オクチル−２−ノルボルネン、５−オクタデシル−
２−ノルボルネンなど； ノルボルネンに一つ以上のシ
クロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の
誘導体や置換体、例えば、１，４：５，８−ジメタノ−
２，３−シクロペンタジエノ−１，２，３，４，４ａ，
５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−メチル−
１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，
７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，４：５，
１０：６，９−トリメタノ−２，３−シクロペンタジエ
ノ−１，２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，
１０，１０ａ−ドデカヒドロアントラセンなど； シク
ロペンタジエンがディールス・アルダー反応によって多
量化した多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や
置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、２，３−ジヒ
ドロジシクロペンタジエンなど； シクロペンタジエン
とテトラヒドロインデンなどとの付加物、その上記と同
様の誘導体や置換体、例えば、１，４−メタノ−１，
４，４ａ，４ｂ，５，８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフ
ルオレン、５，８−メタノ−２，３−シクロペンタジエ
ノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒド
ロナフタレンなど； などが挙げられる。
【０００８】本発明においては、熱可塑性ノルボルネン
系樹脂の数平均分子量は、トルエン溶媒によるＧＰＣ
（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）法で測
定したポリスチレン換算値で、１０，０００以上、好ま
しくは１５，０００以上、より好ましくは２０，０００
以上、２００，０００以下、好ましくは１００，０００
以下、より好ましくは５０，０００以下のものである。
分子量が小さすぎると機械的強度が低く、大きすぎると
成形が困難になる。なお、ノルボルネン系単量体の開環
重合体のように主鎖構造に不飽和結合を有する場合は、
水素添加することにより、主鎖構造を飽和させることが
好ましい。水素添加する場合は、主鎖構造の水素添加率
が、９０％以上にすることが好ましく、９５％以上にす
ることがより好ましく、９９％以上にすることが特に好
ましい。水素添加率が低く、主鎖構造中の不飽和結合が
多いと、耐熱劣化性などに劣り、長期間の安定した使用
が困難となる場合がある。
系樹脂の数平均分子量は、トルエン溶媒によるＧＰＣ
（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）法で測
定したポリスチレン換算値で、１０，０００以上、好ま
しくは１５，０００以上、より好ましくは２０，０００
以上、２００，０００以下、好ましくは１００，０００
以下、より好ましくは５０，０００以下のものである。
分子量が小さすぎると機械的強度が低く、大きすぎると
成形が困難になる。なお、ノルボルネン系単量体の開環
重合体のように主鎖構造に不飽和結合を有する場合は、
水素添加することにより、主鎖構造を飽和させることが
好ましい。水素添加する場合は、主鎖構造の水素添加率
が、９０％以上にすることが好ましく、９５％以上にす
ることがより好ましく、９９％以上にすることが特に好
ましい。水素添加率が低く、主鎖構造中の不飽和結合が
多いと、耐熱劣化性などに劣り、長期間の安定した使用
が困難となる場合がある。
【０００９】また、熱可塑性ノルボルネン系樹脂のガラ
ス転移温度（以下、Ｔｇという）は、１１０℃以上のも
のが好ましく、１２０℃以上のものがより好ましく、１
３０℃以上のものが特に好ましい。Ｔｇが低すぎると耐
熱性が低下する。
ス転移温度（以下、Ｔｇという）は、１１０℃以上のも
のが好ましく、１２０℃以上のものがより好ましく、１
３０℃以上のものが特に好ましい。Ｔｇが低すぎると耐
熱性が低下する。
【００１０】なお、用途に応じて熱可塑製ノルボルネン
系樹脂には、本発明の成形品の特性を失わない範囲で、
各種添加剤を添加してもよい。例えば、熱可塑性ノルボ
ルネン系樹脂の場合、フェノール系やリン系などの老化
防止剤； フェノール系などの熱劣化防止剤； ベンゾ
フェノン系などの紫外線安定剤； アミン系などの帯電
防止剤； 脂肪族アルコールのエステル、多価アルコー
ルの部分エステル及び部分エーテルなどの滑剤； 難燃
剤； などの各種添加剤を添加してもよい。また、用途
に応じて本発明の組成物の特性を失わない範囲で、エチ
レン系重合体などの樹脂やゴム質重合体； グラファイ
ト、フッ素系樹脂粉末などの摺動性剤；フィラー； な
どを添加してもよい。
系樹脂には、本発明の成形品の特性を失わない範囲で、
各種添加剤を添加してもよい。例えば、熱可塑性ノルボ
ルネン系樹脂の場合、フェノール系やリン系などの老化
防止剤； フェノール系などの熱劣化防止剤； ベンゾ
フェノン系などの紫外線安定剤； アミン系などの帯電
防止剤； 脂肪族アルコールのエステル、多価アルコー
ルの部分エステル及び部分エーテルなどの滑剤； 難燃
剤； などの各種添加剤を添加してもよい。また、用途
に応じて本発明の組成物の特性を失わない範囲で、エチ
レン系重合体などの樹脂やゴム質重合体； グラファイ
ト、フッ素系樹脂粉末などの摺動性剤；フィラー； な
どを添加してもよい。
【００１１】（処理）本発明においては、熱可塑性ノル
ボルネン系樹脂を高温下に保持する。保持する温度は、
用いる熱可塑性ノルボルネン系樹脂に応じて、Ｔｇ−６
０℃以上、好ましくはＴｇ−５０℃以上、より好ましく
はＴｇ−４０℃以上であって、かつ、好ましくはＴｇ−
５℃以下、より好ましくはＴｇ−１０℃以下、特に好ま
しくはＴｇ−１５℃以下である。保持する時間は２時間
以上、好ましくは４時間以上、より好ましくは６時間以
上、好ましくは４８時間以下、より好ましくは２４時間
以下、特に好ましくは１２時間以下である。また、好ま
しくは１気圧以下の気圧で保持する。
ボルネン系樹脂を高温下に保持する。保持する温度は、
用いる熱可塑性ノルボルネン系樹脂に応じて、Ｔｇ−６
０℃以上、好ましくはＴｇ−５０℃以上、より好ましく
はＴｇ−４０℃以上であって、かつ、好ましくはＴｇ−
５℃以下、より好ましくはＴｇ−１０℃以下、特に好ま
しくはＴｇ−１５℃以下である。保持する時間は２時間
以上、好ましくは４時間以上、より好ましくは６時間以
上、好ましくは４８時間以下、より好ましくは２４時間
以下、特に好ましくは１２時間以下である。また、好ま
しくは１気圧以下の気圧で保持する。
【００１２】温度が高すぎると、溶融したり、ペレット
同士がくっついたりするため、成形のための取扱いが困
難になることがあり、まれに熱劣化することがあり、ま
た、エネルギーの無駄である。温度が低すぎると、本発
明の効果が現れにくい。保持時間が短すぎても本発明の
効果が現れにくく、保持時間が長すぎると生産効率が悪
く、エネルギーも無駄になる。気圧は高すぎると、本発
明の効果が現れにくい。
同士がくっついたりするため、成形のための取扱いが困
難になることがあり、まれに熱劣化することがあり、ま
た、エネルギーの無駄である。温度が低すぎると、本発
明の効果が現れにくい。保持時間が短すぎても本発明の
効果が現れにくく、保持時間が長すぎると生産効率が悪
く、エネルギーも無駄になる。気圧は高すぎると、本発
明の効果が現れにくい。
【００１３】（溶融成形）本発明においては、成形自体
は、樹脂を溶融して成形する方法であれば、特に限定さ
れず、一般の熱可塑性樹脂を成形する方法、射出成形、
押し出し成形、圧空成形、真空成形、熱プレス成形など
が用いられる。中でも射出成形が容易であり、また、寸
法精度に優れたものが得られる。
は、樹脂を溶融して成形する方法であれば、特に限定さ
れず、一般の熱可塑性樹脂を成形する方法、射出成形、
押し出し成形、圧空成形、真空成形、熱プレス成形など
が用いられる。中でも射出成形が容易であり、また、寸
法精度に優れたものが得られる。
【００１４】なお、本発明においては、前記処理後６時
間以内、好ましくは４時間以内、より好ましくは２時間
以内に樹脂を溶融して成形する。処理後の時間が長すぎ
ると本発明の効果が小さくなり、効果が全く現れないこ
ともある。
間以内、好ましくは４時間以内、より好ましくは２時間
以内に樹脂を溶融して成形する。処理後の時間が長すぎ
ると本発明の効果が小さくなり、効果が全く現れないこ
ともある。
【００１５】（成形品）本発明の成形品は、特に形状、
大きさなどは限定されない。くぼみの存在が問題となる
場合のある成形品としては、例えば、光ディスク、磁気
ディスク、光磁気ディスク、光カード、磁気カード、光
磁気カードなどの記録媒体基板； ポリゴンミラー、プ
リズム、レンズなどの光学部品； 液状サンプルの光吸
収などの測定用のセルなど光学測定部品； などが挙げ
られる。特に、記録媒体基板の場合には、径が１μｍの
くぼみの存在は大きな問題となる場合が多い。例えば、
通常の光ディスクのビットサイズは径が０．９〜３．３
μｍ前後であるので、約１μｍの径のくぼみは、データ
書き込み、データ読み込みの際のエラーの原因となる。
しかし、本発明の方法で製造したものであれば、くぼみ
が存在しないので、これによるエラーの発生はなくな
る。
大きさなどは限定されない。くぼみの存在が問題となる
場合のある成形品としては、例えば、光ディスク、磁気
ディスク、光磁気ディスク、光カード、磁気カード、光
磁気カードなどの記録媒体基板； ポリゴンミラー、プ
リズム、レンズなどの光学部品； 液状サンプルの光吸
収などの測定用のセルなど光学測定部品； などが挙げ
られる。特に、記録媒体基板の場合には、径が１μｍの
くぼみの存在は大きな問題となる場合が多い。例えば、
通常の光ディスクのビットサイズは径が０．９〜３．３
μｍ前後であるので、約１μｍの径のくぼみは、データ
書き込み、データ読み込みの際のエラーの原因となる。
しかし、本発明の方法で製造したものであれば、くぼみ
が存在しないので、これによるエラーの発生はなくな
る。
【００１６】（態様）本発明の態様としては、（１）
熱可塑性ノルボルネン系樹脂を溶融して成形する方法で
あって、熱可塑性ノルボルネン系樹脂をそのガラス転移
温度より６０℃低い温度以上に２時間以上保持した後６
時間以内に成形することを特徴とする成形方法、（２）
熱可塑性ノルボルネン系樹脂が、トルエン溶媒による
ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ法で測定し
たポリスチレン換算値で数平均分子量１０，０００〜２
００，０００のものである（１）記載の成形方法、
（３） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂がガラス転移温度
１１０℃以上のものである（１）〜（２）記載の成形方
法、（４） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂をガラス転移
温度より６０℃低い温度以上、ガラス転移温度より５℃
低い温度以下に保持する（１）〜（３）記載の成形方
法、（５） 保持する際の気圧が１気圧以下である
（１）〜（４）記載の成形方法、（６） 保持する時間
が４８時間以下である（１）〜（５）記載の成形方法、
（７） （１）〜（６）記載の成形方法で成形した成形
品、（８） ディスク基板である（７）記載の成形品、
などが例示される。
熱可塑性ノルボルネン系樹脂を溶融して成形する方法で
あって、熱可塑性ノルボルネン系樹脂をそのガラス転移
温度より６０℃低い温度以上に２時間以上保持した後６
時間以内に成形することを特徴とする成形方法、（２）
熱可塑性ノルボルネン系樹脂が、トルエン溶媒による
ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ法で測定し
たポリスチレン換算値で数平均分子量１０，０００〜２
００，０００のものである（１）記載の成形方法、
（３） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂がガラス転移温度
１１０℃以上のものである（１）〜（２）記載の成形方
法、（４） 熱可塑性ノルボルネン系樹脂をガラス転移
温度より６０℃低い温度以上、ガラス転移温度より５℃
低い温度以下に保持する（１）〜（３）記載の成形方
法、（５） 保持する際の気圧が１気圧以下である
（１）〜（４）記載の成形方法、（６） 保持する時間
が４８時間以下である（１）〜（５）記載の成形方法、
（７） （１）〜（６）記載の成形方法で成形した成形
品、（８） ディスク基板である（７）記載の成形品、
などが例示される。
【００１７】
【実施例】以下、本発明を実施例、比較例を挙げて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１８】実施例１ 熱可塑性ノルボルネン系樹脂（日本ゼオン製、ＺＥＯＮ
ＥＸ ４８０、ガラス転移温度約１４０℃、数平均分子
量約２８０００）のペレットを、大気圧、２０〜３０
℃、湿度４５〜６０％で、３ヶ月保持した。
ＥＸ ４８０、ガラス転移温度約１４０℃、数平均分子
量約２８０００）のペレットを、大気圧、２０〜３０
℃、湿度４５〜６０％で、３ヶ月保持した。
【００１９】このペレットを１．０×１０2Ｐａで１０
０℃に１０時間保持した。常圧に戻し、放置し、１時間
後に３５０℃に溶融し、射出成形してコンパクト・ディ
スクを製造した。このコンパクト・ディスクの表面のビ
ットを２０００個をランダムに選び、走査型電子顕微鏡
で観察したところ、不良なビットは３４個あり、そのい
ずれも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビッ
ト表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼ
みがありビットが歪んでいた。
０℃に１０時間保持した。常圧に戻し、放置し、１時間
後に３５０℃に溶融し、射出成形してコンパクト・ディ
スクを製造した。このコンパクト・ディスクの表面のビ
ットを２０００個をランダムに選び、走査型電子顕微鏡
で観察したところ、不良なビットは３４個あり、そのい
ずれも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビッ
ト表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼ
みがありビットが歪んでいた。
【００２０】実施例２ ペレットの高温保持を、常圧下１１０℃で１０時間保持
する以外は、実施例１と同様に処理したところ、不良な
ビットは５３個あり、そのいずれも径０．２〜２μｍの
ドーナッツ状のくぼみがビット表面にできていたり、ビ
ットの近くにそのようなくぼみがありビットが歪んでい
た。
する以外は、実施例１と同様に処理したところ、不良な
ビットは５３個あり、そのいずれも径０．２〜２μｍの
ドーナッツ状のくぼみがビット表面にできていたり、ビ
ットの近くにそのようなくぼみがありビットが歪んでい
た。
【００２１】比較例１ ペレットの高温保持をしない以外は実施例１と同様に処
理したところ、不良なビットは５２１個あり、そのいず
れも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビット
表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼみ
がありビットが歪んでいた。
理したところ、不良なビットは５２１個あり、そのいず
れも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビット
表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼみ
がありビットが歪んでいた。
【００２２】比較例２ 高温処理の１時間後に溶融・射出成形する代わりに１０
時間後に溶融・射出成形する以外は実施例１と同様に処
理したところ、不良なビットは４１５個あり、そのいず
れも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビット
表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼみ
がありビットが歪んでいた。
時間後に溶融・射出成形する以外は実施例１と同様に処
理したところ、不良なビットは４１５個あり、そのいず
れも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビット
表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼみ
がありビットが歪んでいた。
【００２３】比較例３ 常圧に戻した後、デシケータ内に保持し、１０時間後に
取り出して溶融・射出成形する以外は比較例２と同様に
処理したところ、不良なビットは４２８個あり、そのい
ずれも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビッ
ト表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼ
みがありビットが歪んでいた。
取り出して溶融・射出成形する以外は比較例２と同様に
処理したところ、不良なビットは４２８個あり、そのい
ずれも径０．２〜２μｍのドーナッツ状のくぼみがビッ
ト表面にできていたり、ビットの近くにそのようなくぼ
みがありビットが歪んでいた。
【００２４】
【発明の効果】本発明の成形方法で成形した成形品表面
は、従来からの表面精度の測定では問題とならなかった
ような、微小なくぼみが少なく、精度のよい成形品が得
られる。
は、従来からの表面精度の測定では問題とならなかった
ような、微小なくぼみが少なく、精度のよい成形品が得
られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｋ 45:00 Ｂ２９Ｌ 17:00
Claims (3)
- 【請求項１】 熱可塑性ノルボルネン系樹脂を溶融して
成形する方法であって、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を
そのガラス転移温度より６０℃低い温度以上に２時間以
上保持し、保持終了後６時間以内に成形することを特徴
とする成形方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の成形方法で成形した成形
品。 - 【請求項３】 ディスク基板である請求項２記載の成形
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270620A JPH0985743A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 成形方法、および成形品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7270620A JPH0985743A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 成形方法、および成形品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0985743A true JPH0985743A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17488631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7270620A Pending JPH0985743A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 成形方法、および成形品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0985743A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939595B2 (en) | 2002-11-14 | 2005-09-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium substrate using thermoplastic allyloxymethylstyrene resin, magnetic recording medium using the substrate, and method of manufacturing the magnetic recording medium |
| US7358315B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-04-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Thermoplastic allyloxymethylstyrene-based resin |
-
1995
- 1995-09-25 JP JP7270620A patent/JPH0985743A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939595B2 (en) | 2002-11-14 | 2005-09-06 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium substrate using thermoplastic allyloxymethylstyrene resin, magnetic recording medium using the substrate, and method of manufacturing the magnetic recording medium |
| US7358315B2 (en) | 2002-11-14 | 2008-04-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Thermoplastic allyloxymethylstyrene-based resin |
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