JPH11134711A - ディスク状記録媒体用基板、ディスク状記録媒体用基板の製造方法並びにディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 浮上型光学ヘッドと衝突することがなく、信
頼性の高い記録再生を可能とするディスク状記録媒体用
基板及びその製造方法並びにこの基板を用いたディスク
状記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うディスク
装置を提供する。 【解決手段】 例えば光磁気ディスク１０に用いられる
ディスク基板１１において、基板表面には、その平均面
から測定した高さが、使用されるレーザビームの波長の
１／４以上となる突起が形成されないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光を使用して記録
及び／又は再生が行われるディスク状記録媒体に用いら
れるディスク状記録媒体用基板及びその製造方法並びに
ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、再生専用光ディスク、光磁気
ディスク、相変化型光ディスク等のように、光を用いて
情報信号の読み出しや書き込みが行われるディスク状記
録媒体が普及している。

【０００３】これらのディスク状記録媒体に対して情報
信号の記録及び／又は再生を行うディスク装置は、例え
ば再生時においては、半導体レーザからレーザビームを
出射して、このレーザビームを光学系を用いて絞り込
み、装着されたディスク状記録媒体の信号記録面上に焦
点を合わせて照射し、その反射光を検出することによ
り、ディスク状記録媒体に記録された情報信号を読み出
すようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
光を用いてディスク状記録媒体に対して情報信号の読み
出しや書き込みを行うシステムが普及する中で、このシ
ステムに用いられるディスク状記録媒体は、記録密度の
向上と信頼性の向上とが求められている。

【０００５】しかしながら、このようなシステムにおい
ては、記録密度の向上を図るべく、光学ヘッドをディス
ク状記録媒体に近接させた場合に、光学ヘッドとディス
ク状記録媒体が衝突してしまう可能性があり、このよう
な光学ヘッドとディスク状記録媒体との衝突がディスク
状記録媒体の信頼性を損う大きな要因となっていた。

【０００６】そこで、本発明は、高密度で信頼性の高い
ディスク状記録媒体を得ることができるディスク状記録
媒体用基板及びその製造方法並びにこの基板を用いたデ
ィスク状記録媒体に対して記録及び／又は再生を行うデ
ィスク装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係るディスク状
記録媒体用基板は、上述した課題を解決すべく創案され
たものであって、光を使用して記録及び／又は再生が行
われるディスク状記録媒体に用いられるディスク状記録
媒体用基板において、少なくともディスク状記録媒体の
信号が記録される領域に対応した領域には、基板表面か
ら測定した高さが上記光の波長の１／４以上となる突起
が形成されていないことを特徴とするものである。

【０００８】ディスク状記録媒体は、このディスク状記
録媒体用基板を基板として用いることにより、少なくと
も信号が記録される領域を、光の波長の１／４以上とな
る突起のない平滑な平面とすることができ、光学ヘッド
が近接した場合であっても、光学ヘッドとの衝突が回避
され、信頼性の向上及び高密度記録が可能となる。

【０００９】特に、近年、ニアフィールド記録と呼ばれ
る記録再生方式を用いて、レーザビームのスポット径を
小さくし、ディスク状記録媒体の高密度記録化を図るよ
うにしたシステムが提案されている。

【００１０】このニアフィールド記録は、レーザビーム
が屈折率ｎの高いレンズを透過したときに、このレンズ
から極めて近接した領域において得られる、スポットが
１／ｎに絞られた漏れ光を利用して記録再生を行うもの
である。このとき、記録再生を行うために必要な出力を
もつ漏れ光が得られるのは、レンズからの距離がλ／４
程度までの領域である。

【００１１】したがって、例えばディスク状記録媒体に
対して記録及び／又は再生を行うために使用される光の
波長λが約６５９ｎｍである場合、ニアフィールド記録
により高密度記録を図るためには、光学ヘッドをディス
ク状記録媒体の信号記録面から約１６５ｎｍ（λ／４）
以内の浮上量で浮上させて、記録及び／又は再生を行う
必要がある。

【００１２】このとき、ディスク状記録媒体の信号が記
録される領域に約１６５ｎｍ（λ／４）以上の高さの突
起が存在すると、このディスク状記録媒体は、突起が原
因となって光学ヘッドと衝突し、光学ヘッドの損傷ある
いはディスク状記録媒体自体の損傷を招いてしまう場合
がある。

【００１３】本発明に係るディスク状記録媒体用基板を
用いたディスク状記録媒体は、少なくとも信号が記録さ
れる領域が、光の波長の１／４以上となる突起のない平
滑な平面とされるので、このニアフィールド記録により
記録及び／又は再生を行うようにしても光学ヘッドとの
衝突が回避され、信頼性を損なうことなく記録密度を大
幅に向上させることができる。

【００１４】また、本発明に係るディスク状記録媒体用
基板は、樹脂を射出成形することにより形成されている
ことが望ましい。

【００１５】ディスク状記録媒体用樹脂基板は、樹脂を
射出成形して形成されることにより、ディスク表面にヘ
ッド位置決め情報やアドレス情報のための凹部が設けら
れたディスク状記録媒体やトラック間にグルーブを有す
るディスク状記録媒体用の基板として、精度良く且つ容
易に形成することができ、ハードディスク等で用いられ
ているアルミニウム基板に比べて生産性良く且つ低コス
トで製造することができる。

【００１６】また、本発明に係るディスク状記録媒体用
基板は、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を射出成形するこ
とにより形成されていることが、より望ましい。

【００１７】ディスク状記録媒体用基板の材料として、
例えばポリカーボネートやメチルメタクリレート等を用
いた場合、吸湿によりディスク状記録媒体用基板に大き
な変形を生じさせてしまうことがあり、光学ヘッドを近
接させて記録及び／又は再生を行うディスク状記録媒体
に用いる基板の材料としては必ずしも適当とはいえな
い。また、低吸湿性のプラスチック材料を用いた場合で
あっても、ポリメチルペンテンやポリスチレン等では、
結晶性で成形後にディスク状記録媒体用基板に変形を生
じさせてしまったり、耐熱性が不十分であったり等の問
題がある。

【００１８】これに対して、ディスク状記録媒体用基板
の材料として、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を用いた場
合は、十分な耐熱性が得られ、吸湿や結晶性による変形
もほとんどなく、光学ヘッドを近接させて記録及び／又
は再生を行うディスク状記録媒体用の基板として最適な
ディスク状記録媒体用基板が得られる。

【００１９】また、本発明者は、上述した課題を解決す
べく、基板表面に、使用される光の波長の１／４以上の
突起が存在するディスク状記録媒体用基板１を子細に観
察したところ、図１に示すように、突起の直下部には異
物粒子２が存在し、この異物粒子２が原因となって、そ
の粒径Ｄに応じた高さＨを有する突起が生ずることを見
出した。そして、ディスク状記録媒体用基板の成形体中
に混入する所定径以上の異物粒子の数を制御することに
より、所定の高さ以上の突起が存在しないディスク状記
録媒体用基板が製造されることを見出した。

【００２０】現在の光を使用して記録及び／又は再生が
行われるディスク状記録媒体に対して広く使用されてい
るレーザビームの波長λは、約６５９ｎｍであることか
ら、このディスク状記録媒体用の基板に約１６５ｎｍ
（λ／４）以上の高さの突起が存在すると、上述したニ
アフィールド記録を行う際に、この突起が、ディスク状
記録媒体と浮上型光学ヘッドとの衝突の原因となる。そ
して、ディスク状記録媒体用基板の成形体中に、粒径
２．０μｍ以上の異物粒子が所定量以上存在すると、デ
ィスク状記録媒体用基板の基板表面に、約１６５ｎｍ以
上の高さの突起が発生する可能性が著しく増大すること
が判った。

【００２１】本発明に係るディスク状記録媒体用基板の
製造方法は、以上のような知見に基づいて創案されたも
のであって、光を使用して記録及び／又は再生が行われ
るディスク状記録媒体に用いられるディスク状記録媒体
用基板を製造するに際し、樹脂を成形体中の粒径２．０
μｍ以上の粒子の数が１００００個／ｇ以下となるよう
に制御してディスク状に成形し、少なくとも信号が記録
される領域には、基板表面から測定した高さが上記光の
波長の１／４以上となる突起が形成されていないディス
ク状記録媒体用基板を製造するようにしている。

【００２２】成形体中の異物粒子の数を制御する方法と
しては、例えば異物粒子数の少ない樹脂を用い、且つ、
クリーン度の高い環境下で成形する方法が挙げられる。

【００２３】このディスク状記録媒体用基板の製造方法
によれば、基板表面に、約１６５ｎｍ以上の突起が存在
しないディスク状記録媒体用基板を製造することができ
る。

【００２４】また、本発明に係るディスク装置は、ディ
スク状記録媒体を回転駆動させるモータと、このモータ
により回転駆動されるディスク状記録媒体上を、使用す
る光の波長の１／４以内の浮上量で浮上して、このディ
スク状記録媒体に対して情報信号の書き込み又は読み出
しを行う浮上型光学ヘッドとを備え、上記ディスク状記
録媒体の少なくとも信号が記録される領域には、その表
面から測定した高さが、上記光の波長の１／４以上とな
る突起が形成されていないことを特徴としている。

【００２５】このディスク装置によれば、浮上型光学ヘ
ッドが、モータにより回転駆動されるディスク状記録媒
体上を使用される光の波長の１／４以内の浮上量で浮上
して、このディスク状記録媒体に対して情報信号の書き
込み又は読み出しを行う。

【００２６】このとき、ディスク状記録媒体の少なくと
も信号が記録される領域には、その表面から測定した高
さが、使用する光の波長の１／４以上となる突起が形成
されていないので、浮上型光学ヘッドとディスク状記録
媒体との衝突が回避され、信頼性の高い記録及び／又は
再生を行うことができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００２８】本発明に係るディスク状記録媒体用基板
（以下、ディスク基板という。）は、再生専用光ディス
ク、光磁気ディスク、相変化型光ディスク等のように、
光を使用して記録及び／又は再生が行われるディスク状
記録媒体に用いられる基板であって、少なくともディス
ク状記録媒体の信号が記録される領域に対応した領域に
は、基板表面から測定した高さが使用する光の波長の１
／４以上となる突起が形成されていないことを特徴とし
ている。

【００２９】そして、このディスク基板は、浮上型光学
ヘッドによって情報信号の読み出し又は書き込みが行わ
れるディスク状記録媒体の基板として好適であり、特
に、ニアフィールド記録と呼ばれる、近接場の漏れ光を
利用して記録再生を行う方式により情報信号の読み出し
又は書き込みが行われるディスク状記録媒体の基板とし
て好適である。

【００３０】ニアフィールド記録は、屈折率ｎの高いレ
ンズを有する浮上型光学ヘッドを、ディスク状記録媒体
の信号記録面から、使用する光の波長の１／４以内の高
さで浮上させて、ディスク状記録媒体の信号記録面上に
スポット径が１／ｎに絞られたレーザビームを照射し、
ディスク状記録媒体から情報信号を読み出し、又はディ
スク状記録媒体に情報信号を書き込む方式であり、スポ
ット径を小さくすることにより、高密度記録を実現する
ものである。

【００３１】このディスク基板は、使用する光の波長の
１／４以上の高さの突起を持たないので、ニアフィール
ド記録により情報信号の読み出しや書き込みを行うよう
にしても、浮上型光学ヘッドとの衝突が回避され、信頼
性が向上する。

【００３２】以下、このディスク基板を樹脂を用いて成
形し、光磁気記録層を有する光磁気ディスクの基板とし
て用いて、浮上型光学ヘッドでニアフィールド記録によ
りこの光磁気ディスクに対して記録及び再生を行うよう
にした例について説明する。

【００３３】光磁気ディスク１０は、例えば図２に示す
ように、ディスク基板１１上に光磁気記録層１２が形成
されている。

【００３４】光磁気記録層１２は、Ａｌ反射膜１３と、
第１の誘電体膜１４と、記録膜１５と、第２の誘電体膜
１６とが順次積層されてなる。

【００３５】記録膜１５は、光磁気効果を発揮する膜で
あり、その材料としては、例えば、希土類としてＴｂ、
遷移金属としてＦｅを用いたＴｂ−Ｆｅアモルファス系
の材料等が用いられる。

【００３６】Ａｌ反射膜１３は、記録膜１５の反射率を
向上させるためのものである。

【００３７】また、第１及び第２の誘電体膜１４，１６
は、記録膜１５の耐湿性の向上やディスク基板１１の熱
変形を防止を図るとともに、記録膜１５による光の吸収
を増大させ且つ反射率変化を大きくするといった光学的
な効率の向上を図るためのものであり、その材料として
は、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂系の材料等が用いられ
る。

【００３８】光磁気ディスク１０は、ディスク基板１１
上に、上述した光磁気記録層１２を構成する各膜が、例
えばスパッタリング等により成膜されることにより製造
される。

【００３９】なお、光磁気ディスク１０は、光磁気記録
層１２上に、光磁気記録層１２を保護するための保護層
１７や、浮上型光学ヘッドが光磁気ディスク１０に接触
した際の衝撃を緩和するための、図示しない潤滑剤層が
形成されていることが望ましい。

【００４０】保護層１７は、例えばカーボンやＳｉＯ₂
等がスパッタリング等により光磁気記録層１２上に成膜
されることにより形成される。

【００４１】また、潤滑剤層は、例えばパーフルオロポ
リエーテル等がスピンコート法等により保護層１７上に
塗布されることにより形成される。

【００４２】一方、浮上型光学ヘッド２０は、図３に示
すように、半導体レーザから出射されるレーザビームを
集光するプリフォーカスレンズ２１と、このプリフォー
カスレンズ２１により集光されたレーザビームをさらに
絞り込んでビームスポットを形成するフォーカスレンズ
２２との２種類のレンズを備え、これらがレンズホルダ
２３に支持されてなる。

【００４３】２種類のレンズのうち、フォーカスレンズ
２２は、屈折率の高い材料が例えば半球状に成形されて
なり、円形平面が光磁気ディスク１０の光磁気記録層１
２側の面と対向するように、レンズホルダ２３に支持さ
れている。

【００４４】また、この浮上型ヘッド２０には、磁界変
調用の薄膜コイル２４が、フォーカスレンズ２２の外周
側に位置して、レンズホルダ２３に支持された状態で設
けられている。

【００４５】以上のように構成される浮上型光学ヘッド
２０は、回転する光磁気ディスク１０上を浮上しなが
ら、半導体レーザから出射されたレーザビームを集光し
て光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に照射させ
る。また、この浮上型光学ヘッド２０は、記録時におい
ては、薄膜コイル２４が所定の強度の磁界を発生して、
この磁界を光磁気記録層１２のレーザビームが照射され
た箇所に印加する。

【００４６】このような構成の浮上型光学ヘッド２０を
用いた場合、ニアフィールド記録により、光磁気ディス
ク１０に対して情報信号の記録及び再生を行うことがで
きる。すなわち、半導体レーザから出射されプリフォー
カスレンズ２１により集光されたレーザビームを、屈折
率の高い材料からなるフォーカスレンズ２２を透過させ
てさらに絞り込むことにより、フォーカスレンズ２２か
らの距離がレーザビームの波長の１／４以内の領域にお
いては、レーザビームのスポット径を小さくすることが
可能である。

【００４７】対物レンズがディスクからある程度離れた
位置に配置される光学系を用いて波長がλのレーザビー
ムを集光した場合、レーザビームのスポット径は、λ／
ＮＡ（ＮＡは光学系の開口数）となるが、浮上型光学ヘ
ッド２０を用いて波長がλのレーザビームを集光した場
合、フォーカスレンズ２２からの距離がレーザビームの
波長λの１／４以内の領域においては、径が１／ｎ×λ
／ＮＡ（ｎはフォーカスレンズ２２の屈折率、ＮＡは浮
上型光学ヘッド２０の開口数）と絞られたレーザビーム
のスポットを得ることができる。

【００４８】したがって、この浮上型光学ヘッド２０
を、光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２からλ／４
以内の浮上量で浮上させて、光磁気ディスク１０に対し
て記録及び再生を行うことにより、対物レンズがディス
クからある程度離れた位置に配置される光学系を用いた
場合に比べて光磁気ディスク１０の記録容量をｎ倍程度
にまで向上させることができる。

【００４９】ところで、このように浮上型光学ヘッド２
０を光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２からλ／４
以内の浮上量で浮上させて、ニアフィールド記録により
記録及び再生を行う場合、光磁気ディスク１０の信号記
録領域にλ／４を越える突起が形成されていると、この
突起に浮上型光学ヘッド２０が衝突してしまい、光磁気
ディスク１０あるいは浮上型光学ヘッド２０の損傷を招
いてしまうことになる。

【００５０】そこで、ディスク基板１１は、少なくとも
光磁気ディスク１０の信号が記録される領域に対応した
領域に、その基板表面から測定した高さが、使用される
光の波長の１／４以上となる突起が形成されないように
している。

【００５１】ここで、本発明に係るディスク基板１１の
製造方法について説明する。このディスク基板１１は、
例えば樹脂材料が例えば射出成形されることにより製造
される。

【００５２】このディスク基板１１の材料として使用す
る樹脂材料としては、耐熱性、精密成形性、低吸湿変形
性、高弾性率等に優れた熱可塑性樹脂が好ましい。

【００５３】さらに詳しくは、耐熱性の観点から、ガラ
ス転移温度が５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より
好ましくは１００℃以上、精密成形性の観点から、非晶
性樹脂でガラス転移温度が３００℃以下、好ましくは２
５０℃以下、より好ましくは２００℃以下、低吸湿性の
観点から、吸水率（２５℃、２４時間浸漬後）が０．２
％以下、好ましくは０．１％以下の非晶質熱可塑性樹脂
が好ましい。

【００５４】より具体的には、例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、例えばポリ（オキシカルボニル−１，４−フェ
ニレンイソプロピリデン−１，４−フェニレン）；ポリ
アリレート樹脂、例えばポリ（（オキシ−テレフタロイ
ルオキシ−１，４−フェニレンイソプロピリデン−１，
４−フェニレン）−コ−（オキシ−イソフタロイルオキ
シ−１，４−フェニレンイソプロピリデン−１，４−フ
ェニレン））、テレフタル酸・イソフタル酸・ビスフェ
ノールＡ重縮合物等；ポリサルホン樹脂、例えばポリ
（オキシ−１，４−フェニレンスルホニル−１，４−フ
ェニレンオキシ−１，４−フェニレンイソプロピリデン
−１，４−フェニレン）；ポリエーテルスルホン樹脂、
例えばポリ（オキシ−１，４−フェニレンスルホニル−
１，４−フェニレン）；ポリエーテルイミド樹脂、例え
ば４，４′−〔イソプロピリデンビス（ｐ−フェニレン
オキシ）〕ジフタル酸二無水物・ｍ−フェニレンジアミ
ン重縮合物等の分子内に極性基を有する樹脂を挙げるこ
とができる。これらの極性基を有する樹脂の中では、高
弾性率の点からポリエーテルイミド樹脂が好ましい。

【００５５】また、これらの極性基を有する樹脂に加え
てポリスチレン樹脂等の非極性の芳香族基含有樹脂、及
びその水素添加物；シクロジエン系樹脂、例えば特開平
６−１３６０５７号公報、特開平７−２５８３６２号公
報等に開示されているシクロペンタジエン重合体水素化
物、シクロヘキサジエン重合体水素化物等；熱可塑性ノ
ルボルネン系樹脂、例えば特開昭５１−８０４００号公
報、特開昭６０−２６０２４号公報、特開平１−１６８
７２５号公報、特開平１−１９０７２６号公報、特開平
３−１４８８２号公報、特開平３−１２２１３７号公
報、特開平４−６３８０７号公報等にて開示されている
ノルボルネン系モノマーの開環重合体、ノルボルネン系
モノマーの開環重合体水素添加物、ノルボルネン系モノ
マーの付加重合体、ノルボルネン系モノマーとオレフィ
ンの付加共重合体；等の分子内に炭化水素環をもつ樹脂
を挙げることができる。

【００５６】これらの極性又は非極性の樹脂のなかで
も、耐熱性、低吸水性の点で分子内に炭素環をもつ樹脂
が好ましく、そのなかでもノルボルネン系モノマーの開
環重合体水素添加物、シクロペンタジエン重合体水素化
物、シクロヘキサジエン重合体水素化物、ノルボルネン
系モノマーの付加重合体、ノルボルネン系モノマーとオ
レフィンの付加共重合体、ポリスチレン樹脂の水素添加
物等の分子内に不飽和結合を有さないものがディスクの
屈折率を小さくし、また耐久性に優れる点で特に好まし
い。また、高弾性率の観点からは、シクロヘキサジエン
重合体水素化物等が特に好ましい。

【００５７】耐熱性、精密成形性、低吸水性等のバラン
スの良い点では、熱可塑性ノルボルネン系樹脂が最も好
ましい。

【００５８】熱可塑性ノルボルネン系樹脂を得るための
単量体としては、上記公報や、特開平２−２７４２４号
公報、特開平２−２７６８４２号公報等で公知のノルボ
ルネン系単量体を用いれば良い。このようなノルボルネ
ン系単量体としては、例えば、ノルボルネン、そのアル
キル、アルキリデン、アルケニル、芳香族置換誘導体及
びこれら置換又は非置換のオレフィンのハロゲン、水酸
基、エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、
イミド基、シリル基などの極性基置換体がある。具体例
としては、２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボ
ルネン、５，５−ジメチル−２−ノルボルネン、５−エ
チル−２−ノルボルネン、５−ブチル−２−ノルボルネ
ン、５−ヘキシル−２−ノルボルネン、５−オクチル−
２−ノルボルネン、５−オクタデシル−２−ノルボルネ
ン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロ
ペニル−２−ノルボルネン、５−メトキシカルボニル−
２−ノルボルネン、５−シアノ−２−ノルボルネン、５
−メチル−５−メトキシカルボニル−２−ノルボルネ
ン、５−フェニル−２−ノルボルネン、５−フェニル−
５−メチル−ノルボルネン等が挙げられる。

【００５９】また、ノルボルネンに一つ以上のシクロペ
ンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の誘導体
や置換体でもよい。具体例として、１，４：５，８−ジ
メタノ−１，４，：４ａ，５，６，７，８，８ａ−オク
タヒドロナフタレン、６−メチル−１，４：５，８−ジ
メタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、６−エチル−１，４：５，８−ジメ
タノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒ
ドロナフタレン、６−エチリデン−１，４：５，８−ジ
メタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタ
ヒドロナフタレン、６−メチル−６−メトキシカルボニ
ル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，
６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、６−シア
ノ−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，
６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン等が挙げら
れる。

【００６０】さらに、シクロペンタジエンの多量体であ
る多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体や置換体
であっても良い。具体例として、ジシクロペンタジエ
ン、１，４：５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４，
５，６，７，８，８ａ−２，３−シクロペンタジエノナ
フタレン、１，４：５，１０：６，９−トリメタノ−
１，２，３，４，４ａ，５，５ａ，６，９，９ａ，１
０，１０ａ−ドデカヒドロ−２、３−シクロペンタジエ
ノアントラセン、２，３−ジヒドロジシクロペンタジエ
ン等が挙げられる。

【００６１】また、シクロペンタジエンとテトラヒドロ
インデン、インデン、ベンゾフラン等とその付加物、そ
の上記と同様の誘導体や置換体であっても良い。具体例
として、１，４−メタノ−１，４，４ａ，４ｂ，５，
８，８ａ，９ａ−オクタヒドロフルオレン、５，８−メ
タノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒ
ドロ−２，３−シクロペンタジエノナフタレン、１，４
−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレ
ン、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒド
ロジベンゾフラン等；などが挙げられる。

【００６２】本発明に用いる熱可塑性ノルボルネン系樹
脂は、例えば上記ノルボルネン系単量体の中から選んだ
少なくとも一種以上の単量体を含有するものを公知の方
法により開環重合したもの及びこれを公知の方法により
水素添加したものである。例えば、目的とする重合体の
溶解性などの特性を実質的に損なわない、また改善する
範囲で上記単量体以外にこれらと共重合可能な単量体を
共重合していても良い。共重合可能な単量体としては、
シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シ
クロオクテン等のシクロオレフィンが挙げられる。

【００６３】また、熱可塑性ノルボルネン系樹脂は、上
記のノルボルネン系単量体とオレフィンの付加共重合体
であっても良い。この場合、オレフィンとしてエチレ
ン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチ
ル−１−ペンテン、スチレン等のα−オレフィンが用い
られる。

【００６４】これら熱可塑性のノルボルネン系樹脂の、
２５℃のデカリンもしくはトルエン中で測定した極限粘
度［η］は、０．０１〜２０ｄｌ／ｇ、好ましくは０．
０５〜１０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．１〜５ｄｌ／
ｇである。極限粘度が小さすぎると重合体としての形状
を保たなくなり、大きすぎると成形性が悪くなる。

【００６５】また、これら熱可塑性ノルボルネン系樹脂
のガラス転移温度（以下、Ｔｇとする。）は、５０℃〜
２００℃、好ましくは７０℃〜１８０℃、より好ましく
は８０℃〜１６０℃である。

【００６６】なお、上記熱可塑性ノルボルネン系樹脂に
は、所望により、フェノール系やリン系等の酸化防止
剤、ベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤、耐光安定剤、
帯電防止剤、脂肪族アルコールのエステル、多価アルコ
ールの部分エステルおよび部分エーテル等の滑剤、等の
各種添加剤を添加しても良い。また、本発明の目的を損
なわない範囲で、他の樹脂、ゴム質重合体等を混合して
用いることもできる。

【００６７】本発明に使用される粒径２．０μｍ以上の
異物粒子数が１００００個／ｇ以下である樹脂ペレット
を製造するには、例えば合成された樹脂を溶媒に溶解し
た溶液を、口径１〜５μｍ程度の口径の大きいフィルタ
ーから、順次、口径０．２μｍ程度の口径の小さいフィ
ルターを使用して多段階で濾過したり、それらと組み合
わせるか、または単独でゼータ電位による吸着能を有す
るフィルターにより濾過した後、外部環境から異物が混
入しないように密閉系で樹脂溶液を減圧下に加熱して揮
発成分の除去を行い、例えばクリーンルーム内等のクリ
ーン度の高い環境（クリーン度をクラス１０００程度以
下、好ましくはクラス１００程度以下に厳重に管理した
環境）で冷却・ペレット化する方法等により行うことが
できる。

【００６８】この異物粒子数を制御した樹脂ペレットを
用いてディスク基板１１を射出成形する場合、ここでも
例えばクリーンルーム内等のクリーン度の高い環境（ク
リーン度をクラス１０００程度以下、好ましくはクラス
１００程度以下に厳重に管理した環境）で射出成形を行
うことにより、樹脂成形体中の粒径２．０μｍ以上の異
物粒子数を成形用樹脂と同程度の１００００個／ｇ以下
に保つことができる。

【００６９】このように樹脂成形体中の粒径２．０μｍ
以上の異物粒子数を１００００個／ｇ以下に制御するこ
とにより、ディスク基板１１の基板表面に約１６５ｎｍ
（使用するレーザビームの波長が６５９ｎｍである場合
に、波長の１／４となる値）以上の高さの突起が発生す
る可能性を著しく減少させることができる。

【００７０】なお、樹脂成形体中の異物粒子数は、少な
ければ少ないほどディスク基板１１の基板表面に形成さ
れる突起の数を少なくしてディスク基板１１の成形部留
まりを向上させることができ、樹脂成形体中の粒径２．
０μｍ以上の異物粒子数は、２０００個／ｇ以下となる
ように制御することが更に好ましく、５００個／ｇ以下
となるように制御すれば特に好ましい。

【００７１】また、ディスク基板１１の基板表面に約１
６５ｎｍ以上の突起が形成されないようにするという観
点からは、樹脂成形体中の粒径２．０μｍ以下の異物粒
子数は特に制御する必要はないが、光磁気ディスク１０
に記録される信号の信頼性を向上させ、また光磁気ディ
スク１０の耐久性を向上させるという観点からは、粒径
２．０μｍ以下の異物粒子数も制御することが好まし
い。

【００７２】例えば、樹脂成形体中の粒径１．０μｍ以
上２．０μｍ未満の異物粒子数は、５００００個／ｇ以
下となるように制御することが好ましく、１００００個
／ｇ以下となるように制御すれば更に好ましく、２００
０個／ｇ以下となるように制御すれば特に好ましい。

【００７３】また、樹脂成形体中の粒径０．５μｍ以上
１．０μｍ未満の異物粒子数は、１０００００個／ｇ以
下となるように制御することが好ましく、４００００個
／ｇ以下となるように制御すれば更に好ましく、１００
００個／ｇ以下となるように制御すれば特に好ましい。

【００７４】ディスク基板１１は、以上説明した樹脂材
料が射出成形されることにより、例えば、ディスク表面
に光学ヘッド位置決め情報やアドレス情報等が記録され
た凹部が設けられ、またトラック間にグルーブが形成さ
れた光磁気ディスク１０用の基板として、基板表面に凹
部を有するディスク基板１１として製造される。ここ
で、基板表面とは、凹部に対して凸となる部分の上面を
いい、この基板表面上に情報信号が記録されることにな
る。このディスク基板１１の凹部の基板表面からの深さ
は、０．０５〜０．３μｍ程度に設定される。

【００７５】なお、このディスク基板１１を射出成形に
より製造する際は、無電解メッキ法によりディスク基板
１１の凹部と反転したパターンの凸部が形成されたスタ
ンパー等が使用される。このスタンパーの凸部面のみ、
あるいはスタンパー表面の表面粗度は、それぞれＲａ値
で通常２．０ｎｍ以下、好ましくは１．０ｎｍ以下とさ
れている。

【００７６】ディスク基板１１は以上のように製造され
ることにより、少なくとも光磁気ディスク１０の信号記
録領域となる領域には、その基板表面から測定した高さ
が、使用される光の波長の１／４以上となる突起が形成
されていない平面が得られる。

【００７７】そして、光磁気ディスク１０は、このディ
スク基板１１上に光磁気記録層１２が形成されて製造さ
れることにより、少なくとも信号記録領域を、使用され
る光の波長の１／４以上となる突起のない平滑な面とす
ることができ、浮上型光学ヘッド２０でニアフィールド
記録により記録再生を行う際に、浮上型光学ヘッド２０
と衝突するという不都合が回避され、信頼性が向上す
る。

【００７８】なお、ディスク基板１１は、上述した製造
例の中から最適な例を適用して、少なくとも光磁気ディ
スク１０の信号記録領域となる領域には、その基板表面
から測定した高さが、使用される光の波長の１／６以上
となる突起が形成されないようにすることがより好まし
い。

【００７９】このように、光磁気ディスク１０の信号記
録領域を、使用される光の波長の１／６以上となる突起
のない、より平滑な面とすることにより、浮上型光学ヘ
ッド２０でニアフィールド記録により記録再生を行う際
に、ディスク状記録媒体１０と浮上型光学ヘッド２０間
にぶれが生じても、光磁気ディスク１０と浮上型光学ヘ
ッド２０との衝突が回避され、光磁気ディスク１０の信
頼性がさらに向上する。

【００８０】また、ディスク基板１１は、その光磁気デ
ィスク１０の信号記録領域となる領域に、突起のみでな
く凹状部もなるべく形成されていないことが望ましい。

【００８１】なお、以上は、本発明を光磁気記録層１２
を有する光磁気ディスク１０用のディスク基板１１に適
用した例について説明したが、本発明はこの例に限定さ
れるものではなく、再生専用の光ディスク用のディスク
基板や相変化型の光ディスク用のディスク基板に適用す
ることもできる。

【００８２】以上のようなディスク基板１１を用いた光
磁気ディスク１０は、例えば図４及び図５に示すような
ディスク装置３０に装着されて記録及び再生が行われ
る。なお、図４は、このディスク装置３０の概略構成を
示すブロック図であり、図５は、このディスク装置３０
の要部の縦断面図である。

【００８３】このディスク装置３０は、光磁気ディスク
１０を回転駆動させるスピンドルモータ３１と、このス
ピンドルモータ３１により回転駆動される光磁気ディス
ク１０に対して情報信号の書き込み又は読み出しを行う
ヘッド機構３２と、ヘッド機構３２から供給された受光
信号に基づいてＭＯ再生信号及び制御信号を生成する信
号処理部３３と、スピンドルモータ３１及びヘッド機構
３２の動作を制御するシステムコントローラ３４とを備
えている。

【００８４】スピンドルモータ３１は、システムコント
ローラ３４の制御により、保持した光磁気ディスク１０
を所定の速度で回転駆動させる。

【００８５】ヘッド機構３２は、図５に示すように、浮
上型光学ヘッド２０と、この浮上型光学ヘッド２０を駆
動させるヘッド駆動部４０と、光磁気ディスク１０に向
けてレーザビームを出射するとともに光磁気ディスク１
０にて反射されたレーザビーム（戻り光）を受光する発
光／受光部４４とを備えている。

【００８６】浮上型光学ヘッド２０は、先に図３で示し
たように、プリフォーカスレンズ２１とフォーカスレン
ズ２２とがレンズホルダ２３に支持されてなり、フォー
カスレンズ２２の外周側には磁界変調用の薄膜コイル２
４が設けられている。なお、この浮上型光学ヘッド２０
の詳細は上述した通りであるので、ここでは説明を省略
する。

【００８７】ヘッド駆動部４０は、回動軸４３に回動可
能に取り付けられてその一端側にて浮上型光学ヘッド２
０を支持する支持アーム４１と、この支持アーム４１の
他端側に設けられこの支持アーム４１を回動させるボイ
スコイルモータ４２とを備えている。

【００８８】このヘッド駆動部４０は、システムコント
ローラ３４の制御により、ボイスコイルモータ４２に所
定の電流が供給されると、ボイスコイルモータ４２が支
持アーム４１を回動軸４３を回動中心として回動させ、
支持アーム４１の一端側に取り付けられた浮上型光学ヘ
ッド２０を、回転する光磁気ディスク１０の光磁気記録
層１２から所定量浮上させた状態で、光磁気ディスク１
０の径方向に移動させる。

【００８９】発光／受光部４４は、図示を省略するが、
光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に向けて所定の
波長のレーザビームを出射する半導体レーザと、光磁気
ディスク１０の光磁気記録層１２からの戻り光を受光
し、受光した光を電気信号（受光信号）に変換してこの
受光信号を信号処理部３３に供給するフォトディテクタ
とを備えている。また、半導体レーザから出射され光磁
気ディスク１０の光磁気記録層１２で反射されてフォト
ディテクタで受光されるレーザビームの光路上には、図
５に示すようなレーザビームを反射させて光路を折り曲
げるミラー４５，４６や、図示を省略するが、レーザビ
ームを分離するビームスプリッタ等の光学素子が配置さ
れている。

【００９０】信号処理部３３は、ヘッド機構３２の発光
／受光部４４のフォトディテクタから供給される受光信
号に基づいて、ＭＯ再生信号を生成してこのＭＯ再生信
号を出力するとともに、トラッキングエラー信号等の制
御信号を生成してこの制御信号をシステムコントローラ
３４に供給する。

【００９１】システムコントローラ３４は、スピンドル
モータ３１の動作を制御して光磁気ディスク１０を所定
の速度で回転させる。また、システムコントローラ３４
は、図示しない装置から供給される記録信号に基づいて
ヘッド機構３２に記録動作を行わせるとともに、ヘッド
機構３２に再生動作を行わせる。このとき、システムコ
ントローラ３４は、信号処理部３３から供給される制御
信号に基づいてヘッド機構３２にトラッキング制御を行
わせる。

【００９２】以上のように構成されるディスク装置３０
は、記録時においては、システムコントローラ３４の制
御により、スピンドルモータ３１が、装着された光磁気
ディスク１０を所定の速度で回転させる。また、発光／
受光部４４の半導体レーザが、例えば波長が６５９ｎｍ
の赤色レーザビームを出射する。

【００９３】半導体レーザから出射されたレーザビーム
は、ミラー４５，４６により曲折され、浮上型光学ヘッ
ド２０に入射される。

【００９４】浮上型光学ヘッド２０は、ヘッド駆動部４
０の支持アーム４１に支持されて、回転する光磁気ディ
スク１０上を、例えば光磁気記録層１２から１６５ｎｍ
以内の浮上量で浮上した状態で、入射したレーザビーム
を収束して光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に照
射させる。このとき、光磁気ディスク１０の表面には、
高さが１６５ｎｍ以上の突起が形成されていないので、
浮上型光学ヘッド２０が光磁気ディスク１０の突起に衝
突する不都合が回避される。

【００９５】また、浮上型ヘッド２０は、システムコン
トローラ３４の制御により、薄膜ヘッド２４が記録信号
に対応した強度の磁界を発生し、この磁界を光磁気記録
層１２のレーザビームが照射された箇所に印加する。

【００９６】以上のようにして、ディスク装置３０は、
光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に所定の情報信
号を記録する。なお、この記録時においても、後述する
再生時と同様にトラッキング制御が行われる。

【００９７】ディスク装置３０は、再生時においては、
システムコントローラ３４の制御により、スピンドルモ
ータ３１が、装着された光磁気ディスク１０を所定の速
度で回転させる。また、発光／受光部４４の半導体レー
ザが、例えば波長が６５９ｎｍの赤色レーザビームを出
射する。

【００９８】半導体レーザから出射されたレーザビーム
は、ミラー４５，４６にて反射され、浮上型光学ヘッド
２０に入射される。

【００９９】浮上型光学ヘッド２０は、ヘッド駆動部４
０の支持アーム４１に支持されて、回転する光磁気ディ
スク１０上を、例えば光磁気記録層１２から１６５ｎｍ
以内の浮上量で浮上した状態で、入射したレーザビーム
を収束して光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に照
射させる。このとき、光磁気ディスク１０の表面には、
高さが１６５ｎｍ以上の突起が形成されていないので、
浮上型光学ヘッド２０が光磁気ディスク１０の突起に衝
突する不都合が回避される。

【０１００】光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２に
照射されたレーザビームは、この光磁気記録層１２で反
射され、信号成分を含んだ戻り光となる。そして、この
戻り光は、浮上型光学ヘッド２０を透過し、ミラー４
５，４６にて反射されて、発光／受光部４４のフォトデ
ィテクタにより受光される。

【０１０１】フォトディテクタは、受光した戻り光を電
気信号（受光信号）に変換して、信号処理部３３に供給
する。

【０１０２】信号処理部３３は、フォトディテクタから
供給された受光信号に基づいてＭＯ再生信号を生成して
出力するとともに、フォトディテクタから供給された受
光信号に基づいてトラッキングエラー信号等の制御信号
を生成し、この制御信号をシステムコントローラ３４に
供給する。

【０１０３】システムコントローラ３４は、信号処理部
３３より供給された制御信号に基づいてヘッド駆動部４
０のボイスコイルモータ４３を制御して、支持アーム４
１に支持された浮上型光学ヘッド２０を光磁気ディスク
１０の径方向に移動させ、トラッキング制御を行う。

【０１０４】以上のようにして、ディスク装置３０は、
光磁気ディスク１０に記録された情報信号を適切に再生
する。

【０１０５】このディスク装置３０は、浮上型光学ヘッ
ド２０が、光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２から
の離間距離がレーザビームの波長の１／４以内の範囲で
浮上しながら、光磁気ディスク１０の光磁気記録層１２
にレーザビームを照射するようにしているので、レーザ
ビームのスポット径を小さくすることができ、光磁気デ
ィスク１０に対して高密度で情報信号を記録し、また
は、高密度で情報信号が記録された光磁気ディスク１０
の情報信号を再生することができる。

【０１０６】また、このディスク装置３０は、基板表面
にレーザビームの波長の１／４以上の高さを有する突起
が形成されていないディスク基板１１を用いた光磁気デ
ィスク１０に対して情報信号の記録及び再生を行うよう
にしているので、浮上型光学ヘッド２０が光磁気ディス
ク１０の表面の突起に衝突して、浮上型光学ヘッド２０
あるいは光磁気ディスク１０の損傷を招いてしまうとい
う不都合が回避され、信頼性の高い記録及び再生動作を
行うことができる。

【０１０７】なお、以上は、光磁気ディスク１０に対し
て記録及び再生を行うディスク装置３０を例に説明した
が、本発明は、この例に限定されるものではなく、再生
専用の光ディスクに対して再生を行うディスク装置や、
相変化型の光ディスクに対して記録及び再生を行うディ
スク装置にも適用することができる。

【０１０８】

【実施例】以下、本発明について、実施例及び比較例を
挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に
のみ限定されるものではない。なお、以下の説明におい
て、特に断りのない限り、部及び％は重量基準である。

【０１０９】樹脂調製例１ ６−メチル−１，４：５，８−ジメタノ−１，４，４
ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン
（以下、ＭＴＤという）９０％と５−メチル−２−ノル
ボルネン１０％を含んでなるモノマーから合成した開環
重合体１００部をシクロヘキサン４００部に溶解し、水
素化触媒としてニッケル―アルミナ触媒（日揮化学社
製）５部を加え、水素により５０ｋｇ／ｃｍ² に加圧し
て、撹拌しながら温度２００℃まで加温した後、４時間
反応させ、開環重合体水素化ポリマーを合成した。

【０１１０】不均一の水素化触媒を含んだポリマー含量
２０％の反応液をラジオライト＃５００を濾過床とし
て、加圧濾過（フンダフィルター、石川島播磨重工社
製）を使用し、圧力２．５ｋｇ／ｃｍ² で加圧濾過（一
段目の濾過工程）して、無色透明な溶液（溶液１−５）
を得た。

【０１１１】溶液１−５、１００部を、更に金属ファイ
バー製フィルター（口径３μｍ、ニチダイ社製）にて濾
過（二段目の濾過工程）し、更に金属ファイバー製フィ
ルター（口径０．２μｍ、ニチダイ社製）にて濾過（三
段目の濾過工程）して異物を除去し、溶液１−６を得
た。

【０１１２】溶液１−６を用いて、溶剤成分であるシク
ロヘキサンを円筒形濃縮乾燥器（日立製作所製）によっ
て、運転条件を第１ステップ：温度２７０℃、圧力１０
０Ｔｏｒｒ、第２ステップ：温度２７０℃、圧力５Ｔｏ
ｒｒとして除去（乾燥工程）した。クラス１０００のク
リーンルーム内で、溶融状態のポリマーをダイから押し
出し、水冷した後、ペレタイザー（ＯＳＰ―２、長田製
作所製）でカッティングし、ペレット１８部（ポリマー
Ａ）を得た。ポリマーＡは表面を研磨したステンレス製
密閉容器に充填し、保管した。ポリマーＡ１０％のトル
エン溶液をガスクロマトグラフィーで分析した結果、残
留シクロヘキサン量は測定限界以下であった。ポリマー
Ａは、無色透明で、ＧＰＣ分析によるポリスチレン換算
分子量はＭｎ：２７，０００、Ｍｗ：５６，０００、Ｄ
ＳＣ分析により測定したＴｇは１４０℃であった。更
に、重クロロホルム溶液として、 ¹Ｈ―ＮＭＲスペクト
ルにより測定した水素添加率はほぼ１００％であった。
ポリマーＡを０．２μｍカートリッジフィルターにて濾
過精製したトルエンを用いて１．５％濃度の溶液とし、
光散乱式微粒子検出器（ＫＳ―５８、リオン社製）を用
いて粒径２．０μｍ以上の異物個数を測定した結果、６
０個／ｇであった。

【０１１３】樹脂調製例２ 上記二段目の濾過工程と三段目の濾過工程を行わず、溶
液１−６に代えて溶液１−５をそのまま乾燥する以外は
樹脂調製例１と同様にして、溶剤を除去し、ペレット１
８部（ポリマーＢ）を得た。ポリマーＢは樹脂調製例１
と同様に表面を研磨したステンレス製密閉容器に充填
し、保管した。樹脂調製例１と同様にして分析した結
果、残留シクロヘキサン量は測定限界以下、分子量はＭ
ｎ：２７，０００、Ｍｗ：５６，０００、Ｔｇは１４０
℃、粒径２．０μｍ以上の異物個数は１２，０００個／
ｇであった。

【０１１４】樹脂調製例３ ６−メチル−６−メトキシカルボニル−１，４：５，８
−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オ
クタヒドロナフタレン８０％と５−メチル−５−メトキ
シカルボニル−２−ノルボルネン２０％を含んでなるモ
ノマーから合成した開環重合体１００部をシクロヘキサ
ン／テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという。）１：
１混合溶剤４００部に溶解し、水素化触媒としてニッケ
ル−アルミナ触媒（日揮化学社製）５部を加え、水素に
より５０ｋｇ／ｃｍ²に加圧して、撹拌しながら温度２
００℃まで加温した後、４時間反応させ、開環重合体水
素化ポリマーを合成した。

【０１１５】不均一の水素化触媒を含んだポリマー含量
２０％の反応液をラジオライト＃５００を濾過床とし
て、加圧濾過（フンダフィルター、石川島播磨重工社
製）を使用し、圧力２．５ｋｇ／ｃｍ²で加圧濾過し
て、無色透明な溶液（溶液２−５）を得た。

【０１１６】溶液２−５、１００部を、更にに金属ファ
イバー製フィルター（口径３μｍ、ニチダイ社製）及び
金属ファイバー製フィルター（口径０．２μｍ、ニチダ
イ社製）にて濾過して異物を除去し、溶液２−６を得
た。

【０１１７】溶液１−６に代えて溶液２−６を用いる以
外は樹脂調製例１と同様にして、溶剤を除去し、ペレッ
ト１７部（ポリマーＣ）を得た。ポリマーＣは樹脂調製
例１と同様に表面を研磨したステンレス製密閉容器に充
填し、保管した。樹脂調製例１と同様にして分析した結
果、残留シクロヘキサン量は測定限界以下、分子量はＭ
ｎ：１７，５００、Ｍｗ：５６，０００、Ｔｇは１３９
℃、粒径２．０μｍ以上の異物個数は９０個／ｇであっ
た。

【０１１８】樹脂調製例４ 上記二段目の濾過工程と三段目の濾過工程を行わず、溶
液１−６に代えて溶液２−５をそのまま乾燥する以外は
樹脂調製例１と同様にして、溶剤を除去し、ペレット１
７部（ポリマーＤ）を得た。ポリマーＤは樹脂調製例１
と同様に表面を研磨したステンレス製密閉容器に充填
し、保管した。樹脂調製例１と同様にして分析した結
果、残留シクロヘキサン量は測定限界以下、分子量はＭ
ｎ：２７，０００、Ｍｗ：５６，０００、Ｔｇは１４０
℃、粒径２．０μｍ以上の異物個数は１９，０００個／
ｇであった。

【０１１９】樹脂調製例５ 三菱ガス化学製ディスク用ポリカーボネート（商品名；
Ｉｕｐｉｒｏｎ Ｈ−４０００）をバット式送風乾燥機
を用いて１００℃×１０ｈｒの条件で乾燥し、ポリマー
Ｅを得た。ポリマーＥは樹脂調製例１と同様に表面を研
磨したステンレス製密閉容器に充填し、保管した。光散
乱式微粒子検出器（ＫＳ−５８、リオン社製）を用い
て、溶媒をトルエンに代えて塩化メチレンを使用する以
外は樹脂調製例１と同様にして分析した結果、粒径２．
０μｍ以上の異物個数は１，４００個／ｇであった。

【０１２０】樹脂調製例６ 三井石油化学製環状オレフィンコポリマー（商品名；Ａ
ＰＬ６０１５）１００部をシクロヘキサン４００部に溶
解し、無色透明な溶液（溶液３−５）を得た。溶液３−
５を、更に金属ファイバー製フィルター（口径３μｍ、
ニチダイ社製）及び金属ファイバー製フィルター（口径
０．２μｍ、ニチダイ社製）にて濾過して異物を除去
し、溶液３−６を得た。

【０１２１】溶液１−６に代えて溶液３−６、１００部
を用いる以外は樹脂調製例１と同様にして、溶剤を除去
し、ペレット１８部（ポリマーＦ）を得た。ポリマーＦ
は、前述同様にステンレス製密閉容器内に保管した。ポ
リマーＦは無色透明で、樹脂調製例１と同様に分析した
結果、残留シクロヘキサン量は測定限界以下、分子量は
Ｍｎ：４７，０００、Ｍｗ：８３，０００、Ｔｇは、１
３７℃、粒径２．０μ以上の異物個数は１１０個／ｇで
あった。

【０１２２】実施例１ 樹脂調製例１で得られたポリマーＡを用い、クリーン度
クラス１０００クリーンルーム内に設置され、更にクリ
ーンブースで金型部分をクリーン度クラス１００の環境
に保持した射出成形機（ＤＩＳＫ３、住友重機械工業社
製）により、樹脂温度３２０℃、金型温度１２０℃で、
金型内に平滑な表面（Ｒａ：１ｎｍ）を有するＮｉ製ス
タンパーを装填して直径６５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのデ
ィスク基板を成形した。

【０１２３】得られた平滑なディスク基板２０枚につ
き、表面粗度（算術平均粗さ）Ｒａ及び高さ１６５ｎｍ
（使用するレーザビームの波長が６５９ｎｍである場合
に、波長の１／４の値となる高さ）以上の突起の有無を
調べた。表面粗度は、ディスク基板の表面の５０μｍ×
５０μｍを触針でスキャンし、浮上型光学ヘッドの浮上
量と同等以上の突起のない領域を２０μｍ×２０μｍ切
り出してその領域での算術平均粗さＲａで求めており、
あくまでも突起以外の表面の粗さを表現している。

【０１２４】表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、
ほぼスタンパーの表面粗度に近かった。また、突起のな
いディスク基板が２０枚中１９枚得られた。突起の有無
は、浮上量１６５ｎｍで浮上型光学ヘッドが浮上するよ
うにディスク回転数を制御し、浮上型光学ヘッドに取り
付けられたピエゾ素子で衝突時の加速信号から検出す
る。この内の２枚のディスク基板から、各１．５ｇを切
り取り、樹脂調製例１と同様にトルエン溶液にして、粒
径２．０μｍ以上の異物個数を測定したところ、６５個
／ｇ及び６７個／ｇであった。

【０１２５】実施例２ 樹脂調製例３で得られたポリマーＣを用い、実施例１と
同様にしてディスク基板を成形した。実施例１と同様
に、得られた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗
度Ｒａ及び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結
果、表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタ
ンパーの表面粗度に近かった。また、突起のないディス
ク基板は２０枚中１８枚得られた。この内の２枚のディ
スク基板から、実施例１と同様にして、粒径２．０μｍ
以上の異物個数を測定したところ、９５個／ｇ及び１１
０個／ｇであった。

【０１２６】実施例３ 樹脂調製例５で得られたポリマーＥを用い、実施例１と
同様にしてディスク基板を成形した。実施例１と同様
に、得られた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗
度Ｒａ及び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結
果、表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタ
ンパーの表面粗度に近かった。また、突起のないディス
ク基板は２０枚中８枚得られた。この内の２枚のディス
ク基板から、各１．５ｇを切り取り、樹脂調製例５と同
様にして、粒径２．０μｍ以上の異物個数を測定したと
ころ、いずれも１，４００個／ｇであった。

【０１２７】実施例４ 樹脂調製例６で得られたポリマーＦを用い、実施例１と
同様にしてディスク基板を成形した。実施例１と同様
に、得られた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗
度Ｒａ及び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結
果、表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタ
ンパーの表面粗度に近かった。また、突起のないディス
ク基板は２０枚中１７枚得られた。この内の２枚のディ
スク基板から、各１．５ｇを切り取り、樹脂調製例１と
同様にして、粒径２．０μｍ以上の異物個数を測定した
ところ、１２０個／ｇ及び１３０個／ｇであった。

【０１２８】実施例５ 樹脂調製例１で得られたポリマーＡと樹脂調製例２で得
られたポリマーＢを成形直前にポリマーＡを２５部に対
してポリマーＢを７５部ブレンドし、実施例１と同様に
してディスク基板を成形した。実施例１と同様に、得ら
れた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗度Ｒａ及
び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結果、表面粗
度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタンパーの表
面粗度に近かった。また、突起のないディスク基板は２
０枚中２枚得られた。この２枚のディスク基板から、各
１．５ｇを切り取り、樹脂調製例１と同様にして、粒径
２．０μｍ以上の異物個数を測定したところ、９，００
０個／ｇ及び９，１００個／ｇであった。

【０１２９】比較例１ 樹脂調製例２で得られたポリマーＢを用い、実施例１と
同様にしてディスク基板を成形した。実施例１と同様
に、得られた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗
度Ｒａ及び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結
果、表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタ
ンパーの表面粗度に近かった。また、突起のないディス
ク基板は２０枚中１枚も得られなかった。成形したディ
スク基板中から無作為に選んだ２枚から、実施例１と同
様にして、粒径２．０μｍ以上の異物個数を測定したと
ころ、１２，０００個／ｇ及び１３、０００個／ｇであ
った。

【０１３０】比較例２ 樹脂調製例４で得られたポリマーＤを用い、実施例１と
同様にしてディスク基板を成形した。実施例１と同様
に、得られた平滑なディスク基板２０枚につき、表面粗
度Ｒａ及び高さ５０ｎｍ以上の突起の有無を調べた結
果、表面粗度Ｒａは、１．０〜１．１ｎｍで、ほぼスタ
ンパーの表面粗度に近かった。また、突起のないディス
ク基板は２０枚中１枚も得られなかった。成形したディ
スク基板中から無作為に選んだ２枚から、実施例１と同
様にして、粒径２．０μｍ以上の異物個数を測定したと
ころ、いずれも１９，０００個／ｇであった。

【０１３１】この比較例１で得られたディスク基板につ
いて、突起部分の周囲を切削除去し、突起の高さと突起
の下部に存在する粒子の直径を顕微鏡にて測定した。測
定結果を図６に示す。この結果により、高さ１６５ｎｍ
以上の突起の要因となるのは粒径２．０μｍ以上の粒子
であることが推定される。

【０１３２】

【発明の効果】本発明に係るディスク状記録媒体用基板
は、少なくともディスク状記録媒体の信号が記録される
領域に対応した領域には、基板表面から測定した高さ
が、使用される光の波長の１／４以上となる突起が形成
されていない。したがって、この基板を用いたディスク
状記録媒体は、光学ヘッドとの衝突等が回避され、信頼
性が大幅に向上する。

【０１３３】また、この基板を用いたディスク状記録媒
体は、浮上型光学ヘッドを信号記録層から使用する光の
波長の１／４以内の浮上量で浮上させて記録及び／又は
再生を行うようにしても、浮上型光学ヘッドとの衝突が
回避されるので、高密度な記録及び／又は再生が可能と
なる。

【０１３４】さらに、このディスク状記録媒体用基板
は、樹脂を射出成形して形成するようにすれば、ディス
ク表面にヘッド位置決め情報やアドレス情報のための凹
部が設けられたディスク状記録媒体やトラック間にグル
ーブを有するディスク状記録媒体用の基板として、精度
良く且つ容易に形成することができ、ハードディスク等
で用いられているアルミニウム基板に比べて生産性良く
且つ低コストで製造することができる。

【０１３５】また、本発明に係るディスク状記録媒体用
基板の製造方法は、成形体中の粒径２．０μｍ以上の粒
子の数が１００００個／ｇ以下となるように制御して成
形するようにしているので、基板表面に約１６５ｎｍ以
上の突起が存在しないディスク状記録媒体用基板を容易
に製造することができる。

【０１３６】このディスク状記録媒体用基板の製造方法
により製造されたディスク状記録媒体用基板は、基板表
面に約１６５ｎｍ以上の突起が存在しないので、ディス
ク状記録媒体の信頼性を大幅に向上させることができ
る。

【０１３７】また、本発明に係るディスク装置は、信号
が記録される領域に使用する光の波長の１／４以上の高
さを有する突起が形成されていないディスク状記録媒体
に対して情報信号の記録及び再生を行うようにしている
ので、使用する光の波長の１／４以内の浮上量で浮上す
る浮上型光学ヘッドが、ディスク状記録媒体に衝突し
て、浮上型光学ヘッドあるいはディスク状記録媒体の損
傷を招いてしまうという不都合が回避され、信頼性の高
い記録及び再生動作を行うことができる。

【０１３８】さらに、このディスク装置は、浮上型光学
ヘッドが、使用する光の波長の１／４以内の浮上量で浮
上しながら、ディスク状記録媒体に対して情報信号の書
き込み又は読み出しを行うようにしているので、光のス
ポット径を小さくすることができ、ディスク状記録媒体
に対して高密度で情報信号を記録し、または、高密度で
情報信号が記録されたディスク状記録媒体の情報信号を
再生することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】突起が形成されたディスク基板を示す縦断面図
である。

【図２】光磁気ディスクの要部を示す縦断面図である。

【図３】光磁気ディスク上を浮上する浮上型光学ヘッド
を示す縦断面図である。

【図４】光ディスク装置の概略構成を示すブロック図で
ある。

【図５】光ディスク装置の要部を示す縦断面図である。

【図６】突起高さと異物粒子の粒径との関係を説明する
図である。

【符号の説明】

１０ 光磁気ディスク、１１ ディスク基板、１２ 光
磁気ディスク層、１７保護層、２０ 浮上型光学ヘッ
ド、３０ ディスク装置、３１ スピンドルモータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大島 正義 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 日 本ゼオン株式会社内 (72)発明者 小原 禎二 神奈川県川崎市川崎区夜光１丁目２番１号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内 (72)発明者 高橋 治彦 神奈川県川崎市川崎区夜光１丁目２番１号 日本ゼオン株式会社総合開発センター内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光を使用して記録及び／又は再生が行わ
   れるディスク状記録媒体に用いられるディスク状記録媒
   体用基板において、 少なくとも信号が記録される領域には、基板表面から測
   定した高さが上記光の波長の１／４以上となる突起が形
   成されていないことを特徴とするディスク状記録媒体用
   基板。
2. 【請求項２】 上記ディスク状記録媒体は、基板上に少
   なくとも信号記録層と保護層とが順次積層されてなり、
   上記保護層を透過した光が上記信号記録層上に照射され
   ることにより所定の情報信号の記録及び／又は再生が行
   われるディスク状記録媒体であることを特徴とする請求
   項１記載のディスク状記録媒体用基板。
3. 【請求項３】 樹脂を射出成形することにより形成され
   ていることを特徴とする請求項１記載のディスク状記録
   媒体用基板。
4. 【請求項４】 上記樹脂は熱可塑性ノルボルネン系樹脂
   であることを特徴とする請求項３記載のディスク状記録
   媒体用基板。
5. 【請求項５】 光を使用して記録及び／又は再生が行わ
   れるディスク状記録媒体に用いられるディスク状記録媒
   体用基板を製造するに際し、 樹脂を成形体中の粒径２．０μｍ以上の粒子の数が１０
   ０００個／ｇ以下となるように制御してディスク状に成
   形し、少なくとも信号が記録される領域には、基板表面
   から測定した高さが上記光の波長の１／４以上となる突
   起が形成されていないディスク状記録媒体用基板を製造
   することを特徴とするディスク状記録媒体用基板の製造
   方法。
6. 【請求項６】 上記樹脂を射出成形してディスク状記録
   媒体用基板を製造することを特徴とする請求項５記載の
   ディスク状記録媒体用基板の製造方法。
7. 【請求項７】 上記樹脂は熱可塑性ノルボルネン系樹脂
   であることを特徴とする請求項５記載のディスク状記録
   媒体用基板の製造方法。
8. 【請求項８】 ディスク状記録媒体を回転駆動させるモ
   ータと、 上記モータにより回転駆動されるディスク状記録媒体上
   を、使用する光の波長の１／４以内の浮上量で浮上し
   て、このディスク状記録媒体に対して情報信号の書き込
   み又は読み出しを行う浮上型光学ヘッドとを備え、 上記ディスク状記録媒体の少なくとも信号が記録される
   領域には、その表面から測定した高さが、上記光の波長
   の１／４以上となる突起が形成されていないことを特徴
   とするディスク装置。
9. 【請求項９】 上記ディスク状記録媒体の基板は、樹脂
   を射出成形することにより成形されていることを特徴と
   する請求項８記載のディスク装置。
10. 【請求項１０】 上記ディスク状記録媒体の基板は、熱
    可塑性ノルボルネン系樹脂からなることを特徴とする請
    求項８記載のディスク装置。
11. 【請求項１１】 上記ディスク状記録媒体の基板は、上
    記樹脂に内在する粒径２．０μｍ以上の粒子の数が１０
    ０００個／ｇ以下となるように制御して成形されている
    ことを特徴とする請求項９記載のディスク装置。