JP2007122799A - 光ディスクドライブ装置、光ピックアップ装置の処理方法、光ディスクドライブ装置の製造方法及び光ディスクドライブ装置の処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高密度記録媒体用でありながら安価なプラスチック光学素子を用いることができ、使用開始時においても安定した読み取り及び書き込みを行うことができる光ディスクドライブ装置とその製造方法、光ディスクドライブ装置に組み込まれる光ピックアップ装置の処理方法、及び光ディスクドライブ装置の処理方法を提供する。
【解決手段】波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器とを有する光ピックアップ装置、及び光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置とを有する光ディスクドライブ装置において、前記光ディスクドライブ装置は、前記光ピックアップ装置の前記第１光源を照射させる工程の後に、前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程により製造されることを特徴とする光ディスクドライブ装置。
【選択図】図１
【解決手段】波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器とを有する光ピックアップ装置、及び光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置とを有する光ディスクドライブ装置において、前記光ディスクドライブ装置は、前記光ピックアップ装置の前記第１光源を照射させる工程の後に、前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程により製造されることを特徴とする光ディスクドライブ装置。
【選択図】図１
Description
本発明は、光ピックアップ装置を搭載した光ディスクドライブ装置、光ピックアップ装置の処理方法、光ディスクドライブ装置の製造方法及び光ディスクドライブ装置の処理方法に関するものである。
近年、光ピックアップ装置において、光ディスクに記録された情報の再生や、光ディスクへの情報の記録のための光源として使用されるレーザ光源の短波長化が進み、例えば、青紫色半導体レーザや、第２高調波発生を利用して赤外半導体レーザの波長変換を行う青紫色ＳＨＧレーザ等の波長３９０〜４２０ｎｍのレーザ光源が実用化されつつある。
これら青紫色レーザ光源を使用すると、デジタルバーサタイルディスク（以下、ＤＶＤと略記する）と同じ開口数（ＮＡ）の対物レンズを使用する場合で、直径１２ｃｍの光ディスク（かかる規格の光ディスクはＨＤ ＤＶＤ（以下、ＨＤと略記する）として提案されている）に対して、１５〜２０ＧＢの情報の記録が可能となり、対物レンズのＮＡを０．８５にまで高めた場合には、直径１２ｃｍの光ディスク（かかる規格の光ディスクはブルーレイディスク（以下、ＢＤと略記する）として提案されている）に対して、２３〜２７ＧＢの情報の記録が可能となる。以下、本明細書では、青紫色レーザ光源を使用する光ディスク及び光磁気ディスクを総称して「高密度光ディスク」という。
従来、ＨＤ ＤＶＤ、ＢＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯといった光情報記録媒体（以下、光ディスクとする）に対して、情報の読み取りや記録を行う光ディスクドライブには、光ピックアップ装置及び光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置が備えられている。光ピックアップ装置は、光源から発した所定波長の光を光ディスクに照射し、反射した光を光検出器で受光・検出する光学素子ユニットを備えており、光学素子ユニットはこれらの光を光ディスクの反射層（情報記録面）や光検出器で集光させるためのレンズ等の光学素子を有している。
従来、ＨＤ ＤＶＤ、ＢＤ、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯといった光情報記録媒体（以下、光ディスクとする）に対して、情報の読み取りや記録を行う光ディスクドライブには、光ピックアップ装置及び光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置が備えられている。光ピックアップ装置は、光源から発した所定波長の光を光ディスクに照射し、反射した光を光検出器で受光・検出する光学素子ユニットを備えており、光学素子ユニットはこれらの光を光ディスクの反射層（情報記録面）や光検出器で集光させるためのレンズ等の光学素子を有している。
一方、光ピックアップ装置の光学素子は、射出成形等の手段により安価に作製できる等の点で、プラスチックを材料として適用することが好ましい。光学素子に適用可能なプラスチックとしては、環状オレフィンとα−オレフィンの共重合体（例えば、特許文献１）等が知られている。
したがって、ＨＤ ＤＶＤ、ＢＤ等の高密度記録媒体用の光ピックアップ装置及び光ディスクドライブ装置のように、情報の記録、再生に波長３９０〜４２０ｎｍの青色光源を用いた光学系の検討及び開発が進められている。青色光を用いて再生や記録を行う高密度記録媒体用の光ピックアップ装置において、プラスチック光学素子が用いられる場合、短波長の青色光を長時間照射することによる変形や変質等の問題があり、耐光性に優れた樹脂の開発が更に進められている。特に、高密度記録媒体の再生及び記録において、ＣＤやＤＶＤの場合と比較して小さいスポット径が用いられる為、光学素子の変形による収差変化や変質による透過率の低下による光量の変化が問題となる為、これらを長時間に渡り低減することが求められている。
特開２００２−１０５１３１号公報 （第４頁）
しかしながら、青色光のような短波長の光源を用いた光ピックアップ装置を搭載した光ディスクドライブ装置を使用して、光ディスクの再生や記録を行う際には、青色光に対して長期間の耐光性、耐久性を有する樹脂を用いた場合であっても、使用開始とともに光検出器により検出される光量が経時的に変化するという現象が認められた。ところが、長期間使用された光ディスクドライブ装置においては、このような現象は見られないことが判明した。長期間使用後には問題が解消するとしても、高度な精度が求められる高密度記録媒体の再生及び記録の際に、初期使用時に光量が変化した場合には、読み取りや書き込みに支障を生じる可能性もあり、対策が求められていた。
そこで、本発明の課題は、高精度が求められる高密度記録媒体用でありながら安価なプラスチック光学素子を用いることができる上に、使用開始時においても安定した読み取り及び書き込みを行うことができる光ディスクドライブ装置とその製造方法、光ディスクドライブ装置に組み込まれる光ピックアップ装置の処理方法、及び光ディスクドライブ装置の処理方法を提供することである。
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。
１．ａ）波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置、及び、
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置において、
前記光ディスクドライブ装置は、前記光ピックアップ装置の前記第１光源を照射させる工程の後に、前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程により製造されることを特徴とする光ディスクドライブ装置。
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置において、
前記光ディスクドライブ装置は、前記光ピックアップ装置の前記第１光源を照射させる工程の後に、前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程により製造されることを特徴とする光ディスクドライブ装置。
このような光ディスクドライブ装置によれば、初期使用時においても光量変化等の問題が発生せず、情報の再生及び記録を良好に行うことができる。
２．前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする前記第１項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項の光ディスクドライブ装置によれば、情報の再生及び記録を更に良好に行うことができる。
３．前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする前記第１項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項の光ディスクドライブ装置によれば、情報の再生及び記録を特に良好に行うことができる。また、光源の照射工程を１６時間以下の間行うことで、十分に本発明の効果を奏するとともに、コストの増加や製造時間の増大を抑えることができる。
４．前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする前記第１〜３項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
〔式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲaおよびＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。〕
〔式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。〕
本発明者らの鋭意検討の結果、α−オレフィンと前記一般式（Ｉ）または（II）で表される感情オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系対抗安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を用いることにより、３９０〜４２０ｎｍの青色光源を用いた光ピックアップ装置においても長期にわたり安定した情報の再生及び記録が行える一方で、一定時間青色光源からの光束を照射した場合、透過率が一旦漸減した後、更に照射を続けることで透過率が漸増し、更に照射することで一定値で透過率が安定するという驚くべき性質を持つことが見出された。しかしながら、本項の構成によれば、光ピックアップ装置の段階で、光源を照射する工程を設けることで、光ディスクドライブ装置としての初期稼動時の安定性を確保することができ、更に長期にわたり安定して情報の記録及び再生を行うことができる。
本発明者らの鋭意検討の結果、α−オレフィンと前記一般式（Ｉ）または（II）で表される感情オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系対抗安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を用いることにより、３９０〜４２０ｎｍの青色光源を用いた光ピックアップ装置においても長期にわたり安定した情報の再生及び記録が行える一方で、一定時間青色光源からの光束を照射した場合、透過率が一旦漸減した後、更に照射を続けることで透過率が漸増し、更に照射することで一定値で透過率が安定するという驚くべき性質を持つことが見出された。しかしながら、本項の構成によれば、光ピックアップ装置の段階で、光源を照射する工程を設けることで、光ディスクドライブ装置としての初期稼動時の安定性を確保することができ、更に長期にわたり安定して情報の記録及び再生を行うことができる。
５．前記第１光源を照射させる工程で、前記第１光源からの光束の光量を継時的にモニタし、前記プラスチック光学素子を透過した前記第１光源からの光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする前記第４項に記載の光ディスクドライブ装置。
前述のように、前記の樹脂組成物を用いたプラスチック光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、プラスチック光学素子の透過率が漸減した後漸増するという現象が見られるが、本項の光ディスクドライブ装置により長期にわたる安定した情報の再生及び記録が可能である。
６．前記第１光源を照射させる工程で、前記第１光源からの光束の光量を継時的にモニタし、前記プラスチック光学素子を透過した前記第１光源からの光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、透過光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする前記第４項または第５項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項の光ディスクドライブ装置によれば、前記第５項と同様の効果が得られる。
７．前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第１〜６項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項によれば、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して光源の照射工程を行うことにより、照射工程の効果を高め、短時間で本発明の効果が達成された光ディスクドライブ装置が得られる。
８．前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第７項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項によれば、照射工程の効果を高め、より短時間で本発明の効果が達成された光ディスクドライブが得られるとともに、加熱による光ピックアップ装置に用いられている接着剤の溶融等の影響をより低減することができる。
９．前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする前記第１〜８項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項によれば、波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源に加え、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を設けることにより、例えば、高密度記録媒体とＤＶＤ等の２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置を得ることができる。
１０．前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする前記第１〜９項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項によれば、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を用いることにより、例えば、高密度記録媒体とＣＤの２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置や、高密度記録媒体、ＤＶＤ及びＣＤの３種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置を得ることができる。
１１．前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程の前には、前記第２光源を照射させる工程は行われないことを特徴とする前記第９項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項においては、第１光源のみを照射させ、第２光源を照射させないことにより、本発明の効果を十分に達成するとともに製造コストを低減させることができる。
１２．前記前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程の前には、前記第３光源を照射させる工程は行われないことを特徴とする前記第１０項に記載の光ディスクドライブ装置。
本項においては、第１光源のみを照射させ、第３光源を照射させないことにより、本発明の効果を十分に達成するとともに製造コストを低減させることができる。
１３．波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置の処理方法であって、
前記光ピックアップ装置が、光ディスクドライブ装置に組み込まれる前に、前記第１光源を照射させる工程を行うことを特徴とする光ピックアップ装置の処理方法。
前記光ピックアップ装置が、光ディスクドライブ装置に組み込まれる前に、前記第１光源を照射させる工程を行うことを特徴とする光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法を施された光ピックアップ装置が光ディスクドライブ装置に組み込まれた場合、初期使用時においても光量変化等の問題が発生せず、情報の再生及び記録を良好に行うことができる。
１４．前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする前記第１３項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の光ピックアップ装置の処理方法によれば、更に良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置が得られる。
１５．前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする前記第１４項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の光ピックアップ装置の処理方法によれば、特に良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置が得られるとともに、光源の照射工程を１６時間以下の間行うことで、十分に本発明の効果を奏するとともに、コストの増加や製造時間の増大を抑えることができる。
１６．前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする前記第１３〜１５項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
〔式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲaおよびＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。〕
〔式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。〕
前述のように、α−オレフィンと上記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、光量が変化するという現象が発生するが、本発明の処理方法により良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置を得ることができる。
前述のように、α−オレフィンと上記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、光量が変化するという現象が発生するが、本発明の処理方法により良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置を得ることができる。
１７．前記第１光源を照射させる工程において、前記光ピックアップ装置に対して光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする前記第１３〜１６項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の光ピックアップ装置の処理方法のように、前記第１光源を照射させる工程において、前記光ピックアップ装置に対して光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることにより、光量の変化に基づき光源の照射工程の時間を調整することができ、効率的に本発明の効果を奏する光ピックアップ装置を得ることができる。
１８．前記第１光源を照射させる工程において、前記光ピックアップ装置に対して光ディスクが配置されるべき位置に、前記第１光源からの光束を検出できる第２光検出器を配置し、前記第２光検出器により、前記第１光源からの光束を経時的にモニタすることを特徴とする前記第１３〜１６項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法により、前記第１７項と同様の効果が得られる。
１９．前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする前記第１７項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
前述のように、前記の樹脂組成物を用いたプラスチック光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、プラスチック光学素子の透過率が漸減した後漸増するという現象が見られるが、本項の処理方法により、光ディスクドライブ装置に組み込まれた際に、初期稼動時から安定した情報の再生及び記録が可能な光ピックアップ装置を得ることができる。
２０．前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする前記第１７項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法により、前記第１９項と同様の効果が得られる。
２１．前記第１光源を照射させる工程で、前記第２光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする前記第１８項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法により、前記第１９項と同様の効果が得られる。
２２．前記第１光源を照射させる工程で、前記第２光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記第２光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする前記第１８項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法により、前記第２０項と同様の効果が得られる。
２３．前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第１３〜２２項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法によれば、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して光源の照射工程を行うことにより、照射工程の効果を高め、短時間で本発明の効果を達成することができる。
２４．前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第２３項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項によれば、照射工程の効果を高め、より短時間で本発明の効果が達成することができるとともに、加熱による光ピックアップ装置に用いられている接着剤の溶融等の影響を低減することができる。
２５．前記光ピックアップ装置の処理方法において、複数の前記光ピックアップ装置が電気的に接続された状態で、該複数の光ピックアップ装置のそれぞれの第１光源を照射させることにより、前記第１光源を照射させる工程が行われることを特徴とする前記第１３〜２４項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項のように、複数の光ピックアップ装置を電気的に接続した状態で、光源の照射工程を行うことにより、効率的に本発明の効果を達成することができる。
２６．前記接続された複数の光ピックアップ装置のうち、少なくとも１台の光ピックアップ装置に対して、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする前記第２５項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
複数の光ピックアップ装置を電気的に接続した状態で、光源の照射工程を行う場合、接続されたそれぞれの光ピックアップ装置は同じ条件で照射されるため、同じ時間の照射で同様の効果を得られるため、少なくとも１台の光ピックアップ装置の光束を経時的にモニタすることにより、効率的に本発明の効果を得ることができる。
２７．前記接続された複数の光ピックアップ装置のうち、少なくとも１台の光ピックアップ装置に対して、光ディスクが配置されるべき位置に、前記第１光源からの光束を検出できる第２光検出器を配置し、前記第２光検出器により、前記第１光源からの光束を経時的にモニタすることを特徴とする前記第２５項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項の処理方法によれば、前記第２６項と同様の効果が得られる。
２８．前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする前記第１３〜２７項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項によれば、波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源に加え、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を設けることにより、例えば、高密度記録媒体とＤＶＤ等の２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置が得られる。
２９．前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする前記第１３〜２８項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
本項によれば、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を用いることにより、例えば、高密度記録媒体とＣＤの２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置や、高密度記録媒体、ＤＶＤ及びＣＤの３種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ピックアップ装置が得られる。
３０．前記第１３〜２９項のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法が施された光ピックアップ装置と光ディスク駆動装置とを組み付けることを特徴とする光ディスクドライブ装置の製造方法。
本項によれば、前記第１３〜２９項と同様の効果が得られる。
３１．ａ）波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置、及び、
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置の処理方法であって、
前記第１光源を照射させる工程を有することを特徴とする光ディスクドライブ装置の処理方法。
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置の処理方法であって、
前記第１光源を照射させる工程を有することを特徴とする光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の光ディスクドライブ装置の処理方法によれば、パソコン、レコーダ、プレーヤ等に組み込まれた際に、初期稼動時から安定した情報の再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置を得ることができる。
３２．前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする前記第３１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の光ディスクドライブ装置の処理方法によれば、更に良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置が得られる。
３３．前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする前記第３２項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の光ディスクドライブ装置の処理方法によれば、特に良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置が得られるとともに、光源の照射工程を１６時間以下の間行うことで、十分に本発明の効果を奏するとともに、コストの増加や製造時間の増大を抑えることができる。
３４．前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする前記第３１〜３３項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
〔式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲaおよびＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。〕
〔式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。〕
前述のように、α−オレフィンと上記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、光量が変化するという現象が発生するが、本発明の処理方法により良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置を得ることができる。
前述のように、α−オレフィンと上記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、光量が変化するという現象が発生するが、本発明の処理方法により良好に情報の再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置を得ることができる。
３５．前記第１光源を照射させる工程において、前記光ディスク駆動装置上に、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする前記第３１〜３４項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の光ディスクドライブ装置の処理方法のように、前記第１光源を照射させる工程において、前記光ディスク駆動装置上に光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることにより、光量の変化に基づき光源の照射工程の時間を調整することができ、効率的に本発明の効果を奏する光ディスクドライブ装置を得ることができる。
３６．前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする前記第３５項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
前述のように、前記の樹脂組成物を用いたプラスチック光学素子を光ピックアップ装置に用いた場合においては、光源の照射に伴い、プラスチック光学素子の透過率が漸減した後漸増するという現象が見られるが、本項の処理方法により、パソコン、プレーヤ及びレコーダ等の装置に組み込まれた際に、初期稼動時から安定した情報の再生及び記録が可能な光ディスクドライブ装置を得ることができる。
３７．前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする前記第３５項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の処理方法により、前記第３６項と同様の効果が得られる。
３８．前記第１光源を照射させる工程が、前記ディスクドライブ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第３１〜３７項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項の処理方法によれば、前記光ディスクドライブ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して光源の照射工程を行うことにより、照射工程の効果を高め、短時間で本発明の効果を達成することができる。
３９．前記第１光源を照射させる工程が、前記光ディスクドライブ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする前記第３９項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項によれば、照射工程の効果を高め、より短時間で本発明の効果が達成することができるとともに、加熱による光ディスクドライブ装置に用いられている接着剤の溶融等の影響を低減することができる。
４０．前記光ディスクドライブ装置の処理方法において、複数の前記ディスクドライブ装置が電気的に接続された状態で、該複数の光ディスクドライブ装置のそれぞれの第１光源を照射させることにより、前記第１光源を照射させる工程が行われることを特徴とする前記第３１〜３９項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項のように、複数の光ディスクドライブ装置を電気的に接続した状態で、光源の照射工程を行うことにより、効率的に本発明の効果を達成することができる。
４１．前記接続された複数の光ディスクドライブ装置のうち、少なくとも１台の光ディスクドライブ装置の光ディスク駆動装置上に、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする前記第４０に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
複数の光ディスクドライブ装置を電気的に接続した状態で、光源の照射工程を行う場合、接続されたそれぞれの光ディスクドライブ装置は同じ条件で照射されるため、同じ時間の照射で同様の効果を得られるため、少なくとも１台の光ピックアップ装置の光束を経時的にモニタすることにより、効率的に本発明の効果を得ることができる。
４２．前記光ディスクドライブ装置の前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする前記第３１〜４１項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項によれば、波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源に加え、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を設けることにより、例えば、高密度記録媒体とＤＶＤ等の２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置が得られる。
４３．前記光ディスクドライブ装置の前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする前記３１〜４２項のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
本項によれば、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を用いることにより、例えば、高密度記録媒体とＣＤの２種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置や、高密度記録媒体、ＤＶＤ及びＣＤの３種類の光ディスクに対して良好に再生及び記録を行うことができる光ディスクドライブ装置が得られる。
本発明により、高精度が求められる高密度記録媒体用でありながら安価なプラスチック光学素子を用いることができる上に、使用開始時においても安定した読み取り及び書き込みを行うことができる光ディスクドライブ装置とその製造方法、光ディスクドライブ装置に組み込まれる光ピックアップ装置の処理方法、及び光ディスクドライブ装置の処理方法を提供することができた。
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、高密度記録媒体であるＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙＤｉｓｃ）又はＨＤ ＤＶＤ、ＤＶＤ及びＣＤに対して適切に情報の記録／再生を行える光ピックアップ装置の構成を概略的に示す上面図である。図２は、本実施の形態を矢印Ｖ方向から見た側面図である。本実施の形態においては、３つの異なる記録媒体への記録／再生を行うことができる光ピックアップ装置を例として挙げるが、本発明はこれに限られず、例えばＢＤやＨＤ ＤＶＤ専用に用いられる光ピックアップ装置であってもよいし、ＢＤとＤＶＤ、ＨＤ ＤＶＤとＤＶＤ等、２種類の記録媒体に対して記録／再生を行うことができる光ピックアップ装置であってもよい。
本実施の形態においては、集光光学系として対物レンズＯＢＪ及びカップリングレンズＣＯＬを含む。本実施の形態においては、対物レンズＯＢＪ及びカップリングレンズＣＯＬは全てプラスチック光学素子としている。カップリングレンズＣＯＬは、第１群（レンズＬ１、Ｌ２）と、第２群（レンズＬ３）から構成され、ここでは第２群が光軸方向に移動可能となっている。レンズＬ１〜Ｌ３には回折構造は形成されていないが、回折構造を形成しても良い。又、本実施の形態では、第２の光源である第２半導体レーザＬＤ２と、第３の光源である第３半導体レーザＬＤ３とを、同一のパッケージに収容した或いは同一のヒートシンクに固定した、いわゆる２レーザ１パッケージを使用しているが、半導体レーザを個別に配置しても良い。３つの半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ３と、光検出器（受光素子）ＰＤの受光部とは、各光ディスクＯＤ１〜ＯＤ３の情報記録面を介して互いに光学的に共役の関係となっている。
第１の光ディスクＯＤ１（例えば、ＢＤ又はＨＤ ＤＶＤ）に対して情報の記録及び／又は再生を行う場合、カップリングレンズＣＯＬの第２群を光軸方向の第１位置へと移動させ、半導体レーザＬＤ１からの光束が第１の発散角θ１で対物レンズＯＢＪに入射するようにする。ここで、図１の光ピックアップ装置において、光源波長３９０〜４２０ｎｍの半導体レーザＬＤ１（第１の光源）から出射された光束は、ビーム整形素子ＢＳで光束形状を整形され、更に第１回折素子Ｄ１を通過することで、記録再生用のメインビームとトラッキングエラー信号検出用のサブビームに分離された後、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳで反射され、偏光ビームスプリッタＰＢＳで反射されて、カップリングレンズＣＯＬを通過して第１の発散角θ１とされた後、立ち上げミラーＭに入射する。尚、カップリングレンズＣＯＬの動作については後述する。
図２において、立ち上げミラーＭに入射した光束の一部は、それを透過した後モニタレンズＭＬを通過して、レーザパワーモニタＬＰＭに入射し、レーザパワーの監視に用いられる。一方、立ち上げミラーＭに入射した光束の残りは、そこで反射され、１／４波長板ＱＷＰを通過した後、対物レンズＯＢＪ（本実施の形態では２枚の素子からなるが１枚でも良い）に入射して、ここから光ディスクＯＤ１の情報記録面Ｒ１（保護基板の厚さ０．１ｍｍ又は０．６ｍｍ）に集光される。
情報記録面Ｒ１で情報ピットにより変調された反射光束は、再び対物レンズＯＢＪ、１／４波長板ＱＷＰを通過し、立ち上げミラーＭで反射された後、カップリングレンズＣＯＬを通過し、更に偏光ビームスプリッタＰＢＳを通過してセンサレンズＳＬによって、光検出器（受光素子）ＰＤの受光面に集光されるようになっている。光検出器ＰＤの出力信号を用いて、光ディスクＯＤ１に情報記録された情報の読み取り信号が得られる。
また、光検出器ＰＤ上でのスポットの形状変化、位置変化による光量変化を検出して、合焦検出やトラック検出を行う。この検出に基づいて対物レンズアクチュエータ機構ＡＣＴのフォーカシングアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータが、第１半導体レーザＬＤ１からの光束を光ディスクＯＤ１の情報記録面Ｒ１上に適切に結像するように、対物レンズＯＢＪをレンズホルダＨＤと一体で移動させるようになっている。
第２の光ディスクＯＤ２（例えばＤＶＤ）に対して情報の記録及び／又は再生を行う場合、カップリングレンズＣＯＬの第２群を光軸方向の第２位置へと移動させ、半導体レーザＬＤ２からの光束が第２の発散角θ２で対物レンズＯＢＪに入射するようにする。ここで、図１の光ピックアップ装置において、光源波長６３０〜６６０ｎｍの半導体レーザＬＤ２から出射された光束は、２レーザ１パッケージから外部へと出た後、第２回折素子Ｄ２を通過することで、記録再生用のメインビームとトラッキングエラー信号検出用のサブビームに分離され、カップリングレンズＣＰＬで発散角を調整され、１／２波長板ＨＷＰ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳを通過し、偏光ビームスプリッタＰＢＳで反射されて、カップリングレンズＣＯＬを通過して第２の発散角θ２とされた後、立ち上げミラーＭに入射する。
図２において、立ち上げミラーＭに入射した光束の一部は、それを透過した後モニタレンズＭＬを通過して、レーザパワーモニタＬＰＭに入射し、レーザパワーの監視に用いられる。一方、立ち上げミラーＭに入射した光束の残りは、そこで反射され、１／４波長板ＱＷＰを通過した後、対物レンズＯＢＪに入射して、ここから光ディスクＯＤ２の情報記録面Ｒ２（保護基板の厚さ０．６ｍｍ）に集光される。
情報記録面Ｒ２で情報ピットにより変調された反射光束は、再び対物レンズＯＢＪ、１／４波長板ＱＷＰを通過し、立ち上げミラーＭで反射された後、カップリングレンズＣＯＬを通過し、更に偏光ビームスプリッタＰＢＳを通過してセンサレンズＳＬによって、光検出器ＰＤの受光面に集光されるようになっている。光検出器ＰＤの出力信号を用いて、光ディスクＯＤ２に情報記録された情報の読み取り信号が得られる。
また、光検出器ＰＤ上でのスポットの形状変化、位置変化による光量変化を検出して、合焦検出やトラック検出を行う。この検出に基づいて対物レンズアクチュエータ機構ＡＣＴのフォーカシングアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータが、第２半導体レーザＬＤ２からの光束を光ディスクＯＤ２の情報記録面Ｒ２上に適切に結像するように、対物レンズＯＢＪをレンズホルダＨＤと一体で移動させるようになっている。
第３の光ディスクＯＤ３（例えばＣＤ）に対して情報の記録及び／又は再生を行う場合、カップリングレンズＣＯＬの第２群を光軸方向の第３位置へと移動させ、半導体レーザＬＤ３からの光束が第３の発散角θ３で対物レンズＯＢＪに入射するようにする。ここで、図１の光ピックアップ装置において、光源波長７６０〜８００ｎｍの半導体レーザＬＤ３から出射された光束は、２レーザ１パッケージから外部へと出た後、第２回折素子Ｄ２を通過することで、記録再生用のメインビームとトラッキングエラー信号検出用のサブビームに分離され、カップリングレンズＣＰＬで発散角を調整され、１／２波長板ＨＷＰ、ダイクロイックビームスプリッタＤＢＳを通過し、偏光ビームスプリッタＰＢＳで反射されて、カップリングレンズＣＯＬを通過して第３の発散角θ３とされた後、立ち上げミラーＭに入射する。
図２において、立ち上げミラーＭに入射した光束の一部は、それを透過した後モニタレンズＭＬを通過して、レーザパワーモニタＬＰＭに入射し、レーザパワーの監視に用いられる。一方、立ち上げミラーＭに入射した光束の残りは、そこで反射され、１／４波長板ＱＷＰを通過した後、対物レンズＯＢＪに入射して、ここから光ディスクＯＤ３の情報記録面Ｒ３（保護基板の厚さ１．２ｍｍ）に集光される。
情報記録面Ｒ３で情報ピットにより変調された反射光束は、再び対物レンズＯＢＪ、１／４波長板ＱＷＰを通過し、立ち上げミラーＭで反射された後、カップリングレンズＣＯＬを通過し、更に偏光ビームスプリッタＰＢＳを通過してセンサレンズＳＬによって、光検出器ＰＤの受光面に集光されるようになっている。光検出器ＰＤの出力信号を用いて、光ディスクＯＤ３に情報記録された情報の読み取り信号が得られる。
また、光検出器ＰＤ上でのスポットの形状変化、位置変化による光量変化を検出して、合焦検出やトラック検出を行う。この検出に基づいて対物レンズアクチュエータ機構ＡＣＴのフォーカシングアクチュエータ及びトラッキングアクチュエータが、第３半導体レーザＬＤ３からの光束を光ディスクＯＤ３の情報記録面Ｒ３上に適切に結像するように、対物レンズＯＢＪをレンズホルダＨＤと一体で移動させるようになっている。
本実施の形態によれば、カップリングレンズＣＯＬが、２群３枚構成となっており、各群の空気間隔は、後述するようにして可変となっているので、空気間隔を変化させることにより、各半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ３から出射される光束の波長及び光ディスクの保護基板厚に応じて発散角を変化させ、光ディスクＯＤ１〜ＯＤ３の情報記録面に対して適切な集光スポットを形成することができる。
本発明の光ディスクドライブ装置は、前述の光ピックアップ装置と、図２のＯＤ１〜ＯＤ３の光ディスクを支持、回転駆動する不図示の光ディスク駆動装置とを組み付けることで得ることができる。
本発明においては、光照射による効果の促進の観点で、加熱された環境において光照射が行われることが好ましい。加熱時の環境温度については、光照射による効果の促進と加熱される光ピックアップ装置や光ディスクドライブ装置の耐熱性の観点で、３０℃〜６０℃の環境下で光照射されることが好ましく、４０℃〜５０℃の範囲の環境下で光照射が行われることが特に好ましい。
尚、加熱装置については特に限定はないが、例えばギアオーブンや赤外線加熱炉等が好ましく用いられる。
本発明における光源を照射させる工程の時間は、求められる性能に応じて適宜設定可能であり、予め定められた時間照射しても良いし、照射工程中に照射光束を何らかの方法でモニタし所望の性能に達した時点で照射を取りやめる方法でも良い。予め定められた時間照射する方法のほうが、照射光束をモニタするために光検出器の調整をする工程が不要となり簡易である為好ましい。予め定められた時間照射する場合、一度照射工程中に照射光束を何らかの方法でモニタし、所望の性能に達するまでの時間を測定し、測定結果に基づき照射時間を定めることができる。具体的には、本発明の処理を終えた光ピックアップ装置を組み込んだ光ディスクドライブ装置や、本発明の処理を終えた光ディスクドライブ装置を組み込んだパソコン、プレーヤ及びレコーダ等の装置の初期稼動時から安定した情報の再生及び記録を行うためには、１時間以上の照射が好ましく、２時間〜１６時間照射されることが更に好ましい。光源の照射工程を１６時間以下の間行うことで、十分に本発明の効果を奏するとともに、コストの増加や製造時間の増大を抑えることができる。
光源を照射する工程において、照射光束をモニタする方法としては、光ピックアップ装置に対し本発明の処理を施す場合は、前記光ピックアップ装置に対して光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタする方法や、前記光ピックアップ装置に対して光ディスクが配置されるべき位置に、光源からの光束を検出できる光検出器を別途配置し、別途配置された光検出器により、前記光源からの光束を経時的にモニタする方法等が好ましく用いられる。
光ディスクドライブ装置に対して本発明の処理を施す場合も同様に、前記光ディスク駆動装置上に、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタする方法等が好ましく用いられる。
また、光源を照射させる工程を行う際には、複数の光ピックアップ装置または複数の光ディスクドライブ装置が電気的に接続された状態で、該複数の光ピックアップ装置または複数の光ディスクドライブ装置のそれぞれの光源を照射させることにより、複数の装置に同時に処理を行うことが、効率的であり好ましい。複数の装置を電気的に接続した状態で光源を照射させる工程を行う際に、光源の光束をモニタする場合は、全ての装置についてモニタする必要はなく、少なくとも１台の装置についてモニタする方法が効率的であり好ましく、１台の装置についてのみモニタする方法が更に好ましい。
ところで、３９０〜４２０ｎｍの青色光源を用いる高密度記録媒体に対して適切に情報を記録／再生できるというだけでは、光ピックアップ装置の製品としての価値は十分なものとはいえない。現在において、多種多様な情報を記録したＤＶＤやＣＤが販売されている現実をふまえると、高密度記録媒体に対して適切に情報を記録／再生できるだけでは足らず、例えばユーザーが所有している従来のＤＶＤ或いはＣＤに対しても同様に適切に情報を記録／再生できるようにすることが、互換タイプの光ピックアップ装置として製品の価値を高めることに通じるのである。このような背景から、互換タイプの光ピックアップ装置に用いる光学系は、低コストで簡素な構成を有することは勿論であり、それに加えて高密度記録媒体、従来のＤＶＤ、ＣＤいずれに対しても、適切に情報を記録／再生するために良好なスポットを得ることが望まれている。
従って、本発明における光ピックアップ装置及び光ディスクドライブ装置においても、波長３９０ｎｍ〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源に加えて、波長６２０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源や、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を設け、高密度記録媒体への記録／再生に加えて、ＤＶＤやＣＤに対しても記録／再生が行える構成とすることが望ましい。これらの第２光源や第３光源を有する光ピックアップ装置や光ディスクドライブ装置において、光源の照射処理を行う場合、全ての光源を照射させてもよいが、波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源のみを照射させることが好ましい。
本発明の光ピックアップ装置用光学素子においては、３９０〜４２０ｎｍの青紫色レーザに対して長期的な耐光性及び耐熱性に優れる樹脂組成物が基材として用いられることが好ましい。このような樹脂組成物としては、αオレフィンと環状オレフィンからなる共重合体樹脂及びヒンダートアミン系耐光安定剤を有する樹脂組成物が好ましく用いられる。
樹脂組成物を構成する共重合体における環状オレフィンとしては、下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンが好ましく挙げられる。
式中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１である。なおｋが１の場合には、ｋを用いて表される環は６員環となり、ｋが０の場合にはこの環は５員環となる。
Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲaおよびＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基である。ここで、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
また炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基およびオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。さらに上記一般式（Ｉ）において、Ｒ15とＲ16とが、Ｒ17とＲ18とが、Ｒ15とＲ17とが、Ｒ16とＲ18とが、Ｒ15とＲ18とが、あるいはＲ16とＲ17とがそれぞれ結合して（互いに共同して）、単環または多環の基を形成していてもよく、しかもこのようにして形成された単環または多環が二重結合を有していてもよい。ここで形成される単環または多環としては、具体的に以下のようなものが挙げられる。
なお上記例示において、１または２の番号を付した炭素原子は、前記一般式（Ｉ）においてそれぞれＲ15（Ｒ16）またはＲ17（Ｒ18）結合している炭素原子を表す。
また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアルキリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜２０のアルキリデン基であり、このようなアルキリデン基の具体的な例としては、エチリデン基、プロピリデン基およびイソプロピリデン基が挙げられる。
式中、ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒおよびｓはそれぞれ独立に、０、１または２である。また、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基である。
ここでハロゲン原子は、上記一般式（Ｉ）中のハロゲン原子と同じである。また炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基およびオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としては、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。ここで、Ｒ29およびＲ30が結合している炭素原子と、Ｒ33が結合している炭素原子またはＲ31が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよい。すなわち、上記二個の炭素原子がアルキレン基を介して結合している場合には、Ｒ29とＲ33とが、または、Ｒ30とＲ31とが互いに共同して、メチレン基（−ＣＨ2−）、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）またはプロピレン基（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）の内のいずれかのアルキレン基を形成している。
さらに、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32またはＲ35とＲ39とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。具体的には、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32とにより形成される以下のような芳香族環が挙げられる。
ここで、ｑは一般式（II）におけるｑと同じである。上記のような一般式（Ｉ）または（II）表される環状オレフィンとしては、具体的には、ビシクロ−２−ヘプテン誘導体（ビシクロヘプト−２−エン誘導体）、トリシクロ−３−デセン誘導体、トリシクロ−３−ウンデセン誘導体、テトラシクロ−３−ドデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ−３−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ−３−ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ−４−ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−４−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ−５−ドコセン誘導体、ノナシクロ−５−ペンタコセン誘導体、ノナシクロ−６−ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン誘導体、１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン誘導体などが挙げられる。
以下に、本発明に係る一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンのより具体的な例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
《ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン誘導体》
１）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
２）６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
３）５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
４）１−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
５）６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
６）６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
７）６−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８）７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、等
《テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン誘導体》
９）テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１０）８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１１）８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１２）８−プロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１３）８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１４）８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１５）８−ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１６）８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１７）８−ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１８）５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１９）２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２０）８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２１）８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２２）１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２３）２，７，９−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２４）９−エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２５）９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２６）９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２７）９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２８）９−イソブチルー１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２９）５，８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３０）８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３１）８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３２）８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３３）８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３４）８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３５）８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３６）８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３７）８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３８）８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３９）８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４０）８−イソプロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４１）８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４２）８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４３）８−イソプロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４４）８−イソプロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４５）８−クロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４６）８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４７）８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４８）８，９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン、等
《ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン誘導体》
４９）ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５０）１２−メチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５１）１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５２）１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５３）１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン、等
《オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン誘導体》
５４）オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５５）１５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５６）１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン、等
《ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン誘導体》
５７）ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５８）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５９）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
６０）１５，１６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン、等
《ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体》
６１）ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−エイコセン
６２）ヘプタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
《トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン誘導体》
６３）トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６４）２−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６５）５−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン、等
《トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン誘導体》
６６）トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン
６７）１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン、等
《ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン誘導体》
６８）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
６９）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７０）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７１）１４，１５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン、等
《ジエン化合物》
７２）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４、１０−ペンタデカジエン、等
《ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン誘導体》
７３）ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン
７４）メチル置換ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン、等
《ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン誘導体》
７５）ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン
７６）ジメチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン、等
《ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン誘導体》
７７）ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン
７８）トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン、等
《ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン誘導体》
７９）ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８０）１１−メチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８１）１１−エチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８２）１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン、等
《ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン誘導体》
８３）ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８４）１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８５）トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
《ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン誘導体》
８６）ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン、等
《その他》
８７）５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８８）５−メチル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８９）５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９０）５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９１）５−（エチルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９２）５−（イソプロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９３）５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９４）５−（β−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９５）５−（α−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９６）５−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９７）５，６−ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９８）シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
９９）１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン
１００）１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン
１０１）８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０２）８−メチル−８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０３）８−ベンジル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０４）８−トリル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０５）８−（エチルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０６）８−（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０７）８，９−ジフェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０８）８−（ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０９）８−（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１０）８−（α−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１１）８−（アントラセニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１２）（シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物）に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
１１３）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
１１４）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ヘキサデセン
１１５）１１−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
１１６）１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−エイコセン
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン；４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が２〜２０のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また１種単独、或いは２種以上組み合わせて用いることができる。
１）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
２）６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
３）５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
４）１−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
５）６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
６）６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
７）６−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８）７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、等
《テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン誘導体》
９）テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１０）８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１１）８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１２）８−プロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１３）８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１４）８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１５）８−ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１６）８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１７）８−ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１８）５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１９）２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２０）８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２１）８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２２）１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２３）２，７，９−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２４）９−エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２５）９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２６）９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２７）９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２８）９−イソブチルー１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２９）５，８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３０）８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３１）８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３２）８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３３）８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３４）８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３５）８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３６）８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３７）８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３８）８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３９）８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４０）８−イソプロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４１）８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４２）８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４３）８−イソプロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４４）８−イソプロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４５）８−クロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４６）８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４７）８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４８）８，９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン、等
《ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン誘導体》
４９）ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５０）１２−メチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５１）１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５２）１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
５３）１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン、等
《オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン誘導体》
５４）オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５５）１５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５６）１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン、等
《ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン誘導体》
５７）ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５８）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５９）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
６０）１５，１６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン、等
《ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体》
６１）ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−エイコセン
６２）ヘプタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
《トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン誘導体》
６３）トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６４）２−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６５）５−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン、等
《トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン誘導体》
６６）トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン
６７）１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン、等
《ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン誘導体》
６８）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
６９）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７０）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７１）１４，１５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン、等
《ジエン化合物》
７２）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４、１０−ペンタデカジエン、等
《ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン誘導体》
７３）ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン
７４）メチル置換ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン、等
《ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン誘導体》
７５）ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン
７６）ジメチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン、等
《ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン誘導体》
７７）ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン
７８）トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン、等
《ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン誘導体》
７９）ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８０）１１−メチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８１）１１−エチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８２）１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン、等
《ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン誘導体》
８３）ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８４）１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８５）トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
《ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン誘導体》
８６）ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン、等
《その他》
８７）５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８８）５−メチル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８９）５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９０）５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９１）５−（エチルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９２）５−（イソプロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９３）５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９４）５−（β−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９５）５−（α−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９６）５−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９７）５，６−ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９８）シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
９９）１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン
１００）１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン
１０１）８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０２）８−メチル−８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０３）８−ベンジル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０４）８−トリル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０５）８−（エチルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０６）８−（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０７）８，９−ジフェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０８）８−（ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０９）８−（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１０）８−（α−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１１）８−（アントラセニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１２）（シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物）に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
１１３）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
１１４）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ヘキサデセン
１１５）１１−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
１１６）１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−エイコセン
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン；４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が２〜２０のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また１種単独、或いは２種以上組み合わせて用いることができる。
置換基としては、種々のものが挙げられ特に制限はないが、代表的なものとしてアルキル、アリール、アニリノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルキニル、複素環、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、複素環チオ、チオウレイド、ヒドロキシル及びメルカプトの各基、並びにスピロ化合物残基、有橋炭化水素化合物残基、スルホニル、スルフィニル、スルホニルオキシ、スルファモイル、ホスホリル、カルバモイル、アシル、アシルオキシ、オキシカルボニル、カルボキシル、シアノ、ニトロ、ハロゲン置換アルコキシ、ハロゲン置換アリールオキシ、ピロリル、テトラゾリル等の各基及びハロゲン原子等が挙げられる。
上記アルキル基としては炭素数１〜３２のものが好ましく、直鎖でも分岐でもよい。アリール基としてはフェニル基が好ましい。
アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基；スルホンアミド基としては、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基；アルキルチオ基、アリールチオ基におけるアルキル成分、アリール成分は上記のアルキル基、アリール基が挙げられる。
アルケニル基としては炭素数２〜２３のもの、シクロアルキル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましく、アルケニル基は直鎖でも分岐でもよい。シクロアルケニル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましい。
ウレイド基としてはアルキルウレイド基、アリールウレイド基；スルファモイルアミノ基としてはアルキルスルファモイルアミノ基、アリールスルファモイルアミノ基；複素環基としては５〜７員のものが好ましく、具体的には２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル等；飽和複素環としては５〜７員のものが好ましく、具体的にはテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル等；複素環オキシ基としては５〜７員の複素環を有するものが好ましく、例えば３，４，５，６−テトラヒドロピラニル−２−オキシ、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ等；複素環チオ基としては５〜７員の複素環チオ基が好ましく、例えば２−ピリジルチオ、２−ベンゾチアゾリルチオ、２，４−ジフェノキシ−１，３，５−トリアゾール−６−チオ等；シロキシ基としてはトリメチルシロキシ、トリエチルシロキシ、ジメチルブチルシロキシ等；イミド基としては琥珀酸イミド、３−ヘプタデシル琥珀酸イミド、フタルイミド、グルタルイミド等；スピロ化合物残基としてはスピロ［３．３］ヘプタン−１−イル等；有橋炭化水素化合物残基としてはビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル、トリシクロ［３．３．１．１３．７］デカン−１−イル、７，７−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル等が挙げられる。
スルホニル基としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ハロゲン置換アルキルスルホニル基、ハロゲン置換アリールスルホニル基等；スルフィニル基としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基等；スルホニルオキシ基としては、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等；スルファモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル等；ホスホリル基としては、アルコキシホスホリル基、アリールオキシホスホリル基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基等；カルバモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基等；アシル基としては、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等；アシルオキシ基としては、アルキルカルボニルオキシ基等；オキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基等；ハロゲン置換アルコキシ基としてはα−ハロゲン置換アルコキシ基等；ハロゲン置換アリールオキシ基としては、テトラフルオロアリールオキシ基、ペンタフルオロアリールオキシ基等；ピロリル基としては１−ピロリル等；テトラゾリル基としては１−テトラゾリル等の各基が挙げられる。
上記置換基の他に、トリフルオロメチル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ノニルフルオロ−ｔ−ブチル等の各基や、テトラフルオロアリール基、ペンタフルオロアリール基なども好ましく用いられる。更に、これらの置換基は、他の置換基で置換されてもよい。
本発明に係る共重合体中の非環状モノマー含有量は成形性の観点から２０％以上であることが好ましく、２５％以上で９０％以下であることがより好ましく、３０％以上で８５％以下であることがさらに好ましい。
本発明に係る重合体又は共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは８０〜２５０℃、より好ましくは９０〜２２０℃、最も好ましくは１００〜２００℃の範囲である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン換算値で、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは２０，０００〜５００，０００、最も好ましくは５０，０００〜３００，０００の範囲である。分子量分布は、上記Ｍｎと、同様にＧＰＣで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で表したときに、好ましくは２．０以下である。
Ｍｗ／Ｍｎが大きすぎると、成形体の機械的強度や耐熱性が低下する。特に機械的強度、耐熱性、成形加工性を向上させるには、Ｍｗ／Ｍｎが１．８以下がより好ましく、１．６以下が特に好ましい。
重合時の温度は、０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃の範囲から選ばれ、圧力は大気圧〜１００気圧の範囲から選ばれる。また、重合体帯域に水素を存在させることによって、生成する重合体の分子量を容易に調整することができる。
重合時の温度は、０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃の範囲から選ばれ、圧力は大気圧〜１００気圧の範囲から選ばれる。また、重合体帯域に水素を存在させることによって、生成する重合体の分子量を容易に調整することができる。
本発明に係るオレフィン系樹脂は、１成分の環状モノマーから合成された高分子でもよいが、好適には２成分以上の環状モノマー、或いは環状モノマーと非環状モノマーを用いて合成された共重合体が選ばれる。この共重合体については、１００成分以上のモノマーを用いて製造しても良いが生産効率重合安定性からモノマーの混合は１０成分以下が好ましい。更に好ましいのは、５成分以下である。
また、得られた共重合体は、結晶性高分子でも非晶性高分子でもかまわないが、好ましくは非晶性高分子が良い。
本発明に係る重合体及び共重合体の炭素−炭素不飽和結合（芳香環含む）を水素添加する方法には、公知の方法を用いることができるが、中でも、水素添加率を高くし、且つ水素添加反応と同時に起こる重合体鎖切断反応を少なくするためには、有機溶媒中、ニッケル、コバルト、鉄、チタン、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム及びレニウムから選ばれる少なくとも１つの金属を含む触媒を用いて水素添加反応を行なうのが好ましい。水素化触媒は、不均一触媒、均一触媒のいずれも使用可能である。不均一系触媒は、金属または金属化合物のままで、又は適当な担体に担持して用いることができる。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭化カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化珪素等が挙げられ、触媒の担持量は、触媒合計質量に対する金属含有量で、通常０．０１〜８０質量％、好ましくは０．０５〜６０質量％の範囲である。均一系触媒は、ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物と有機金属化合物（例えば、有機アルミニウム化合物、有機リチウム化合物）とを組み合わせた触媒、またはロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等の有機金属錯体触媒を用いることができる。これらの水素添加触媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上組み合わせて使用することができ、その使用量は、重合体１００質量部に対して、通常、０．０１〜１００質量部、好ましくは０．０５〜５０質量部、より好ましくは０．１〜３０質量部である。
水素添加反応温度は、通常０〜３００℃の温度であり、好ましくは室温〜２５０℃、特に好ましくは５０〜２００℃の温度範囲である。
また、水素圧力は、通常０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａ、好ましくは１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、より好ましくは２ＭＰａ〜１５ＭＰａである。得られた水素添加物の水素添加率は、耐熱性や耐候性の観点から、１Ｈ−ＮＭＲによる測定において、主鎖の炭素−炭素不飽和結合の通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。水素化率が低いと、得られる重合体の透過率、低複屈折性、熱安定性等の光学特性が低下する。
本発明に係る重合体及び共重合体の水素添加反応に於いて用いられる溶媒としては本発明の重合体及び共重合体を溶解し溶媒自体が水素添加されないものであればどのようなものでもよく、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、デカリンなどの脂肪族環状炭化水素、メチレンジクロリド、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、クロルベンゼン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等が挙げられ、これらは２種以上混合して使用してもよい。
本発明に係る重合体又は共重合体水素添加物の製造は、重合体溶液から重合体又は共重合体水素添加物を単離した後、再度溶媒に溶解しても可能であるが、単離することなく、上記有機金属錯体と有機アルミニウム化合物からなる水素添加触媒を加えることにより水素添加反応を行う方法を採用することもできる。
水素添加反応の終了後、公知の方法により重合体に残存する水素添加触媒を除去することができる。例えば、吸着剤による吸着法、良溶媒による溶液に乳酸等の有機酸と貧溶媒と水とを添加し、この系を常温下或いは加温下に於いて抽出除去する方法、更には良溶媒による溶液または重合体スラリーを窒素または水素ガスの雰囲気下でトリメチレンジアミン、アニリン、ピリジン、エタンジアミド、水酸化ナトリウム等の塩基性化合物で接触処理した後に、或いは接触処理と同時に酢酸、クエン酸、安息香酸、塩酸等の酸性化合物を接触処理した後、洗浄除去する方法等が挙げられる。
本発明に係る重合体又は共重合体水素添加物溶液から重合体水素化物の回収法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、撹拌下の貧溶媒中に反応溶液を排出し重合体水素化物を凝固させ濾過法、遠心分離法、デカンテーション法等により回収する方法、反応溶液中にスチームを吹き込んで重合体水素化物を析出させるスチームストリッピング法、反応溶液から溶媒を加熱等により直接除去する方法等が挙げられる。
本発明において、水素添加方法を用いると水素添加率は９０％以上が容易に達成でき、９５％以上、特に９９％以上とすることが可能であり、そうして得られる重合体又は共重合体水素添加物は容易に酸化されることがなく、優れた重合体又は共重合体水素添加物となる。
次いで、本発明に係る樹脂組成物の調製方法について説明する。
本発明に係る樹脂組成物は、成型する工程（成型プロセス）の前に特定の加工処理をすることが好ましく、加工処理の段階で通常樹脂に添加される可塑剤、酸化防止剤、その他の添加剤を加えても良い。
本発明に係る樹脂組成物の調製方法としては、混練プロセスまたは混合物を溶媒に溶解、溶媒除去、乾燥を経て組成物を得るプロセス等が好ましい調製方法として挙げられるが、更に好ましい調製方法は、混練プロセスである。また、混練プロセスとして、通常の樹脂の配合に用いるプロセスを用いることができる。例えば、ロール、バンバリーミキサ、二軸混練機、ニーダールーダなどを用いることができるが、好ましくは、バンバリーミキサ、二軸混練機、ニーダールーダ等が挙げられる。樹脂の酸化を防ぐ目的で、密閉系で混練り可能な装置が好適に使用され、さらに好ましくは、窒素やアルゴンなどの不活性ガス化で混練プロセスを行うことが望ましい。
本発明に係る樹脂組成物の調製時や樹脂組成物の成型工程においては、必要に応じて各種添加剤（配合剤ともいう）を添加することができる。添加剤については、格別限定はないが、酸化防止剤、熱安定剤、耐光安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、近赤外線吸収剤などの安定剤；滑剤、可塑剤などの樹脂改質剤；染料や顔料などの着色剤；帯電防止剤、難燃剤、フィラーなどが挙げられる。これらの配合剤は、単独で、あるいは２種以上を組み合せて用いることができ、その配合量は本発明に記載の効果を損なわない範囲で適宜選択される。
本発明に用いられる酸化防止剤について説明する。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤などが挙げられ、これらの中でもフェノール系酸化防止剤、特にアルキル置換フェノール系酸化防止剤が好ましい。これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、耐熱性等を低下させることなく、成型時の酸化劣化等によるレンズの着色や強度低下を防止できる。これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜選択されるが、本発明に係る重合体１００質量部に対して好ましくは０．００１〜５質量部、より好ましくは０．０１〜１質量部である。
フェノール系酸化防止剤としては、従来公知のものが使用でき、例えば、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−アミル−６−（１−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）エチル）フェニルアクリレートなどの特開昭６３−１７９９５３号公報や特開平１−１６８６４３号公報に記載されるアクリレート系化合物；オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２′−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス（メチレン−３−（３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシフェニルプロピオネート））メタン［すなわち、ペンタエリスリメチル−テトラキス（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオネート））］、トリエチレングリコールビス（３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート）などのアルキル置換フェノール系化合物；６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジン、４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジン、２−オクチルチオ−４，６−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−オキシアニリノ）−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン基含有フェノール系化合物；などが挙げられる。
リン系酸化防止剤としては、一般の樹脂工業で通常使用される物であれば格別な限定はなく、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイドなどのモノホスファイト系化合物；４，４′−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４′イソプロピリデン−ビス（フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２〜Ｃ１５）ホスファイト）などのジホスファイト系化合物などが挙げられる。これらの中でも、モノホスファイト系化合物が好ましく、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどが特に好ましい。
イオウ系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル３，３−チオジプロピオネート、ジミリスチル３，３′−チオジプロピピオネート、ジステアリル３，３−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル３，３−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−β−ラウリル−チオ−プロピオネート、３，９−ビス（２−ドデシルチオエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどが挙げられる。
ヒンダードアミン系耐光安定剤について説明する。
ヒンダードアミン系耐光安定剤（以下、ＨＡＬＳと記す）の中でも、ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣにより測定したポリスチレン換算のＭｎが１０００〜１００００であるものが好ましく、２０００〜５０００であるものがより好ましく、２８００〜３８００であるものが特に好ましい。Ｍｎが小さすぎると、該ＨＡＬＳをブロック共重合体に加熱溶融混練して配合する際に、揮発のため所定量を配合できなかったり、射出成型等の加熱溶融成型時に発泡やシルバーストリークが生じるなど加工安定性が低下する。また、ランプを点灯させた状態でレンズを長時間使用する場合に、レンズから揮発性成分がガスとなって発生する。逆にＭｎが大き過ぎると、ブロック共重合体への分散性が低下して、レンズの透明性が低下し、耐光性改良の効果が低減する。したがって、本発明においては、ＨＡＬＳのＭｎを上記範囲とすることにより加工安定性、低ガス発生性、透明性に優れたレンズが得られる。
このようなＨＡＬＳの具体例としては、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″，Ｎ′″−テトラキス−〔４，６−ビス−｛ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ｝−トリアジン−２−イル〕−４，７−ジアザデカン−１，１０−ジアミン、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、１，６−ヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）とモルフォリン−２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重縮合物、ポリ〔（６−モルフォリノ−ｓ−トリアジン−２，４−ジイル）（２，２，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕−ヘキサメチレン〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕〕などの、ピペリジン環がトリアジン骨格を介して複数結合した高分子量ＨＡＬＳ；コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールと３，９−ビス（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンとの混合エステル化物などの、ピペリジン環がエステル結合を介して結合した高分子量ＨＡＬＳ等が挙げられる。
これらの中でも、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝〕、コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物などのＭｎが２，０００〜５，０００のものが好ましい。
本発明に係る樹脂に対する上記配合量は、重合体１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜２０質量部、より好ましくは０．０２〜１５質量部、特に好ましくは０．０５〜１０質量部である。添加量が少なすぎると耐光性の改良効果が十分に得られず、屋外で長時間使用する場合等に着色が生じる。一方、ＨＡＬＳの配合量が多すぎると、その一部がガスとなって発生したり、樹脂への分散性が低下して、レンズの透明性が低下する。
また、本発明に係る樹脂組成物に、さらに最も低いガラス転移温度が３０℃以下である化合物を配合することにより、透明性、耐熱性、機械的強度などの諸特性を低下させることなく、長時間の高温高湿度環境下での白濁を防止できる。
すなわち本発明においては、本発明の樹脂組成物と、（１）軟質重合体、（２）アルコール性化合物、からなる群から選ばれる少なくとも１種類の配合剤を含んでなる樹脂組成物が提供される。これらの配合剤を配合することにより、透明性、低吸水性、機械的強度などの諸特性を低下させることなく、長時間の高温高湿度環境下での白濁を防止できる。
これらの中でも、（１）軟質重合体、及び（２）アルコール性化合物が、高温高湿度環境下における白濁防止効果、得られる樹脂組成物の透明性に優れる。
（１）軟質重合体
本発明に用いる軟質重合体は、通常３０℃以下のＴｇを有する重合体であり、Ｔｇが複数存在する場合には、少なくとも最も低いＴｇが３０℃以下であることが好ましい。
本発明に用いる軟質重合体は、通常３０℃以下のＴｇを有する重合体であり、Ｔｇが複数存在する場合には、少なくとも最も低いＴｇが３０℃以下であることが好ましい。
これらの軟質重合体の具体例としては、例えば、液状ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、エチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）、エチレン・プロピレン・スチレン共重合体などのオレフィン系軟質重合体、ポリイソブチレン、イソブチレン・イソプレンゴム、イソブチレン・スチレン共重合体などのイソブチレン系軟質重合体；ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン・スチレンランダム共重合体、イソプレン・スチレンランダム共重合体、アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ブタジエン・スチレン・ブロック共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレン・ブロック共重合体、イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体などのジエン系軟質重合体、ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、ジヒドロキシポリシロキサン、などのケイ素含有軟質重合体、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、ブチルアクリレート・スチレン共重合体などのα，β−不飽和酸からなる軟質重合体、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリステアリン酸ビニル、酢酸ビニル・スチレン共重合体などの不飽和アルコールおよびアミンまたはそのアシル誘導体またはアセタールからなる軟質重合体、エチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、エピクロルヒドリンゴム、などのエポキシ系軟質軟質重合体、フッ化ビニリデン系ゴム、四フッ化エチレン−プロピレンゴム、などのフッ素系軟質重合体、天然ゴム、ポリペプチド、蛋白質、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマーなどのその他の軟質重合体、等が挙げられる。これらの軟質重合体は、架橋構造を有したものであってもよく、また、変性反応により官能基を導入したものでもよい。
上記軟質重合体の中でもジエン系軟質重合体が好ましく、特に該軟質重合体の炭素−炭素不飽和結合を水素化した水素化物が、ゴム弾性、機械強度、柔軟性、分散性の点で優れる。
（２）アルコール性化合物
また、アルコール性化合物は、分子内に少なくとも１つの非フェノール性水酸基を有する化合物で、好適には、少なくても１つの水酸基と少なくとも１つのエーテル結合またはエステル結合を有する。このような化合物の具体例としては、例えば２価以上の多価アルコール、より好ましくは３価以上の多価アルコール、さらに好ましくは３〜８個の水酸基を有する多価アルコールの水酸基の１つがエーテル化またはエステル化されたアルコール性エーテル化合物やアルコール性エステル化合物が挙げられる。
また、アルコール性化合物は、分子内に少なくとも１つの非フェノール性水酸基を有する化合物で、好適には、少なくても１つの水酸基と少なくとも１つのエーテル結合またはエステル結合を有する。このような化合物の具体例としては、例えば２価以上の多価アルコール、より好ましくは３価以上の多価アルコール、さらに好ましくは３〜８個の水酸基を有する多価アルコールの水酸基の１つがエーテル化またはエステル化されたアルコール性エーテル化合物やアルコール性エステル化合物が挙げられる。
２価以上の多価アルコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、グリセロール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジグリセロール、トリグリセロール、ジペンタエリスリトール、１，６，７−トリヒドロキシ−２，２−ジ（ヒドロキシメチル）−４−オキソヘプタン、ソルビトール、２−メチル−１，６，７−トリヒドロキシ−２−ヒドロキシメチル−４−オキソヘプタン、１，５，６−トリヒドロキシ−３−オキソヘキサンペンタエリスリトール、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートなどが挙げられるが、特に３価以上の多価アルコール、さらには３〜８個の水酸基を有する多価アルコールが好ましい。またアルコール性エステル化合物を得る場合には、α、β−ジオールを含むアルコール性エステル化合物が合成可能なグリセロール、ジグリセロール、トリグリセロールなどが好ましい。
このようなアルコール性化合物として、例えば、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリンモノベヘネート、ジグリセリンモノステアレート、グリセリンジステアレート、グリセリンジラウレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールモノベヘレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタエリスリトールトリステアレート、ジペンタエリスリトールジステアレートなどの多価アルコール性エステル化物；３−（オクチルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（デシルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（ラウリルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（４−ノニルフェニルオキシ）−１，２−プロパンジオール、１，６−ジヒドロオキシ−２，２−ジ（ヒドロキシメチル）−７−（４−ノニルフェニルオキシ）−４−オキソヘプタン、ｐ−ノニルフェニルエーテルとホルムアルデヒドの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物、ｐ−オクチルフェニルエーテルとホルムアルデヒドの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物、ｐ−オクチルフェニルエーテルとジシクロペンタジエンの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物などが挙げられる。これらの多価アルコール性化合物は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。これらの多価アルコール性化合物の分子量は特に限定されないが、通常５００〜２０００、好ましくは８００〜１５００のものが、透明性の低下も少ない。
（３）有機または無機フィラー
有機フィラーとしては、通常の有機重合体粒子または架橋有機重合体粒子を用いることができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのハロゲン含有ビニル重合体；ポリアリレート、ポリメタクリレートなどのα，β−不飽和酸から誘導された重合体；ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニルなどの不飽和アルコールから誘導された重合体；ポリエチレンオキシド、またはビスグリシジルエーテルからから誘導された重合体；ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、ポリスルフォンなどの芳香族縮合系重合体；ポリウレタン；ポリアミド；ポリエステル；アルデヒド・フェノール系樹脂；天然高分子化合物などの粒子または架橋粒子を挙げることができる。
有機フィラーとしては、通常の有機重合体粒子または架橋有機重合体粒子を用いることができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのハロゲン含有ビニル重合体；ポリアリレート、ポリメタクリレートなどのα，β−不飽和酸から誘導された重合体；ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニルなどの不飽和アルコールから誘導された重合体；ポリエチレンオキシド、またはビスグリシジルエーテルからから誘導された重合体；ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、ポリスルフォンなどの芳香族縮合系重合体；ポリウレタン；ポリアミド；ポリエステル；アルデヒド・フェノール系樹脂；天然高分子化合物などの粒子または架橋粒子を挙げることができる。
無機フィラーとしては、例えば、フッ化リチウム、硼砂（硼酸ナトリウム含水塩）などの１族元素化合物；炭酸マグネシウム、燐酸マグネシウム、炭酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、炭酸バリウムなどの２族元素化合物；二酸化チタン（チタニア）、一酸化チタンなどの４族元素化合物；二酸化モリブデン、三酸化モリブデンの６族元素化合物；塩化マンガン、酢酸マンガンなどの７族元素化合物；塩化コバルト、酢酸コバルトなどの８〜１０族元素化合物；沃化第一銅などの１１族元素化合物；酸化亜鉛、酢酸亜鉛などの１２族元素化合物；酸化アルミニウム（アルミナ）、フッ化アルミニウム、アルミノシリケート（珪酸アルミナ、カオリン、カオリナイト）などの１３族元素化合物；酸化珪素（シリカ、シリカゲル）、石墨、カーボン、グラファイト、ガラスなどの１４族元素化合物；カーナル石、カイナイト、雲母（マイカ、キンウンモ）、バイロース鉱などの天然鉱物の粒子が挙げられる。
（１）〜（３）の化合物の配合量は脂環式炭化水素系共重合体と配合される化合物の組み合わせによって決まるが、一般に、配合量が多すぎれば、組成物のガラス転移温度や透明性が大きく低下し、光学材料として使用するのに不適である。また配合量が少なすぎれば、高温高湿下において成型物の白濁を生じる場合がある。配合量としては、脂環式炭化水素系共重合体１００質量部に対して、通常０．０１〜１０質量部、好ましくは０．０２〜５質量部、特に好ましくは０．０５〜２質量部の割合で配合する。配合量が少なすぎる場合には高温高湿度環境下における白濁防止効果が得られず、配合量が多すぎる場合は成型品の耐熱性、透明性が低下する。
《その他の配合剤》
本発明に係る樹脂組成物には、必要に応じて、その他の配合剤として、紫外線吸収剤、光安定剤、近赤外線吸収剤、染料や顔料などの着色剤、滑剤、可塑剤、帯電防止剤、蛍光増白剤などを配合することができ、これらは単独で、あるいは２種以上混合して用いることができ、その配合量は本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。
本発明に係る樹脂組成物には、必要に応じて、その他の配合剤として、紫外線吸収剤、光安定剤、近赤外線吸収剤、染料や顔料などの着色剤、滑剤、可塑剤、帯電防止剤、蛍光増白剤などを配合することができ、これらは単独で、あるいは２種以上混合して用いることができ、その配合量は本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
〔光ピックアップ装置〕
光ピックアップ装置に用いられる光学素子として、対物レンズＯＢＬとカップリングレンズＣＯＬをプラスチックレンズとした。
光ピックアップ装置に用いられる光学素子として、対物レンズＯＢＬとカップリングレンズＣＯＬをプラスチックレンズとした。
プラスチックレンズに用いられる樹脂組成物としては、環状オレフィン系重合体としてテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセンとエチレンの共重合体（表１には、樹脂１と記載）を用い、これにＨＡＬＳとしてビス−［２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニル］セバシエートを１．０質量％添加し、これを約２２０℃で混練し、押し出し機でペレット化して樹脂組成物を作製した。このペレット化した樹脂組成物を用いて、インライン方式の射出成型機により、各光学素子に形成した。
これらの光学素子と、第１光源として主波長４０５ｎｍの青色ＬＥＤ、第２光源として主波長６３５ｎｍの赤色ＬＥＤ及び第３光源として波長７８０ｎｍの赤外ＬＥＤを有する図１に記載の光ピックアップ装置を作成した。
〔光源照射工程の実施及び光ディスクドライブ装置の作製〕
得られた光ピックアップ装置の光源（４０５ｎｍの青色ＬＥＤ）を以下のように照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。
得られた光ピックアップ装置の光源（４０５ｎｍの青色ＬＥＤ）を以下のように照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。
（実施例１）
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で０．８時間照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作製した。この際、光検出器による光量の経時変化はモニタしておらず、第２光源及び第３光源の照射は行わなかった。
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で０．８時間照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作製した。この際、光検出器による光量の経時変化はモニタしておらず、第２光源及び第３光源の照射は行わなかった。
（実施例２）
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で３時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で３時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例３）
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で１０時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で１０時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例４）
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で１６時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で１６時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例５）
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で２０時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、室温（２０℃）環境下で２０時間照射させた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（比較例１）
光ピックアップ装置の光源を照射する工程を行わずに、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の光源を照射する工程を行わずに、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例６）
光ピックアップ装置の第１光源を、３５℃環境下で照射させた以外は実施例２と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、３５℃環境下で照射させた以外は実施例２と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例７）
光ピックアップ装置の第１光源を、４５℃環境下で照射させた以外は実施例６と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、４５℃環境下で照射させた以外は実施例６と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例８）
光ピックアップ装置の第１光源を、６５℃環境下で照射させた以外は実施例６と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
光ピックアップ装置の第１光源を、６５℃環境下で照射させた以外は実施例６と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作製した。
（実施例９）
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に反射板を設置し、光検出器により検出光量をモニタしながら室温（２０℃）で光源の照射を行った。光量が漸減した後漸増し始めた時点から２時間照射を続けた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。この際、第２光源及び第３光源は照射させなかった。
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に反射板を設置し、光検出器により検出光量をモニタしながら室温（２０℃）で光源の照射を行った。光量が漸減した後漸増し始めた時点から２時間照射を続けた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。この際、第２光源及び第３光源は照射させなかった。
（実施例１０）
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に別途第２光検出器を設け、第２光検出器により検出光量をモニタしながら光源の照射を行った以外は実施例９と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作成した。
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に別途第２光検出器を設け、第２光検出器により検出光量をモニタしながら光源の照射を行った以外は実施例９と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作成した。
（実施例１１）
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に反射板を設置し、光検出器により検出光量をモニタしながら光源の照射を行った。光量が漸減、漸増した後、光量の変化量が０．１（％／時）以下になるまで照射を続けた後光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。この際、第２光源及び第３光源は照射させなかった。
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる際に、光ディスクの情報記録面が配置される位置に反射板を設置し、光検出器により検出光量をモニタしながら光源の照射を行った。光量が漸減、漸増した後、光量の変化量が０．１（％／時）以下になるまで照射を続けた後光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。この際、第２光源及び第３光源は照射させなかった。
（実施例１２）
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる工程の後、第２光源及び第３光源をそれぞれ１０時間ずつ照射させた以外は実施例２と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作成した。
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる工程の後、第２光源及び第３光源をそれぞれ１０時間ずつ照射させた以外は実施例２と同様の方法で光ディスクドライブ装置を作成した。
（比較例２）
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる工程を行わず、第２光源及び第３光源をそれぞれ１０時間ずつ照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。
光ピックアップ装置の第１光源を照射させる工程を行わず、第２光源及び第３光源をそれぞれ１０時間ずつ照射させた後、光ディスク駆動装置とともに組み付けて光ディスクドライブ装置を作成した。
〔光ディスクドライブ装置の評価〕
得られた実施例１〜１２及び比較例１〜２の光ディスクドライブ装置の光ディスクドライブ装置上にブルーレイディスク（ＢＤ）を設置し、第１光源を２０時間連続照射させて光検出器による情報の読み取りの安定性についての評価を行った。
得られた実施例１〜１２及び比較例１〜２の光ディスクドライブ装置の光ディスクドライブ装置上にブルーレイディスク（ＢＤ）を設置し、第１光源を２０時間連続照射させて光検出器による情報の読み取りの安定性についての評価を行った。
Ａ：第１光源を長時間照射させても光量の変化が発生せず、安定した読み取りを行うことができた
Ｂ：第１光源を長時間照射させた際、極軽微な光量の変化が発生したものの、読み取りへの影響は軽微であり、安定した読み取りを行うことができた
Ｃ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生したものの、読み取りへの影響は軽微であり、安定した読み取りを行うことができた
Ｄ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生し、読み取りでのエラーレートが少し増加した
Ｅ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生し、読み取りでのエラーレートが許容できないほどに増加した
実用上は、Ａ〜Ｃであれば問題なく使用が可能であるが、Ｄ〜Ｅの場合問題となる場合がある。結果を下記表１に示す。
Ｂ：第１光源を長時間照射させた際、極軽微な光量の変化が発生したものの、読み取りへの影響は軽微であり、安定した読み取りを行うことができた
Ｃ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生したものの、読み取りへの影響は軽微であり、安定した読み取りを行うことができた
Ｄ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生し、読み取りでのエラーレートが少し増加した
Ｅ：第１光源を長時間照射させた際、光量の変化が発生し、読み取りでのエラーレートが許容できないほどに増加した
実用上は、Ａ〜Ｃであれば問題なく使用が可能であるが、Ｄ〜Ｅの場合問題となる場合がある。結果を下記表１に示す。
〔光ディスクドライブ装置の照射処理〕
第１光源の照射処理を行っていない光ピックアップ装置を光ディスク駆動装置とともに組み付けることで得られた光ディスクドライブ装置において、実施例１〜１２における光ピックアップ装置への照射処理と同様の処理を行った後、光ディスクドライブ装置の安定性の評価を行ったところ、実施例１〜１２と同様の効果が得られた。
第１光源の照射処理を行っていない光ピックアップ装置を光ディスク駆動装置とともに組み付けることで得られた光ディスクドライブ装置において、実施例１〜１２における光ピックアップ装置への照射処理と同様の処理を行った後、光ディスクドライブ装置の安定性の評価を行ったところ、実施例１〜１２と同様の効果が得られた。
ＯＢＪ 対物レンズ
ＣＯＬ カップリングレンズ
ＣＯＬ カップリングレンズ
Claims (43)
- ａ）波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置、及び、
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置において、
前記光ディスクドライブ装置は、前記光ピックアップ装置の前記第１光源を照射させる工程の後に、前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程により製造されることを特徴とする光ディスクドライブ装置。 - 前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする請求項１に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記第１光源からの光束の光量を継時的にモニタし、前記プラスチック光学素子を透過した前記第１光源からの光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする請求項４に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記第１光源からの光束の光量を継時的にモニタし、前記プラスチック光学素子を透過した前記第１光源からの光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、透過光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする請求項４または５に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項７に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程の前には、前記第２光源を照射させる工程は行われないことを特徴とする請求項９に記載の光ディスクドライブ装置。
- 前記前記光ディスク駆動装置と前記光ピックアップ装置を組みつける工程の前には、前記第３光源を照射させる工程は行われないことを特徴とする請求項１０に記載の光ディスクドライブ装置。
- 波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置の処理方法であって、
前記光ピックアップ装置が、光ディスクドライブ装置に組み込まれる前に、前記第１光源を照射させる工程を行うことを特徴とする光ピックアップ装置の処理方法。 - 前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする請求項１３に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする請求項１４に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記光ピックアップ装置に対して光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記光ピックアップ装置に対して光ディスクが配置されるべき位置に、前記第１光源からの光束を検出できる第２光検出器を配置し、前記第２光検出器により、前記第１光源からの光束を経時的にモニタすることを特徴とする請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする請求項１７に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする請求項１７に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記第２光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする請求項１８に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記第２光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記第２光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする請求項１８に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項１３〜２２のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記光ピックアップ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項２３に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記光ピックアップ装置の処理方法において、複数の前記光ピックアップ装置が電気的に接続された状態で、該複数の光ピックアップ装置のそれぞれの第１光源を照射させることにより、前記第１光源を照射させる工程が行われることを特徴とする請求項１３〜２４のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記接続された複数の光ピックアップ装置のうち、少なくとも１台の光ピックアップ装置に対して、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする請求項２５に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記接続された複数の光ピックアップ装置のうち、少なくとも１台の光ピックアップ装置に対して、光ディスクが配置されるべき位置に、前記第１光源からの光束を検出できる第２光検出器を配置し、前記第２光検出器により、前記第１光源からの光束を経時的にモニタすることを特徴とする請求項２５に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする請求項１３〜２７のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする請求項１３〜２８のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法。
- 請求項１３〜２９のいずれか１項に記載の光ピックアップ装置の処理方法が施された光ピックアップ装置と光ディスク駆動装置とを組み付けることを特徴とする光ディスクドライブ装置の製造方法。
- ａ）波長３９０〜４２０ｎｍの光束を出射する第１光源、少なくとも１つのプラスチック光学素子及び光ディスクの情報記録面からの反射光を検出する光検出器、とを有する光ピックアップ装置、及び、
ｂ）光ディスクを回転駆動せしめる光ディスク駆動装置、とを有する光ディスクドライブ装置の処理方法であって、
前記第１光源を照射させる工程を有することを特徴とする光ディスクドライブ装置の処理方法。 - 前記第１光源を照射させる工程が１時間以上行われることを特徴とする請求項３１に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記第１光源の照射は２時間以上１６時間以下の間行われることを特徴とする請求項３２に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記プラスチック光学素子が、α−オレフィンと下記一般式（Ｉ）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体とヒンダートアミン系耐光安定剤とを有する樹脂組成物を成型して得られた光学素子であることを特徴とする請求項３１〜３３のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程において、前記光ディスク駆動装置上に、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする請求項３１〜３４のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、１時間以上照射されることを特徴とする請求項３５に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程で、前記光検出器で検出される光束の光量が漸減した後、漸増に転じてから、前記光検出器で検出される光束の光量の変化が０．１（％／時）以下になるまで前記第１光源が照射されることを特徴とする請求項３５に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記ディスクドライブ装置を３０℃以上６０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項３１〜３７のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記第１光源を照射させる工程が、前記光ディスクドライブ装置を４０℃以上５０℃以下の環境温度下に設置して行われることを特徴とする請求項３９に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記光ディスクドライブ装置の処理方法において、複数の前記ディスクドライブ装置が電気的に接続された状態で、該複数の光ディスクドライブ装置のそれぞれの第１光源を照射させることにより、前記第１光源を照射させる工程が行われることを特徴とする請求項３１〜３９のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記接続された複数の光ディスクドライブ装置のうち、少なくとも１台の光ディスクドライブ装置の光ディスク駆動装置上に、光ディスク若しくはその均等物を配置し、前記光ディスクの情報記録面若しくはその均等物の反射面により反射された前記第１光源からの光束を前記光検出器により経時的にモニタすることを特徴とする請求項４０に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記光ディスクドライブ装置の前記光ピックアップ装置が、波長６３０〜６６０ｎｍの光束を出射する第２光源を有することを特徴とする請求項３１〜４１のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
- 前記光ディスクドライブ装置の前記光ピックアップ装置が、波長７６０〜８００ｎｍの光束を出射する第３光源を有することを特徴とする請求項３１〜４２のいずれか１項に記載の光ディスクドライブ装置の処理方法。
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