KR100241533B1 - 플래쉬 메모리 셀 제조방법 - Google Patents
플래쉬 메모리 셀 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100241533B1 KR100241533B1 KR1019960074956A KR19960074956A KR100241533B1 KR 100241533 B1 KR100241533 B1 KR 100241533B1 KR 1019960074956 A KR1019960074956 A KR 1019960074956A KR 19960074956 A KR19960074956 A KR 19960074956A KR 100241533 B1 KR100241533 B1 KR 100241533B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polysilicon layer
- field oxide
- oxide film
- memory cell
- flash memory
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
Description
Claims (1)
- 플래쉬 메모리 셀 제조방법에 있어서, 소정의 공정을 거쳐 플로팅 게이트 및 컨트롤 게이트가 형성된 실리콘 기판의 전체 상부면에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 다수의 플로팅 게이트 상에 형성되며 드레인 접합영역과 인접된 필드 산화막과 중첩되지 않도록 형성된 셀렉트 게이트 패턴용 마스크를 이용하여 상기 폴리실리콘층 및 필드 산화막을 패터닝 하는 단계와, 이온주입 공정을 실시하여 비트라인 접속용 접합영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 셀 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960074956A KR100241533B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 플래쉬 메모리 셀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960074956A KR100241533B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 플래쉬 메모리 셀 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980055720A KR19980055720A (ko) | 1998-09-25 |
| KR100241533B1 true KR100241533B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19491705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960074956A KR100241533B1 (ko) | 1996-12-28 | 1996-12-28 | 플래쉬 메모리 셀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100241533B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100524914B1 (ko) * | 1998-11-30 | 2006-05-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 반도체 메모리소자 및 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-12-28 KR KR1019960074956A patent/KR100241533B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980055720A (ko) | 1998-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100224701B1 (ko) | 불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR100199381B1 (ko) | 플래쉬 이이피롬 셀 제조 방법 | |
| KR19980033930A (ko) | 반도체 소자의 테스트 패턴 제조방법 | |
| KR100906643B1 (ko) | 웨이브형 리세스게이트의 레이아웃 및 그를 이용한리세스게이트의 제조 방법 | |
| KR100241533B1 (ko) | 플래쉬 메모리 셀 제조방법 | |
| KR100650817B1 (ko) | 난드형 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100295711B1 (ko) | 아치형게이트를갖는전계효과트랜지스터및그제조방법 | |
| KR0135690B1 (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| KR20020001247A (ko) | 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법 | |
| KR100376269B1 (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 | |
| KR100255147B1 (ko) | 플래쉬 메모리 셀 어레이 및 그 제조 방법 | |
| CN215342596U (zh) | 半导体存储装置 | |
| KR100499634B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR100536802B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 | |
| KR100470992B1 (ko) | 비활성메모리장치의저항형성방법 | |
| KR100241519B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR0151227B1 (ko) | 플래쉬 이이피롬 제조방법 | |
| KR20050101869A (ko) | 난드형 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
| KR0172268B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100280816B1 (ko) | 플래쉬 이이피롬 형성 방법 | |
| KR0146633B1 (ko) | 플래쉬 이이피롬 셀 제조방법 | |
| KR100308085B1 (ko) | 플래시 셀 어레이에서 세그먼트 트랜지스터와 셀 어레이를 연결하는 방법 | |
| CN113471194A (zh) | 半导体存储装置 | |
| KR20000027533A (ko) | 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 | |
| KR19980068053A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19961228 |
|
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 19961228 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19990825 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 19991103 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 19991104 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20021018 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20031017 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20041018 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20051019 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20061026 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071025 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20071025 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
Termination category: Default of registration fee Termination date: 20091010 |