KR100224938B1 - 섀도우마스크의 제조방법, 섀도우마스크의 제조장치 및 이에사용되는 세정장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에 의한 세정장치는 거의 수평으로 유지된 상태에서 길이 방향을 따라서 반송되는 띠형 금속박판(7)의 윗면 및 아랫면에 상기 띠 형상 금속박막에 대해서 불활성인 세정액을 분출하고 상기 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시키며, 급속 세정을 실시하는 캐비테이션 제트 수단을 갖는 세정부(121)와, 상기 세정부의 앞단에 설치되고 상기 띠형상 금속 박판의 위치를 규제하며 상기 세정액이 상기 띠 형상 금속 박판 반송 방향과 역방향으로 새어 나오는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부(124)를 가지며, 이와 같은 세정장치를 사용하여 에칭 후의 세정을 실시함으로써 레지스트의 가림부의 내측에 잔류하는 에칭액을 급속하게 희석 제거할 수 있으므로 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

섀도우마스크의 제조방법, 섀도우마스크의 제조장치 및 이에 사용되는 세정장치

본 발명은 칼라 수상관용 섀도우 마스크의 제조방법, 특히 포토 에칭법을 사용한 섀도우 마스크의 제조방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 섀도우 마스크의 제조공정에서 사용되는 세정장치에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 섀도우 마스크의 제조장치에 관한 것이다.

섀도우 마스크형 칼라 수상관은 도 1에 도시한 바와 같이 패널(1), 콘부(20) 및 네크부(21)로 이루어진 진공외주기(23) 내에, 패널(1)의 내부면에 설치되고 3색 형광체층으로 이루어진 형광체 스크린(2), 형광체 스크린(2)으로부터 소정 간격 떨어져 색선별 전극으로서 설치되며, 소정의 배열·형상으로 형성된 다수의 열린 구멍을 갖는 섀도우 마스크(3)와, 네크부 내에 설치된 전자총(4)이 배치되어 있다.

섀도우 마스크형 칼라 수상관에서는 이 섀도우 마스크(3)에 의해 전자총(4)으로부터 방출된 3전자빔(5)이 각각 소정의 형광체층에 바르게 랜딩하도록 선별하고 있다.

형광체 스크린(2)은 도시하지 않은 형광체 도트 또는 형광체 스트라이프와, 그 사이를 메우는 블랙 매트릭스를 갖는다. 이 블랙 매트릭스는 전자빔(5)의 랜딩 오차의 흡수나, 콘트래스트 향상에 기여하고 있다.

섀도우 마스크(3)에는 크게 나누어 열린 구멍 형상이 원형인 것, 직사각형인 것이 있다. 주로 문자, 도형 등을 표시하는 칼라 디스플레이관에는 열린 구멍이 원형인 섀도우 마스크가 사용되고, 일반 가정에서 사용되는 칼라 수상관에는 열린 구멍이 직사각형인 섀도우 마스크가 사용되고 있다.

최근, 칼라 디스플레이관에 대해서는 고정밀화, 고품질화가 강하게 요구되고 있다. 이에 따라, 섀도우 마스크의 열린 구멍 크기의 미세화, 열린 구멍 크기의 편차의 감소를 도모할 수 있다. 이것은 섀도우 마스크가 형광체 스크린의 형성에 사용되고 있기 때문이다. 칼라 수상관에서는 일반적으로 화상을 표시하는 형광체 스크린이 섀도우 마스크를 포토 마스크로 하여 사진 인쇄법에 의해 형성한다. 이 때문에, 그 형광체 스크린을 구성하는 블랙 매트릭스의 매트릭스홀이나 도트 형상의 3색 형광체층의 크기, 형상은 섀도우 마스크의 열린 구멍 크기, 형상에 크게 의존한다. 섀도우 마스크의 열린 구멍 크기, 형상의 편차는 표시되는 화상의 얼룩이 되어 나타나, 화상 품위를 손상시킨다.

종래에 상기 섀도우 마스크의 열린 구멍은 포토 에칭법에 의해 형성되고 있다. 특히, 고정밀화, 고품질화가 요구되는 디스플레이관용 섀도우 마스크는 통상, 2단 에칭법으로 형성된다.

도 2 내지 도 8은 종래의 2단 에칭법을 설명하기 위한 모델을 나타낸 도면.

칼라 디스플레이관용 섀도우 마스크의 기재로서는 예를 들어, 36wt%의 Ni를 포함하는 Fe-Ni 합금으로 이루어지는 인바재나, 알루미늄킬드강 등의 금속박판(7)이 사용된다. 이 금속박판(7)은 압연유나 방청유 등을 탈지하기 위해, 탈지 세정에 공급된다.

(감광막 형성 공정)

도 2에 도시한 바와 같이 탈지된 금속박판(7)의 양면에, 예를 들어 카제인계나 변성 PVA계 등의 감광제를 도포하고 건조시켜 감광막으로서의 레지스트막(8)을 형성한다.

(노광공정)

다음에, 도 3에 도시한 바와 같이 섀도우 마스크의 열린 구멍의 전자총에 대향하여 배치되는 면측의 작은 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(9) 및 형광체 스크린에 대향하여 설치되는 면측의 큰 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(19)으로 이루어진 한쌍의 원판(9,19)을 준비한다. 원판(9,19)을 각각 금속판(7)의 양면의 레지스트막(8) 상에 밀착시킨다. 그 후, 노광을 실시함으로써 레지스트막(8)에 이들 원판(9,19)의 패턴을 인화한다. 이 때, 노광광량의 면내 편차가 레지스트막(8)의 패턴의 구멍 크기에 영향을 주므로, 노광광량을 소정의 범위로 제어한다.

(현상공정)

다음에, 이 패턴이 인화된 양면의 레지스트막(8)을 물, 또는 알콜로 이루어진 현상액을 사용하여 형상함으로써 미감광부를 제거한다. 이에 의해, 도 4에 도시한 바와 같이 상기 한쌍의 원판의 패턴에 대응하는 패턴으로 이루어진 레지스트막(10,30)이 형성된다.

(제 1 에칭 공정)

그 후, 예를 들어 에틸렌텔레프탈레이트(PET)나 캐스팅폴리프로필렌(CPP)등으로 이루어진 내에칭성 수지 필름과, 내에칭성 수지 필름 표면에 도포된 접착제로 이루어진 보호 필름(31)을 준비한다.

도 5에 도시한 바와 같이 상기 레지스트막(30)이 형성된 면측에, 보호필름(31)을 상기 접착제를 사용하여 접착한다. 금속박판(7)의 레지스트막(10)이 형성된 면을, 에칭액으로써 염화 제 2철 용액을 사용하여 에칭한다. 이로써, 금속박판(7)의 레지스트막(10)이 형성된 면에, 섀도우 마스크의 전자총에 대향하여 배치되는 면측에 설치되는 작은 열린 구멍이 되는 작은 오목 구멍(12)을 형성한다.

(내에칭층 형성공정)

다음에, 레지스트막(30)이 형성된 면에 접착된 보호 필름(31)을 제거한다.

작은 오목 구멍(12)이 형성된 면측의 레지스트막(10)을 박리하고, 수세한 후 도 6에 도시한 바와 같이 금속박판(7)의 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면 및 그 작은 오목 구멍(12) 내에, 니스를 도포, 건조함으로써 내에칭층(13)을 형성한다. 또한, 이 내에칭층(13) 상에 보호 필름(11)을 접착한다.

(제 2 에칭 공정)

그 후, 금속박판(7)의 레지스트막(30)이 형성된 면을, 에칭액으로 에칭한다. 이로써, 도 7에 도시한 바와 같이 이 레지스트막(30)이 형성된 면측에, 섀도우 마스크의 형광체 스크린에 대향하여 설치되는 면측의 큰 열린 구멍이 되는 큰 오목 구멍(32)을 형성한다.

(마무리 공정)

다음에, 보호 필름(11)을 제거하고, 그 후 알칼리 수용액에 의해 큰 오목 구멍(32)이 형성된 면측의 레지스트막(30) 및 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면측의 내에칭층(13)을 박리, 제거한다. 이로써, 도 8에 도시한 바와 같이 작은 오목 구멍(12)과 큰 오목 구멍(32)이 연결된 열린 구멍(14)이 형성된다.

이상 설명한 공정에 의해, 섀도우 마스크가 제조된다.

이 방법은 일반적으로 널리 사용되고 있지만, 섀도우 마스크의 열린 구멍 크기, 형상에 편차가 발생하는 문제가 있다. 이에 대해서는 다음과 같은 몇가지 요인을 생각할 수 있다.

제 1 요인은 에칭 종료후의 세정시에 오목 구멍(12,32)내에 잔류하는 에칭액에 의해 에칭이 재진행되는 데에 있다.

상기 재진행에 대해서 큰 오목 구멍(32)을 예로서 도 9를 사용하여 설명한다. 도 9는 제 2 에칭공정 직후의 금속박판의 모습을 설명하기 위한 도면이다. 제 2 에칭 공정 후, 큰 오목 구멍(32)에서는 도 9에 도시한 바와 같이 사이드 에칭에 의해 레지스트막(30)의 열린 구멍 직경(Dr) 보다도 오목 구멍(32)의 열린 구멍 직경(De)이 커진다. 그 결과, 오목 구멍(32)의 열린 구멍 주변에 레지스트막(30)의 가림부(15)가 생긴다. 이 가림부(15)의 내측에는 비교적 다량의 에칭액(16)이 부착 잔류한다. 이와 같이 오목 구멍(12,32) 내에 잔류하는 에칭액은, 에칭 종료후 세정수를 스프레이 해도 단시간에 충분히 세정하고, 세정수와 치환하는 것이 곤란하다. 또한, 이 세정수의 치환속도가 모든 오목 구멍에 대해서 균일해지는 것은 아니다.

에칭액의 잔류에 의한 영향에 대해서 도 10을 참조하여 설명한다. 도 10은 염화 제 2 철 용액 농도와, 에칭 속도의 관계를 나타내는 그래프도를 도시한다. 염화 제 2 철 용액으로부 이루어진 에칭액은, 곡선(18)에 도시한 바와 같이 염화 제 2 철 용액의 농도 증가에 수반하여 에칭 속도가 증가하고, 어떤 농도에서 피크에 달한 후에 감소하여 그 후에는 농도가 증가해도 어느 정도 일정한 에칭속도가 된다. 그래서, 통상 에칭 공정에서는 농도 변화에 의한 에칭 속도의 변동을 작게 할, 파선으로 도시한 부근의 농도의 염화 제 2 철용액을 사용한다. 그러나, 세정수에 의한 세정이 불충하면, 오목 구멍 내에 잔류하는 에칭액은 세정액에 의해 희석된다. 희석된 에칭액의 농도는 오목 구멍 마다 다르다. 따라서, 에칭액의 농도에 맞는 에칭 속도로 에칭이 재진행된다. 이와 같이, 금속 박판이 에칭 종료후의 수세에 의해 희석된 저농도의 염화 제 2 철용액에 장시간 노출되면, 도 8에 도시한 바와 같이 얻어지는 섀도우 마스크의 열린 구멍 크기가 변화되고, 그 열린 구멍 크기, 형상에 편차 및 모틀링(Mottling) 얼룩을 발생시킨다.

또한, 제 2 요인은 금속박판 자체의 청정도가 불충분한 데에 있다. 이 청정도는 감광막 형성전, 감광막 박리후에 특히 문제가 된다. 감광막 형성전에 청정도가 불충분하면 감광막과 금속박판의 충분한 밀착성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 또한, 감광막 박리후에 청정도가 불충분하면 내에칭층을 형성할 때의 니스의 도포, 충전이 불균일해져 내에칭층과 금속박판의 충분한 밀착성이 얻어지지 않을 우려가 있다. 특히, 감광박리 후의 청정도는 그 다음 공정에 내에칭층을 형성하는 경우에 중요한 문제가 된다.

본 발명은 상기 종래 기술의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 제 1 목적은 섀도우 마스크의 제조방법에서의 세정공정을 개량하여 충분한 세정을 실시함으로써, 열린 구멍 크기 및 형상의 편차가 없는 섀도우 마스크를 얻는 데에 있다.

또한, 그 제 2 목적은 섀도우 마스크에 사용되는 금속박판을 충분히 세정하기 위한 개량된 세정장치를 제공하는 데에 있다.

또한, 그 제 3 목적은 개량된 세정장치를 사용하여 충분한 세정을 실시함으로써 열린구멍 크기 및 형상의 편차가 없는 섀도우 마스크를 얻는 데에 있다.

도 1은 일반적인 섀도우 마스크형 칼라 수상관의 구조를 나타내는 개략도,

도 2 내지 도 8은 종래의 2단 에칭법을 설명하기 위한 모델을 나타내는 도면,

도 9는 에칭의 재진행을 설명하기 위한 개략도,

도 10은 염화제 2 철 용액 농도와, 에칭속도의 관계를 나타내는 블럭도,

도 11은 염화제 2 철 용액에 대한 에칭 억제액의 중량비와, 금속박판의 단위면적 주변의 에칭량의 관계를 나타내는 블럭을 나타내는 그래프,

도 12 내지 도 20은 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우마스크의 제조방법의 제 1 바람직한 태양을 설명하기 위한 모델을 나타내는 도면,

도 21은 열린 구멍(14)을 확대한 도면,

도 22는 제 2 에칭 공정에 사용되는 슬릿 노즐을 사용한 에칭액을 세정하는 모습을 설명하기 위한 도면,

도 23은 제 3 바람직한 태양에 사용되는 에칭액 세정장치의 개략도,

도 24는 제 4 바람직한 태양에 사용되는 에칭액 세정장치의 개략도,

도 25는 캐비테이션 제트를 발생시키는 에칭액 세정장치의 개략도,

도 26은 본 발명의 제 2 관점에 관한 금속박판 세정장치의 바람직한 태양을 나타낸 사시도,

도 27은 금속박판의 반송방향에 수직인 금속박판 세정장치의 종단면 구조를 도시한 도면,

도 28은 금속박판의 반송방향에 평행인 금속박판의 세정장치의 종단면 구조를 도시한 도면,

도 29는 2단 에칭법의 각 공정을 나타낸 플로우 차트,

도 30은 탈지, 수세후의 금속박판의 청정도를 나타낸 블럭도,

도 31은 레지스트 박리후에 수세된 금속박판의 청정도를 나타낸 블럭도,

도 32는 열린 구멍의 연결부를 설명하기 위한 개략도,

도 33은 섀도우마스크 세정시의 액체 압력과, 열린 구멍 직경(D)의 편차(3σ) 및 얼룩품위의 관계를 나타낸 블럭도,

도 34 내지 도 39는 금속박판의 양면을 동시에 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면,

도 40은 제 2 분사부의 다른 예를 대각선에서 본 도면 및

도 41은 도 40의 분사노즐의 구조를 설명하기 위한 상기 개략도이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

7: 금속박판 8,10,30: 레지스트막

9,19: 원판 11,31: 보호필름

12: 작은 오목 구멍 13: 내에칭층

26,46: 스펀지롤 27: 냉수로

28: 주입구 29: 배수구

32: 큰 오목 구멍

본 발명의 제 1 관점에 의하면, 2개의 주면을 갖는 금속박판의 양주면에, 섀도우 마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 그 적어도 한쪽면에 갖는 에칭보호층을 형성하는 공정; 상기 에칭 보호층이 형성된 금속박판을 염화 제 2 철을 포함하는 에칭액을 사용하여 에칭을 실시하는 에칭공정; 및 상기 에칭공정에 이어서 상기 에칭액을 상기 금속박판에 대하여 불활성인 에칭 억제액으로 치환하여 세정하는 세정공정을 구비하는 섀도우 마스크의 제조방법이 제공된다.

본 발명의 제 2 관점에 의하면, 거의 수평으로 유지된 상태에서 길이 방향을 따라서 반송되는 띠 형상 금속 박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠 형상 금속 박판에 대해서 불활성인 세정액을 분출하고 상기 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션(cavitation)을 발생시켜, 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트 수단을 갖는 세정부, 및 상기 세정부의 전단에 설치되고 상기 띠 형상 금속박판의 위치를 제어하며, 또한 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 누출되는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부를 구비하는 금속박판의 세정장치가 제공된다.

본 발명의 제 3 관점에 의하면, 섀도우 마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽면에 갖는 에칭 보호층이 그 양면에 형성된 띠형상 금속박판을 에칭하기 위한 에칭부;

상기 에칭 보호층을 박리하는 에칭 보호층 박리부;및

띠형상 금속박판을 세정액을 사용하여 세정하는 세정장치가 소정의 순서로 배치된 구성을 갖고,

상기 세정장치는 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고 상기 세정액이 상기 띠 형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 누출되는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부와, 상기 제 1 누출방지 시일부의 후단에 설치되고 상기 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠 형상 금속박판에 대해서 불활성인 세정액을 분출하며 상기 띠 형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트수단을 갖는 세정부를 갖는 섀도우 마스크의 제조장치가 제공된다.

본 발명의 제 4 관점에 의하면, 섀도우 마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽 면상에 갖는 에칭 보호층이 양면에 형성된 띠형상 금속박판을 에칭하는 공정;

상기 에칭 보호층을 박리하는 에칭 보호층 박리 공정; 및

띠형상 금속박판에 캐비테이션제트 수단을 사용하여 상기 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠 형상 금속판에 대해서 불활성인 세정액을 분출하고 상기 띠형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시키며, 상기 캐비테이션제트 수단의 전단에 제 1 누출 방지 시일부를 설치하여 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하며, 상기 세정액이 상기 띠 형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 누출하는 것을 방지하면서 급속한 세정을 실시하는 공정을 구비하는 섀도우 마스크의 제조방법이 제공된다.

본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법에 의하면, 금속박판의 양면에 섀도우 마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴으로 이루어진 레지스트를 형성하고 이 레지스트가 형성된 금속박판을 에칭한 후, 이 금속박판, 특히 에칭에 의해 형성된 오목 구멍 내에 부착되는 에칭액을, 금속박판에 대해 불활성인 에칭 억제액을 사용하여 세정하고 치환함으로써 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고, 얼룩이 없는 고품질의 섀도우 마스크를 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 2 관점에 관한 세정장치를 사용하면 거의 수평으로 유지된 금속박판의 윗면, 아랫면에 한정된 범위에 효율적으로 세정액을 적용하고, 윗면 아랫면 근방에 균일하고 결이 가는 캐비테이션을 발생시킬 수 있으므로, 단시간에 충분한 액치환 및 세정을 실시할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 3 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조장치 및 제 4 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법을 사용하면 거의 수평으로 유지된 금속기판의 윗면 아랫면의 한정된 범위에 효율적으로 세정액을 적용하고, 윗면 아랫면 근방에 균일하고 결이 가는 캐비테이션을 발생시킬 수 있다. 이에 의해, 에칭액을 에칭 억제제로 단시간에 충분히 세정하고 치환할 수 있으므로, 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하여 얼룩이 없는 고품질의 섀도우 마스크를 제조할 수 있다.

본 발명은 이하 3개의 관점으로 크게 나뉜다.

제 1 관점에 의하면, 개량된 세정액을 사용한 세정공정을 포함하는 섀도우마스크의 제조방법이 제공된다.

제 2 관점에 의하면, 섀도우마스크의 제조방법의 세정공정에 사용 가능한, 개량된 금속박판의 세정장치가 제공된다.

또한 제 3 관점에 의하면, 개량된 금속박판의 세정장치를 적용한 섀도우마스크의 제조장치가 제공된다.

또한, 제 4 관점에 의하면, 개량된 금속박판의 세정공정을 이용한 섀도우마스크의 제조방법이 제공된다.

이하, 차례로 더욱 상세히 설명한다.

제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법은, 2개의 주면을 갖는 금속박판의 양주면에 그 적어도 한쪽면에 섀도우 마스크의 개구에 대응하는 패턴을 갖는 에칭 보호층을 형성하는 공정, 상기 에칭 보호층이 형성된 금속판을 염화제 2 철을 에칭액으로 사용하여 에칭을 실시하는 에칭공정, 및 상기 에칭 공정에 이어서 상기 에칭액을 세정액을 사용하여 세정하는 세정 공정을 갖고 세정액은 금속박판에 대해서 불활성인 에칭 억제액으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

이 섀도우 마스크의 제조방법은 금속박판을 양면에서 동시에 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 양면 동시 에칭방법, 또는 2단으로 나누어서 판면으로부터 각각 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 2단 에칭법 중 어느것도 적용 가능하다.

어떤 방법에 있어서도, 에칭후, 금속박판에 부착하는 염화제 2 철 용액으로 이루어지는 에칭액을, 금속박판에 대해서 불활성인 에칭 억제액을 사용하여 가급적 신속하게 세정, 치환하는 것을 특징으로 하고 있다.

그 에칭 억제액으로서는 냉수, 알콜 및 염화니켈 수용액, 염화코발트 수용액, 염화칼륨 수용액, 염화칼륨 수용액, 염화마그네슘 수용액, 염화리튬 수용액, 염화아연 수용액, 염화망간 수용액, 염화제 1 철 수용액 등, 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 용액으로부터 선택된 1 또는 2 이상의 혼합액이 사용된다. 단, 본 명세서에서, 냉수는 5℃∼20℃ 온도의 물을 말한다.

특히, 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 에칭 억제액을 사용하는 경우, 상기 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온염의 포화 수용액 농도로 사용하는 것이 바람직하다.

에칭 억제액의 억제작용을 확실하게 하기 위해, 각 염의 포화수용액으로 이루어진 20℃의 에칭 억제액과 비중이 1.555인 염화제 2 철용액의 중량비를 변화시켜 혼합한 용액을 복수 종류 조제하고, 이 용액을 교반하면서 히타치 금속이 제조한 크기 1㎝X 2㎝X0.13㎜의 인바(invar)로 이루어진 금속박판을 각각 1분간 침지하고, 각 용액에서의 에칭 속도를 구했다. 에칭 억제액으로서는 염화니켈 포화수용액, 염화망간 포화수용액, 냉수를 각각 사용했다.

도 11에 염화제 2 철 용액에 대한 에칭 억제액의 희석율과, 금속박판의 단위면적 당 에칭량의 관계를 나타내는 그래프를 도시한다. 도 11 중, 곡선(201)은 염화니켈, 곡선(211)은 염화망간, 곡선(221)은 냉수를, 곡선(231)은 비교예로서 도시한 물을, 점(241)은 에칭액의 사용 온도에서의 에칭 속도를 나타낸다.

도 11로부터 분명해진 바와 같이 물에 비해 냉수, 염화니켈, 및 염화망간의 억제작용이 크고, 특히 염화망간의 작용이 크다. 이것은, 염화망간의 용해도가 염화니켈에 비해 크고 다량으로 용해할 수 있으며, 이온화 에너지가 니켈이나 철에 비해 망간 쪽이 큰 데에 기인하는 것으로 생각된다. 냉수는 염화니켈이나 염화망간 등에 비해 억제 작용이 낮지만, 온도를 내림으로써 에칭액이 반응속도를 지연시키는 효과가 있다. 본 발명에 사용되는 에칭 억제액으로는 적어도, 냉수의 에칭 억제 효과보다도 큰 에칭 억제 효과가 요망된다. 도 11로부터 분명해진 바와 같이 냉수를 사용하면, 에칭 속도는 6㎛/분 이하가 된다. 따라서, 본 발명의 섀도우마스크의 제조방법에 있어서, 바람직한 에칭 속도는 6㎛/분 이하이다.

이와 같은 에칭 억제액에 의해 금속박판에 부착하는 에칭액을 세정, 치환함으로써 희석된 염화제 2 철 용액에 의한 속도가 빠른 에칭 능력을 억제할 수 있다.

또한, 본 발명에 사용되는 세정수단으로서는 캐비테이션 제트, 메가소닉 샤워, 슬릿 노즐 샤워 및 스펀지롤로부터 선택된 적어도 하나의 수단이 유효하다.

이들 수단에 따르면, 에칭후 금속박판에 부착되는 에칭액, 특히 에칭에 의해 형성된 열린 구멍이나 오목 구멍 내에 잔류하는 에칭액을 에칭 억제액으로 단시간에 충분히 치환할 수 있다. 또한, 금속박판과 에칭 속도가 빠른 희석액의 접촉시간을 단축하고 열린 구멍 크기의 변화, 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하며, 얼룩품위가 우수한 고품위의 섀도우마스크를 제조할 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 섀도우마스크의 제조방법을 보다 상세히 설명한다.

도 12 내지 도 20은 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법의 제 1 바람직한 태양을 설명하기 위한 모델도를 나타낸다.

이 예에서는 판 두께 0.12㎜의 인바재로 이루어진 금속박판을 섀도우 마스크 기재로서 사용하고 2단 에칭법에 의해 열린 구멍을 형성했다.

우선, 상기 금속박판의 표면에 부착하는 압연유나 방청유를 알칼리계의 탈지액으로 세정 제거하고 수세, 건조했다.

(감광막 형성 공정)

그 후, 도 12에 도시한 바와 같이 이 금속박판(7)의 양면에 카제인, 중크롬산염을 주성분으로 하는 감광제를 도포하고 건조함으로써 에칭 보호층으로서 두께 수㎛의 레지스트막(8)을 형성했다.

(노광공정)

다음에 도 13에 도시한 바와 같이 섀도우 마스크의 열린 구멍의 전자총측의 작은 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(9), 및 형광체 스크린측의 큰 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(19)으로 이루어진 한쌍의 원판(9,19)을 준비했다. 원판(9,19)을 각각 금속박판(7) 양면의 레지스트막(8) 상에 밀착시켰다. 그 후, 노광을 실시함으로써 레지스트막(8)에 이들 원판(9,19)의 패턴을 새겼다.

(현상공정)

다음에, 이 패턴을 새긴 양면의 레지스트막(8)을 물 또는 물과 알콜으로 이루어진 현상액을 사용하여 현상함으로써 미감광부를 제거했다. 이로써 도 14에 도시한 바와 같이 상기 한쌍의 원판의 패턴에 대응하는 패턴으로 이루어진 레지스트막(10,30)이 형성되었다.

(제 1 에칭 공정)

그 후, 예를 들어 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET)나 캐스팅 폴리프로필렌(CPP) 등으로 이루어진 내에칭성 수지 필름과, 내에칭성 수지필름 표면에 도포된 점착제로 이루어진 보호필름(31)을 준비했다.

도 15에 도시한 바와 같이 상기 레지스트막(30)이 형성된 면에, 보호필름(31)을 그 점착제를 사용하여 접착했다. 금속박판(7)의 레지스트막(10)이 형성된 면을 아래로 향하게 하고 에칭액으로서 염화제 2 철 용액을 스프레이하여, 에칭했다. 이에 의해, 금속박판(7)의 레지스트막(10)에 형성된 면에 섀도우마스크의 전자총에 대향하여 배치되는 면쪽에 설치되는 작은 열린 구멍이 되는 작은 오목 구멍(12)을 형성했다.

(에칭 억제액에 의한 세정공정)

제 1 에칭공정 종료 후, 불활성인 에칭 억제액으로서 염화니켈 포화 수용액을 사용하고, 메가소닉 샤워 수단에 의해 메가헬츠대의 초음파가 가해진 염화니켈 포화수용액을 직접 금속박막판(7)에 산포했다. 금속박판(7)의 표면, 특히 상기 작은 오목 구멍(32) 내에 잔류하는 에칭액(24)을, 염화니켈 포화수용액으로 치환하여, 도 16에 도시한 바와 같이 금속박판(7)의 표면, 특히 작은 오목 구멍(12) 내에 잔류하는 에칭액을 제거한 후, 수세했다.

(레지스트 및 박리, 보호필름 제거공정)

다음에, 90℃로 가열된 10% 알칼리 수용액에 의해 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면쪽의 레지스트(10)를 박리제거하고 수세한 후, 레지스트(30)가 형성된 면쪽에 점착된 보호필름(31)을 제거했다. 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면쪽의 레지스트막(10)을 박리하고 수세했다.

(내에칭층 형성공정)

그 후 도 17에 도시한 바와 같이, 금속박판(7)의 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면 및 그 작은 오목 구멍(12) 내에 니스를 도포하고 건조시킴으로써 내에칭층(13)을 형성했다. 또한, 내에칭층(13)상에, 예를 들어 PET 수지 등으로 이루어진 보호 필름(11)을 접착했다.

(제 2 에칭 공정)

그 후, 도 18에 도시한 바와 같이 레지스트(30)가 형성된 면을 아래쪽으로 향하게 하고 이 면에 염화제 2 철 용액으로 이루어진 에칭액을 스프레이함으로써, 이 레지스트(30)가 형성된 면에, 섀도우 마스크의 형광체 스크린에 대향하여 설치되는 큰 오목 구멍을 구성하는 큰 오목 구멍(32)을 형성했다.

(에칭 억제액에 의한 세정공정)

그리고 이 제 2 단째의 에칭 종료 후, 제 1 에칭 공정 종료 후와 마찬가지로 불활성인 에칭 억제액으로서 염화니켈 포화 수용액을 사용하고, 메가소닉 샤워 수단에 의해 메가헬츠대의 초음파가 가해진 염화니켈 포화 수용액을 직접 금속 박판에 산포했다. 이로써, 금속 박판의 표면, 특히 큰 오목 구멍(32) 내에 잔류하는 에칭액(24)을 염화니켈 포화 수용액으로 세정, 치환했다. 이와 같이 도 19에 도시한 바와 같이 큰 오목 구멍(32) 내에 잔류하는 에칭액을 제거한 후, 수세했다.

(마무리 공정)

다음에, 상기 다른쪽 면쪽에 접착된 보호 필름(11)을 제거하고 그 후, 90℃로 가열된 10% 알칼리 수용액에 의해, 큰 오목 구멍(32)이 형성된 면상의 레지스트(10) 및 작은 오목 구멍(12)이 형성된 면상의 내에칭층(13)을 박리 제거했다. 또한, 수세하여 도 20에 도시한 바와 같이 작은 오목 구멍(12)과 큰 오목 구멍(32)이 연결된 열린 구멍(14)을 형성했다.

이와 같은 방법에 의해 섀도우마스크의 열린 구멍(14)을 형성하면, 염화니켈 포화 수용액이 갖는 높은 에칭 억제 작용과, 메가소닉 샤워에 의한 고에너지를 가함에 의해 금속박판의 표면에 부착되는 에칭액은 물론, 오목 구멍(12,32) 내에 잔류하는 에칭액을 단시간에 충분히 치환 할 수 있다.

상기와 같이 에칭에 의해 오목 구멍(12,32)을 형성하면, 오목 구멍(12,32)의 열린 구멍 직경은, 사이드에칭의 진행에 의해 레지스트(10,30)의 열린 구멍 직경 보다도 커지고, 레지스트(10,30)의 가림부가 생겨, 도 9에 도시한 바와 같이 이 가림부의 내측에 비교적 다량의 에칭액이 잔류한다. 종래의 스프레이에 의한 수세에서는 상기 가림부의 내측에 잔류하는 에칭액을 급속하게 희석 제거할 수 없으므로, 에칭 속도가 빠른 희석 에칭액에 장시간 노출되어 열린 구멍 크기, 형상의 편차가발생하고 있었다. 그러나 본 발명의 방법을 이용하면, 염화니켈을 가진 에칭 억제 작용과 더불어 희석에칭액에 의한 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고 얼룩품위가 뛰어난 고품위 섀도우 마스크를 제조할 수 있다. 또한, 메가소닉 샤워를 사용함으로써 단시간에 충분한 세정, 치환을 실시할 수 있다.

도 21에 열린 구멍(14)을 확대한 도면을 도시한다. 도시한 바와 같이 열린 구멍 직경(D)은 작은 오목 구멍(12)과 큰 오목 구멍(32)의 연결부에 의해 규정된다. 열린 구멍직경(D)의 설정값이 115㎛의 섀도우 마스크를 종래 방법으로 제조한 경우에는 열린 구멍 직경D의 편차(3σ)가 3.6㎛였지만, 이 제 1 관점의 제 1 바람직한 태양에서는 열린 구멍 직경 D의 편차(3σ)를 1.8㎛로, 1/2로 감소시킬 수 있었다.

또한, 이들 섀도우 마스크의 얼룩 품위를 확인하기 위해 색 온도 5700℃의 형광등을 사용한 라이트 박스상에서 섀도우 마스크를 놓고 검사한 결과, 상기 본 발명의 제 1 관점의 제 1 바람직한 태양에 의해 제조된 섀도우 마스크는, 종래 방법으로 제조된 섀도우 마스크에 비해 얼룩 품위가 대폭 향상하고 있는 것이 확인되었다.

다음에, 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법의 제 2 바람직한 태양에 대해서 설명한다.

우선, 상술한 제 1 바람직한 태양과 동일한 방법으로 판 두께 0.13㎜의 띠 형상 금속박판의 한쪽 면에 열린 구멍 직경 80㎛, 다른쪽 면에 열린 구멍 직경 130㎛의 레지스트막을 형성했다. 이 레지스트막이 형성된 금속박판을 2단 에칭법에 의해 에칭했다.

이 제 2 바람직한 태양에서는 제 1 에칭 공정에 의한 작은 오목 구멍의 형태에 대해서는 작은 오목 구멍 형성 후 에칭 억제액을 사용하여 에칭액을 치환하지 않고 종래와 동일하게 스프레이에 의해 수세하고 제 2 에칭 공정에 의해 큰 오목 구멍을 형성했다. 도 22는 제 2 에칭 공정에 사용되는 슬릿 노즐을 사용하여 에칭액을 세정하는 모습을 설명하기위한 도면이다. 도 22에 도시한 바와 같이 그 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽면을 아래로 향하게 하여 반송되는 띠 형상 금속박판(7)의 하부에, 띠 형상 금속 박판(7)의 폭 방향으로 슬릿 노즐(25)을 설치하고 이 슬릿 노즐(25)로부터 상기 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽면에 염화망간 포화 수용액의 슬릿 노즐 샤워를 분사하며, 에칭액의 세정을 실시했다. 이것 이외에는 제 1 관점의 제 1 바람직한 태양에 관한 방법과 동일하게 하여 에칭을 실시했다. 이로써, 전자총과 대향하여 배치되는 한쪽면에 열린 구멍 직경 118㎛의 작은 오목 구멍, 열린 구멍직경을 규정하는 작은 오목 구멍과 큰 오목 구멍의 연결부가 작은 오목 구멍이 형성된 면으로부터 15㎛의 위치에 있는 열린 구멍을 형성했다.

그 결과, 염화망간 포화 수용액이 갖는 높은 에칭 억제 작용과, 슬릿 노즐 샤워를 가함에 의해, 열린 구멍의 크기, 형상의 편차가 억제되고 얼룩 품위가 뛰어난 고품위 섀도우 마스크가 얻어졌다.

다음에, 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크 제조방법의 제 3 바람직한 태양에 대해서 설명한다.

제 3 바람직한 태양에서는 제 1 바람직한 태양과 동일한 방법에 의해, 판 두께 0.13㎜의 띠 형상 금속박판의 한쪽면에 열린 구멍 직경 100㎛, 다른쪽 면에 열린 구멍 직경 110㎛의 레지스트막을 형성했다.

이 레지스트막이 형성된 띠 형상 금속박판을, 2단 에칭법에 의해 에칭했다. 단, 제 3 바람직한 태양에서는 제 1 단 에칭에 의한 작은 오목 구멍의 형성에 대해서는 작은 오목 구멍 형성 후 에칭 억제액을 사용하여 에칭액을 세정하지 않고, 종래와 동일하게 스프레이에 의해 수세하고 제 2 단 에칭에 의해 큰 오목 구멍을 형성한 후에 스펀지롤을 사용하여, 에칭 억제액으로서 냉수를 사용하여 에칭액의 세정, 치환을 실시한 것 이외에는 제 1 바람직한 태양과 마찬가지로 하여 2단 에칭을 실시했다.

이로써, 전자총과 대향하여 배치되는 한쪽면측에 열린 구멍 직경 118㎛인 작은 오목 구멍, 형광체 스크린과 대향하여 배치되는 다른쪽 면측에 열린 구멍 직경 235㎛의 큰 오목 구멍, 열린 구멍 직경을 규정하는 작은 오목 구멍과 큰 오목 구멍의 연결부가 작은 오목 구멍이 형성된 면으로부터 15㎛의 위치에 있는 열린 구멍을 형성했다.

도 23에 제 3 바람직한 태양에 사용되는 에칭액 세정장치의 개략도를 도시한다. 이 세정장치는 제 2 단 에칭 공정후에 설치되고 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽면을 아래쪽으로 향하게 하여 반송되는 띠 형상 금속박판(7)의 양면을 누르는 한쌍의 스펀지롤(26,46)과 상기 띠 형상 금속 박판(7) 아래쪽에 배치된 냉수조(27)를 구비한다. 그 냉수조(27)는 냉수 주입구(28) 및 배수구(29)를 갖고, 냉수주입구(28)로부터 주입된 냉수를 오버 플로우시킴으로써 항상 일정 수위를 유지하는 것으로 이루어져 있다. 상기 한쌍의 스펀지롤(26,46)은 예를 들면, 직경 15㎜ 정도로 형성되고, 각각 도시하지 않은 구동장치에 의해 띠 형상 금속박판(7)의 주행 속도와 동일한 주속으로 회전 구동된다. 또한, 띠 형상 금속박판(7)의 하부측에 위치하는 스펀지롤(26)은 그 직경의 약 반 정도가 상기 냉수조(27)의 냉수중에 잠겨있다.

이 에칭액 세정장치에서는 직경의 약 반 정도가 잠김으로써 스펀지롤(26)에 충분히 냉수가 침투하고, 이 침투한 냉수가 스펀지롤(26)의 회전과 함께, 눌리는 띠 형상 금속박판(7)에 공급되고 특히 제 2 에칭 공정에 의해 형성된 큰 오목 구멍 내에 냉수를 강제적으로 공급하며, 세정함으로써 큰 오목 구멍(32) 내에 잔류하는 에칭액을, 단시간에 충분히 치환할 수 있다.

이 경우, 냉수에 의한 에칭액의 치환은 도 11에 도시한 바와 같이 염화니켈 포화 수용액이나 염화망간 포화 수용액 등에 비해 에칭 억제 작용이 낮지만, 스펀지롤(26)에 의해 강제적으로 큰 오목 구멍 내로 밀어 넣어 세정, 치환을 빠르게 하고 에칭 속도가 빠른 희석 에칭액에 노출되는 시간을 단축하며, 또한 냉수에 의한 희석 에칭 온도 저하에 의한 반응속도의 저하에 의해 충분한 에칭 억제작용이 얻어진다. 그 결과, 열린 구멍의 크기, 형상의 편차를 억제하고 얼룩품위가 뛰어난 고품위 섀도우 마스크가 얻어졌다.

아래에, 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법의 제 4 바람직한 태양에 대해서 설명한다.

제 1 바람직한 태양과 동일한 방법에 의해 판 두께 0.15㎜의 띠 형상 금속 박판의 한쪽면에 열린 구멍 직경 100㎛, 다른쪽 면에 열린 구멍 직경 110㎛의 레지스트를 형성했다.

이 레지스트가 형성된 띠 형상 금속박판을 2단 에칭법에 의해 에칭했다. 여기에서는 제 4 바람직한 태양에서는, 제 1 에칭 공정에 의한 작은 오목 구멍의 형성에 대해서는 제 3 바람직한 태양과 마찬가지로 작은 오목 구멍 형성 후, 에칭 억제액을 사용하지 않고 종래와 마찬가지로 스프레이에 의해 수세하며, 제 2 에칭 공정에 의해 큰 오목 구멍을 형성한 후에 스펀지롤을 사용하고, 냉수에 의해 에칭액의 세정, 치환을 실시한 것 이외에는 제 1 바람직한 태양과 동일하게 하여 에칭을 실시했다.

이와 같이 하여, 전차총측과 대향하여 배치되는 한쪽 면측에 열린 구멍 직경 140㎛의 작은 오목 구멍, 형광체 스크린측과 대향하여 배치되는 다른면측에 열린 구멍 직경 275㎛의 큰 오목 구멍, 및 열린 구멍직경을 규정하는 작은 오목 구멍과 큰 오목 구멍의 연결부가 작은 오목 구멍이 형성된 면으로부터 15㎛의 위치에 있는 열린 구멍을 형성했다.

도 24에 제 4 바람직한 태양에 사용되는 에칭액 세정장치의 개략도를 도시한다. 이 세정장치는 제 2 에칭 공정 후에 사용되고 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽면을 위쪽으로 향하게 하여 반송되는 띠 형상 금속박판(7)을 안내하기 위한 한쌍의 가이드롤(41,51), 이들 가이드롤(41,51) 사이에 배치된 스펀지롤(56) 및 상기 띠 형상 금속박판(7)의 아래쪽에 설치된 냉수조(57)를 구비한다.

이 냉수조(57)는 냉수 주입구(58) 및 배수구(59)를 갖고, 냉수 주입구(58)로부터 주입된 냉수를 오버 플로우시킴으로써 항상 일정 수위가 유지되고 있다. 스펀지롤(56)은 예를 들어, 직경 15㎜정도로 형성되고 도시하지 않은 구동장치에 의해 띠형상 금속박판(7)의 주행속도와 동일한 주속도로 회전 구동되고 있다. 상기 냉수조(57) 중의 냉수의 액면으로부터 그 반경과 거의 동일한 깊이로 침지되어 있다.

이 에칭 세정장치를 사용하면 스펀지롤(56)에 침투한 냉수가 띠형상 금속박판(7)을 누름으로써 제 2 에칭 공정으로 형성된 큰 오목 구멍 내에 강제적으로 공급되고, 큰 오목 구멍 내에 잔류하는 에칭액을 단시간에 충분히 옮겨 놓을 수 있다. 이와 같이 하여, 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고 얼룩품위가 뛰어난 고품위 섀도우마스크가 얻어졌다.

다음에, 본 발명의 제 1 관점에 관한 제 5 바람직한 태양에 대해서 설명한다.

우선, 제 1 바람직한 태양과 동일하게 하여 판 두께 0.15㎜의 띠 형상 금속박판의 한쪽면에 열린 구멍 직경 100㎛, 다른쪽 면에 열린 구멍 직경 110㎛의 레지스트막을 형성했다. 이 레지스트막이 형성된 띠형상 금속박판을, 2단 에칭법에 의해 에칭했다.

단, 이 2단 에칭은 제 1 에칭공정에 의한 작은 오목 구멍의 형성에 대해서는 작은 오목 구멍 형성후, 에칭 억제액을 사용하여 에칭액을 치환하지 않고 종래와 동일하게 스프레이에 의해 수세하고, 제 2 에칭에 의해 큰 오목 구멍을 형성한 후에, 수압 5㎏/㎠의 캐비테이션 제트로 에칭액의 치환을 실시한 이외에는 제 1 바람직한 태양과 동일하게 하여 실시했다.

이와 같이 하여 전자총과 대향하여 배치되는 한쪽면측에 열린 구멍직경 140㎛의 작은 오목 구멍, 형광체 스크린에 대향하여 배치되는 다른쪽 면측에 열린 구멍 직경 275㎛의 큰 오목 구멍, 열린 구멍직경을 규정하는 작은 오목 구멍과 큰 오목 구멍의 연결부가 작은 오목 구멍이 형성된 면으로부터 15㎛의 위치에 있는 열린 구멍을 형성했다.

도 25에 캐비테이션 제트를 발생시키는 에칭액 세정장치의 개략도를 도시한다. 이 세정장치는 제 2 에칭 공정후에 사용되고 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽면을 아래쪽을 향하게 하여 반송되는 띠 형상 금속박판(7)을 안내하는 각 한쌍의 롤(62,63) 사이에 설치되고, 상부에 띠 형상 금속박판(7)의 윗면을 향해서 에칭 억제액으로서 냉수를 고압으로 분사하는 노즐(64)이 띠 형상 금속박판(7)의 폭 방향을 따라서 복수개 배치되며, 하부에 띠 형상 금속박판(7)의 아랫면을 향해서 냉수를 고압으로 분사하는 노즐(65) 및 고압수 노즐(65)의 중심축과 일치하는 열린 구멍을 갖고, 고압수 노즐과의 사이에 공기 저장조를 형성하기 위한 중공체(66)가 띠형상 금속박판(7)의 폭방향을 따라 복수개 배치되어 있다. 또한, 캐비테이션 제트를 발생시키는 장치에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.

이 에칭액 세정장치에서는 노즐(64,65)로부터 고압으로 분사된 냉수가 기체를 효율적으로 둘러싸서 균일하고 가는 캐비테이션을 발생시키며 띠 형상 금속박판(7)의 윗면, 아랫면, 특히 오목구멍내에 잔류하는 에칭액을 단시간에 효율적으로 치환할 수 있다. 이와 같이 하여 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고 얼룩 품위가 뛰어난 고품위 섀도우 마스크가 얻어졌다.

또한, 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법의 제 6 바람직한 태양에 대해서 아래에 설명한다.

37인치의 일반용 칼라수상관의 섀도우마스크로서, 제 1의 바람직한 태양과 동일한 방법으로 0.25mm의 띠형상 금속 박판의 한쪽 면에 폭 130㎛의 직사각형 형상 열린 구멍과 다른쪽 면에 폭 480㎛의 직사각형 형상 열린 구멍을 가진 레지스트막을 형성했다.

이 레지스트막이 형성된 금속박판을 양면 동시 에칭법에 의해 에칭했다.

이 제 6의 바람직한 태양에서는 에칭에 의해 직사각형 형상 열린 구멍을 형성한 후, 도 25에 나타낸 에칭액 세정장치와 같은 에칭액 세정장치에 의한 캐비테이션제트로 띠형상 금속박판(7)의 양 면에 염화 니켈 포화수용액을 분사하여 에칭액의 세정을 실시하였다.

이것에 의해, 전자총측이 되는 면측에 폭 220㎛의 직사각형 형상의 작은 오목구멍과 형광체스크린측이 되는 다른면에 폭 610㎛의 직사각형형상의 큰 오목 구멍으로 이루어진 열린 구멍을 형성했다.

이 결과, 염화니켈 수용액이 갖고 있는 에칭억제작용과 캐비테이션제트에 의한 고에너지를 가함에 의해 충분한 에칭억제작용이 얻어지며, 그 결과로서 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고, 얼룩 품위가 뛰어난 고품위 섀도우마스크가 얻어졌다. 종래의 양면 동시 에칭법은 큰 오목 구멍이 형성된 한쪽 측면에서 본 경우, 얼룩형상의 모양이 인식은 되었지만 이와같은 모양은 보이지 않았다.

또한, 에칭 억제액으로서, 제 1 및 제 6의 바람직한 태양에서는 염화니켈수용액, 제 2의 바람직한 태양에서는 염화망간수용액을 사용하고, 제 3 내지 제 5의 바람직한 태양에서는 냉수를 사용했지만, 이 염화니켈수용액, 염화망간수용액 또는 냉수 대신에 상기한 냉수, 알콜, 염화니켈 수용액, 염화코발트 수용액, 염화칼륨 수용액, 염화칼슘수용액, 염화마그네슘 수용액, 염화리튬 수용액, 염화아연수용액, 염화망간수용액, 염화제 1 철 수용액 등의 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 용액에서 선택된 다른 에칭 억제액을 사용해도 좋고, 또한 이들 에칭억제액에서 선택된 2이상의 혼합액을 사용해도 거의 같은 효과가 얻을 수 있다.

또한, 상기 제 1의 바람직한 태양에서는 메가소닉샤워, 제 2의 바람직한 태양에서는 슬릿노즐샤워, 제 3 및 제 4의 바람직한 태양에서는 스펀지롤, 제 5 및 제 6의 바람직한 태양에서는 캐비테이션제트를 사용하여 에칭액의 세정을 실시하였지만, 이들 세정수단 대신에 캐비테이션제트, 메가소닉샤워, 슬릿노즐샤워, 스펀지롤 등에서 선택된 적어도 1개 이상의 다른 수단으로 실시하여도 거의 같은 효과를 얻을 수 있다.

또한, 종래의 스프레이세정은 비교적 긴 시간의 세정을 요하기 때문에 스프레이노즐을 반송방향을 따라서 몇개의 단을 배치하고 있기 때문에 설치 공간이나 사용수량이 상당히 소비되었지만, 상기한 세정수단을 사용하면 설치공간, 수량 모두 감소시키는 것이 가능하다.

제 2 관점에 따른 금속 박판의 세정장치는 띠형상 금속박판에 세정액을 적용하는 세정부를 갖고, 세정부의 전단에 거의 수평으로 유지된 상태로 길이방향을 따라서 상기 세정부로 반송되는 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 세정액이 반송방향과 역방향으로 새어나는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부가 설치되며, 또한 세정부에는 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 세정액을 분출하고, 상기 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이 금속박판의 세정장치는 제 1 관점에 따른 섀도우마스크의 제조방법에 있어서, 에칭공정 후의 세정공정에 이용 가능한 세정장치의 한 예이다.

에칭공정 후의 세정공정에 이용하는 경우에는 에칭 억제액으로서 바람직하게는 냉수를 사용할 수 있다.

또한, 이 금속박판의 세정장치는 에칭공정 후의 세정공정 뿐만 아니라 섀도우마스크의 제조방법에 있어서의 다른 세정공정, 예를들면 탈지공정 후의 세정공정, 현상공정 후의 세정공정 등에도 적용 가능하다. 이 경우, 세정액으로서 바람직하게는 물 또는 냉수를 사용할 수 있다.

이와같은 세정장치에 의하면 급속하게 액 치환되는 영역을 시일부에 의해서 규제하면서 캐비테이션의 작용에 따라 세정을 실시하기 때문에 반송되는 띠형상 금속 박판을 단시간에 균일하게 세정할 수 있다.

또한, 캐비테이션제트 수단은 바람직하게는 금속박판의 윗쪽에 위치하여 세정액을 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 아래 방향으로 고압 분사하는 복수의 노즐을 가진 제 1 분사부와, 금속박판의 아래쪽에 위치하여 세정액을 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 위를 향해 고압분사하는 복수의 노즐을 가진 제 2 분사부를 갖는다.

제 1 누출방지 시일부는 바람직하게는 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 전단 로울러를 갖는다.

또한, 이 세정장치에는 세정부의 후단에 설치되어 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 상기 띠형상 금속박판을 배출하면서 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향으로 새어나가는 것을 방지하는 제 2 누출방지 시일부를 또한 설치할 수 있다.

제 2 누출방지 시일부는 바람직하게는 제 1 누출방지 시일부와 같은 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 전단 로울러를 갖는다.

상기 불활성인 액으로는 물, 염화니켈 수용액, 염화망간 수용액, 염화 제 1 철 수용액, 알콜에서 선택된 1 또는 2 이상의 혼합액을 사용할 수 있다. 더욱 바람직하게는 물을 사용한다.

이하, 본 발명의 제 2 관점에 따른 금속박판의 세정장치의 바람직한 태양에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.

도 26에 본 발명의 제 2 관점에 따른 금속박판의 세정장치의 바람직한 태양을 나타내는 사시도를 나타낸다. 또한, 도 27은 금속박판의 반송방향으로 수직인 금속박판의 세정장치의 종단면 구조를 나타낸다. 또한, 도 28은 금속박판의 반송방향으로 평행한 금속박판의 세정장치의 종단면 구조를 나타낸다.

본 발명의 섀도우마스크 세정장치는 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하여 미세하고 균일한 기포인 캐비테이션을 금속박판의 표면 근방에 발생시키고, 이 캐비테이션을 이용함으로서 부착물을 급속하게 세정하고 세정액과 치환하는 것이다.

도 26에 나타내는 바와 같이, 본 세정장치(120)는 캐비테이션을 발생하여 급속하게 세정을 실시하는 세정부(12)와 시일부(124, 154)로 주로 구성되어 있다. 도 27 및 도 28에 나타내는 바와 같이, 세정부(121)는 상측 세정부(122)와 하측 세정부(123)가 띠형상 금속박판(7)을 사이에 두고 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 세정부(122)를 사이에 두고 금속박판(7)의 반송방향(도면중에 화살표로 나타내는 방향) 양측에는 전단 시일부(124)와 후단 시일부(154)가 위치해 있다. 전단, 후단 시일부(124, 154)는 각각 금속박판을 사이에 두도록 배치된 네오프렌고무로 이루어진 한쌍의 로울러(125, 155), (126, 156)으로 이루어져 있다.

시일부(124, 154)는 캐비테이션 발생에 의한 급속한 세정이 실시되고 있는 영역의 양 단에 배치되어 있으며, ⅰ)금속박판의 상부에 액체 저장조를 설치하는 것, ⅱ) 캐비테이션의 발생에 의한 금속박판의 편차를 방지하는 것, 및 ⅲ) 액이 캐비테이션 발생영역외에 새거나 튀어오르는 것을 방지하는 것을 목적으로 설치하고 있다. 특히, 에칭 종료 후의 세정에 사용하는 경우는 금속박판에 부착되어 있는 에칭액이 활성화되어 다시한번 에칭이 진행될 우려가 있기 때문에, ⅲ)의 목적이 중요시된다. 이와같은 용도의 경우에는 전단 시일부(124)는 세정부(121)에 가능한한 가까운 쪽이 바람직하다. 본 세정장치(120)에서 금속박판(7)의 반송방향 전후로 흘러나가는 에칭억제액중, 본 세정장치(120) 바로 앞으로 흘러나가는 에칭 억제액은 아직 세정되지 않은 금속박판(7)상에 잔류하는 에칭액을 희석하여 에칭액의 에칭속도를 빠르게 할 수 있다. 세정부(121)와 전단 시일부(124)와의 거리가 먼 만큼 더욱 넓은 영역에서 아직 세정되지 않은 금속박판(7)상의 에칭액이 희석되어 에칭의 재 진행이 발생한다.

또한, 금속박판의 반송을 방해하지 않고 액체가 새어나가는 것을 방지하기 위해서는 시일부는 로울러를 사용하는 것이 바람직하지만, 에어 나이프를 사용하는 것에 의해서도 시일할 수 있다. 단. 에어나이프의 경우는 구조가 복잡해지는 결점이 있다. 세정부(121)와의 거리를 작게 하기 위해서는 로울러 직경을 작게 하는 것이 바람직하다고 생각되지만 액체가 튀어오르는 것을 방지하기 위해서는 로울러 직경은 어느정도의 크기를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 특히 상측에 위치하는 로울러 중량은 액체가 새어나가는 것을 방지하기 위해서는 무거운 쪽이 좋다고 생각되지만, 너무 무거우면 로울러의 회전이 저해되어 금속박판에 흠을 생기게 할 위험성이 있다. 이와같은 경우, 로울러에 드라이브를 설치하고, 금속박판의 주행과 동기시켜 방지할 수 있다. 로울러 직경이나 로울러 중량은 상기 사정을 고려하여 적절하게 결정할 수 있다.

세정부(121)는 도 27 및 도 28에 나타내는 바와 같이, 금속박판(7)을 사이에 두고 대향하는 상측 액 세정부(122)와 하측 액 세정부(123)로 이루어진다. 상측 액 세정부(122)는 복수의 분사 노즐(132)이 반송방향과 대략 직교하여 아래에 배치되며, 띠형상 금속박판(7)의 윗면측에 불활성인 액(129)을 고압 분사하는 제 1 분사부(130)를 갖고 있다. 하측 액 세정부(123)는 액조(134)와, 액조(134)의 하부에 설치되며 복수의 분사 노즐(144)이 반송방향과 대략 직교하여 위로 배치되어 이루어지며, 띠형상 금속박판(7)의 아랫면측에 불활성인 액(129)을 고압 분사하는 제 2 분사부(140)를 갖고 있다.

제 1 분사부(130)는 중공체 (131)의 하측에 다수의 분사노즐(132)이 설치된 구조로 이 중공체(131)에 고압의 물을 공급함으로써 분사노즐(132)에서 분사된 고압의 액(129)이 금속박판(7)의 상부에 저장된 액(148)의 수면 부근의 공기를 말려들게 하여 균일하고 미세한 캐비테이션을 발생시킬 수 있다.

제 2 분사부(140)도 또한 중공체(141)로 구성되어 있다. 중공체(141)안에는 분사노즐(144)이 제 2 분사부(140)마다 상측으로 돌출하여 다수 설치되어 있으며, 분사노즐(144)에 대응한 열린 구멍(143)이 다수 설치되어 있어 중공체(141)에는 공기가 공급되는 구조로 되어 있다. 또한, 배관(142)에는 고압의 물이 공급되어 분사노즐(144)에서 고압수를 분사하도록 되어 있다. 이 제 2 분사부(140)의 열린 구멍부에서 고압수가 공기를 말려들게 하여 분사되어 금속박판의 아랫면을 향해서 캐비테이션을 발생시킨다.

또한, 세정부의 전후에는 가변 가능한 슬릿(127)이 설치되어 있으며, 액체 저장의 양을 규제할 수 있다.

이와같이 본 세정장치에서는 고압수가 효율좋게 공기를 말려들게 하여 균일하고 미세한 캐비테이션을 발생시켜 금속박판의 윗면 아랫면에서의 부착물의 세정 및 세정액에 의한 세정 및 치환을 고속으로 균일하게 실행할 수 있다. 또한, 시일부가 설치되어 있기 때문에 시일부에서 규제된 범위내에서 균일한 세정 및 세정액에 의한 치환을 가능하게 하고 있다. 특히, 에칭 후에는 금속박판에 오목부가 형성되어 있지만 캐비테이션의 이용에 따라서 금속박판에 대해 불활성인 액체가 오목부내에도 들어오기 때문에 급속하고 효율적인 세정을 가능하게 하고 있다.

또한, 레지스트 두께를 얇게 하면 에칭 후에 생기는 레지스트가 가리는 부분을 캐비테이션의 작용에 의해 파괴할 수 있고, 또한 세정액에 의한 치환 효율을 올리는 것도 가능하다.

종래의 스프레이 세정은 예를들면 주행속도 2m/분으로 수압 2kg/㎠. 총수량 150ℓ/분으로 30초 이상의 세정이 필요했다. 본 발명의 세정장치를 사용하면 수압 5∼7.5kg/㎠, 총수량 50ℓ/분으로 10초 정도의 세정으로 충분한 세정을 실시할 수 있다.

이와같이 종래의 스프레이 세정은 비교적 긴 시간의 세정을 요하기 때문에 스프레이노즐을 반송방향을 따라서 몇개의 단을 배치하고 있기 때문에 설치 공간이나 사용 수량이 상당히 소비되었지만, 본 세정장치에 의하면 설치 공간, 수량 모두 반감하는 것도 가능하다.

본 발명의 세정장치는 섀도우마스크의 제조공정에 있어서의 금속박판의 세정공정, 예를들면 에칭공정 후의 세정공정 및 레지스트 박리후의 세정공정 등에 사용할 수 있다.

또한, 섀도우마스크의 제조장치에 있어서, 본 발명의 세정장치를 에칭 후에 금속 박판에 부착되는 에칭액의 세정, 치환수단으로서 사용할 수 있다.

제 3의 관점은 제 2 관점에 이와같은 금속박판의 세정장치를 에칭공정 후에 적용한 섀도우마스크의 제조장치를 제공한다.

이 섀도우마스크의 제조장치는 섀도우마스크의 개구에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽 면위에 갖는 에칭 보호층이 그 양 면에 형성된 띠형상 금속박판을 에칭하기 위한 에칭부,

상기 에칭 보호층을 박리하는 에칭 보호층 박리부,

에칭 보호층이 박리된 띠형상 금속박판을 세정액을 사용하여 세정하는 세정장치가 차례로 배치된 구성을 포함하며,

세정장치는 길이방향을 따라서 거의 수평으로 유지된 상태로 세정부에 반송되는 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 세정액이 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 새어나는 것을 방지하는 제 1 누출 방지 시일부와, 제 1 누출 방지 시일부에 설치되어 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하여 띠형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.

이 경우, 에칭에 의해 형성된 열린 구멍이나 오목구멍 내에 잔류하는 에칭액을 에칭 억제액으로 단시간에 충분히 치환할 수 있다. 또한, 에칭속도가 빠른 희석 에칭액과의 접촉시간을 단축하여 열린 구멍 크기의 변화, 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억젝하여 얼룩 품위가 뛰어난 새도우마스크를 제조할 수 있다. 또한, 에칭후 이외의 세정에 사용하는 경우에도 캐비테이션의 이용에 의해서 고속으로 또 효율적인 세정을 할 수 있다.

또한, 본 발명은 금속박판을 양면에서 동시에 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 동시 에칭법 및 편면에서 각각 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 2단 에칭법에 모두 적용되며, 특히 에칭 종료후의 세정은 금속박판에 부착되는 염화 제 2 철 용액으로 이루어진 에칭액을 금속박판에 대해 불활성인 에칭 억제액을 사용하여 가급적으로 신속하게 치환할 수 있다. 이 에칭억제액으로는 냉수, 염화니켈 수용액, 염화망간 수용액, 염화 제 1 철수용액, 알콜에서 선택된 1 또는 2이상의 혼합액이 바람직하게 사용된다.

또한, 염화니켈용액이나 염화망간수용액을 사용한 경우, 이 에칭 억제액으로 치환한 후, 물에 의한 린스가 더 필요하기 때문에 공정이 복잡해진다. 이 경우, 도 11에서 알 수 있듯이 물은 염화니켈이나 염화망간용액에 비해 억제효과는 작지만 수온을 낮춘 물이면 유효하다는 것을 알 수 있다. 통상 에칭액의 액체 온도는 50℃∼70℃이기 때문에 20℃∼25℃의 상온의 물, 바람직하게는 5℃∼20℃의 냉수라도 에칭액의 온도를 낮춰 에칭액의 반응속도를 늦춰 단시간에 효율적으로 치환함으로써 에칭액과의 접촉시간을 단축하여 에칭속도가 빠른 희석 에칭액에 의한 재 에칭을 억제할 수 있다.

또한, 섀도우마스크의 제조방법에 있어서, 에칭후의 세정, 치환공정으로서 본 발명의 세정장치에 의한 세정공정과 같이, 세정액으로 효율적으로 공기를 말려들게 하여 균일하고 매우 미세한 캐비테이션을 발생시켜, 세정 및 세정액에 의해 치환을 실시하는 공정을 사용하면 열린 구멍 크기, 형상의 편차가 없고, 얼룩 품위가 뛰어난 섀도우마스크를 제공할 수 있다.

본 발명의 제 4 관점에 따른 섀도우마스크의 제조방법에 의하면, 섀도우마스크의 개구에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽 면위에 갖는 에칭 보호층이 그 양면에 형성된 띠형상 금속박판을 에칭하는 공정;

상기 에칭 보호층을 박리하는 에칭 보호층 박리공정;

상기 에칭 보호층이 박리된 띠형상 금속박판에 캐비테이션제트 수단을 사용하여 상기 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하여, 상기 띠형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시키고, 또 상기 캐비테이션제트수단의 전단에 제 1 누출방지 시일부를 설치하여 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 새어나가는 것을 방지하면서 급속한 세정을 실시하는 공정을 구비하는 섀도우마스크의 제조방법이 제공된다.

이하, 제 2 관점에 따른 금속박판의 세정장치, 제 3 관점에 따른 섀도우마스크의 제조장치를 적용한 제 4 관점에 따른 섀도우마스크의 제조방법의 제 1의 바람직한 태양에 대해서 나타낸다.

여기서는, 판두께 0.12mm의 인바재로 이루어진 금속 박판을 새도우마스크 기재로 하여 2단에칭법에 의해 열린 구멍을 형성하는 방법을 도 12 내지 도 20 및 도 26 내지 도 28을 이용하여 설명한다. 또한, 섀도우마스크의 제조공정을 이해하기 쉽게 하기 위해 도 29에는 2단에칭법의 각 공정을 나타내는 플루우차트를 나타낸다. 도 29중 이중 테두리로 되어 있는 세정공정은 본 발명의 제 2 관점에 따른 세정장치를 사용하고 있다.

(탈지공정)

우선, 띠형상 금속박판의 표면에 부착된 압연유나 녹방지유를 알칼리계의 탈지액을 사용하여 스프레이 세정했다.

(세정공정)

그 후, 도 26 내지 도 28에 나타내는 세정장치를 사용하여 수온 25℃의 공업용수를 액압 5∼15kg/㎠, 공기압5kg/㎠, 공기유량 0.2Nm/min으로 분사하여 세정했다.

(감광막 형성공정)

그 후, 건조하여 도 12에 나타내는 바와 같이, 이 금속박판(7)의 양 면에 카제인, 중크롬산염을 주성분으로 하는 감광제를 도포, 건조하여 두께 수㎛의 감광막(8)을 형성했다.

이 때, 탈지, 세정 후의 금속박판의 청정도를 물방울의 접촉각 및 XPS(X선광 전자분광)에 의한 원소분석에 의해 조사한 결과를 도 30에 나타낸다. 도 30에 있어서, 곡선(61)은 세정시의 액압과 물에 의한 표면 접촉각의 관계를 나타내는 그래프이며, 곡선(62, 63)은 세정시의 액압을 변화시킨 경우, 각각 Fe의 피크강도에 대한 C 및 Na의 피크강도의 상대값, 즉 C/Fe, Na/Fe를 나타낸다, C/Fe는 유성분 및 탈지제중의 키레이트제 성분의 제거 정도를 나타내며, Na/Fe는 탈지제의 제거 정도를 나타낸다. 도 30에 나타내는 바와 같이, 이 예에 의한 금속박판의 청정도는 액압 5∼15kg/㎠의 범위에서 종래방법에 의한 세정에 비해 대폭적으로 향상되어 있다.

(노광공정)

다음으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 이 양면의 감광막(8)에 섀도우마스크의 열린 구멍의 전자총측의 작은 열린 구멍에 대응하는 도트 패턴이 형성된 원판(9) 및 형광체스크린측의 큰 열린 구멍에 대응하는 도트 패턴이 형성된 원판(19)으로 이루어진 한쌍의 원판(9, 19)을 밀착하여 노광하여, 이 원판(9. 19)의 패턴을 인화했다.

(현상공정)

다음으로, 이 패턴을 인화된 양 면의 감광막(8)을 현상하여 미감광부를 제거하고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 상기 한쌍의 원판(9, 19)의 패턴에 대응하는 도트 패턴으로 이루어진 레지스트(10. 30)를 형성했다.

(보호필름 부착공정)

이와같이 하여 레지스트가 형성된 띠형상 금속박판은 일단 롤형상으로 감겨 롤 상태로 다음 공정으로 이동했다. 다음 공정은 레지스트가 형성된 롤 형상의 띠형상 금속박판을 반송장치에 의해 풀면서 실시했다.

우선, 도 15에 나타내는 바와 같이, 레지스트(30)가 형성된 면측에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 수지 등으로 이루어진보호필름(31)을 부착했다.

(제 1 에칭공정)

에칭장치에 의해서 상기 레지스트(30)가 형성된 면측에 액체 온도 70℃, 비중 1.510의 염화 제 2 철 용액으로 이루어진 에칭액을 분사하여 이 레지스트(10)가 형성된 면 측에 섀도우마스크의 전자총측의 작은 열린 구멍을 구성하는 작은 오목구멍(12)을 형성했다.

(세정공정)

그리고, 이 제 1 에칭 종료 후, 도 26 내지 도 28의 장치를 사용하여 불활성인 에칭 억제액으로서 수온 25℃의 공업용수를 액압 5∼15kg/㎠, 공기압 5kg/㎠, 공기유량 0.2Nm/min으로 분사하여 세정했다. 이것에 의해, 금속박판(7)의 표면, 특히 상기 작은 오목구멍(12)내에 잔류하는 에칭액(24)을 공업용수와 급속하게 치환하여 도 16에 나타내는 바와 같이 금속박판(7)의 표면, 특히 작은 오목구멍(12)내에 잔류하는 에칭액을 제거했다.

즉, 상기한 바와 같이 에칭에 의해 오목구멍(12)을 형성하면, 오목구멍(32)의 열린 구멍 직경은 사이드에칭의 진행에 따라 레지스트(10)의 열린 구멍 직경 보다도 커진다. 이것에 의해, 레지스트(10)가 가리는 부분이 생겨 이 가림부의 내측에 비교적 다량의 에칭액(16)이 잔류하게 된다. 한편, 상기한 바와 같이 가림부가 생기면 종래 실시되던 에칭 후의 분사에 의한 세정은 상기 가림부의 내측에 잔류하는 에칭액을 급속하게 희석 제거할 수 없고, 에칭 속도가 빠른 희석 에칭액에 장시간 노출되어 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 초래한다.

그러나, 이 예와 같이 도 27 내지 도 28에 나타내는 장치를 사용하면 금속박판에 잔류하는 에칭액을 단시간에 충분히 세정할 수 있기 때문에 희석에칭액에 의한 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제할 수 있다.

(레지스트 박리공정)

다음으로, 레지스트박리장치를 통하여 알칼리수용액에 의해 상기 작은 오목구멍(12)이 형성된 면측의 레지스트(10)를 박리 제거했다.

(세정공정)

도 26 내지 도 28에 나타내는 장치를 사용하여 수온 25℃의 공업용수를 액압 5∼15kg/㎠, 공기압 15kg/㎠, 공기유량 0.2Nm/min으로 분사하여 금속박판을 세정했다.

(건조공정)

그 후, 금속박판을 건조했다.

(보호필름 박리공정)

그 후, 상기 레지스트(30)가 형성된 면 측에 점착된 보호필름(31)을 제거했다.

(내에칭층 형성공정)

그 후, 도 17에 나타내는 바와 같이, 상기 작은 오목구멍이 형성된 면 및 그 작은 오목구멍내에 내에 내에칭성의 UV(Ultra Violet) 경화제 수지를 도포 충전하고, 고압수은 램프를 사용한 경화장치로 경화하여 내에칭층(13)을 형성했다.

(보호필름 부착공정)

또한, 이 내에칭층(13)위에 PET 수지등으로 이루어진 보호필름(11)을 부착했다.

이때, 레지스트박리후에 세정된 금속박판의 청정도를 물방울의 접촉각 및 XPS(X선광 전자분광)에 의한 원소분석에 의해 조사한 결과를 도 31에 나타낸다. 도 31에 있어서, 곡선(71)은 세정시의 액압과 물에 의한 표면 접촉각과의 관계를 나타내는 그래프이다. 곡선(72, 73, 74)은 세정시의 액압을 변화시킨 경우의 각각 Fe의 피크강도에 대한 C, N 및 Na의 피크강도의 상대값, 즉 C/Fe, N/Fe, Na/Fe를 나타낸다. C/Fe 및 N/Fe는 레지스트 성분의 제거 정도를 나타내며, Na/Fe는 박리액 성분의 제거 정도를 나타낸다. 도 31에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 의한 금속박판의 청정도는 액압 5∼15kg/㎠의 범위, 특히 7∼10kg/㎠의 범위에서 종래방법에 의한 세정에 비해 대폭적으로 향상된다.

(제 2 에칭공정)

그 후, 도 18에 나타내는 바와 같이, 레지스트(30)가 형성된 면측에 액온 70℃, 비중 1.510의 염화 제 2 철 용액으로 이루어진 에칭액을 분사하여 이 레지스트(30)가 형성된 면측에 섀도우마스크의 형광체스크린측의 큰 열린 구멍을 구성하는 큰 오목구멍(32)을 형성했다.

(세정공정)

그리고, 이 제 2 에칭 종료후, 제 1 에칭 공정 종료시와 마찬가지로 도 1의 장치를 이용하여 도 19에 나타내는 바와 같이, 큰 오목구멍(32)내에 잔류하는 에칭액을 제거했다.

(보호필름 박리공정)

이 후, 상기 다른쪽 면측에 부착된 보호필름(11)을 제거했다.

(레지스트/내에칭층 박리공정)

그 후, 알칼리수용액에 의해 큰 오목구멍(32)이 형성된 면측의 레지스트(10) 및 상기 작은 오목구멍(12)이 형성되어 있는 면 측의 내 에칭층(13)을 박리 제거했다.

(세정공정, 건조공정)

또한, 세정, 건조하여 도 20에 나타내는 바와 같이, 작은 오목구멍(12)과 큰 오목구멍(32)이 연이어 통하고 있는 열린 구멍(14)을 형성했다.

(픽오프 공정)

그 후, 열린 구멍이 형성된 섀도우마스크를 띠형상 금속박판에서 절단하여 플랫마스크를 완성했다.

이와같은 제조방법으로 얻어진 새도우마스크에 관한 것으로, 작은 구멍(12)과 큰 구멍(32)의 연결부에 의해 규정되는 열린 구멍 직경(D)을 115㎛로 설정한 섀도우마스크를 제조한 경우에 대해 그 열린 구멍 직경(D)의 편차(3σ)과 얼룩 품위를 측정했다.

도 32에는 열린 구멍의 연결부를 설명하기 위한 개략도를 나타낸다. 또한, 세정시의 액압과 열린 구멍 직경(D)의 편차(3σ) 및 세정시의 액압과 얼룩품위와의 관계 및 종래의 방법에 의해 제조된 섀도우마스크의 편차(3σ)과 얼룩 품위를 나타내는 그래프를 도 33에 나타낸다. 또한, 이 비교로 본 발명의 섀도우마스크의 세정장치의 액압은 감광막 형성공정과 내에칭층 형성공정에 있어서는 7kg/㎠, 에칭 종료후의 잔류 에칭액의 제거에 있어서는 7.5kg/㎠이다. 또한, 도 33에 있어서 곡선(81)은 섀도우마스크의 열린 구멍 직경(D)을 측정기를 사용하여 100점 측정하여 구한 열린 구멍 직경의 편차(3σ)을, 곡선(82)은 색온도 5700K의 형광등을 사용한 라이트박스상에 섀도우마스크를 두고 서화(西華)산업(주)제의 얼룩 검사장치를 사용하여 얼룩율로 표시한 얼룩 품위를 나타낸다. 이 얼룩율은 상대값이며, 숫자가 큰 만큼 얼룩 레벨이 나쁜 것을 나타낸다. 도 33으로 명확한 바와 같이 실시예1의 방법에 의해 제조된 섀도우마스크는 열린 구멍 직경(D)의 편차가 작고 얼룩 품위가 대폭적으로 향상되어 있는 것을 알 수 있다.

또한, 도 30, 도 31 및 도 33에 비교하기 위해 나타내는 바와 같이, 종래의 세정방법은 액압을 올려도 물의 사용량이 증가할 뿐 본 발명과 같은 효과는 얻어지지 않는다.

다음으로, 본 발명의 제 2 내지 제 4 관점에 따른 발명의 제 2의 바람직한 태양에 대해서 나타낸다.

상기한 제 1의 바람직한 태양에서는 2단 에칭법에 의해 섀도우마스크의 열린 구멍을 형성하는 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명의 방법은 금속박판의 양면을 동시에 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 경우에도 적용할 수 있다. 도 34 내지 도 39에 금속박판의 양 면을 동시에 에칭하여 열린 구멍을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면을 나타낸다. 이 경우에도 거의 같은 양호한 효과가 얻어진다.

제 2의 바람직한 태양에서는 판두께 0.25mm의 인바재를 사용하여 열린 구멍 형상이 직사각형인 대형 일반용 칼라수상관의 섀도우마스크를 제조하는 경우에 대해서 설명한다.

(세정공정)

우선, 띠형상 금속박판의 표면에 부착된 압연유나 녹방지유를 알칼리계의 탈지액을 사용하여 스프레이 세정한 후, 도 26 내지 도 28에 나타내는 세정장치를 사용하여 수온 25℃의 공업용수를 액압 10kg/㎠, 공기압 5kg/㎠, 공기유량 0.2Nm/min으로 분사하여 세정했다.

(감광막 형성공정)

띠형상 금속박판을 건조한 후, 도 34에 나타내는 바와 같이, 이 금속박판(7)의 양 면에 카제인, 중 크롬산염을 주성분으로 하는 감광제를 도포, 건조하여 두께 수㎛의 감광막(8)을 형성했다.

(노광공정)

다음으로, 도 35에 나타내는 바와 같이, 이 양면의 감광막(8)에 섀도우마스크의 열린 구멍의 전자총측의 작은 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(9) 및 형광체스크린측의 큰 열린 구멍에 대응하는 패턴이 형성된 원판(19)으로 이루어진 한쌍의 원판(9, 19)을 밀착하여 노광하여 이 원판(9, 19)의 패턴을 인화했다.

(현상공정)

다음으로, 이 패턴을 인화된 양 면의 감광막(8)을 현상하여 미감광부를 제거하고, 도 36에 나타내는 바와 같이, 상기 한쌍의 원판(9, 19)의 패턴에 대응하는 도트패턴으로 이루어진 레지스트(10, 30)를 형성했다. 이와같이 하여 레지스트가 형성된 띠형상 금속박판은 일단 롤형상으로 감아 롤 상태에서 다음 에칭공정으로 이동했다.

(에칭공정)

이 공정은 레지스트가 형성된 롤형상의 띠형상 금속박판을 반송장치에 의해서 풀면서 실시하였다.

우선, 도 37에 나타내는 바와 같이, 에칭장치를 통과하는 것에 의해서 상기 레지스트(10, 30)가 형성된 양 면에 액체온도 70℃, 비중 1.510의 염화 제 2 철 용액으로 이루어진 에칭액을 스프레이했다. 이것에 의해, 이 레지스트(10)가 형성된 면측에 섀도우마스크의 전자총측의 작은 열린 구멍을 구성하는 작은 오목구멍(12)과 레지스트(30)가 형성된 면측에 섀도우마스크의 형광체스크린측의 큰 열린 구멍을 구성하는 큰 오목구멍(32)을 형성했다,

(세정공정)

그리고, 이 에칭공정의 종료후, 도 26 내지 도 28에 기재된 장치를 사용하여 수온 25℃의 공업용수를 액압 10kg/㎠, 공기압 5kg/㎠, 공기유량 0.2Nm/min으로 직접 금속박판(7)의 양면에 분사하여 금속박판(7)의 표면, 특히 도 38에 나타내는 바와 같이, 작은 구멍(12)과 큰 구멍(32)의 연결부내에 잔류하는 에칭액(16)을 공업용수와 급속하게 치환하여 제거했다.

(픽오프 공정)

그후, 레지스트 박리장치를 통과하여 알칼리수용액에 의해 레지스트(10 30)를 박리 제거하고, 또 세정, 건조한 후, 열린 구멍이 형성된 섀도우마스크를 띠형상 금속박판에서 절단하여 플랫마스크를 완성했다.

이상 설명한 제 2의 바람직한 태양으로 얻어진 섀도우마스크도 제 1의 바람직한 태양으로 얻어진 섀도우마스크와 마찬가지로 열린 구멍 크기, 형상의 편차가 억제되고 얼룩품위가 뛰어났다. 또한, 종래의 세정을 사용한 경우에는 불균일한 세정에 의한 주름형상의 반사얼룩이 생겼지만, 제 2 내지 제 4 관점에 따른 발명에서 사용되는 세정방법을 사용하면 주름 형상의 반사얼룩은 전혀 보이지 않았다.

또한, 본 발명의 제 2 관점에 따른 세정장치를 사용한 세정공정은 상기한 바람직한 태양에 나타내는 예에 한정되지 않고, 임의의 세정공정에 채용할 수 있지만 에칭 종료후의 세정공정에 사용하면 특히 유효하다.

또한, 본 발명의 제 2 관점에 따른 세정장치의 제 2 분사부(40)는 상기한 구조에 한정되지 않는다. 도 40에 제 2 분사부의 다른 예를 비스듬하게 본 도면 및 도 41에 그 분사노즐의 구조를 설명하기 위한 개략도를 나타낸다. 도시한 바와 같이, 이 분사부는 축방향을 따른 긴 열린 구멍(92)이 설치된 외측 원통(91)의 내측에 분사노즐 구멍(94)이 다수 설치된 내측 원통(93)으로 구성되어 내측 원통(93)에 고압의 물, 외측 원통(91)에 공기를 공급하는 구조를 갖는다.

이와같은 분사부를 제 2 분사부로 적용해도 띠형상 금속 박판의 윗면 아랫면의 근방에 균일하고 매우 미세한 캐비테이션을 발생시켜 단시간에 효율적으로 충분한 세정을 실시할 수 있기 때문에 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하여 얼룩품위가 뛰어난 섀도우마스크를 제조할 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제 1 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법에 의하면, 금속박판의 양면에 섀도우 마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴으로 이루어진 레지스트를 형성하고 이 레지스트가 형성된 금속박판을 에칭한 후, 이 금속박판, 특히 에칭에 의해 형성된 오목 구멍 내에 부착되는 에칭액을, 금속박판에 대해 불활성인 에칭 억제액을 사용하여 세정하고 치환함으로써 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하고, 얼룩이 없는 고품질의 섀도우 마스크를 제조할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 2 관점에 관한 세정장치를 사용하면 거의 수평으로 유지된 금속박판의 윗면, 아랫면에 한정된 범위에 효율적으로 세정액을 적용하고, 윗면 아랫면 근방에 균일하고 결이 가는 캐비테이션을 발생시킬 수 있으므로, 단시간에 충분한 액치환 및 세정을 실시할 수 있다.

또한, 본 발명의 제 3 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조장치 및 제 4 관점에 관한 섀도우 마스크의 제조방법을 사용하면 거의 수평으로 유지된 금속기판의 윗면 아랫면의 한정된 범위에 효율적으로 세정액을 적용하고, 윗면 아랫면 근방에 균일하고 결이 가는 캐비테이션을 발생시킬 수 있다. 이에 의해, 에칭액을 에칭 억제제로 단시간에 충분히 세정하고 치환할 수 있으므로, 열린 구멍 크기, 형상의 편차를 억제하여 얼룩이 없는 고품질의 섀도우 마스크를 제조할 수 있다.

Claims (30)

1. 2개의 주면을 갖는 금속박판의 양 주면에 섀도우마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 적어도 한쪽면에 갖는 에칭보호층을 형성하는 공정과,

   상기 에칭 보호층이 형성된 금속 박판을 염화 제 2 철을 포함하는 에칭액을 사용하여 에칭을 실시하는 에칭공정을 갖는 섀도우마스크의 제조방법에 있어서,

   상기 에칭공정에 이어서 상기 에칭액을 상기 금속박판에 대해 불활성인 에칭 억제액으로 치환하여 세정하는 세정공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 에칭 억제액은 냉수, 알콜 및 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 용액으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 용액은 염화니켈 수용액, 염화코발트 수용액, 염화칼륨 수용액, 염화칼슘 수용액, 염화마그네슘 수용액, 염화리튬 수용액, 염화아연 수용액, 염화만원 수용액 및 염화 제 1 철 수용액으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종류를 포함하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
4. 제 2 항에 있어서,

   상기 3가의 철 보다도 이온화 경향이 높은 금속 이온을 함유하는 용액은 그 포화수용액인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 세정공정은 캐비테이션제트, 메가소닉샤워방식, 슬릿노즐샤워 및 스펀지롤에서 선택된 적어도 한개의 수단을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 세정공정은 거의 수평으로 유지된 상태로 길이방향을 따라서 반송되는 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하고, 상기 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트 수단을 사용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
7. 제 5 항에 있어서,

   상기 세정공정은 그 일부가 상기 에칭억제액에 침지된 스펀지롤을 상기 금속박판에 접촉하는 것에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 세정공정은 에칭 억제액을 에칭 억제 액조에 수용하고, 상기 에칭 억제 액조에서 에칭억제액을 오버플로우시키면서 실시되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 세정공정은 상기 에칭 억제액을 에칭 억제액조에 수용하고, 상기 금속박판을 반송하면서 상기 에칭억제액조에 침지하여 실시되는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크의 제조방법.
10. 거의 수평으로 유지된 상태로 길이 방향을 따라서 반송되는 띠형상 금속박판(7)의 윗면 및 아랫면에 상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하고, 상기 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트수단을 갖는 세정부(121) 및 상기 세정부의 전단에 설치되며, 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 새어나오는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부(124)를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 캐비테이션제트 수단은 상기 금속박판의 윗쪽에 위치하고, 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 아래로 고압 분사하는 복수의 노즐(132)을 갖는 제 1 분사부(130);및

    상기 금속박판의 아래쪽에 위치하고, 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 윗쪽으로 고압 분사하는 복수의 노즐(144)을 갖는 제 2 분사부(140)를 구비하는 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
12. 제 10 항에 있어서,

    상기 제 1 누출방지 시일부(124)는 상기 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 전단 로울러(125,126)를 갖는 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
13. 제 10 항에 있어서,

    상기 세정부(121)의 후단에 설치되며, 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 상기 띠형상 금속박판을 배출하면서 상기 세정액이 상기 띠형상 금속 박판 반송방향으로 새어나가는 것을 방지하는 제 2 누출방지 시일부(154)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 제 2 누출방지 시일부(154)는 상기 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 후단 로울러(155, 156)를 갖는 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
15. 제 10 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액은 물인 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액은 5℃∼20℃의 온도를 갖는 냉수인 것을 특징으로 하는 금속박판의 세정장치.
17. 섀도우마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽 면위에 갖는 에칭보호층이 그 양면에 형성된 띠형상 금속 박판을 에칭하기 위한 에칭부;

    상기 에칭보호층을 박리하는 에칭보호층 박리부;

    띠형상 금속박판을 세정액을 사용하여 세정하는 세정장치가 소정의 순서로 배치된 구성을 갖는 섀도우마스크제조장치에 있어서,

    상기 세정장치는 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 새어나가는 것을 방지하는 제 1 누출방지 시일부(124);및

    상기 제 1 누출방지 시일부(124)의 후단에 설치되며, 상기 띠형상 금속박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하고, 상기 띠형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시켜, 급속한 세정을 실시하는 캐비테이션제트 수단을 갖는 세정부(121)를 갖는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
18. 제 17 항에 있어서,

    상기 캐비테이션제트 수단은,

    상기 금속박판의 윗쪽에 위치하고, 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 아래로 고압 분사하는 복수의 노즐(132)을 갖는 제 1 분사부(130);및

    상기 금속박판의 아래쪽에 위치하고, 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 위로 고압 분사하는 복수의 노즐(144)을 갖는 제 2 분사부(140)를 구비하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
19. 제 17 항에 있어서,

    상기 제 1 누출방지시일부(124)는 상기 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 전단 로울러(125, 126)를 갖는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
20. 제 17 항에 있어서,

    상기 세정부(121)의 후단에 설치되며, 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 상기 띠형상 금속박판을 배출하면서 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향으로 새어나가는 것을 방지하는 제 2 누출방지 시일부(154)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
21. 제 20 항에 있어서,

    상기 제 2 누출방지 시일부(154)는 상기 띠형상 금속 박판을 사이에 두는 한쌍의 후단 로울러(155, 156)를 갖는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
22. 제 18 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액은 물인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
23. 제 22 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액은 5℃∼20℃의 온도를 갖는 냉수인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조장치.
24. 섀도우마스크의 열린 구멍에 대응하는 패턴을 적어도 그 한쪽 면위에 갖는 에칭 보호층이 그 양면에 형성된 띠형상 금속 박판을 에칭하는 공정;

    상기 에칭 보호층을 박리하는 에칭 보호층 박리공정을 갖는 섀도우마스크 제조방법에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 캐비테이션제트 수단을 이용하여 상기 띠형상 금속 박판의 윗면 및 아랫면에 상기 띠형상 금속 박판에 대해 불활성인 세정액을 분출하고, 상기 띠형상 금속박판의 표면 근방에 캐비테이션을 발생시키고, 또 상기 캐비테이션제트수단의 전단에 제 1 누출방지 시일부(124)를 설치하여 상기 띠형상 금속 박판의 위치를 규제하고, 또 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향과 역방향으로 새어나가는 것을 방지하면서 급속한 세정을 실시하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 캐비테이션제트수단은 상기 금속박판의 윗쪽에 위치하여 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 아래로 고압 분사하는 복수의 노즐(132)을 가진 제 1 분사부(130);및

    상기 금속박판의 아래쪽에 위치하여 상기 세정액을 상기 금속박판의 반송방향과 대략 직교하여 윗쪽으로 고압 분사하는 복수의 노즐(144)을 갖는 제 2 분사부(140)를 구비하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.
26. 제 24 항에 있어서,

    상기 제 1 누출방지 시일부(124)는 상기 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 전단 로울러(125, 126)를 갖는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.
27. 제 24 항에 있어서,

    상기 세정부의 후단에 제 2 누출방지 시일부(154)를 더 설치하여 상기 띠형상 금속박판의 위치를 규제하고, 또 상기 세정액이 상기 띠형상 금속박판 반송방향으로 새어나가는 것을 방지하는 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.
28. 제 27 항에 있어서,

    상기 제 2 누출방지 시일부(154)는 상기 띠형상 금속박판을 사이에 두는 한쌍의 후단 로울러(155, 156)를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
29. 제 24 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속 박판에 대해 불활성인 세정액은 물인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.
30. 제 29 항에 있어서,

    상기 띠형상 금속박판에 대해 불활성인 세정액은 5℃∼20℃의 온도를 갖는 냉수인 것을 특징으로 하는 섀도우마스크 제조방법.

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