JPH05224221A - 薄膜のエッチング方法 - Google Patents
薄膜のエッチング方法Info
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- JPH05224221A JPH05224221A JP6152892A JP6152892A JPH05224221A JP H05224221 A JPH05224221 A JP H05224221A JP 6152892 A JP6152892 A JP 6152892A JP 6152892 A JP6152892 A JP 6152892A JP H05224221 A JPH05224221 A JP H05224221A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング残りの発生を防止し、パターニン
グ工程の歩留りを著しく向上させることができる薄膜の
エッチング方法を提供する。 【構成】 基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ
ーによりパターンを形成する方法におけるエッチング工
程において、エッチング液がノズルから噴出するスプレ
ー槽の中を基板を通過させてエッチングを行うスプレー
エッチング方式を使用し、前記エッチング液による基板
の漏れ始めにおいて、ノズルからスプレーされたエッチ
ング液がハネ返り、エッチング液に浸される前の基板上
に付着することなく、基板表面をエッチング液が均一に
濡らして連続的にエッチングを行う薄膜のエッチング方
法。
グ工程の歩留りを著しく向上させることができる薄膜の
エッチング方法を提供する。 【構成】 基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィ
ーによりパターンを形成する方法におけるエッチング工
程において、エッチング液がノズルから噴出するスプレ
ー槽の中を基板を通過させてエッチングを行うスプレー
エッチング方式を使用し、前記エッチング液による基板
の漏れ始めにおいて、ノズルからスプレーされたエッチ
ング液がハネ返り、エッチング液に浸される前の基板上
に付着することなく、基板表面をエッチング液が均一に
濡らして連続的にエッチングを行う薄膜のエッチング方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜のエッチング方法
に関し、特に液晶表示素子の電極パターニングの際のエ
ッチング方法に関する。
に関し、特に液晶表示素子の電極パターニングの際のエ
ッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソ工程により基板上にパ
ターンを形成する技術は広く知られている。その従来例
として、液晶パネルの金属電極を例にして説明すると、
ガラス基板上にほぼ全面に金属薄膜を成膜した上に、Ｕ
Ｖ（紫外線）硬化型のレジスト膜を約１μｍの厚さに塗
布する。
ターンを形成する技術は広く知られている。その従来例
として、液晶パネルの金属電極を例にして説明すると、
ガラス基板上にほぼ全面に金属薄膜を成膜した上に、Ｕ
Ｖ（紫外線）硬化型のレジスト膜を約１μｍの厚さに塗
布する。
【０００３】次に、レジスト膜を仮乾燥後に所望のパタ
ーンを有するマスクを介してＵＶ光で露光した後、現像
液にて現像し、さらに本硬化を行った後、エッチング工
程へ移行する。エッチング工程は、一般的にエッチング
液が上部ノズルからスプレーされている中を前記ガラス
基板が通過していくスプレー方式が用いられており、こ
のスプレー方式は生産用エッチング装置において、装置
化が簡単で生産性に優れているために有利である。 次
に、電極上のレジスト膜を除去して電極パターンを形成
する。
ーンを有するマスクを介してＵＶ光で露光した後、現像
液にて現像し、さらに本硬化を行った後、エッチング工
程へ移行する。エッチング工程は、一般的にエッチング
液が上部ノズルからスプレーされている中を前記ガラス
基板が通過していくスプレー方式が用いられており、こ
のスプレー方式は生産用エッチング装置において、装置
化が簡単で生産性に優れているために有利である。 次
に、電極上のレジスト膜を除去して電極パターンを形成
する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のエッチング工程において、特に大型の基板で、且
つ微細パターンをエッチングする際には、前記レジスト
のパターンが正常に形成されているにもかかわらず、金
属膜の一部の箇所にエッチング残りが発生する。このエ
ッチング残りは、通常はレーザ等で除去するか、あるい
は複数回エッチングを行う等の方法で除去するが、この
様な方法では工程が複雑化し、特に大型の基板に微細パ
ターンを形成する際には、大量のエッチング残りの箇所
が発生するため、その除去は非常に困難であった。
来例のエッチング工程において、特に大型の基板で、且
つ微細パターンをエッチングする際には、前記レジスト
のパターンが正常に形成されているにもかかわらず、金
属膜の一部の箇所にエッチング残りが発生する。このエ
ッチング残りは、通常はレーザ等で除去するか、あるい
は複数回エッチングを行う等の方法で除去するが、この
様な方法では工程が複雑化し、特に大型の基板に微細パ
ターンを形成する際には、大量のエッチング残りの箇所
が発生するため、その除去は非常に困難であった。
【０００５】本発明は、上記従来技術の問題点を解決
し、連続生産用スプレーエッチング装置を使用し、エッ
チング残りの発生を防止し、パターニング工程の歩留り
を著しく向上させることができる薄膜のエッチング方法
を提供することを目的とするものである。
し、連続生産用スプレーエッチング装置を使用し、エッ
チング残りの発生を防止し、パターニング工程の歩留り
を著しく向上させることができる薄膜のエッチング方法
を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、基板上
に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィーによりパターン
を形成する方法におけるエッチング工程において、エッ
チング液がノズルから噴出するスプレー槽の中を基板を
通過させてエッチングを行うスプレーエッチング方式を
使用し、前記エッチング液による基板の漏れ始めにおい
て、ノズルからスプレーされたエッチング液がハネ返
り、エッチング液に浸される前の基板上に付着すること
なく、基板表面をエッチング液が均一に濡らして連続的
にエッチングを行うことを特徴とする薄膜のエッチング
方法である。
に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィーによりパターン
を形成する方法におけるエッチング工程において、エッ
チング液がノズルから噴出するスプレー槽の中を基板を
通過させてエッチングを行うスプレーエッチング方式を
使用し、前記エッチング液による基板の漏れ始めにおい
て、ノズルからスプレーされたエッチング液がハネ返
り、エッチング液に浸される前の基板上に付着すること
なく、基板表面をエッチング液が均一に濡らして連続的
にエッチングを行うことを特徴とする薄膜のエッチング
方法である。
【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術
でパターンを形成する方法のエッチング工程において、
スプレーエッチング方式を使用し、エッチング液による
基板の漏れ始めにおいて、スプレーされたエッチング液
がハネ返り、エッチング液に浸る前の基板上に島状また
は水玉状に付着し、その後エッチング液がスプレーされ
ることを無くし、基板表面をエッチング液で均一に濡ら
して連続的にエッチングを行うことにより、スプレー方
式特有のエッチング残りの発生を防止し、パターニング
歩溜りを著しく向上させることが可能となる。
は、基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラフィー技術
でパターンを形成する方法のエッチング工程において、
スプレーエッチング方式を使用し、エッチング液による
基板の漏れ始めにおいて、スプレーされたエッチング液
がハネ返り、エッチング液に浸る前の基板上に島状また
は水玉状に付着し、その後エッチング液がスプレーされ
ることを無くし、基板表面をエッチング液で均一に濡ら
して連続的にエッチングを行うことにより、スプレー方
式特有のエッチング残りの発生を防止し、パターニング
歩溜りを著しく向上させることが可能となる。
【０００８】また、本発明において、前記スプレーされ
たエッチング液がハネ返り基板に付着しないための方法
としては、スプレー槽のスプレー噴出圧を少なくとも
２段階に分けて基板の濡れ始めにおいては低圧にし、そ
の後高圧にする方法、前記スプレー槽の前にエッチン
グ液中に基板を浸すディップ槽を設け、ディップ方式と
スプレー方式を連続的に行う方法等が挙げられる。
たエッチング液がハネ返り基板に付着しないための方法
としては、スプレー槽のスプレー噴出圧を少なくとも
２段階に分けて基板の濡れ始めにおいては低圧にし、そ
の後高圧にする方法、前記スプレー槽の前にエッチン
グ液中に基板を浸すディップ槽を設け、ディップ方式と
スプレー方式を連続的に行う方法等が挙げられる。
【０００９】本発明においては、前記薄膜がＡｌ，Ｍ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からな
る金属膜または透明導電膜であるのが好ましい。また、
本発明の薄膜のエッチング方法は、液晶表示素子のパタ
ーン付基板の薄膜を形成するのに好適である。
ｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からな
る金属膜または透明導電膜であるのが好ましい。また、
本発明の薄膜のエッチング方法は、液晶表示素子のパタ
ーン付基板の薄膜を形成するのに好適である。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に
説明する。
説明する。
【００１１】実施例１ 図１は本発明の薄膜のエッチング方法の一実施例を示す
説明図である。同図において、１はガラス等の基板、２
はＡｌ等の薄膜、３はパターニングされたレジスト、４
はエッチング液を噴出するスプレーノズル、５はエッチ
ング液である。
説明図である。同図において、１はガラス等の基板、２
はＡｌ等の薄膜、３はパターニングされたレジスト、４
はエッチング液を噴出するスプレーノズル、５はエッチ
ング液である。
【００１２】図１において、薄膜２上にレジスト３のパ
ターニング工程まで終了している基板１は、エッチング
液５を噴出しているスプレーノズル４の下を矢印Ａの方
向に移動し、エッチングが行なわれるが、この時エッチ
ング液５の噴出圧を低くすることにより、エッチング液
はハネ返ること無く、基板上に５ａに示す様に均一にた
まりながらエッチングが進行する。エッチング液のハネ
返らない噴出圧は、ノズルの高さ、エッチング液の粘
度、ノズルの形状等によって決まる。例えば、０．２Ｋ
ｇ／ｃｍ2 以下、好ましくは０．０１〜０．０５Ｋｇ／
ｃｍ2 が望ましい。
ターニング工程まで終了している基板１は、エッチング
液５を噴出しているスプレーノズル４の下を矢印Ａの方
向に移動し、エッチングが行なわれるが、この時エッチ
ング液５の噴出圧を低くすることにより、エッチング液
はハネ返ること無く、基板上に５ａに示す様に均一にた
まりながらエッチングが進行する。エッチング液のハネ
返らない噴出圧は、ノズルの高さ、エッチング液の粘
度、ノズルの形状等によって決まる。例えば、０．２Ｋ
ｇ／ｃｍ2 以下、好ましくは０．０１〜０．０５Ｋｇ／
ｃｍ2 が望ましい。
【００１３】次に、図１の方法の具体的な例を示す。た
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上のほぼ全面にモリブデン（Ｍｏ）を１５００Åの厚
さにスパッタ法にて成膜し、ロールコーターでレジスト
を１μｍの厚さに塗布した後、仮硬化、露光、現像、本
硬化工程を行ない、ラインピッチ：２００μｍ、ライン
巾：１９５μｍ、ライン間（スペース）巾：５μｍ、ラ
イン長さ：２５０ｍｍのストライプ状電極：１２００本
のレジストパターンを形成した後、本発明における図１
に示す方法で、噴出圧０．０２Ｋｇ／ｃｍ2 でエッチン
グを行ない、その後、レジストを剥離してＭｏのパター
ン付基板を形成した。該Ｍｏパターンにエッチング残り
の発生は全く無かった。尚、エッチング液は、リン酸、
酢酸、硝酸、水の混合物を用い、室温で行った。
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上のほぼ全面にモリブデン（Ｍｏ）を１５００Åの厚
さにスパッタ法にて成膜し、ロールコーターでレジスト
を１μｍの厚さに塗布した後、仮硬化、露光、現像、本
硬化工程を行ない、ラインピッチ：２００μｍ、ライン
巾：１９５μｍ、ライン間（スペース）巾：５μｍ、ラ
イン長さ：２５０ｍｍのストライプ状電極：１２００本
のレジストパターンを形成した後、本発明における図１
に示す方法で、噴出圧０．０２Ｋｇ／ｃｍ2 でエッチン
グを行ない、その後、レジストを剥離してＭｏのパター
ン付基板を形成した。該Ｍｏパターンにエッチング残り
の発生は全く無かった。尚、エッチング液は、リン酸、
酢酸、硝酸、水の混合物を用い、室温で行った。
【００１４】比較例１ 図４は従来の薄膜のエッチング方法の一例を示す説明図
である。図４においては、図１と同様に、薄膜２上にレ
ジスト３のパターニング工程まで終了している基板１
は、エッチング液５を噴出しているスプレーノズル４の
下を矢印Ａの方向に移動し、エッチングが行なわれる
が、この場合、エッチング液５の噴出圧が高いと、基板
上にたまるエッチング液は５ｂに示す様に乱れ、ハネ返
ったエッチング液が基板上に５ｃに示す様に、島状また
は水玉状に付着する。この島状または水玉状に付着した
エッチング液５ｃのうち、エッチングするべき箇所（レ
ジストの無い箇所）１０に付着した液５ｄが、その後ス
プレーされるエッチング液とエッチングすべき薄膜２と
の接触を妨げ、エッチング残りが発生する。
である。図４においては、図１と同様に、薄膜２上にレ
ジスト３のパターニング工程まで終了している基板１
は、エッチング液５を噴出しているスプレーノズル４の
下を矢印Ａの方向に移動し、エッチングが行なわれる
が、この場合、エッチング液５の噴出圧が高いと、基板
上にたまるエッチング液は５ｂに示す様に乱れ、ハネ返
ったエッチング液が基板上に５ｃに示す様に、島状また
は水玉状に付着する。この島状または水玉状に付着した
エッチング液５ｃのうち、エッチングするべき箇所（レ
ジストの無い箇所）１０に付着した液５ｄが、その後ス
プレーされるエッチング液とエッチングすべき薄膜２と
の接触を妨げ、エッチング残りが発生する。
【００１５】次に、図４の方法の具体的な例を示す。た
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上のほぼ全面にモリブデン（Ｍｏ）を１５００Åの厚
さに成膜し、実施例１と全く同じ方法で、全く同じスト
ライプ状電極１２００本（ラインピッチ：２００μｍ、
ライン巾：１９５μｍ、スペース巾：５μｍ、ライン長
さ：２５０ｍｍ）のレジストパターンを形成した後、図
４に示す従来の方法で噴出圧０．４Ｋｇ／ｃｍ2 でエッ
チングを行ない、レジストを剥離してＭｏのパターン付
基板を形成したことろ、基板全面で１０００ケ所以上の
エッチング残りが発生し、ほとんどがライン間ショート
欠陥になってしまった。
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上のほぼ全面にモリブデン（Ｍｏ）を１５００Åの厚
さに成膜し、実施例１と全く同じ方法で、全く同じスト
ライプ状電極１２００本（ラインピッチ：２００μｍ、
ライン巾：１９５μｍ、スペース巾：５μｍ、ライン長
さ：２５０ｍｍ）のレジストパターンを形成した後、図
４に示す従来の方法で噴出圧０．４Ｋｇ／ｃｍ2 でエッ
チングを行ない、レジストを剥離してＭｏのパターン付
基板を形成したことろ、基板全面で１０００ケ所以上の
エッチング残りが発生し、ほとんどがライン間ショート
欠陥になってしまった。
【００１６】実施例２ 図２は本発明の薄膜のエッチング方法の他の実施例を示
す説明図である。同図２において、６は基板上にパター
ニングすべき薄膜を成膜し、フォトリソ工程によってレ
ジストパターンまで形成した基板であり、エッチング液
５を噴出しているノズル４の下を矢印の方向に移動して
エッチングが行なわれれる。この場合、基板の漏れ始め
に係るノズル４ａにおいて、エッチング液の噴出する圧
力を低くしてエッチング液のハネ返りを防止し、その後
のエッチングが本格的に進行する部分に係わるノズル４
ｂにおいては、従来のエッチング方法と同様の通常の圧
力の噴出が行われる。
す説明図である。同図２において、６は基板上にパター
ニングすべき薄膜を成膜し、フォトリソ工程によってレ
ジストパターンまで形成した基板であり、エッチング液
５を噴出しているノズル４の下を矢印の方向に移動して
エッチングが行なわれれる。この場合、基板の漏れ始め
に係るノズル４ａにおいて、エッチング液の噴出する圧
力を低くしてエッチング液のハネ返りを防止し、その後
のエッチングが本格的に進行する部分に係わるノズル４
ｂにおいては、従来のエッチング方法と同様の通常の圧
力の噴出が行われる。
【００１７】一般に、ディップエッチングの様に液がほ
とんど動かないエッチング法に比べ、スプレーエッチン
グでは、被エッチング膜の横方向のエッチング（サイド
エッチ）あるいはレジスト膜と被エッチング膜の界面へ
のエッチング液のしみ込みによるパターンの細りが小さ
い。この原因は、スプレーでは、液の状態が乱流である
ため等が考えられるが、詳しい事は判明していない。
とんど動かないエッチング法に比べ、スプレーエッチン
グでは、被エッチング膜の横方向のエッチング（サイド
エッチ）あるいはレジスト膜と被エッチング膜の界面へ
のエッチング液のしみ込みによるパターンの細りが小さ
い。この原因は、スプレーでは、液の状態が乱流である
ため等が考えられるが、詳しい事は判明していない。
【００１８】図２におけるエッチング方法では、基板の
漏れ始めにおいて、液のハネ返りが無いためエッチング
残りの発生が無く、エッチング進行部において通常のス
プレーエッチングを行なうためパターンの細りが小さい
という効果がある。
漏れ始めにおいて、液のハネ返りが無いためエッチング
残りの発生が無く、エッチング進行部において通常のス
プレーエッチングを行なうためパターンの細りが小さい
という効果がある。
【００１９】次に、図２の方法の具体的な例を示す。た
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上にスパッタ法で、アルミニウム（Ａｌ）を１０００
Åの厚さに薄膜し、フォトリソ工程におけるレジスト塗
布、仮硬化、露光、現像、本硬化を行ない、前記Ａｌ上
にラインピッチ：１５０μｍ、ライン巾：１４５μｍ、
スペース巾：５μｍ、ライン長さ：２６０ｍｍのストラ
イプ電極：１７００本のレジストパターンを形成し、図
２の方法で、最初のノズルは噴出圧０．０１Ｋｇ／ｃｍ
2 、後のノズルは噴出圧０．４Ｋｇ／ｃｍ2 でエッチン
グを行なった。エッチング液は、リン酸、酢酸、硝酸、
水の混合液を用い液温は４０℃に制御した。その後、レ
ジストを剥離して、検査したところ、エッチング残りは
全く無く、且つ、パターンの線巾が平均で１４４．５μ
ｍの良好なＡｌパターンが得られた。
て３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガラス基
板上にスパッタ法で、アルミニウム（Ａｌ）を１０００
Åの厚さに薄膜し、フォトリソ工程におけるレジスト塗
布、仮硬化、露光、現像、本硬化を行ない、前記Ａｌ上
にラインピッチ：１５０μｍ、ライン巾：１４５μｍ、
スペース巾：５μｍ、ライン長さ：２６０ｍｍのストラ
イプ電極：１７００本のレジストパターンを形成し、図
２の方法で、最初のノズルは噴出圧０．０１Ｋｇ／ｃｍ
2 、後のノズルは噴出圧０．４Ｋｇ／ｃｍ2 でエッチン
グを行なった。エッチング液は、リン酸、酢酸、硝酸、
水の混合液を用い液温は４０℃に制御した。その後、レ
ジストを剥離して、検査したところ、エッチング残りは
全く無く、且つ、パターンの線巾が平均で１４４．５μ
ｍの良好なＡｌパターンが得られた。
【００２０】実施例４ 図３は本発明の薄膜のエッチング方法の他の実施例に用
いるエッチング装置を示す説明図である。図３におい
て、７はディップエッチングを行なうディップ槽であ
り、このディップ槽７には基板６の通過する穴９があけ
られている。また、８はエッチング液を溜めるタンクで
ある。
いるエッチング装置を示す説明図である。図３におい
て、７はディップエッチングを行なうディップ槽であ
り、このディップ槽７には基板６の通過する穴９があけ
られている。また、８はエッチング液を溜めるタンクで
ある。
【００２１】ディップ槽７では基板通過穴９からエッチ
ング液が流出するが、エッチング液のタンク８より常に
液が供給され、液上面が通過する基板よりも上になるよ
う調整されている。また、ディップ槽７の直後にスプレ
ーノズル４が設けられている。基板上に薄膜を成膜し、
フォトリソ工程によってレジストパターンまで形成した
基板６は、矢印で示す様にディップ槽７に入り、直後に
スプレーノズル４によりスプレーエッチングされる。
ング液が流出するが、エッチング液のタンク８より常に
液が供給され、液上面が通過する基板よりも上になるよ
う調整されている。また、ディップ槽７の直後にスプレ
ーノズル４が設けられている。基板上に薄膜を成膜し、
フォトリソ工程によってレジストパターンまで形成した
基板６は、矢印で示す様にディップ槽７に入り、直後に
スプレーノズル４によりスプレーエッチングされる。
【００２２】図３におけるエッチング方法は、基板が漏
れ始めにおいてディップ槽に入るため、ノズルからのエ
ッチング液のハネ返りが無く、エッチング残りが防止で
き、エッチング進行部において、実施例２と同様にスプ
レーエッチングを行なうためパターンの細りが小さい。
次に、図３の方法の具体的な例を示す。実施例２と同様
に、たて３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガ
ラス基板上にスパッタ法で、アルミニウム（Ａｌ）を１
０００Åの厚さに成膜し、フォトリソ工程により、レジ
ストパターンまで形成した。該レジストパターンは、実
施例２と同様に、ラインピッチ：１５０μｍ、ライン
巾：１４５μｍ、スペース巾：５μｍ、ライン長さ：２
６０ｍｍのストライプ状電極：１７００本とした。
れ始めにおいてディップ槽に入るため、ノズルからのエ
ッチング液のハネ返りが無く、エッチング残りが防止で
き、エッチング進行部において、実施例２と同様にスプ
レーエッチングを行なうためパターンの細りが小さい。
次に、図３の方法の具体的な例を示す。実施例２と同様
に、たて３００×よこ３００×厚さ１．０（ｍｍ）のガ
ラス基板上にスパッタ法で、アルミニウム（Ａｌ）を１
０００Åの厚さに成膜し、フォトリソ工程により、レジ
ストパターンまで形成した。該レジストパターンは、実
施例２と同様に、ラインピッチ：１５０μｍ、ライン
巾：１４５μｍ、スペース巾：５μｍ、ライン長さ：２
６０ｍｍのストライプ状電極：１７００本とした。
【００２３】その後、エッチング液として、実施例２と
同じ、リン酸、酢酸、硝酸、水の混合液を４０℃に制御
したものを用いて、図３に示すエッチング方法により、
エッチングし、レジストを剥離して検査したことろ、エ
ッチング残りが無く、パターンの細りもほとんど無い良
好なＡｌパターンが得られた。
同じ、リン酸、酢酸、硝酸、水の混合液を４０℃に制御
したものを用いて、図３に示すエッチング方法により、
エッチングし、レジストを剥離して検査したことろ、エ
ッチング残りが無く、パターンの細りもほとんど無い良
好なＡｌパターンが得られた。
【００２４】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、基板上に薄膜を成膜し、スプレーエッチング方式に
よりエッチングする工程のエッチング液による基板の漏
れ始めにおいて、スプレーされたエッチング液がハネ返
り、液に浸る前の基板上に島状または水玉状に付着し、
その後、エッチング液がスプレーされることを無くすこ
とにより、エッチング残りの発生を防止し、パターニン
グ歩溜りを著しく向上させる効果がある。
ば、基板上に薄膜を成膜し、スプレーエッチング方式に
よりエッチングする工程のエッチング液による基板の漏
れ始めにおいて、スプレーされたエッチング液がハネ返
り、液に浸る前の基板上に島状または水玉状に付着し、
その後、エッチング液がスプレーされることを無くすこ
とにより、エッチング残りの発生を防止し、パターニン
グ歩溜りを著しく向上させる効果がある。
【００２５】さらに、本発明におけるエッチング方法と
従来のスプレーエッチング方法を組合わせることによ
り、パターニング時のエッチング残りの防止と線巾の制
御の両方を実現出来、大基板且つ微細パターンにおいて
も、歩溜り良くパターニングを行なうことが可能にな
る。
従来のスプレーエッチング方法を組合わせることによ
り、パターニング時のエッチング残りの防止と線巾の制
御の両方を実現出来、大基板且つ微細パターンにおいて
も、歩溜り良くパターニングを行なうことが可能にな
る。
【００２６】尚、本発明の実施例としては、被エッチン
グ膜としてＭｏとＡｌの金属電極のみを示したが、本発
明はこられ以外の金属あるいは、透明電極、さらにはフ
ッ素系エッチング液を用いるＳｉＯ2 等の絶縁物のエッ
チング等、ウェットで且つスプレー方式を用いるエッチ
ング法全てに適用できる。
グ膜としてＭｏとＡｌの金属電極のみを示したが、本発
明はこられ以外の金属あるいは、透明電極、さらにはフ
ッ素系エッチング液を用いるＳｉＯ2 等の絶縁物のエッ
チング等、ウェットで且つスプレー方式を用いるエッチ
ング法全てに適用できる。
【図１】本発明の薄膜のエッチング方法の一実施例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２】本発明の薄膜のエッチング方法の他の実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】本発明の薄膜のエッチング方法の他の実施例に
用いるエッチング装置を示す説明図である。
用いるエッチング装置を示す説明図である。
【図４】従来の薄膜のエッチング方法の一例を示す説明
図である。
図である。
１，６ 基板 ２ 薄膜 ３ フォトレジスト ４ スプレーノズル ５ エッチング液 ７ ディップ槽 ８ タンク ９ 基板通過穴
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に薄膜を成膜し、フォトリソグラ
フィーによりパターンを形成する方法におけるエッチン
グ工程において、エッチング液がノズルから噴出するス
プレー槽の中を基板を通過させてエッチングを行うスプ
レーエッチング方式を使用し、前記エッチング液による
基板の漏れ始めにおいて、ノズルからスプレーされたエ
ッチング液がハネ返り、エッチング液に浸される前の基
板上に付着することなく、基板表面をエッチング液が均
一に濡らして連続的にエッチングを行うことを特徴とす
る薄膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記スプレー槽のスプレー噴出圧を少な
くとも２段階に分けて基板の濡れ始めにおいては低圧に
し、その後高圧にする請求項１記載の薄膜のエッチング
方法。 - 【請求項３】 前記スプレー槽の前にエッチング液中に
基板を浸すディップ槽を設け、ディップ方式とスプレー
方式を連続的に行う請求項１記載の薄膜のエッチング方
法。 - 【請求項４】 前記薄膜がＡｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃ
ｕ，Ｎｉまたはこれらの合金からなる金属膜である請求
項１〜３のいずれかの項記載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項５】 前記薄膜が透明導電膜である請求項１〜
３のいずれかの項記載の薄膜のエッチング方法。 - 【請求項６】 液晶表示素子のパターン付基板の薄膜の
形成に適用する請求項１〜５のいずれかの項記載の薄膜
のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152892A JPH05224221A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 薄膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152892A JPH05224221A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 薄膜のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224221A true JPH05224221A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=13173698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6152892A Pending JPH05224221A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 薄膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224221A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063305A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 박종섭 | 액정표시장치의 게이트 라인 형성방법 |
| JP2007311429A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nippon Foil Mfg Co Ltd | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
| CN111556661A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-18 | 广州冰钫商贸有限公司 | 一种pcb板蚀刻机 |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP6152892A patent/JPH05224221A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063305A (ko) * | 1999-12-22 | 2001-07-09 | 박종섭 | 액정표시장치의 게이트 라인 형성방법 |
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| CN111556661A (zh) * | 2020-05-22 | 2020-08-18 | 广州冰钫商贸有限公司 | 一种pcb板蚀刻机 |
| CN111556661B (zh) * | 2020-05-22 | 2021-04-23 | 广州冰钫商贸有限公司 | 一种pcb板蚀刻机 |
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