JP4799459B2

JP4799459B2 - 透明電極のパターニング方法

Info

Publication number: JP4799459B2
Application number: JP2007079795A
Authority: JP
Inventors: 亮介佐藤
Original assignee: Japan Steel Works Ltd
Current assignee: Japan Steel Works Ltd
Priority date: 2007-03-26
Filing date: 2007-03-26
Publication date: 2011-10-26
Anticipated expiration: 2027-03-26
Also published as: JP2008243463A

Description

この発明は、近年、液晶ディスプレイに用いられるＩＴＯ透明電極などをパターニングする透明電極のパターニング方法に関するものである。

近年、液晶ディスプレイに用いられるＩＴＯ（酸化インジウム錫）透明電極のパターニングは、広視野角の確保するために必須事項である。ＩＴＯ透明電極のパターニングにおいては、フォトレジストを用いたウエットエッチング方式（例えば、特許文献１参照）が主流である。この方法は、図５に示すように、先ず、（１）ガラスなどの基体１０上に、真空蒸着やスパッタ等で、透明電極１１となる金属酸化物などの薄膜を形成する（工程５−１）。（２）その後、紫外光に対し感光性の持った樹脂（フォトレジスト１２）などを、透明電極の上からスピンコーターやロールコーターなどで塗布する（工程５−２）。（３）その次に、望むパターンをもったフォトマスク１３を用いて、紫外光１４で（２）の工程で塗布した薄膜に露光し（工程５−３）、（４）その後、不要なフォトレジストを、化学薬品を用いて除去する（工程５−４）。（５）次いで、化学薬品を用いて、透明電極１１をエッチングする（工程５−５）。この際、（２）の工程で塗布したフォトレジスト１２が残っている透明電極１１はエッチングされずに残り、パターンを形成する。（６）最後に、残っているレジスト１２を、化学薬品を用いて剥離する（工程５−６）。

他に化学薬品を用いないドライエッチング技術として、レーザ光を用いたマスクレス技術（特許文献２参照）もある。この技術は、図６に示すように、基体１０に透明電極１１を形成し（工程６−１）、該透明電極１１にエネルギー密度の高いレーザ光１４をスキャン照射して（工程６−２）することで、所望のパターンを作成（工程６−３）する方法である。
特開２００４−２３９９８８号公報特開２００５−２０９６９１号公報

従来のパターニングでは、上記したフォトレジストを用いたウエットエッチング方式が主流であるが、作業工程数が多く、酸やＣｒといった化学薬品を使用しているため、廃液処理の負担があるという問題がある。またパターンごとに高額なフォトマスクが必要になるという問題点もある。
化学薬品を用いないドライエッチング技術として、上記のようにレーザ光を用いたマスクレス技術もあるが、この方法は大面積の処理を行うには速度が遅く、エッチング速度を上げるとエッチング残が多くなる傾向があるという問題がある。

本発明は、そのような状況を鑑みなされたものであり、マスクを必要とすることなく、大面積においても高速に処理することができる透明電極のパターニング方法を提供することを目的とする。

すなわち、本発明の透明電極のパターニング方法のうち、請求項１記載の発明は、基体上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該基体および前記紫外光吸収性の薄膜パターン上に透明電極層を形成し、該透明電極層に紫外レーザ光を照射することで前記透明電極層を介して前記薄膜パターンを除去することを特徴とする。

請求項２記載の透明電極のパターニング方法の発明は、基体上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該基体および前記紫外光吸収性薄膜パターン上に透明電極層を形成し、さらに該透明電極層上に、紫外光吸収性薄膜層を形成し、該紫外光吸収性薄膜層に紫外レーザ光を照射することで該紫外光吸収性薄膜層と、前記透明電極層を介して前記薄膜パターンとを除去することを特徴とする。

請求項３記載の透明電極のパターニング方法の発明は、請求項２記載の発明において、前記紫外光吸収性薄膜層が、前記パターンと逆のパターンによって形成されていることを特徴とする。

請求項４記載の透明電極のパターニング方法の発明は、基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行うことで、前記薄膜パターンと該薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層とを除去することを特徴とする。

すなわち、本発明によれば、紫外レーザ光が紫外光吸収性の薄膜に優先的に吸収され、光分解または熱分解される。この薄膜を透明電極の下層に薄膜パターンとして形成していると、透明電極を透過した紫外レーザ光が薄膜パターンで吸収され、該薄膜パターンが分解することで基体から除去される。この結果、薄膜パターン上の透明電極が薄膜のパターン形状に従って除去され、透明電極のパターニングがなされる。

また、紫外光吸収性の薄膜を透明電極の上層に形成すれば、紫外レーザ光を照射する場合の保護層としての機能を有する。すなわち、該薄膜が紫外レーザ光を吸収することで透明電極に与える損傷を緩和する。この薄膜の下層において、上記のように基体上に形成された紫外光吸収性の薄膜パターンと透明電極層とが形成されていれば、紫外光吸収性の薄膜が分解され、透明電極の損傷が殆どない状態で、薄膜パターンに従って透明電極層のパターニングがなされる。なお、透明電極上層の紫外光吸収性の薄膜を、透明電極下層の紫外光吸収性の薄膜パターンと逆のパターンで形成すれば、パターニングで残る透明電極層が上層の薄膜逆パターンで保護されるとともに、下層の薄膜パターンとともに除去される透明電極層は上層の保護層による保護が必要でなく、しかも保護層を有しないことにより、下層の薄膜パターンに効率的に紫外レーザ光のエネルギーを付与して分解・除去することができる。

さらに、上記方法の他に、透明電極層の下層には紫外光吸収性の薄膜パターンは形成せず、透明電極層の上層に、紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該薄膜パターンで覆われていない部分の透明電極層を紫外レーザ光で分解除去することができる。この部分以外の透明電極層では、薄膜パターンで覆われており、紫外レーザ光は、この薄膜パターンで吸収することで透明電極層への損傷を防止する。この薄膜パターンは、紫外レーザ光の照射によって、前記した薄膜パターンで覆われていない部分の透明電極層とともに分解・除去される。この際に、薄膜パターンと透明電極層とが略同時期に分解・除去されるようにするのが望ましい。また、いずれか一方、例えば薄膜パターンがやや遅れて除去されるようにしてもよい。

本発明によってパターニングがされる透明電極は、ＩＴＯが代表的であるが、本発明はこれに限定されるものではなくＺｎＯなどの適宜材料に対しても適用が可能である。
また、本発明に用いられる基体の材質も特定のものに限定されるものではないが、無アルカリガラス、石英ガラス、水晶などといった可視光の透明度が高いものが望ましい。なお、基体は一層のものでもよく、また、基板などに絶縁層を設けるなどした複数層のものであってもよい。

また、紫外光吸収性の薄膜材料も本発明としては特定の材料に限定されるものではなく、透明電極に対し相対的に紫外光吸収率の高い材料を選定することができる。好適には、紫外光の吸収率が５０％以上であるのが望ましい。
また、透明電極の上下層で薄膜を形成する場合、上下の層で薄膜の材質を異なるものとすることも可能である。

薄膜の材料として、具体的には、Ａｌの有機金属化合物と、Ｚｎの有機金属化合物との混合物が例示され、その割合はモル比でＡｌ：Ｚｎ＝１：５〜１００：１の範囲であることが望ましい。有機金属化合物として、ナフテン酸塩、アセチルアセトン塩などがあげられる。薄膜を形成する方法として、ゾルゲル法が望ましい。水を添加して金属塩をゾル化させることができるが、水の量は有機金属化合物のモル比に対して、１０〜１００倍であることが望ましく、さらにプロピオン酸、もしくは燐酸などといった有機酸、酸を予め適量加えておくのが望ましい。酸は、有機金属化合物１モルに対し、０．１モル程度で良い。この溶液は濃縮して用いることができる。溶媒はこれらの化合物が溶解するものであればよいが、好ましくは、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、１−プロパノールといった低級アルコールが良い。この溶液を基体上にパターンを描くように塗布することができる。塗布方法は、スクリーン印刷法といった印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法；浸漬法；及び、スプレー法の内のいずれかで、パターンを描くだけである。

このようにして得た膜は３５６ｎｍ以下の波長の光から急激に吸収する。作成したパターンは厚さ約１０ｎｍ程度で、ナノポーラスな構造を持つ。この上から、真空蒸着法や反応性蒸着法、各種のスパッタリング法、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法（ＰＶＤ法）有機金属化合物を熱分解する方法、スプレー法、ディップ法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ）法、無電解メッキ法などで透明電極層を形成することができる。
薄膜は紫外レーザ光照射によって、熱分解もしくは光分解され、透明電極を構成する材料の剥離を促す。また透明電極自体も、条件によってはレーザ光照射によって熱分解され、あるいは光分解されることで、パターンを形成することができる。

本発明において使用される紫外レーザとして、エキシマレーザ（ＫｒＦ、ＸｅＣｌ）や固体レーザ（３倍波や４倍波）を例示することができるが、これらに限定するものではなく、周知のレーザを用いることができる。レーザの照射方法はステップ状でもスキャンしてもよい。例えば大きな面積の透明電極のパターニングを行う場合、レーザ光の形状をラインビームとしてスキャン照射することがのぞましい。パルスエネルギー、パルス幅、パルス重畳回数、スキャン速度、走査面積、波長等のレーザの特性は、透明電極または紫外光を吸収する薄膜を構成する材料や厚さ、パターニングする透明電極の面積や形状、基体を構成する材料等に応じて、適宜、最適化を図ればよい。好適には、２４０〜３５５ｎｍの波長を有し、１５〜４００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギー密度で照射できるものを示すことができる。

以上説明したように、本発明の透明電極のパターニング方法の一形態によれば、基体上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該基体および前記紫外光吸収性の薄膜パターン上に透明電極層を形成し、該透明電極層に紫外レーザ光を照射することで前記透明電極層を介して前記薄膜パターンを除去するので、紫外レーザ光によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターンを光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。

さらに本発明の透明電極のパターニング方法の他の形態によれば、基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行うことで、前記薄膜パターンと該薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層とを除去するので、紫外光のカットフィルターのように、薄膜パターンで保護していない部分のみを紫外レーザ光で剥離することで、所望のパターンを効率的に得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。

（実施形態１）
以下に、本発明の一実施形態を図１に基づいて説明する。
ガラスなどにより構成される基体１上に、紫外光吸収性の材料からなる薄膜パターン２を前記した適宜の塗布方法により形成する（工程１−１）。この基体１および薄膜パターン２上に、適宜の蒸着法、ＣＶＤなどによってＩＴＯなどの透明電極層３を形成する（工程１−２）。この透明電極層３の外部より紫外レーザ光８を照射する（工程１−３）。紫外レーザ光８は、適宜のエネルギー密度とすることにより、透明電極層３の分解を招くことなく、これを透過して前記薄膜パターン２に選択的に吸収される。この結果、薄膜パターン２が熱分解または光分解して基体１上から除去され、該薄膜パターン２上にある透明電極層３が該パターンに従って部分的に基体１から除去され、透明電極層３のパターニングがなされる（工程１−４）。

（実施形態２）
以下に、実施形態２を図２に基づいて説明する。
上記実施形態１と同様に、基体１上への薄膜パターン２の形成、透明電極層３の形成を行った後（工程２−１、２−２）、透明電極層３上に紫外吸収性の材料からなる薄膜４を適宜の塗布方法により形成する（工程２ー３）。該薄膜４は、通常は、薄膜パターン２と同材料で形成するが、異なる材料で形成することも可能である。該薄膜４の外部から前記実施形態１と同様に紫外レーザ光８を照射する（工程２−４）。紫外レーザ光８は、一部が薄膜４で吸収され、残りは薄膜４を透過し、さらに透明電極層３を透過して、薄膜パターン２で吸収される。この紫外レーザ光８の照射によって、薄膜４および薄膜パターン２が分解され、遂には除去されて、薄膜パターン２上にある透明電極層３が薄膜パターン２の形状に従って部分的に除去され、パターニングがなされる（工程２−５）。この際に、薄膜４が保護層になって透明電極層３の損傷が極力回避されるとともに、透明電極層３が部分的に除去される際に、これが飛散して残存する透明電極層３を汚染するのを防止する。

（実施形態３）
次に、実施形態３を図３に基づいて説明する。
上記各実施形態と同様に基体１上への薄膜パターン２の形成、透明電極層３の形成を行った後（工程３−１、３−２）、透明電極層３上に、前記薄膜パターン２と逆のパターンで、紫外吸収性の材料からなる薄膜逆パターン５を適宜の塗布方法により形成する（工程３−３）。逆パターンとは、薄膜パターン２が形成されている部分の上層にはパターンを形成せず、薄膜パターン２が形成されていない部分の上層にパターンを形成するものである。

該薄膜逆パターン５および透明電極層３の外部から前記実施形態１、２と同様に紫外レーザ光８を照射する（工程３−４）。紫外レーザ光８は、薄膜逆パターン５がある部分では、該薄膜逆パターン５で吸収され、薄膜逆パターン５がない部分では、透明電極層３に照射され、該透明電極層３を透過して、下層の薄膜パターン２で吸収される。この紫外レーザ光８の照射によって、薄膜逆パターン５および薄膜パターン２が分解され、遂には除去されて、薄膜パターン２上にある透明電極層３が薄膜パターン２の形状に従って部分的に除去され、パターニングがなされる（工程３−５）。この際に、残存する透明電極層３への紫外レーザ光の照射は、薄膜逆パターン５でレーザ光が吸収されることで緩和されており、透明電極層３の損傷を回避することができる。すなわち、上層の薄膜逆パターン５は保護層として機能する。

（実施形態４）
次に、他の実施形態４を図４に基づいて説明する。
この形態では、基体１上に薄膜パターン２を形成することなく、蒸着などによって透明電極層３を形成し（工程４−１）、その上層に適宜の塗布方法によって紫外吸収性の薄膜パターン６を形成する（工程４−２）。該薄膜パターン６および透明電極層３の外部から前記実施形態１、２と同様に紫外レーザ光８を照射する（工程４−３）。紫外レーザ光８は、薄膜パターン６のある部分では、該薄膜パターン６で吸収され、薄膜パターン６がない部分では、透明電極層３に照射され、該透明電極層３に吸収されてる。この紫外レーザ光８の照射によって、薄膜パターン６および透明電極層３の一部が分解され、遂には除去されて、薄膜パターン６が形成されていた部分の透明電極層３が残存して薄膜パターン６の形状と逆のパターンでパターニングがなされる（工程４−４）。この際に、残存する透明電極層３への紫外レーザ光の照射は、薄膜パターン６でレーザ光が吸収されることで緩和されており、透明電極層３の損傷を回避することができる。

アセチルアセトンＡｌ、Ｚｎをモル比１００：１の割りあいに取り、該アセチルアセトン１モルに対しプロピオン酸を０．１モル程度になるように水で希釈し加えた溶液を濃縮し、エタノール３ｍｌに溶かした溶液を、基体としての石英ガラス上にスピンコーターで塗布した。塗布した薄膜をピンセットなどで削りパターンを描いた後で、スパッタ法にて透明電極層としてＩＴＯを１μｍの厚さで蒸着させた。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）をエネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離してパターニングを行うことができた。

実施例１とおなじように作成した、下地にパターンを待ったＩＴＯ基体に、今度はＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）をエネルギー密度８０ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１とおなじように作成した、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体に、今度はＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度４５ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

アセチルアセトンＡｌ、Ｚｎをモル比１００：１の割りあいに取り、該アセチルアセトン１モルに対しプロピオン酸を０．１モル程度になるように水で希釈し加えた溶液を濃縮し、エタノール５ｍｌに溶かした溶液を、石英ガラス上にスピンコーターで塗布した。塗布した薄膜をピンセットなどで削りパターンを描いた後で、スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度７５ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

アセチルアセトンＡｌ、Ｚｎをモル比１：５の割りあいに取り、該アセチルアセトン１モルに対しプロピオン酸を０．１モル程度になるように水で希釈し加えた溶液を濃縮し、エタノール５ｍｌに溶かした溶液を、石英ガラス上にスピンコーターで塗布した。塗布した薄膜をピンセットなどで削りパターンを描いた後で、スパッタ法にてＩＴＯを１μ厚で蒸着させた。
こうして出来上がった、下地にパターンを待ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度７５ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、石英ガラス上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。更にその上に、実施例１で作成した溶液をスピンコーターで塗布した。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度１００ｍＪ／ｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、石英ガラス上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。更にその上に、実施例１で作成した溶液をディスペンサーで、先に塗布したパターンの逆を描きながら、塗布した。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度４５ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

石英ガラス上にスパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた後、その上から実施例１で作成した溶液をディスペンサーで、パターンを描きながら、塗布した。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度１５０ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、パターンを描いていなかった部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

石英ガラス上にスパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させたあと、その上から実施例１で作成した溶液をディスペンサーで、パターンを描きながら、塗布した。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＸｅＣｌエキシマレーザをエネルギー密度３００ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、パターンを描いていなかった部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、水晶基板上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体の背面からＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度２５ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、水晶基板上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。こうして出来上がった、下地にパターンを待ったＩＴＯ基体の背面からＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度２５ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、水晶基板上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体の背面からＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度２０ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

実施例１で作成した溶液に、水晶基板上にディスペンサーでパターンを描きながら塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体の背面からＸｅＣｌエキシマレーザをエネルギー密度４０ｍＪ／ｃｍ^２でスキャン照射した。その結果、下地にパターンを描いていた部分のみ、ＩＴＯ膜が剥離した。

（比較例１）
実施例１で作成した溶液に、石英ガラス上にスピンコーターで塗布した。その後スパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた。更にその上に、実施例１で作成した溶液をディスペンサーでパターンを描きながら、塗布した。
こうして出来上がった、下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＫｒＦエキシマレーザをエネルギー密度１００ｍＪ／ｃｍ^２で定置照射した。その結果、全ての部分でＩＴＯ膜が剥離した。

（比較例２）
石英ガラス上にスパッタ法にてＩＴＯを１μｍ厚で蒸着させた後、その上から実施例１で作成した溶液をディスペンサーで、パターンを描きながら、塗布した。
こうして出来上がった下地にパターンを持ったＩＴＯ基体にＸｅＣｌエキシマレーザをエネルギー密度２００ｍＪ／ｃｍ^２でスキャンした。その結果、ＩＴＯ膜は剥離しなかった。

この発明の一形態による透明電極のパターニング方法を示す工程図である。同じく、他の形態による透明電極のパターニング方法を示す工程図である。同じく、さらに他の形態による透明電極のパターニング方法を示す工程図である。同じく、さらに他の形態による透明電極のパターニング方法を示す工程図である。従来のパターニング方法の一例を示す工程図である。従来の他例のパターニング方法を示す工程図である。

符号の説明

１基体
２薄膜パターン
３透明電極
４薄膜
５薄膜逆パターン
６薄膜パターン
８紫外レーザ光

Claims

基体上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該基体および前記紫外光吸収性の薄膜パターン上に透明電極層を形成し、該透明電極層に紫外レーザ光を照射することで前記透明電極層を介して前記薄膜パターンを除去することを特徴とする透明電極のパターニング方法。
基体上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、該基体および前記紫外光吸収性薄膜パターン上に透明電極層を形成し、さらに該透明電極層上に、紫外光吸収性薄膜層を形成し、該紫外光吸収性薄膜層に紫外レーザ光を照射することで該紫外光吸収性薄膜層と、前記透明電極層を介して前記薄膜パターンとを除去することを特徴とする透明電極のパターニング方法。
前記紫外光吸収性薄膜層が、前記パターンと逆のパターンによって形成されていることを特徴とする請求項２記載の透明電極のパターニング方法。
基体上に透明電極層を形成した後、該透明電極層上に紫外光吸収性の薄膜パターンを形成し、次いで、前記透明電極層へ紫外レーザ光の照射を行うことで、前記薄膜パターンと該薄膜パターンが形成されている部分以外の透明電極層とを除去することを特徴とする透明電極のパターニング方法。