CN115094374A - 用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 - Google Patents
用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115094374A CN115094374A CN202210723539.4A CN202210723539A CN115094374A CN 115094374 A CN115094374 A CN 115094374A CN 202210723539 A CN202210723539 A CN 202210723539A CN 115094374 A CN115094374 A CN 115094374A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal oxide
- film
- photosensitive layer
- patterned metal
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 72
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- AYNNSCRYTDRFCP-UHFFFAOYSA-N triazene Chemical compound NN=N AYNNSCRYTDRFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003814 drug Substances 0.000 abstract description 2
- 229940079593 drug Drugs 0.000 abstract description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 6
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法，本发明的目的是为了解决现有图案化技术制备薄膜的灵活性较差，难以直接改变图案的问题。本发明用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料包括透光基体、光敏层、金属氧化物薄膜和粘合层，在透光基体表面涂覆形成光敏层，金属氧化物薄膜镀覆在光敏层上，粘合层涂覆在金属氧化物薄膜上，光敏层采用光分解材料。本发明光敏层在被激光进行辐射后，可光解或热解为气态物质，金属氧化物薄膜被气态物质推动向镀膜基底转移，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜。本发明简便快捷的沉积图案化的金属氧化物薄膜材料到待转移区域，无需使用昂贵的光刻机设备和环境危险的化工药品。
Description
技术领域
本发明属于金属氧化物薄膜制备领域，具体涉及一种利用激光诱导转移工艺制备图案化薄膜的方法。
背景技术
随着全球科技的发展，半导体光电子器件、太阳能电池、传感器、忆阻器等器件制备过程中，不可避免的需要制备各种图案的金属氧化物薄膜。
目前工业上最常用的图案化金属氧化物薄膜的方法主要包括两类，前一类是通过光刻技术等去除薄膜不需要的部分，最终可以得到预期尺寸大小的图案，目前研究者们已经开发出了微接触印刷技术、软光刻技术及纳米压印技术等多种图案化技术。虽然光刻技术能够得到高清晰度的图案，但依然存在加工设备昂贵、操作步骤复杂等缺点。
后一类方法是利用自组装等有图案化机理来控制薄膜生长成为图案的技术，如单分子膜层技术、水滴模板法等。该方法的图案灵活性较差，难以直接改变图案。另外，采用传统的图案化技术制备薄膜对基体表面的平整度有很大要求，且图案尺寸一般较大，难以满足一些器件对尺寸的最小限度。同时，金属氧化物薄膜大多数是陶瓷材料，脆性大，柔韧性差，难以直接转移。因此需要开发一种制备方法简单、重复性好且能够在任意基底制备图案化金属氧化物薄膜的方法。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有图案化技术制备薄膜的灵活性较差，难以直接改变图案的问题，而提供一种用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法。
本发明用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料包括透光基体、光敏层、金属氧化物薄膜和粘合层，在透光基体表面涂覆形成光敏层，金属氧化物薄膜镀覆在光敏层上，粘合层涂覆在金属氧化物薄膜上，其中所述的透光基体为高激光透过率材料，光敏层采用光分解材料。
本发明用于制备图案化金属氧化物薄膜的方法按照以下步骤实现：
一、对透光基体进行清洗，得到清洗后的透光基体；
二、在清洗后的透光基体的表面涂覆形成光敏层，金属氧化物薄膜镀覆在光敏层上，粘合层涂覆在金属氧化物薄膜上，得到金属氧化物复合组件；
三、将金属氧化物复合组件的粘合层粘贴在镀膜基底上，按照设定的图案进行激光照射，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜。
本发明光敏层在被激光进行辐射后，可光解或热解为气态物质，金属氧化物薄膜被气态物质推动向镀膜基底转移，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜，其中粘合层起到防止金属氧化物薄膜破碎和增加附着力的作用。
本发明用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法包括以下有益效果：
1)与传统图案化薄膜制备的方法相比，本发明提供了一种采用激光诱导转移技术制备图案化金属氧化物薄膜的方法，材料可以大批量制作，图案化金属氧化物薄膜制备方法简单快捷。
2)与光刻方法相比，本发明制备图案化金属氧化物薄膜的过程中不会用到光刻胶等污染环境的化学物质。本发明简便快捷的沉积图案化的金属氧化物薄膜材料到待转移区域，过程中没有引入对环境和受体有影响的物质，也不必使用昂贵的光刻机设备和环境危险的化工药品。
3)本发明对待镀基底的表面平整度要求不高，甚至可以为曲面，图案尺寸与激光光斑最小面积相关，拓宽的图案化金属氧化物薄膜的应用范围。
附图说明
图1为本发明金属氧化物复合组件放置在镀膜基底上的结构示意图；
图2为实施例一圆形金属氧化物薄膜在PMMA片材上的照片；
图3为实施例一中不同尺寸金属氧化物薄膜在PMMA片材上的照片；
图4为实施例二中PET薄膜上矩形图案化的TiO2薄膜SEM图。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料包括透光基体1、光敏层2、金属氧化物薄膜3和粘合层4，在透光基体1表面涂覆形成光敏层2，金属氧化物薄膜3镀覆在光敏层2上，粘合层4涂覆在金属氧化物薄膜3上，其中所述的透光基体1为高激光透过率材料，光敏层2采用光分解材料。
本实施方式粘合层可选择丙烯酸酯类、环氧树脂类和聚硅氧烷类中的至少一种有机弹性体。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是所述的透光基体1为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜、聚酰亚胺(PI)薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜或者石英玻璃。
本实施方式透光基体的激光透过率为50％以上。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是所述的光分解材料为三氮烯聚合物、超薄金膜、超薄钛膜或者超薄碳膜。
本实施方式光敏层在被激光进行辐射后，可光解或热解为气态物质。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是光敏层2的厚度为50nm～500nm。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是金属氧化物薄膜3的材质为SnO2、ITO、TiO2中的一种或者多种复合薄膜。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是金属氧化物薄膜3的厚度为50nm～2000nm。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是金属氧化物薄膜3采用磁控溅射法、真空蒸镀法或者脉冲激光沉积法镀覆在光敏层2上。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是粘合层4通过旋转涂覆法、棒涂法、刮涂法或者喷涂法进行涂覆。
具体实施方式九：本实施方式用于制备图案化金属氧化物薄膜的方法按照以下步骤实现：
一、对透光基体1进行清洗，得到清洗后的透光基体1；
二、在清洗后的透光基体1的表面涂覆形成光敏层2，金属氧化物薄膜3镀覆在光敏层2上，粘合层4涂覆在金属氧化物薄膜3上，得到金属氧化物复合组件；
三、将金属氧化物复合组件的粘合层4粘贴在镀膜基底5上，按照设定的图案进行激光照射，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜。
本实施方式金属氧化物复合组件向下放置在镀膜基底上，金属氧化物复合组件的粘合层紧贴镀膜基底表面。
本实施方式利用激光向前转移技术，脉冲激光穿透透明基底，激发作用于光敏层层薄膜，从而推动金属氧化物薄膜向待镀基底移动，最终粘附在预期区域。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式九不同的是步骤三中所述激光的波长为308nm～1064nm。
实施例一：本实施例在平面刚性基底上制备图案化金属氧化物薄膜的方法按照以下步骤实施：
一、石英玻璃依次经过丙酮、蒸馏水、无水乙醇分别超声清洗15分钟，使用氮气流吹干处理，得到清洗后的石英玻璃；
二、配置质量分数为2.5％的三氮烯聚合物溶液，采用旋转涂覆(3000r/min，1min)的方法在清洗后的石英玻璃表面制备厚度为100nm的光敏层；
三、在光敏层上表面通过室温射频磁控溅射的方法镀有厚度为600nm的金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜是ITO薄膜；
四、在ITO薄膜表面采用旋转涂覆的方法涂上一层PDMS粘合层，得到金属氧化物复合组件；
五、将金属氧化物复合组件的粘合层薄膜紧贴在镀膜基底上，镀膜基底为PMMA片材，可以选择夹具固定，采用355nm紫外激光进行照射，经准直的激光束进入空间调制器形成预期形状，光束经聚焦后透过石英玻璃直接作用在光敏层，三氮烯聚合物被分解为气态物质推动金属氧化物薄膜边缘断裂从而与粘合层一起粘附在镀膜基底上。
图2和图3是本实施例不同尺寸圆形金属氧化物薄膜在PMMA片材上的照片。
实施例二：本实施例在柔性基底上制备图案化金属氧化物薄膜的方法按照以下步骤实施：
一、蓝宝石依次经过丙酮、蒸馏水、无水乙醇分别超声清洗15分钟，使用氮气流吹干处理，得到清洗后的蓝宝石；
二、在清洗后的蓝宝石上采用磁控溅射方法沉积厚度为50nm的光敏层碳膜；
三、在光敏层2上表面通过室温射频磁控溅射的方法镀有厚度为1μm的金属氧化物薄膜，该金属氧化物薄膜是TiO2薄膜；
四、在TiO2薄膜表面采用旋转涂覆的方法涂上一层苯丙乳液粘合层，得到金属氧化物复合组件；
五、将金属氧化物复合组件的粘合层薄膜紧贴在镀膜基底上，镀膜基底为PET薄膜，可以选择夹具固定，采用1064nm红外激光进行照射，经准直的激光束进入空间调制器形成预期形状，光束经聚焦后透过蓝宝石直接作用在光敏层，碳膜受热被分解为气态物质推动金属氧化物薄膜边缘断裂从而与粘合层一起粘附在镀膜基底上。
图4是本实施例PET薄膜上矩形图案化的TiO2薄膜SEM图。
Claims (10)
1.用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于该用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料包括透光基体(1)、光敏层(2)、金属氧化物薄膜(3)和粘合层(4)，在透光基体(1)表面涂覆形成光敏层(2)，金属氧化物薄膜(3)镀覆在光敏层(2)上，粘合层(4)涂覆在金属氧化物薄膜(3)上，其中所述的透光基体(1)为高激光透过率材料，光敏层(2)采用光分解材料。
2.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于所述的透光基体(1)为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚四氟乙烯薄膜或者石英玻璃。
3.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于所述的光分解材料为三氮烯聚合物、超薄金膜、超薄钛膜或者超薄碳膜。
4.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于光敏层(2)的厚度为50nm～500nm。
5.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于金属氧化物薄膜(3)的材质为SnO2、ITO、TiO2中的一种或者多种复合薄膜。
6.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于金属氧化物薄膜(3)的厚度为50nm～2000nm。
7.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于金属氧化物薄膜(3)采用磁控溅射法、真空蒸镀法或者脉冲激光沉积法镀覆在光敏层(2)上。
8.根据权利要求1所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料，其特征在于粘合层(4)通过旋转涂覆法、棒涂法、刮涂法或者喷涂法进行涂覆。
9.用于制备图案化金属氧化物薄膜的方法，其特征在于该方法按照以下步骤实现：
一、对透光基体(1)进行清洗，得到清洗后的透光基体(1)；
二、在清洗后的透光基体(1)的表面涂覆形成光敏层(2)，金属氧化物薄膜(3)镀覆在光敏层(2)上，粘合层(4)涂覆在金属氧化物薄膜(3)上，得到金属氧化物复合组件；
三、将金属氧化物复合组件的粘合层(4)粘贴在镀膜基底(5)上，按照设定的图案进行激光照射，在镀膜基底上形成图案化金属氧化物薄膜。
10.根据权利要求9所述的用于制备图案化金属氧化物薄膜的方法，其特征在于步骤三中所述激光的波长为308nm～1064nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210723539.4A CN115094374A (zh) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | 用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210723539.4A CN115094374A (zh) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | 用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115094374A true CN115094374A (zh) | 2022-09-23 |
Family
ID=83293636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210723539.4A Pending CN115094374A (zh) | 2022-06-23 | 2022-06-23 | 用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115094374A (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法，薄膜素子，薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JPH11160525A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタおよびその製造方法 |
| JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
| CN101384963A (zh) * | 2005-11-17 | 2009-03-11 | 帝国创新有限公司 | 一种使薄膜形成图案的方法 |
| US20100051178A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film device |
| US20100051191A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film device |
| CN113755798A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-12-07 | 济南大学 | 一种无掩膜版的图案化薄膜制备方法 |
-
2022
- 2022-06-23 CN CN202210723539.4A patent/CN115094374A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10125931A (ja) * | 1996-08-27 | 1998-05-15 | Seiko Epson Corp | 薄膜素子の転写方法，薄膜素子，薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
| JPH11160525A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタおよびその製造方法 |
| CN101384963A (zh) * | 2005-11-17 | 2009-03-11 | 帝国创新有限公司 | 一种使薄膜形成图案的方法 |
| JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
| US20100051178A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film device |
| US20100051191A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-04 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film device |
| CN113755798A (zh) * | 2021-05-07 | 2021-12-07 | 济南大学 | 一种无掩膜版的图案化薄膜制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101247619B1 (ko) | 금속 나노입자 극미세 레이저 소결 장치 및 방법 | |
| US4636403A (en) | Method of repairing a defective photomask | |
| US9445504B2 (en) | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate and flexible substrates manufactured by the same | |
| US10580649B2 (en) | Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices | |
| US11185918B2 (en) | Self-aligning metal patterning based on photonic sintering of metal nanoparticles | |
| US20110209749A1 (en) | Pattern transfer method and apparatus, flexible display panel, flexible solar cell, electronic book, thin film transistor, electromagnetic-shielding sheet, and flexible printed circuit board applying thereof | |
| JP2012094855A (ja) | パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板 | |
| CN109748238B (zh) | 一种大面积、均匀的纳米二聚体阵列的制备方法 | |
| US20150099028A1 (en) | Tools and Methods for Forming Semi-Transparent Patterning Masks | |
| CN102320553A (zh) | 利用激光双光子直写技术制作微纳结构器件的方法 | |
| CN111686828B (zh) | 电浸润微流控背板及其制备方法 | |
| JPH04268070A (ja) | 基板上に金属層を形成するための方法 | |
| CN114050216A (zh) | 一种柔性电子器件及其激光加工方法 | |
| CN115094374A (zh) | 用于制备图案化金属氧化物薄膜的材料和方法 | |
| KR20130106676A (ko) | 미세금속전극 제조방법 | |
| CN113148945A (zh) | 一种自定义金属微纳米片的制备方法 | |
| US20140356997A1 (en) | Donor substrate, method of manufacturing the same, and method of forming transfer pattern using the same | |
| Hutt et al. | Challenges in the manufacture of glass substrates for electrical and optical interconnect | |
| JP2007094159A (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
| JP2003287605A (ja) | 光学基板、その製造方法と製造装置、および光学装置 | |
| JP2019010776A (ja) | パターン構造体形成用スタンパ及びその製造方法並びにパターン構造体の製造方法 | |
| US8906723B1 (en) | Donor substrate, method for fabricating the donor substrate, and method for forming transfer pattern using the donor substrate | |
| JP2000216110A (ja) | 光記録による金属パタ―ン形成方法、並びにこれを用いた電子素子及び光学素子 | |
| KR20240059188A (ko) | 나노구조체 제조방법 및 이에 의하여 제조된 나노구조체 | |
| Ng et al. | UV direct-writing of metals on polyimide |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |