JP2008065284A - フォトレジスト剥離剤組成物、これを用いる配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
【解決手段】フォトレジスト剥離剤組成物は、ブチルジグリコール50重量%以上70重量%以下、アルキルピロリドン20重量%以上40重量%以下、有機アミン化合物1重量%以上10重量%以下、アミノプロピルモルホリン1重量%以上5重量%以下及びメルカプト化合物0.01重量%以上0.5重量%以下を含む。これにより、フォトレジスト剥離能力に優れ、フォトレジスト膜が残留フォトレジストなしに完全に除去され、銅導電膜の酸化及び腐蝕が抑制されることによって、配線の信頼性を確保できる。
【選択図】図5
Description
赤色、緑色及び青色有機発光層92が順序通り反復的に配置されている。
22:ゲート線
24:ゲート端部
26:ゲート電極
27:ストレージ電極
28:ストレージ電極線
30:ゲート絶縁膜
40:半導体層
55、56:オーミックコンタクト層
62:データ線
65:ソース電極
66:ドレイン電極
67:ドレイン電極拡張部
68:データ端部
70:保護膜
82:画素電極
Claims (17)
- ブチルジグリコール50重量%以上70重量%以下、アルキルピロリドン20重量%以上40重量%以下、有機アミン化合物1重量%以上10重量%以下、アミノプロピルモルホリン1重量%以上5重量%以下及びメルカプト化合物0.01重量%以上0.5重量%以下を含むことを特徴とするフォトレジスト剥離剤組成物。
- 前記アルキルピロリドンは、N−メチルピロリドンであり、前記有機アミン化合物は、ジエタノールアミンであることを特徴とする請求項1に記載のフォトレジスト剥離剤組成物。
- 下部構造物上に銅を含む導電膜を積層し、
前記導電膜上に配線を定義するフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記導電膜をエッチングし、
ブチルジグリコール50重量%以上70重量%以下、アルキルピロリドン20重量%以上40重量%以下、有機アミン化合物1重量%以上10重量%以下、アミノプロピルモルホリン1重量%以上5重量%以下及びメルカプト化合物0.01重量%以上0.5重量%以下を含むフォトレジスト剥離剤組成物を用いて前記フォトレジストパターンを剥離することを特徴とする配線形成方法。 - 前記アルキルピロリドンはN−メチルピロリドンであり、前記有機アミン化合物はジエタノールアミンであることを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離は、前記フォトレジストパターンについての前記フォトレジスト剥離剤組成物を噴射することによってなすことを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離は、60秒以上180秒以下の間なされることを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離後に前記フォトレジストパターンの残留物を除去することを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 前記フォトレジストパターンの残留物の除去は、超純水を噴射して前記フォトレジストパターンの残留物を洗浄することを特徴とする請求項7に記載の配線形成方法。
- 前記銅を含む導電膜は、モリブデン/銅/窒化モリブデンからなる多層膜であり、前記配線はモリブデン/銅/窒化モリブデンからなる多層配線であることを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 前記下部構造物は、絶縁物質又は半導体を含むことを特徴とする請求項3に記載の配線形成方法。
- 絶縁基板上に第1の方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように第2の方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて設けられるドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
前記ゲート配線又は前記データ配線の形成は、
下部構造物上に銅を含む導電膜を積層し、
前記導電膜上に前記配線を定義するフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記導電膜をエッチングし、
ブチルジグリコール50重量%以上70重量%以下、アルキルピロリドン20重量%以上40重量%以下、有機アミン化合物1重量%以上10重量%以下、アミノプロピルモルホリン1重量%以上5重量%以下及びメルカプト化合物0.01重量%以上0.5重量%以下を含むフォトレジスト剥離剤組成物を用いて前記フォトレジストパターンを剥離することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記アルキルピロリドンはN−メチルピロリドンであり、前記有機アミン化合物はジエタノールアミンであることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離は、前記フォトレジストパターンについての前記フォトレジスト剥離剤組成物を噴射することによってなすことを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離は、60秒以上180秒以下の間なされることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンの剥離後に前記フォトレジストパターンの残留物を除去することを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記フォトレジストパターンの残留物の除去は、超純水を噴射して前記フォトレジストパターンの残留物を洗浄することを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記銅を含む導電膜はモリブデン/銅/窒化モリブデンの多層膜であり、前記ゲート配線又は前記データ配線はモリブデン/銅/窒化モリブデンの多層配線であることを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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