KR100223947B1 - 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

에폭시 수지(A), 경화제(B), 및 무기충전제로 되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기충전제가 실리카(C)를 필수성분으로서 함유하고, 상기 경화제(B)가 페놀성 수산기 및/또는 나프톨성 수산기를 1분자중에 적어도 2개 이상 함유하는 경화제로서, 상기 실리카(C)가 합성실리카를 1∼99중량%, 천연용융실리카를 99∼1중량% 함유하는 에폭시 수지 조성물 및 그것을 이용하여 반도체 소자를 봉지하여 이루어지는 반도체 장치이다. 그 결과, 성형시에 수지 미충전, 수지 벗겨짐, 와이어 흘러내림, 스테이지 변이 벤트 막힘 등이 없고, 또 반도체 장치의 봉지에 사용할 경우에는 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 내납땜성이 우수한 반도체 장치가 제공된다.

Description

[발명의 명칭]
에폭시 수지 조성물
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 에폭시 수지 조성물, 정밀 부품 및 반도체 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 수지 미충전, 수지 벗겨짐, 와이어 흘러내림, 스테이지 변이 및 벤트 막힘 등의 결함을 일으키지 않고 성형성이 우수한 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지(封止)해서 이루어지는 내습신뢰성, 고온신뢰성, 및 납땜내열성이 우수한 반도체 장치에 관한 것이다.
[종래의 기술]
에폭시 수지, 경화제, 무기충전제 및 기타 각종 첨가제를 함유하는 에폭시 수지 조성물은 다른 조성물에 비해 전기적 특성 및 기계특성 등의 성능이 우수하기 때문에 종래부터 각종 성형재료로서 널리 이용되고 있다.
한편, 반도체 장치, 특히 수지봉지형 반도체 장치는 다른 봉지방법에 의해 얻어지는 반도체 장치와 비교하여 대량 생산성이 우수하고, 또한 저가격으로 반도체 장치를 얻는 이점을 갖는 사실로 인하여 그 적용범위가 증대하고 있다. 그 용도에 이용되는 봉지수지로는 페놀 수지, 실리콘 수지 및 에폭시 수지 등의 조성물이 사용되고 있으나, 경제성, 생산성 및 물성의 밸런스 점에서 에폭시 수지 조성물에 의한 수지봉지가 중심으로 되어 있다. 그런데, 근래의 반도체 장치 분야에 있어서는 반도체 장치의 대면적화, 박형화 및 다(多)판화 등이 패키징(packaging)의 트렌드로 되는 경향이 있고, 이 때문에 수지봉지형 반도체 장치를 제조함에 있어서 몇몇 실용상의 문제가 발생하여 종래의 반도체 봉지용 수지 조성물 적용이 곤란하게 되었다.
그 대표적인 예로는 우선 성형성 문제를 들 수 있다. 즉, 종래의 반도체 봉지용 수지 조성물을 이용할 경우에는, 패키지 형상의 대면적화에 따라 트랜스퍼 성형시에 있어서의 수지의 충전의 불충분하게 되어, 패키지에 핀홀 등의 불량 발생의 무제가 현저하게 나타나고 있다.
또, 동일하게, 다핀화 등의 복잡한 형상의 패키지를 성형할 때에는 패키지의 수지가 일부 벗겨지는 불량, 이른 바, 수지 벗겨짐의 문제를 확인하게 되었다.
또한, 패키지의 박형화에 따라, 허용되는 칩 또는 와이어의 성형에 의한 변이폭이 매우 작아지고 있어서, 종래의 반도체 봉지용 수지 조성물로서는 대응이 매우 곤란하였다.
그리고, 이들 문제에 대처하기 위하여, 종래부터 수지 조성물의 유동성을 개선하는 방법이 시도되고 있으며, 무기충전제의 감량, 겔 타임의 변경 혹은 수지 자체의 변경에 따른 저점도화 등이 검토되지만, 그러한 방법에서는 굴곡강도 및 유리전이점 등의 수지로서의 특성, 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 납땜내열성(반도체 장치를 납땜하는 온도로 처리할 경우, 크랙발생 등이 없는 것) 등의 반도체 장치로서의 신뢰성, 및 성형사이클에 나타나는 양산성 등의 요구되는 모든 특성을 만족하기가 곤란하다.
또한, 유동성을 개량하고자 하면, 트랜스퍼 성형을 반복할 경우, 수지 조성물이 금형의 벤트부에 유입하여 벤트 구멍을 막아 버리는 문제가 있었다.
또, 무기충전제의 필러 형상을 특정화함으로써 수지조성물의 성형시 유동성을 개선하는 것도 시도되고 있으나 이 경우에는 유동성 개선 만큼은 달성할 수 있으나, 반도체 장치의 납땜내열성, 내습신뢰성 및 성형성, 특히 수지벗겨짐 개량에 대해서는 불충분하였다.
유럽 특허공개 0,450,944호 공보에는 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지, 경화제, 특정크기를 갖는 실리카의 조합에 의한 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있고, 납땜내열성이 향상된다는 것이 기재되어 있다. 그러나, 상기 공보에 개시된 수지 조성물에서는 상기 문제점을 충분히 해결할 수 있는 것은 아니었다.
이와 같은 배경기술의 존재에 따라, 본 발명의 목적은 이하와 같다.
1) 성형성
융용점도가 낮고 반복성형에도 금형의 벤트부 막힘이 없으며, 얻어지는 성형품에 수지벗겨짐, 핀홀, 스테이지 변이가 없는 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것.
2) 반도체 장치의 신뢰성
반도체 소자를 봉지하여 반도체 장치로 할 경우, 반도체 장치의 내습신뢰성, 고온신뢰성, 및 납땜내열성이 우수한 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것.
[발명의 개시]
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 「에폭시 수지(A), 경화제(B) 및 무기충전제로 되는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 무기충전제가 실리카(C)를 필수성분으로서 함유하고, 상기 경화제(B)가 페놀성 수산기 및/또는 나프톨성 수산기를 1분자중에 적어도 2개 이상 함유하는 경화제이고, 상기 실리카(C)가 합성 실리카를 1∼99중량%, 천연용융 실리카를 99∼1중량% 함유하는 에폭시 수지 조성물」로 된다. 그 제조방법으로는 「천연으로 존재하는 SiO2를 주성분으로 하는 물질을 용융하여 천연 용융실리카를 얻는 공정, 상기 공정과의 전후는 불문하고, SiO2를 주성분으로 하지 않는 규소 함유물을 화학반응에 의해, SiO2를 주성분으로 하는 합성실리카를 얻는 공정, 에폭시수지(A), 페놀성 수산기 및/또는 나프톨성 수산기를 1분자중에 적어도 2개 이상 함유하는 경화제(B), 상기 공정에 의해 얻어진 합성실리카(실리카 총량에 대하여 1∼99중량%), 및 상기 공정으로 얻어진 천연 용융실리카(실리카 총량에 대하여 99∼1중량%)를 혼합하는 공정으로 되는 에폭시 수지 조성물의 제조방법」으로 된다.
또, 본 발명의 반도체 장치는 상기 에폭시 수지 조성물에 의해 반도체 소자가 봉지되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 에폭시 수지 조성물의 성형성을 대폭 개선할 수 있고, 또한 성형시에 수지 미충전, 수지 벗겨짐, 와이어 변이, 스테이지 변이 및 벤트 막힘 등의 결함을 일으키지 않고, 양호한 반도체 장치를 성형할 수 있다.
또한, 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지하여 얻는 본 발명의 반도체 장치는 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 납땜내열성이 우수하고, 전자부품으로서의 이상적인 성능을 발휘한다. 또, 이 수지조성물은 당연히, 반도체 장치를 필수로 하지 않는 성형물에 대해서도 양호한 성형성을 갖기 때문에 정밀 성형품 용도로서 적합하게 사용할 수 있다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 상태]
이하에, 본 발명의 구성 및 효과에 대하여 상술한다.
본 발명에서 사용되는 에폭시수지(A)란 분자중 에폭시기를 갖는 수지를 특별히 제한하는 것은 아니다.
본 발명에서 사용되는 에폭시 수지(A)의 구체예로는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀 C형 에폭시 수지, 수첨(水添) 비스페놀형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크로졸노볼락형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔고리 등의 지환식 구조 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 및 에폭시 변성 오르가노실리콘 등을 들 수 있고, 이들 에폭시 수지 조성물은 단독으로 또는 2종 이상의 조합으로 사용할 수 있다.
이들 에폭시 수지(A) 가운데서도, 특히 본 발명에 있어서 바람직하게 사용되는 것은 하기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)으로 표시되는 비페닐형 에폭시 수지를 50중량% 이상 함유하는 것이다
(단, 식중의 R은 수소원자, 또는 일가(一價)의 유기탄소기(통상은 탄소수 1∼4)이고, 각각 동일하거나 상이하여도 된다.) 또, 에폭시기의 반응에 의해 중합구조를 일부취하고 있는 것도 사용될 수 있다.
상기 식(Ⅰ)으로 표시되는 에폭시 수지의 바람직한 구체예로는 4,4'-디히드록시비페닐의 디글리시딜에테르, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시비페닐의 디글리시딜에테르,3,3',5,5'-테트라tert-부틸-4,4'-디히드록시비페닐의 디글리시딜에테르, 디메틸디프로필비페놀의 디글리시딜에테르, 및 디메틸비페놀의 디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
본 발명에서 사용하는 경화제(B)는 에폭시 수지(A)와 반응하여 이것을 경화시킬수 있는 것으로서, 페놀기, 크레졸기 및 크실레놀기 등의 페놀성 수산기 및/또는 나프톨성 수산기를 1분자중에 2개 이상 갖는 구조의 경화제이면 특별히 제한은 없다.
본 발명에서 사용하는 경화제(B)의 구체예는 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 나프톨노볼락 수지, 앞에 제시한 이들 노볼락 수지의 공중합체, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페놀아랄킬 수지, 나트톨아랄킬 수지, 트리스히드록시메탄, 트리스히드록시에탄 및 비스페놀 수지, 및 이들의 공중합체 등을 들 수 있다.
또한, 이들 경화제(B)는 이종 이상을 병용하여도 좋고, 그 첨가량은 에폭시 수지(A)100중량부에 대하여 33∼300중량부 범위가 바람직하다. 관능기의 관점에서 기술하면, 에폭시 수지(A)의 에폭시기 당량과 경화제(B)의 수산기 당량의 비(에폭시당량/수산기당량)가 0.7∼1.3 사이가 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 실리카(C)는 합성실리카 1∼99중량%를 필수성분으로 한다. 합성실리카가 적을 경우는 성형시에 수지벗겨짐을 일으키기 쉽고,또, 합성실리키가 많은 경우에는 외부 핀홀 등의 결함을 일으키고, 또한 성형시의 유동성이 불량이 되는 등의 문제를 발생하는 경향이 있다.
여기서 말하는 합성실리카란 출발물질이 SiO2를 주성분으로서 함유하지 않는 물질로서, 또한, 화학반응에 의해 인공적으로 합성된 실리카를 의미하고, 이 합성실리카이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다.
합성실리카의 제조수단으로는, Si를 출발물질로서 산화반응을 이용하여 얻는 방법, 테트라알콕시실란(오로토규산테트라알킬), 모노알킬트리알콕시실란 또는 디알킬디알콕시실란 등을 출발물질로서 졸겔법에 의해 얻는 방법, 테트라클로로실란, 트리클로로실란, 모노알킬트리클로로실란 등을 가수분해한 후, 가열탈수 혹은 직접 산소수소 불꽃에 의해 분해산화하여 얻는 방법, 및 폴리실록산을 출발물질로서, 이것을 산화함으로써 얻는 방법이 예시될 수 있다.
실리카(C)에 있어서의 필수성분인 합성실리카 크기에 대해서는 특별히 제한은 없다. 단, 고온신뢰성, 내습신뢰성, 납땜내열성, 반도체소자에의 상처부여 방지 등을 고려하면, 합성실리카의 평균입자경은 0.1∼30㎛, 특히 0.1∼3.0㎛의 범위가 바람직하다.또한, 여기서 말하는 평균입자경이란 누적중량 50%가 되는 입경(메디안경)을 의미한다.
합성실리카의 크기에 대해서는 특별히 제한은 없다. 단, 고온신뢰성, 내습신뢰성, 납땜내열성, 디바이스칩 등 특별히 상처나기 쉬운 반도체 장치를 성형하는 것 및 불순물의 실리카 부착에 의한 오염 등을 일으키지 않는 것을 고려하면, 합성실리카의 평균입자경은 0.1∼30㎛, 특히 0.1∼3.0㎛의 범위, 더욱더 0.1∼1㎛의 범위가 바람직하다.
또, 합성 실리카의 형상에 대해서는 특별한 제한은 없으나, 성형시의 유동성을 고려하면 실리카 외형이 예각적(銳角的) 형상을 하지 않을 것, 즉 구상인 것이 유리하기 때문에 합성 실리카에 있어서 예각형상을 갖는 것이 50중량% 이하가 바람직하다.
본 발명에서는 실리카(C)의 혼합실리카로서, 합성실리카 1∼99중량% 외에 천연용융 실리카를 99∼1중량% 함유한다.
천연용융 실리카는 규석 등 미리 SiO2를 주성분으로 함유하는 원료를 출발물질로 하여 용융하여 얻어지는 것이다.
천연용융 실리카의 크기에 대해서는 특별히 제한은 없으나 고온신뢰성, 내습신뢰성, 납땜내열성을 고려하면 1∼50㎛, 특히 3∼50㎛ 범위에 있는 것이 바람직하다.
천연용융 실리카의 형상에 대해서는 특별히 제한은 없으나, 성형시의 유동성을 고려하면, 실리카 외형이 예각적인 형상이 아닌 것, 즉 구상이 유리하다. 천연용융 실리카에 함유되는 파쇄형상 즉 예각적 형상을 갖는 입자의 함유량이 실리카(C) 전체의 30중량% 이하가 되는 것이 바람직하다.
또한, 실리카(C)로서의 혼합실리카에 있어서의 합성실리카 및 천연용융 실리카의 배합비율은 합성실리카가 1∼99중량%, 바람직하게는 5∼95중량%, 특히 바람직하게는 배합량의 하한의 양이 5중량%, 10중량%의 순이 바람직하고, 상한은 50중량%, 30중량% 순이 바람직하다. 또, 천연용융실리카는 99∼1중량%, 바람직하게는 95∼5중량%, 특히 배합량의 하한의 양이 50중량%, 70중량% 순이 바람직하고, 상한의 양은 95중량%, 90중량%순이 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 있어서의 실리카(C)의 배합량에 대해서는 특별한 제한은 없으나, 얻어지는 성형물의 고온신뢰성, 내습신뢰성 및 납땜내열성을 향상하기 위해서는 전체의 85중량% 이상, 특히 89중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 실란커플링제의 배합이 유효하다. 실란커플링제는 유기기, 및 알콕시기, 아세톤기, 할로겐원자, 아미노기 등의 가수분해성기가 규소원자에 직결한 화합물을 말한다. 특히 유기기로는 에폭시기를 갖는 것이나 아미노기를 갖는 것이 본 발명의 효과를 현저하게 제공하기 때문에 바람직하게 사용된다. 실란커플링제의 배합량으로는 수지 조성물 전체의 0.01∼5중량% 범위가 바람직하다. 아미노기를 갖는 것중에서 특히 2급 아미노기를 갖는 것, 또한 아미노기 모두가 2급인 것이 더욱 바람직하다. 실란커플링제로는 하기의 것이 예시된다.
무치환의 유기기를 갖는 것으로서, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리클로로실란.
에폭시기를 갖는 것으로서, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란.
아모노기를 갖는 것으로서, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, γ-(2-아미노에틸)아미노프로필트리에톡시실란, γ-아닐리노프로필트리메톡시실란, γ-아닐리노프로필트리에톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란 및 N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란.
기타 종류의 것으로, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필비닐에톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, γ-우레이도프로필트리메톡시실란, γ-우레이도프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란.
본 발명의 에폭시 수지 조성물에 있어서는 폴리에틸렌왁스, 카르바나왁스, 몬탄산왁스 및 스테아르산마그네슘 등의 각종 왁스류, 지방산 금속염, 장쇄지방산, 장쇄지방산의 금속염, 장쇄지방산의 에스테르 또는 아미드 및 각종 변성 실리콘 화합물 등의 각종 이형제를 배합할 수 있다.
반도체소자의 용도에서는 난연성이 요구되는 경우가 있기 때문에, 브롬화비스페놀 A의 글리시딜에테르, 브롬화크레졸노볼락, 브롬화에폭시 수지 등의 유기할로겐 화합물이나 인화합물 등의 난연제가 배합된다. 또, 삼산화안티몬, 사산화안티몬, 오산화안티몬 등의 난연보조제를 배합할 수 있다. 본 발명의 수지조성물에 있어서는 이들 난연제, 난연 보조제에 기인하는 할로겐 원자, 안티몬 원자는 적은 쪽이 고온신뢰성, 내습신뢰성, 납땜내열성 관점에서 바람직하고 각 원자의 함유량이 에폭시 수지 조성물에 있어서 0.2중량% 이하가 바람직하다.
무기충전제로는 실리카(C) 이외에, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위내에서 알루미나, 지르코니아, 마그네시아, 봉규산유리, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 클레이, 활석, 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 및 하이드로탈사이드 등의 무기화합물을 필요에 따라 함유할 수 있다. 본 발명의 에폭시 수지 조성물에 있어서의 무기충전제 배합량에 대해서는 특별히 제한은 없으나, 얻어지는 성형물의 고온신뢰성, 내습신뢰성 및 납땜내열성을 향상하기 위해서는 전체의 85중량% 이상, 특히 89중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 에폭시 수지 조성물에는, 트리페닐포스핀, 트리-m-트릴포스핀, 트리-p-트리포스핀, 트리-a-트릴포스핀, 트리스-(2,6-디메톡시페닐)포스핀 등의 각종 포스핀 화합물, 테트라페닐 포스포늄브로미드, 테트라에틸포스포늄브로미드, 테트라부틸포스포늄브로미드, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라에틸포스포늄테트라페닐보레이트 및 테트라부틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 각종 포스포늄염 및 이미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-페닐이미다졸, 2-페닐이미다졸, 1-벤질이미다졸, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7(DBU), DBU의 페놀, DBU페놀보락염, DBU옥틸염, DBUp-톨루엔술폰산염 및 1,5-디아자비시클로(4,3,0)노넨-5(DBN)등의 각종 아민 화합물 등의 각종 경화촉진제가 배합된다. 또 카본블랙 및 산화철 등의 각종 착색제, 각종 안료, 실리콘고무, 올레핀계 공중합체, 변성니트릴고무, 변성폴리부타디엔고무 등의 각종 탄성중합체, 폴리에틸렌 등의 각종 열가소성 수지, 유기과산화물등의 가교제도 배합된다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지(A), 경화제(B), 무기충전제 및 기타첨가제를, 가령 벤버리믹서 등에 의해 혼합한 후, 단축 또는 이축의 압출기, 니더 및 열롤등의 각종 혼련기를 이용하여 용융혼련하고, 냉각후 분쇄하는 등으로 제조할 수 있다.
이렇게 하여 얻어진 본 발명 조성물은 정밀부품을 형성하는 것이 가능하며, 특히 실리카(C)를 수지조성물중 85중량% 이상 함유하는 조성물을 이용한 정밀부품은 치수안정성이 우수하다. 정밀부품의 형상은 정밀부품에 외접하는 구(球)를 가상할 경우에 있어서, 그 구가 취할 수 있는 최소지름이 30mm 이하의 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 반도체 장치는 상기 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 봉지한 것을 특징으로 하고, 양호한 상품외관성과 함께 우수한 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 내납땜성을 겸비한다.
[실시예]
이하에, 실시예와 비교예를 들어 본 발명의 효과를 더욱 구체적으로 설명한다.
또한, 실시예와 비교예에 앞서 이하의 실시예와 비교예에서 사용하는 합성실리카의 합성예를 설명한다.
[합성예 1]
에탄올 용매중에 오로소규산테트라에틸 1몰에 대하여 암모니아 및 물을 각각 1몰 및 4몰 비율로 혼합, 가수분해함으로써 얻은 실리카를 건조후, 소성, 분쇄한 파쇄형상의 합성실리카 A-1을 준비하였다.
한편, 상기 합성실리카 A-1을 다시 소정시간 분쇄하여 눈지름 74㎛의 체에 쳐서 파쇄 형상의 합성실리카 A-2를 얻었다.
레이저 산란법에 의해 구한 합성실리카 A-1 및 A-2의 평균입자경은 각각 50㎛ 및 20㎛였다.
[합성예 2]
에탄올 용액중에 오르소규산테트라에틸 1몰에 대하여 γ-아미노프로필트리메톡시실란 및 물을 각각 1몰 및 50몰 비율로 용해혼합하여 생긴 백탁액(白濁液)을 분리하여 물/메탄올:1/1의 혼합액으로 처리한 후, 500℃에서 24시간 건조함으로써 구상의 합성실리카 A-3을 얻었다. 레이저 산란법에 의해 구한 합성실리카(C)의 평균입자경은 0.3㎛였다.
[합성예 3]
출발물질로서 트리클로로실란을 사용하여, 정법(定法)에 의해 가수분해, 가열을 행함으로써 얻은 평균입자경 12㎛의 합성실리카 A-4 및 평균입자경 40㎛의 합성실리카 A-5를 준비하였다.
또, 동일하게 금속규소를 출발물질로 하여 폭발적인 기상(氣相) 산화, 응집고화과정을 거쳐 얻은 평균입자경 0.5㎛의 합성실리카 A-6 및 평균입자경 1.0㎛의 합성실리카 A-7을 준비하였다.
한편, 규석을 용융하여 얻은 실리카를 파쇄 또는 구상화함으로써 형상 및 평균입자경이 각각 상위한 5종류의 천연용융 실리카 B-1∼B-5를 준비하였다.
이들 실리카의 형상, 평균입자경, 및 타입을 정리하면, 표 1과 같다.
사용한 각종 실리카
[표 1]
[실시예 1∼20, 비교예 1∼13]
하기 에폭시수지 (Ⅰ)∼(Ⅳ), 하기 경화제(Ⅰ)∼(Ⅳ), 상기 합성실리카(A-1)∼(A-6) 및 하기 천연용융 실리카 (B-1)∼(B-5)를 각각 표 2∼표 5에 표시한 비율로 혼합한 합계 100중량부에 대하여 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란 0.6중량부, 몬탄산왁스 0.3중량부 및 카본블랙 0.1중량부를 각각 배합하고, 다시 에폭시 수지와 경화제 합계 100중량부에 대하여 트리페닐포스핀 1.0중량부 첨가하여, 믹서를 사용하여 드라이블렌드한 후, 압출기로 용융혼련함으로써 에폭시 수지 조성물을 얻었다. 다시 분쇄한 뒤 타블렛(정제)화하였다.
각 에폭시 수지 조성물의 특성 및 이들 에폭시 수지조성무을 봉지함으로써 얻어진 반도체 장치의 성능을 하기 평가기준에 따라 평가한 결과를 표 2∼5에 함께 표시한다.
[에폭시 수지의 종류]
Ⅰ…3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디히드록시비페닐의 디글리시딜에테르(에폭시등량 195)
Ⅱ…4,4'-디히드록시비페닐의 디글리시딜에테르와 상기 Ⅰ와의 1대1(중량비)혼합물
Ⅲ…오르소크레졸노볼락을 글리시딜에테르화한 것(에폭시등량 200)
Ⅳ…비스페놀 A를 글리시딜에테르화한 것(에폭시등량 185)
[경화제 종류]
Ⅰ…페놀노볼락(수산기당량 107)
Ⅱ…페놀/나프톨의 공중합노볼락(수산기당량 114)
Ⅲ…페놀/p-메톡시크실렌의 축합공중합물(자이록)(수산기당량 175)
Ⅳ…트리스(히드록시페닐)메탄(수산기당량 97)
[평가기준]
용융점도
에폭시 수지 조성물의 타블렛을 사용하여 고화식(高化式) 점도계에 의해 175℃의 최저 용융점도를 구하였다.
열시경도(熱詩硬度)
에폭시 수지 조성물에서, 성형온도;175℃, 성형시간; 90초 조건으로 직경; 4인치, 두께; 3mm의 원판을 성형하고, 성형직후의 바콜경도를 구하였다.
성형성
에폭시 수지 조성물에서, 성형온도;175℃, 성형시간;90초 조건으로 160pin, QFP(QUAD FLAT PACKAGE)를 성형하고, 그 외관을 육안관찰함으로써 수지벗겨짐, 핀홀을 판정하고, 또 성형시의 금형의 벤트 막힘을 다음 기준으로 평가하였다.
ㆍ수지 벗겨짐
5점 : 벗겨짐 없음
4점 : 표면의 2% 미만으로 벗겨짐 있음
3점 : 표면의 2% 이상 5% 미만으로 벗겨짐 있음
1점 : 표면의 5% 이상으로 벗겨짐 있음
ㆍ핀홀
10개의 성형품에 의해 이하 기준으로 판정하였다.
5점 : 핀홀 없음
4점 : 직경 0.5mm 이하의 외부핀홀이 1개당 0.8개 미만 있음
3점 : 직경 0.5mm 이하의 외부핀홀이 1개당 0.8∼2개 있음
1점 : 직경 0.5mm 이하의 외부핀홀이 2개 이상 존재하거나 또는 직경 0.5mm를 넘는 외부 핀홀이 1패키지당 1개를 초과하여 있음
ㆍ벤트 막힘
4회의 연속 쇼트 및 8쇼트의 연속 성형을 행하여 각 연속성형 후의 금형벤트부 막힘을 관찰하였다.
5점 : 8쇼트의 연속성형에서 벤트막힘 없음
4점 : 8쇼트의 연속성형후에 미소한 막힘 있음. 4쇼트 후에는 막힘 없음.
3점 : 4쇼트의 연속성형후, 미소한 벤트막힘 있음
1점 : 4쇼트의 연속성형으로 4쇼트째에 벤트부 막힘에 기인한 패키지 미충전 발생
ㆍ스테이지 변이
또, 칩 사이즈 12×12mm, 패키지 사이즈 28×28mm×3.4mm(두께)의 160pin QFP를 성형하고, 180℃, 5시간의 후경화하였다. 얻어진 시험편을 아일랜드면에 대하여 수직으로 절단하여 현미경으로 단면관찰하여 스테이지 변이 유무를 다음 기준으로 평가하였다.
5점 : 스테이지가 패키지내에 있고, 소망하는 위치에서 이동한 거리의 최대치가 25㎛미만
4점 : 스테이지가 패키지내에 있고, 소망하는 위치에서 이동한 거리의 최대치가 25~50㎛초과
3점 : 스테이지가 패키지내에 있고, 소망하는 위치에서 이동한 거리의 최대치가 50㎛를 초과
1 : 스테이지가 패키지 표면에 노출
고온신뢰성
실리콘칩에 알루미늄 증착에 의한 배선을 행하고, 알루미늄 패드부분을 제외하여 질화막의 패시베이션(Pasivation : 표면안정화)을 행한 반도체소자를 금와이어에 의해 알루미늄 배드와 내부 리드를 결선하고 각 에폭시 수지 조성물을 이용하여 16pin DIP(Dual Inline Package)를 성형한 후, 180℃, 5시간 조건으로 후경화하였다. 이 디바이스를 260℃ 납땜욕에서 120초간 침지한 후 190℃의 분위기하에 방치하였다. 50시간마다 배선저항을 측정하여 저항치가 초기치의 10배가 되기까지의 시간을 구하고, 이 시간을 고온신뢰성으로 하였다. 긴 쪽이 바람직하다.
내습신뢰성
고온신뢰성의 경우와 동일하게 하여 얻은 디바이스를 260℃의 납땜욕에 120초간 침지한 후, 121℃, 100% RH의 조건하에 방치하였다. 50시간 측정을 행하고, 단선에 이르기 까지의 시간을 구하고, 이것을 내습신뢰성으로 하였다. 기간이 긴 쪽이 바람직하다.
납땜내열성
폴리이미드 코팅한 실리콘칩을 다이본드한 100pin QFP를 각 에폭시 수지 조성물로 봉지하고, 175℃, 5시간 조건으로 후경화하여 복수의 샘플을 작성하였다. 이어서, 85℃, 85% RH 조건하에서 복수의 시간(12시간씩)으로 보관한 샘플을 조제한 후, 이들 샘플을 최고도달온도 260℃의 IR 리플로(reflow)를 걸었다. 리플로후 외부크랙의 유무를 관찰하고, 크랙발생이 보이는 샘플의 IR 리플로 전의 85℃, 85% RH에서의 방치시간의 최소치를 납땜내열성으로 하였다. 시간이 긴 쪽이 바람직하다.
[표 2]
1) 실리카량 : 전 조성물중에 있어서의 실리카 함유량 (중량%)
2) 합성실리카량 : 전 실리카중에 있어서의 합성실리카 함유량 (중량%)
[표 3]
1) 실리카량 : 전 조성물중에 있어서의 실리카 함유량 (중량%)
2) 합성실리카량 : 전 실리카중에 있어서의 합성실리카 함유량 (중량%)
[표 4]
1) 실리카량 : 전 조성물중에 있어서의 실리카 함유량 (중량%)
2) 합성실리카량 : 전 실리카중에 있어서의 합성실리카 함유량 (중량%)
*는 반도체 장치가 얻어지지 않고 평가불능이었음을 뜻함.
[표 5]
1) 실리카량 : 전 조성물중에 있어서의 실리카 함유량 (중량%)
2) 합성실리카량 : 전 실리카중에 있어서의 합성실리카 함유량 (중량%)
[실시예 21∼24]
실시예 1∼20에 사용한 γ-글리시독시프로필트리에톡시실란 대신, 2급 아미노기를 갖는 실란커플링제인 N-(N-페닐아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란을 사용하여 실시예 1∼19와 동일하게 평가하였다. 평가결과를 표 6에 표시한다.
[표 6]
1) 실리카량 : 전 조성물중에 있어서의 실리카 함유량 (중량%)
2) 합성실리카량 : 전 실리카중에 있어서의 합성실리카 함유량 (중량%)
표 2∼3,6의 결과에서 분명한 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물(실시예 1∼20)은 수지 미충전, 수지 벗겨짐, 스테이지 변이 및 벤트 막힘 등의 결함이 거의 발생하지 않고, 성형성이 우수하며, 이 에폭시 수지 조성물을 이용하여 봉지하여 구성되는 반도체 장치는 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 내스테이지 변이방지성, 납땜내열성이 균형을 이루어 우수하다. 특히 에폭시 수지로서 Ⅰ의 것, 즉 비페닐형 에폭시를 갖는 것을 사용할 경우나,실리카량이 85% 이상, 특히 89중량% 이상의 경우에 이들 효과는 현저하다. 또, 실란커플링제로서 모든 아미노기가 2급인 아미노기를 갖는 실란커플링제를 사용할 경우에, 더욱 효과가 현저하다.
이에 대하여, 합성실리카를 단독으로 사용할 경우 천연용융실리카를 단독으로 사용할 경우는 성형성이 떨어질 뿐만 아니라, 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻을 수 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 성형시에 수지 미충전, 수지 벗겨짐, 스테이지 변이 및 벤트 막힘 등의 어떠한 결함을 발생하지 않고, 성형성이 매우 우수하기 때문에 정밀성형부품으로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 상기 에폭시수지 조성물을 이용하여 봉지하여 얻어지는 본 발명의 반도체 장치는 내습신뢰성, 고온신뢰성 및 납땜내열성이 우수하여, 전자부품으로서의 이상적 성능을 발휘한다.
[산업상의 이용분야]
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 성형성이 양호하기 때문에 각종 정밀부품에 이용할 수 있음과 동시에 반도체소자를 봉지할 경우 양호한 신뢰성을 갖는 반도체 장치가 제공된다.

Claims (17)

  1. 에폭시수지(A), 경화제(B) 및 무기충전제로 구성되는 에폭시 수지 조성물에 있어서,
    에폭시 수지(A)는 비페닐형 에폭시수지이며, 무기충전제가 실리카(C)를 필수성분으로 함유하고, 상기 경화제(B)가 페놀성 수산기 및/또는 나프톨성 수산기를 1분자중에 적어도 2개 이상 함유하는 경화제이고, 상기 실리카(C)가 합성 실리카를 1∼99중량%, 천연용융실리카를 99∼1중량% 함유하며, 무기 충전제가 수지 조성물중 85중량% 이상이고, 실리카(C) 함유량이 수지 조성물중 85중량% 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 에폭시 수지(A)가 하기 일반식(Ⅰ)으로 표시되는 비페닐형 에폭시 수지를 필수성분으로 함유하는 것을 특징으로하는 에폭시 수지 조성물.
    (단, 식중 R은 수소원자, 또는 1가의 유기탄소기로서, 각각 동일하거나 상이하여도 된다.)
  3. 제1항에 있어서, 에폭시 수지(A)가 하기 일반식(Ⅱ)으로 표시되는 비페닐형 에폭시 수지를 필수성분으로 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
    (단, 식중 R은 수소원자, 또는 1가의 유기탄소기로서, 각각 동일하거나 상이하여도 된다.)
  4. 제1항에 있어서, 혼합실리카가 구상의 합성실리카 5∼50중량% 및 천연용융실리카 95∼50중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 혼합실리카가 구상의 합성실리카를 10∼50중량% 및 천연용융실리카 90∼50중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 천연용융실리카에 함유되는 파쇄형상을 갖는 실리카 함유량이 30중량%이하인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 실리카(C)에 함유되는 합성실리카가 0.1∼30㎛의 평균입자경을 가지고, 또 실리카(C)에 함유되는 천연용융실리카 1∼50㎛의 평균입자경을 갖는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 실리카(C)에 함유되는 합성실리카가 0.1∼3㎛의 평균입자경을 가지고, 또 실리카(C)에 함유되는 천연용융실리카가 3∼50㎛의 평균입자경을 갖는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 에폭시기를 갖는 유기기가 규소원자에 직결한 실란커플링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 아미노기를 갖는 유기기가 규소원자에 직결한 실란커플링제를 함유하는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 실란커플링제의 아미노기가 2급 아미노기인 실란커플링제인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 조성물중의 할로겐 원자의 함유량이 0.2중량% 이하이고, 또한 안티몬 원자의 함유량이 0.2중량% 이하인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  13. 제1항 기재의 에폭시 수지 조성물을 성형하여 형성되는 것을 특징으로 하는 정밀부품.
  14. 제1항에 있어서, 반도체 봉지용인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  15. 제14항 기재의 에폭시 수지 조성물에 의해 반도체소자가 봉지되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 천연으로 존재하는 SiO2를 주성분으로 하는 물질을 용융하여 천연용융실리카를 얻는 공정.
    상기 공정과의 전후를 불문하고 SiO2를 주성분으로 하지 않는 규소 함유물을 화학반응에 의해 SiO2를 주성분으로 하는 합성실리카를 얻는 공정.
    에폭시 수지(A), 페놀성 수산기 및/또는나프톨성 수산기를 1분자중에 적어도 2개 이상 함유하는 경화체(B), 상기 공정에 의해 얻어진 합성실리카(실리카 총량에 대하여 1∼99중량%) 및 상기 공정에서 얻어진 천연용융실리카(실리카 총량에 대하여 99∼1중량%)를 혼합하는 공정으로 이루어지며, 에폭시수지(A)가 비페닐형 에폭시를 필수 성분으로 하고, 실리카 배합량이 수지 조성물에 대하여 85중량% 이상이며, 실리카에 대한 합성 실리카 배합량이 5∼50중량%, 천연용융실리카 배합량이 95∼50중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 봉지용 에폭시 수지조성물의 제조방법.
  17. 제16항의 제조방법에 따라 에폭시 수지 조성물을 얻은 후, 그 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 소자를 트랜스퍼 성형법으로 봉지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100440599B1 (ko) * 1995-12-30 2004-10-28 고려화학 주식회사 반도체소자밀봉용수지조성물 및 이의 제조방법
JPH10176036A (ja) * 1996-12-19 1998-06-30 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH10195179A (ja) * 1997-01-08 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
SG63803A1 (en) * 1997-01-23 1999-03-30 Toray Industries Epoxy-resin composition to seal semiconductors and resin-sealed semiconductor device
US6297332B1 (en) * 1998-04-28 2001-10-02 Mitsui Chemicals, Inc. Epoxy-resin composition and use thereof
JP4004160B2 (ja) 1998-09-21 2007-11-07 協和化学工業株式会社 ウラン（ｕ）含量の少ないハイドロタルサイト類化合物およびその製造法
JP3349963B2 (ja) 1998-10-21 2002-11-25 日本電気株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2000332165A (ja) * 1999-05-17 2000-11-30 Toray Ind Inc 半導体封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
KR100706675B1 (ko) * 1999-08-06 2007-04-11 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 에폭시계수지 조성물 및 반도체장치
EP1788016A1 (en) * 1999-11-12 2007-05-23 General Electric Company Radiation curable silicone composition
US6882058B2 (en) * 2002-11-05 2005-04-19 Henkel Corporation Organic acid containing compositions and methods for use thereof
GB0314372D0 (en) * 2003-06-20 2003-07-23 Dana Corp Bearings
JP4421972B2 (ja) * 2004-04-30 2010-02-24 日東電工株式会社 半導体装置の製法
JP5396687B2 (ja) * 2005-01-13 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
US8048969B2 (en) * 2005-04-25 2011-11-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP4844725B2 (ja) * 2005-04-25 2011-12-28 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20060241215A1 (en) * 2005-04-25 2006-10-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP4890804B2 (ja) * 2005-07-19 2012-03-07 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN101208386B (zh) * 2005-08-02 2012-07-18 第一毛织株式会社 一种用于封装半导体设备的环氧树脂组合物
WO2007077779A1 (ja) * 2006-01-06 2007-07-12 Toagosei Co., Ltd. 硫酸イオン無機捕捉剤、無機捕捉組成物並びにそれらを用いた電子部品封止用樹脂組成物、電子部品封止材、電子部品、ワニス、接着剤、ペーストおよび製品
KR101051865B1 (ko) * 2006-09-14 2011-07-25 파나소닉 전공 주식회사 프린트 배선판용 에폭시 수지 조성물, 수지 조성물 바니시,프리프레그, 금속 피복 적층체, 프린트 배선판 및 다층 프린트 배선판
TW200837137A (en) 2007-01-26 2008-09-16 Hitachi Chemical Co Ltd Sealing film and semiconductor device using the same
JP2008192978A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
CN101575478B (zh) * 2008-05-05 2011-06-22 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种环氧树脂超疏水涂层的制备方法
JPWO2010053207A1 (ja) * 2008-11-07 2012-04-05 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物、感光性接着フィルムおよび受光装置
KR101326960B1 (ko) * 2011-05-20 2013-11-13 엘지이노텍 주식회사 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판
KR101326934B1 (ko) * 2011-08-31 2013-11-11 엘지이노텍 주식회사 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 방열회로기판
CN103709895B (zh) * 2013-12-05 2016-08-17 江苏金波新材料科技有限公司 一种用于管材的防腐涂料
CN113185804A (zh) * 2020-01-14 2021-07-30 广东生益科技股份有限公司 一种树脂组合物、包含其的粘结片及其应用

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5773955A (en) * 1980-10-27 1982-05-08 Nec Corp Resin sealed type semiconductor device
JPS58151318A (ja) * 1982-02-26 1983-09-08 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成シリカおよびこれを含有してなる電子部品封止用樹脂組成物
US4383060A (en) * 1982-06-01 1983-05-10 General Motors Corporation Epoxy adhesive for structurally bonding molded SMC
JPS6197322A (ja) * 1984-10-19 1986-05-15 Denki Kagaku Kogyo Kk エポキシ樹脂組成物
JPS61268750A (ja) * 1985-05-22 1986-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS62132944A (ja) * 1985-12-05 1987-06-16 Toshiba Ceramics Co Ltd 超ｌｓｉメモリ封止樹脂用石英ガラス充填剤
JPS62151557A (ja) * 1985-12-25 1987-07-06 Nisshin Steel Co Ltd 蒸着メツキの蒸着制御方法
JPS62151447A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US4968538A (en) * 1987-01-14 1990-11-06 Freecom, Inc. Abrasion resistant coating and method of application
US5157061A (en) * 1988-04-05 1992-10-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Epoxy resin containing an epoxy resin-modified silicone oil flexibilizer
JPH0675384B2 (ja) * 1989-06-26 1994-09-21 浜松ホトニクス株式会社 半導体光電面構造
JPH082938B2 (ja) * 1989-09-11 1996-01-17 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物
KR950011902B1 (ko) * 1990-04-04 1995-10-12 도오레 가부시끼가이샤 반도체 장치 캡슐 봉입 에폭시 수지 조성물
JPH0733429B2 (ja) * 1990-04-04 1995-04-12 東レ株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH0778108B2 (ja) * 1990-06-18 1995-08-23 東レ株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0463846A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Nippon Chem Ind Co Ltd シリカフィラーおよびその製造方法
JP2501143B2 (ja) * 1991-04-26 1996-05-29 東レ株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3018585B2 (ja) * 1991-06-19 2000-03-13 東レ株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP2595854B2 (ja) * 1991-12-02 1997-04-02 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JPH05160302A (ja) * 1991-12-04 1993-06-25 Nippon Steel Chem Co Ltd 半導体封止用樹脂組成物
EP0589143B1 (en) * 1992-09-21 1997-01-15 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxy resin composition based on diglycidylether of biphenyldiol

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