KR0185157B1 - 알루미늄을 착색시키기 위한 착색 중탕용 전해질 첨가물 및 알루미늄의 착색방법 - Google Patents

알루미늄을 착색시키기 위한 착색 중탕용 전해질 첨가물 및 알루미늄의 착색방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 음이온화 알루미늄 표면의 교류 착색을 위하여 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색 중탕용의 신규 전해질 첨가물로서, 화학식(1) 내지 (4) 중의 하나에 상응하는 하나 이상의 산화방지제 및 화학식(5)에 상응하는 하나 이상의 전착 향상제(spread improver)의 합성 혼합물로 이루어져 있는 전해질 첨가물에 관하여 기술하고 있다.

Description

알루미늄을 착색시키기 위한 착색 중탕용 전해질 첨가물 및 알루미늄의 착색 방법
본 발명은 양극산화 알루미늄 표면의 교류착색을 위하여 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색중탕용의 신규 전해질 첨가물에 관한 것이며, 이는 화학식(1) 내지 (4)중의 하나에 상응하는 하나 이상의 산화방지제 및 화학식(5)에 사응하는 하나 이상의 전착 향상제(throw improver 또는 spread improver)의 합성 혼합물로 이루어져 있다. 또한 본 발명은 본 발명에 따른 전해질 첨가물을 사용하여 양극산화 알루미늄 표면의 교류 착색 방법에 관한 것이다.
알루미늄은 이의 기본 특성 때문에, 일반적으로 0.1㎛ 이하의 두께의 천연 산화물 피복물로 덮혀 있다고 알려져 있다(Wernick, Pinner, Zurbrgg, Weiner ; Die Oberflchenbehandlung von Aluminium (The Surface Treatment of Aluminium), 2nd Edition, Eugen Leuze Verlag, Saulgau / Wrtt., 1977).
상당히 더 두꺼운 산화물 피복물이 알루미늄의 전해질 산화에 의하여 얻어질 수 있다. 이러한 과정은 양극산화로 알려져 있다. 황산, 크롬산 또는 인산이 전해질로서 바람직하게 사용될 수 있다. 유기산, 예컨대 옥살산, 말레산, 프탈산, 살리실산, 술포살리실산, 술포프탈산, 타르타르산 또는 시트르산도 몇몇 과정에서 사용될 수 있다.
그러나, 황산이 가장 일반적으로 사용되는 전해질이다. 양극산화 상태에 따라, 150㎛ 이하의 층두께가 이러한 과정에서 얻어질 수 있다. 하지만, 20 내지 25㎛의 층두께는 외부적 용도, 예컨대 외관 치장 또는 윈도우 프레임용으로 충분하다.
양극산화 과정은 요구되는 층두께 및 특정 분야에 따라, 일반적으로 1.5A/dm2의 전류 밀도와 10 내지 20% 황산 중에, 18 내지 22℃의 온도에서 15 내지 60분의 기간으로 수행된다.
이로써 얻어진 산화물 피복물은 다수의 유기 및 무기 물질 또는 염료에 대하여 높은 흡수능을 갖는다.
양극산화 알루미늄을 중금속염 용액 중에서 교류로 처리하여 착색시키는 전해질 착색 과정은 13세기 중엽부터 알려져 있다. 사용되는 중금속은, 무엇보다도, 첫번째 전이금속 계열의 원소, 예컨대 Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu 및 특히 Sn 이다. 중금속염은 일반적으로 황산염이며, 0.1 내지 2.0의 pH 값은 황산으로 조정된다. 착색과정은 약 10 내지 25V의 전압 및 이에 따른 전류밀도에서 수행된다. 카운터-전극은 흑연 또는 스테인레스 강으로 구성되거나 전해질에서 분해되는 동일 물질로 구성된다.
이러한 과정에서, 중금속 안료는 알루미늄이 음극인 교류의 반주기내에 양극 산화물 피복물의 세공에 침착되고, 알루미늄 산화물 피복물은 두번째 반주기내에 양극 산화에 의하여 더욱 두꺼워진다. 중금속은 세공 밑바닥에 침착되므로써 산화물 피복물을 착색시킨다.
그러나, 착색을 주석 전해질에서 수행하면서 부닥치는 문제점 중의 하나는 주석이 쉽게 산화되면서 염기성 주석(Ⅳ) 산화물이 수화되어(주석산으로) 사용 동안에, 몇몇 경우에는 주석 용액의 저장 동안에 조차도 용이하게 침전되어진다는 것이다. 주석(Ⅱ) 황산염 수용액이 대기중의 산소에 노출되거나 전류가 가해졌을 때 전극에서 일어나는 반응에 의하여 간단히 주석(Ⅳ) 화합물로 산화된다는 것이 공지되어 있다. 이는 주석 전해질 중의 양극산화 알루미늄의 착색에 매우 바람직하지 못한데, 그 이유로는 한편으로는 이것이 연속 공정을 방해하고(침전물의 생성에 의하여 사용할 수 없는 용액을 자주 교환하거나 배출하여야 함), 다른 한편으로는 착색용으로 사용될 수 없는 주석(Ⅳ) 화합물 때문에 상당한 추가적 비용을 야기시키기 때문이다. 따라서, 일반적으로 황산을 안정화시키기 위하여 알루미늄의 전해질 착색용 주석(Ⅱ) 황산염이 사용되는 방법면에서 특히 구별되는 다양한 공정이 개발되었다.
페놀 술폰산, 크레졸 술폰산 또는 술포살리실산과 같은 페놀형 화합물이 지금까지 가장 일반적으로 사용되었다(참조, 예를 들면, S. A. Pozzoli, F. Tegiacchi ; Korros. Korrosionsschutz Alum, Veranst. Eur. Foed. Korros. Vortr. 88th 1976, 139~45 또는 공고된 일본 특허출원 JP-A-78 13583, 78 18483, 77 135841, 76 147436, 74 31614, 73 101331, 71 20568, 75 26066, 76 122637, 54 097545, 56 081598 및 GB-C-1,482,390).
예를 들면, 디페놀 히드로퀴논, 피로카테콜 및 레소르시놀과 같은 다가 페놀(참조, 공고된 일본 출원 JP-A-58 113391, 57 200221 및 FR-C-23 84 037)및 트리페놀 플로로글리시놀(JP-A-58 113391), 피로갈롤(S. A. Pozzoli, F. Tegiacchi ; Korros. Korrosionsschutz Alum., Veranst. Eur. Foed. Korros., Vortr., 88th 1976, 139~45 또는 공고된 일본 특허출원 JP-A-58 113391 및 57 200221) 및 갈산(JP-A-53 13583)도 이와 관련하여 기술되어 있다.
전해질 착색시에 다른 중요한 문제점은 균일하게 착색된 카운터-전극으로부터 떨어진 거리상에 놓여 있는 양극산화 알루미늄 부품을 착색시키는 제품의 능력으로서 이해되는 소위 균일 전착성(throwing power ; depth throwing)에 있다. 양호한 균일 전착성은 사용되는 알루미늄 부품이 복잡한 형상일 경우(함몰 부분의 착색시에), 알루미늄 부품을 단일 착색공정에서 동시에 착색하여야만 하고 중간 색조가 얻어져야만 할 경우에 경제적 이유 때문에 특히 중요하다. 따라서, 실제로 잘못된 생산을 피하면서 착색된 알루미늄 부품의 광학 품질을 일반적으로 더욱 좋게 하여야 하기 때문에, 높은 균일 전착성이 상당히 바람직하다. 본 발명의 공정은 수개의 부품을 단일 조작에서 착색시킬 수 있기 때문에 양호한 균일 전착성에 의하여 더욱 경제적이다.
균일 전착성은 균일성과 다른 의미이며 투명성은 이들 두 가지 특성 사이에서 이끌어 내어야 한다. 균일성은 색감에서 최소한의 가능한 극소적 변화에 따른 착색이다(patchy coloring). 빈약한 균일성은 질산염과 같은 불순물에 의하거나 양극산화 공정중의 착오에 의하여 일반적으로 야기된다. 양호한 착색 전해질은 착색의 균일성에 역효과를 주지 말아야 한다.
비록 착색 공정이 높은 균일성을 달성할 수 있지만, 이는 여전히 빈약한 균일 전착성을 가질 수 있으며 ; 또는 역관계도 가능하다. 일반적으로, 균일성은 전해질의 화학적 조성에 의하여서만 영향을 받지만, 균일 전착성은 예를 들면 제품의 형태 또는 이의 위치 및 크기와 같은 전기적, 기하학적 인자에도 영향을 받는다.
DE-A-26 09 146에는 균일 전착성을 특정 회로 및 전압 배열을 통하여 달성하는 주석 전해질 중의 착색 방법이 기술되어 있다.
DE-A-24 28 635에는 양극산화적으로 에폭시화된 알루미늄 입자를 회색 색조로 전해질 착색하는데, 황산과 붕산 그리고 방향족 카르복실산과 술폰산(술포프탈산 또는 술포살리실산) 외에 주석(Ⅱ)염과 아연염의 배합물을 사용하는 것에 관하여 기술되어 있다. 착색효과에서 우수한 균일전착성은 특히 pH값이 1 내지 1.5일 때 얻어질 수 있다고 알려져 있다. 1~1.5로의 pH 조정은 양호한 전해질 착색을 위한 기본적인 전제조건이다. 첨가되는 유기산이 균일 전착성에 영향을 주는지 안 주는지에 관해서는 언급이 없으며, 균일 전착성이 정량적으로 달성되는지에 대해서도 기술되어 있지 않다.
DE-C-32 46 704호에는 양호한 균일 전착성이 착색 중탕의 특별한 기하학적 형태의 사용으로 보장되어진다는 전해질 착색 방법에 관하여 기술되어 있다. 이외에도, 덱스트린 및/또는 티오우레아 및/또는 젤라틴과 같은 크레졸 및 페놀 술폰산, 유기물질이 균일한 착색을 보장한다고 기술되어 있다. 이러한 공정의 단점은 필요한 장치의 설치에 포함되는 높은 자본 비용에 있다. 덱스트린, 티오우레아 및 젤라틴과 같은 점착 억제제의 첨가는 균일 전착성에 약간의 영향만을 주는데, 그 이유는 전해질 착색의 침착과정은 전해-주석 도금에서의 과정과 상당한 차이가 있기 때문이다.
또한 상기 특허 문헌에는 균일 전착성의 증진을 측정하는 가능한 수단에 관해서도 언급이 없다.
또한, 본 출원인의 유럽 특허출원 EP-A-354 365에는 금속염을 사용한 양극산화 알루미늄 표면의 전해질 착색 방법에 관하여 기술되어 있고, 여기서 화학식(1) 및 (4)(청구범위 참조)에 상응하는 산화 방지제는 전착 향상제인 P-톨루엔 술폰산 및/또는 나프탈렌 술폰산과 함께 사용되고 있다. 그러나, 이 문헌에서 언급된 전착 향상제는 전해시에 더럽고 냄새나는 분해 생성물을 유발시켜 이들 전착 향상제는 더 이상 사용될 수 없다.
한편, 본 발명의 목적은 앞에서 서술한 선행기술상의 문제점을 극복할 수 있는 예컨대 착색 중탕의 지속적인 안정성을 보장하고, Sn(Ⅱ)의 산화반응을 피하면서, 동시에 양호한 균일 전착성을 보장하는, 양극산화 알루미늄 표면의 교류 착색을 위한 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색 중탕용 신규 전해질 첨가물을 제공하는데 있다.
따라서, 본 발명은 하나 이상이 산화방지제 및 하나 이상의 전착 향상제를 함유하는 양극산화 알루미늄 표면의 교류 착색을 위한 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색 중탕용 전해질 첨가제에 관한 것으로서, 이러한 전해질 첨가제가 (a)산화방지제로, 하기 화학식(1) 내지 (4) :
(상기 식들에서, R1및 R2는 수소, 탄소수 1 내지 22의 알킬, 아릴, 알킬아릴, 알킬아릴술폰산, 알킬술폰산 및 이들의 알칼리금속염이고 R3는 하나 이상의 수소 및/또는 탄소수 1 내지 22의 알킬, 아릴, 알킬아릴기이며, 치환기 R1, R2및 R3의 적어도 하나는 수소가 되지 말아야 한다)에 상응하는 하나 이상의 화합물, 또는 2,7-디술포-4-히드록시나프탈렌, 및 (b) 전착 향상제로서, 하기 화학식(5) :
(상기 식에서, R1내지 R5는 수소, 히드록실, 카르복실 및/또는 술폰산기이다)에 상응하는 하나 이상의 방향족 카르복실산을 함유함을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색 중탕에서 양극산화 알루미늄 표면을 교류 착색시키는 방법에 관한 것으로서, 상술한 바와 같은 전해질 첨가제가 0.1 내지 2.0의 pH 값 및 10 내지 30℃의 온도에서, 50 내지 60c/s의 주파수 및 10 내지 25V의 단자전압을 갖는 교류 전압을 사용하여, 주석(Ⅱ)를 함유하는 황산 착색 중탕에서 전해질 착색을 위하여 사용됨을 특징으로 하는 교류착색의 방법이다.
본 발명에 따른 전해질 첨가제의 주요한 장점은 산화반응에 안정하고, 수용성인 전착 향상제의 사용에 있다. 특히 EP-A-354 365의 내용에 의하여 알려진, p-톨루엔 술폰산은 비교적 장기간의 작동후에 메틸기의 산화를 통하여 불결하고 냄새나는 증기를 방출하므로 착색 중탕을 장시간 동안 사용할 수 없도록 한다. 따라서, 본 발명에 따르면, 카르복실, 히드록실 및/또는 술폰산기와 같은 산화반응에 안정한 작용기를 갖는 전착 향상제를 제공하는 것이 특히 중요하다. 또한, 언급한 작용기는 필요한 수용성을 보장하여준다.
본 발명의 한 바람직한 양태로서, 전해질 첨가제는, 착색중탕을 기준하여, 산화방지제로서 0.01 내지 2g/l의 양으로 화학식(1) 내지 (4) 중의 하나에 해당하는 하나 이상의 화합물, 또는 2,7-디술포-4-히드록시나프탈렌 및 전착 향상제로서 0.1 내지 30g/l의 양으로 화학식(5)에 해당하는 하나 이상의 화합물을 함유한다.
본 발명에 따르면, 2-t-부틸-1,4-디히드록시벤젠(t-부틸 히드로퀴논), 메틸 히드로퀴논, 트리메틸 히드로퀴논, 4-히드록시-2,7-나프탈렌 디술폰산 및/또는 p-히드록시아니솔이 특히 화학식(1) 내지 (4)에 해당하는 산화방지제로서 상술한 농도로 사용된다.
본 발명에 따르면, 5-술폰살리실산, 4-술포프탈산, 2-술포벤조산, 벤조산 및/또는 벤젠 헥사카르복실산이 화학식(5)에 해당하는 전착 향상제로서 사용된다. 5-술폰살리실산과 4-술포프탈산을 함께 사용하는 것이 발생하는 상승효과에 의하여 특히 유용하다고 입증되었다.
따라서, 본 발명의 한 바람직한 양태로서, 본 발명에 따른 전해절 첨가제는, 착색 중탕의 총 부피를 기준하여, (a) 산화 방지제로서, 0.01 내지 2g/l의 양의 t-부틸 히드로퀴논 및, (b) 전착 향상제로서, 0.5 내지 6g/l의 양의 5-술포살리실산과 5 내지 20g/l의 양의 4-술포프탈산을 함유한다.
특히 바람직한 양태로서는, 본 발명에 따른 전해질 첨가제는 특히, 착색 중탕의 총 부피를 기준하여, (a) 산화 방지제로서, 0.1 내지 0.5g/l, 바람직하게는 0.2 내지 0.3g/l의 양의 t-부틸 히드로퀴논 및, (b) 전착 향상제로서, 1 내지 3g/l, 바람직하게는 1.5 내지 2.5g/l의 양의 5-술포살리실산과 8 내지 12g/l, 바람직하게는 10g/l의 양의 4-술포프탈산을 함유한다.
착색 공정은 1l당 약 3 내지 20g, 바람직하게는 7 내지 16g의 주석(Ⅱ)를 함유하는 주석(Ⅱ) 황산염 용액을 사용하여 정상적으로 수행된다. 바람직한 양태로는, 착색공정은 1l당 16 내지 22g의 황산에 상응하는 0.1 내지 2.0의 pH값에서, 대략 14 내지 30℃의 온도에서 수행된다. 교류전압 또는 직류상에 중첩된 교류전압(50 내지 60c/s)은 바람직하게는 10 내지 25V, 더욱 바람직하게는 대략 17V ± 3V에 최적치를 갖도록 15 내지 18V로 조정된다.
본 발명의 명세서에서, 교류 착색은 순수한 교류에 의한 착색이거나 직류상에 중첩된 교류 또는 교류상에 중첩된 직류에 의하여 착색되는 것으로 이해되어야 한다. 나타낸 숫자는 항상 단자 전압을 말한다. 착색은 일반적으로 약 1A/dm2의 발생 전류 밀도에서 시작되며, 이어서 전류밀도는 0.2 내지 0.5A/dm2의 일정치로 떨어진다. 다양한 금발색조를 통한 샴페인 색조로부터 검은 색조로 변할 수 있는 얻어지는 색조는 전압, 착색 중탕중의 금속 농도 및 침수시간에 따라 변한다.
다른 양태로서, 본 발명에 따른 공정은 전해질이 주석 이외에 다른 중금속, 예컨대 니켈, 코발트, 구리 및/또는 아연(참조 Wernidk, et al., loc. Cit.)의 염을 함유한다는데 특징이 있다.
본 발명에 따른 전해질 첨가제를 다음 실시예에 의하여 예시한다.
[시험법]
(a) 저장중탕의 안정성을 평가하기 위한 가속 시험(시험 1)
20g/l 황산, 10g/l 주석(Ⅱ) 이온 및 상응하는 양의 전해질 첨가제를 함유하는 수성 전해질을 제조한다. 1리터의 용액을 마그네틱 교반기로 실온에서 격렬히 교반시키고 유리 프리트(frit)를 통해 12 l/h 순수 산소를 통기시킨다. Sn(Ⅱ) 이온의 함량을 4시간 후에 요오드 메트리로서 측정한다. 환원율을 Sn(Ⅱ)의 농도로서 기록한다.
(b) 전류하의 산화방지제 효과의 평가(시험 2)
20g/l의 황산, 10g/l의 Sn(Ⅱ) 이온 및 상응하는 양의 전해질 첨가제를 함유하는 수성 전해질을 제조한다. 연속적인 전해 공정(교류 50c/s, 전압 12V)을 스테인레스강 전극으로 수행한다. 흐르는 전류의 양을 Ah 카운터로 기록한다. 착색될 산화물 피복물의 특성을 높은 용량 부하하에서 교류의 상응하는 사인 변형율로 시뮬레이션화한다. 전극 반응에 의하여 산화되는 Sn(Ⅱ) 이온의 양을 전극의 연속적인 요오드메트리 적정법 및 환원적으로 침착된 Sn의 중량분석에 의하고 이들 두 수치의 합과 분해된 Sn(Ⅱ)의 출발량과의 차이에 의하여 측정한다. 5g/l의 Sn(Ⅱ) 농도에서 환원이 더 이상 방지될 수 없는 시기의 Ah 값을 산화방지제 효과의 측정치로서 선택한다.
(c) 균일전착력의 평가(시험 3)
DIN 물질 Al 99.5의 50mm×460mm×1mm 시험판을 통상적으로 예비처리한 다음 적당한 기하학 형태(전극은 카운터 전극으로부터 1 내지 5cm 거리상에 있다)의 착색 중탕에 넣어 전해적으로 착색시킨다. 10g/l Sn(Ⅱ) 및 20g/l 황산 이외에도, 착색 중탕은 다양한 양의 시험 물질(실시예 및 비교 실시예 참조)을 포함한다. 착색 과정을 16V(교류 50c/s)에서 5분 동안 통상적으로 수행한다. 착색 결과를 다음과 같이 수치적으로 결정한다 :
우선 시험판상의 주석의 분포를 장방향에서의 10군데 다른 지점에서(즉, 5cm 간격으로) 백색 표준 이산화티탄(=99%)에 대한 산란관 굴절계로 측정하여 결정한다. 평균 착색율은 개별적 측정치로부터 얻어진다. 균일 전착력은 각 측정지점에 따른 측정치로부터 평균하여 결정되며 백분율로 표시한다. 100%의 균일 전착력은 시험판이 전길이를 통하여 균일하게 착색되었다는 것을 의미한다. 이 값이 0%에 가까울수록, 판의 말단이 상이하게 착색되어 있는 것이다.
[전해에 의한 착색]
DIN 물질 Al 99.5(No. 3.0255)의 시험판을 통상적으로 전처리하여(기름을 빼고, 묽은산 용액으로 닦고, 물때를 벗기다), GS 공정(200g/l 황산, 10g/l Al(Ⅲ), 공기 처리량, 1.5A/dm2, 18℃)으로 60분 동안 양극산화한다. 약 20㎛의 층두께가 수득된다. 이어서 전처리된 판을 다음 실시예에 기술된 바와 같이 교류 (50c/s)로서 전해적으로 착색시킨다. 그 결과를 표 1에 나타내었다.
[실시예 1]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
10.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
2.0g/l 5-술포살리실산
10.0g/l 4-술포프탈산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 2]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
2.0g/l 5-술포살리실산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 3]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
10.0g/l 4-술포프탈산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 4]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l 메틸 히드로퀴논
2.0g/l 5-술포살리실산
10.0g/l 4-술포프탈산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 5]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l 트리메틸 히드로퀴논
2.0g/l 5-술포살리실산
10.0g/l 4-술포프탈산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 6]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
10.0g/l 벤젠 헥사카르복실산
착색 인자 : 16V, 5분
[실시예 7]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l 트리메틸 히드로퀴논
2.0g/l 술포벤조산
착색 인자 : 16V, 5분
[비교 실시예 1]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
착색 인자 : 16V, 5분
[비교실시예 2]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
착색 인자 : 16V, 5분
[비교 실시예 3]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
2.0g/l 5-술포살리실산
착색 인자 : 16V, 5분
[비교 실시예 4]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
10.0g/l 4-술포프탈산
착색 인자 : 16V, 5분
[비교 실시예 5]
전해질 : 10.0g/l Sn(Ⅱ)
20.0g/l 황산
0.2g/l t-부틸 히드로퀴논
20.0g/l p-톨루엔 술폰산
착색 인자 : 16V, 5분
표 1의 결과는 화학식(1) 내지 (4) 중의 하나에 해당하는 하나 이상의 산화방지제 및 화학식(5)에 해당하는 전착 향상제의 혼합물을 함유하는 전해질 첨가제 (실시예 1 내지 7)가, 비교 실시예 1 내지 4와 비교하여, 주석(Ⅱ)염 전해질의 착색 성질, 예컨대 저장 안정성, 산화 방지제 효과 및 균일 전착성을 분명하게 증진시킨다는 것을 분명하게 보여 준다. 비교예 5의 경우에는, 강렬한 악취냄새가 단지 15분 후에 발생한다.

Claims (7)

  1. 하나 이상의 산화방지제 및 하나 이상의 전착 향상제를 함유하는 양극산화 알루미늄 표면의 교류 착색을 위한 주석(Ⅱ)-함유 황산 착색 중탕용 전해질 첨가제에 있어서, 전해질 첨가제가 (a) 산화방지제로, 하기 화학식(6) 내지 (9) :
    (상기 식들에서, R1및 R2는 수소, 탄소수 1 내지 22의 알킬, 아릴, 알킬아릴, 알킬아릴술폰산, 알킬술폰산 및 이들의 알칼리 금속염이고, R3는 하나 이상의 수소 및/또는 탄소수 1 내지 22의 알킬, 아릴, 알킬아릴기이며, 치환기 R1, R2및 R3의 적어도 하나는 수소가 되지 말아야 한다)에 상응하는 하나 이상의 화합물, 또는 2,7-디술포-4-히드록시나프탈렌, 및 (b) 전착 향상제로서, 하기 화학식(10) :
    (상기 식에서, R1내지 R5는 수소, 히드록실, 카르복실 및/또는 술폰산기이다)에 상응하는 하나 이상의 방향족 카르복실산을 함유함을 특징으로 하는 전해질 첨가제.
  2. 제1항에 있어서, 전해질 첨가제가 착색 중탕의 총 부피를 기준하여, 산화방지제로서 0.01 내지 2g/l의 양으로 화학식(6) 내지 (8)중의 하나에 해당하는 하나 이상의 화합물, 또는 2,7-디술포-4-히드록시나프탈렌 및 전착 향상제로서 0.1 내지 30g/l의 양으로 화학식(10)에 해당하는 하나 이상의 화합물을 함유하는 첨가제.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, t-부틸 히드로퀴논, 메틸 히드로퀴논, 트리메틸 히드로퀴논, p-히드록시아니솔 및 2,7-디술포-4-히드록시나프탈렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 산화방지제로서 사용되는 첨가제.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 5-술폰살리실산, 4-술포프탈산, 2-술포벤조산, 벤조산 및 벤젠 헥사카르복실산으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전착 향상제로서 사용되는 첨가제.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 전해질 첨가제가, 착색 중탕의 총부피를 기준하여, (a) 산화 방지제로서, 0.01 내지 2g/l의 양의 t-부틸 히드로퀴논 및, (b) 전착 향상제로서, 0.5 내지 6g/l의 양의 5-술포살리실산과 5 내지 20g/l의 양의 4-술포프탈산을 함유하는 첨가제.
  6. 제5항에 있어서, 전해질 첨가제가, 착색 중탕의 총 부피를 기준하여, (a) 산화 방지제로서, 0.1 내지 0.5g/l의 양의 t-부틸 히드로퀴논 및, (b) 전착 향상제로서, 1 내지 3g/l의 양의 5-술포살리실산과 8 내지 12g/l의 양의 4-술포프탈산을 함유하는 첨가제.
  7. 주석(Ⅱ)-함유 황산 착색 중탕에서 양극산화 알루미늄 표면을 교류 착색시키는 방법에 있어서, 제1항 내지 제6항에서 청구한 전해질 첨가제가 0.1 내지 2.0의 pH값 및 10 내지 30℃의 온도에서, 50 내지 60c/s의 주파수 및 10 내지 25V의 단자 전압을 갖는 교류 전압을 사용하여, 주석(Ⅱ)-함유 황산 착색 중탕에서 전해질 착색용으로 사용됨을 특징으로 하는 방법.
KR1019930701249A 1990-10-29 1991-10-21 알루미늄을 착색시키기 위한 착색 중탕용 전해질 첨가물 및 알루미늄의 착색방법 KR0185157B1 (ko)

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