KR0169985B1 - 반도체 패키지 검사방법 - Google Patents

Abstract

제공된 실시간 자동 시각적 반도체 패키지 검사 방법에서는 패키지의 영상에 대해 자동 에지 증진이 실시된다. 방향 에지 증진된 영상은 확대되고, 기억된 방향 에지 모양과 상관되어 검사되는 패키지에서 관심있는 모든 모양을 확인한다. 확대된 방향 에지 모양은, 특정 타입의 모양의 수를 카운트하고, 관심있는 포인트를 확인하기 위해 관심있는 모양을 변환시키며, 반도체 패키지의 허용가능성을 결정하기 위해 관심있는 포인트 사이의 상대 위치를 측정하는 등과 같은 비교적 간단한 수학적 기술을 사용하여 분석된다. 또한, 변칙적인 모양의 크기 및 위치도 계산되어 패키지의 허용가능성을 결정한다.

Description

반도체 패키지 검사방법

제1도 및 제2도는 본 발명에 의해 자동적으로 검사될 수 있는 반도체 패키지를 도시한 도면.

제3도 내지 제5도는 데이타가 겹쳐져 있는 반도체 패키지의 여러부분을 도시한 도면.

제6도는 검사공정을 이루는 흐름도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 반도체 패키지 보디 12 : 리드

13 : 리드 핑거 간격 14 : 리드 핑거 높이

18 : 마크 또는 라벨 29 : 윈도우

31 내지 33 : 에지 34 : 상관 모양 중심

본 발명은 일반적으로 물품을 자동적으로 검사하는 방법에 관한 것이며, 특히 반도체 패키지를 자동적으로 검사하는 방법에 관한 것이다.

제조사이클에서 부품을 조립하는 동안에, 사이클에서 사용되는 물품의 위치, 정돈상태, 조건 등을 검증하는 것이 필요해진다. 자동화 또는 반자동화된 조립 사이클에서는 특히 그러하다. 반도체 장치의 제조에 있어서, 패키지에 빈공간, 이물질이 없고 패키지에서 연장하는 리드가 적절하게 정렬되어 있는 것을 보장하기 위해 수송에 앞서 반도체 패키지를 검사하는 것이 특히 중요하다. 최근에는, 고체상태 텔리비젼 카메라가 반도체 패키지를 시각적으로 모니터하는데 사용되고 있다. 카메라로부터의 데이타는 디지탈식으로 처리되어 반도체 패키지 및 리드의 좌표위치가 결정될 수 있다. 그런데, 데이타를 처리하는 방법은 모니터링 시스템의 속도, 정확성, 강건성을 결정한다.

시각적 영상의 디지탈 처리에는 많은 양의 영상 데이타를 최소의 데이타 세트로 줄이면서 패키지의 중요 특성에 관한 정보는 유지하는 것이 수반되는 것이다. 중요 특성에는 선정된 설계명세를 만족시켜야 하는 패키지 크기 및 간격 통과 파편 또는 제조상 결함에 의해 야기된 변칙적 모양을 나타내는 데이타 등이 있다. 지정된 데이타는 리드 간격, 리드 정렬, 패키지 크기와 같은 것은 포함한다. 변칙적인 데이타에는 패키지내의 빈공간, 균열, 홈의 위치 및 크기 또는 패키지상의 과도한 잉크와 같은 이질물 등이 포함된다. 검사되는 반도체 패키지의 허용가능성을 결정하기 위해, 데이타 세트는 어떤 표준 또는 설계명세와 비교되어야 한다. 과거에는 이러한 표준이 허용가능한 것으로 알려진 다수의 패키지의 시각적 영상을 기록하고 처리하여 결정되었다. 상기 영상은 검사되는 패키지의 영상이 비교될 수 있는 표준으로서 사용될 수 있다. 그런데 이러한 기술상의 문제점은 영상이 검사되는 영상의 배경 조명, 반사도, 확대도 등에 매우 민감하다는 것이다. 이러한 조건은 제조환경에 있어 매우 가변적이기 때문에, 영상비교 또는 영상 상관 기술은 제품 검사공정에 이용하기가 매우 어렵고 수동작이 많이 필요하게 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 패키지를 자동적으로 검사하도록 데이타를 처리하는 개선된 방법을 제공하려는 것이다.

본 발명의 다른 복적은 빠르고 정확한 방법으로 반도체 패키지 및 리드를 자동적으로 검사하는 방법을 제공하려는 것이며,

또다른 목적은 실시간 방식으로 선정된 설계명세에 대해 시각적 데이타를 분석하는 방법을 제공하려는 것이며,

또다른 목적은 반도체 패키지의 주요 특성을 확인하기 위해 방향 에지 상관 기술을 이용하려는 것이며,

역시 다른 목적으로는 영상 분석 시스템의 강건성을 증가시키기 위해 형태학적 확대 기술을 이용하려는 것이다.

본 발명의 상기한 목적 및 장점 또한 그밖의 목적 및 장점등은 물품의 영상을 입수하고 영상의 방향 에지 증진을 실시하는 것을 포함하는 시각적 패키지 검사방법에 의해 달성된다. 방향 에지 영상은 확대되고, 기억된 방향 에지 모양과 상관되어 검사되는 패키지에서 관심있는 모든 모양을 감정한다. 또한, 변칙적인 모양 및 상관되지 않은 방향 에지 모양도 확인(감정)되고 확대된다. 확대된 방향 에지 모양은, 특정 타입의 모양의 수를 카운트하고, 관심있는 포인트를 확인하기 위해 관심있는 모양을 변환시키고, 반도체 패키지의 허용가능성을 결정하기 위해 관심있는 포인트 사이의 상대위치를 측정하는 것과 같은 비교적 간단한 수학적 기술을 사용하여 분석된다. 패키지의 측정치는 선정된 설계명세 값과 비교된다. 또한, 변칙적인 모양의 크기 및 위치도 계산되어 패키지의 허용가능성을 판별한다.

제1도는 본 발명의 방법을 이용하여 검사될 수 있는 반도체 패키지의 평면도를 도시한다. 반도체 패키지 보디(11)는 통상 균일한 모양 및 색깔을 갖는다. 마크 또는 라벨(18)은 반도체 패키지(11)의 상단 표면상에 형성될 수 있다. 다수개의 리드(12)가 반도체 보디(11)로부터 연장된다. 리드(12)의 실제 개수, 간격, 모양, 크기 등은 패키지 타입에 따라 변동될 것이다. 제1도는 반도체 산업에서 통상적으로 사용되는 듀얼 인-라인(dual in-line) 표면 장착 패키지를 도시한다.

자주 쓰여지는 여러가지 중요한 치수들도 제1도에 도시되었다. 리드 핑거 간격(13)은 임의 두개의 인접한 리드(12)간의 간격이다. 리드 핑거 높이(14)는 임의의 리드(12)가 패키지 보디(11) 위로 연장하는 거리이다. 변칙물(16)은 몰드 플래시 또는 과도한 금속등과 같은 리드 사이에 형성될 수 있는 부스러기 또는 이상물을 나타낸다. 변칙물(17)은 패키지 보디(11)의 상단표면에 나타날 수 있는 빈공간 또는 부스러기를 나타낸다. 반도체 패키지의 허용가능성은 리드 핑거 높이(14), 리드 핑거 간격(13)을 측정하고, 변칙물(16 및 17)의 크기 및 위치를 측정하여 결정된다. 패키지 라벨(18)은 물론 패키지 보디(11)의 상단표면상에서 허용가능한 마크이며, 반도체 패키지의 허용 가능성을 판단할 때 변칙물(17)과는 구별되어야 한다.

제2도는 제1도에 도시된 반도체 패키지의 측면도를 도시한다. 제1도에서 처럼, 리드(12)는 패키지 보디(11)에서부터 뻗어진다. 리드(12)는 종종 구부러져서 제2도에 도시된 것처럼 동일평면으로 되지 않는다. 동일평면성은 최소 동일평면성(19) 또는 최대 동일평면성(21)으로 종종 설명되기 때문에, 이 특성은 측정되어야 한다. 비-동일평면성은 리드(12)의 팁의 수직 변위로서 보여질 수 있으므로, (19 및 21)의 측정은 제1도에 도시된 바와 같은 반도체 패키지의 평면도를 분석하여 이루어질 수 있다.

제1도 및 제2도에 도시된 구체적인 수량을 자동 검사 방법으로 측정하기 위해서, 먼저 텔리비젼 카메라를 이용하여 반도체 패키지의 영상을 입수하는 것이 필요하다. 이 영상은 패키지 모서리 및 리드 핑거 위치를 확인하는 포인트와 같은 관심 포인트를 결정하기 위해 분석된다. 이러한 관심 포인트의 상대위치가 이제 측정될 수 있다.

검사가 시작됨에 따라, 조작자는 검사 시스템을 학습 모드(learn mode)로 인용되는 곳에 놓는다. 상기 모드에서는 대표적인 반도체 패키지가 선택되고 분석된다. 나중에 명백해지겠지만, 상기 반도체 패키지는 완벽한 표본일 필요는 없으며, 반도체 패키지의 특히 양호한 표본일 필요도 없다. 선택되는 샘플은 검사되는 패키지에서의 리드 개수, 리드 크기, 패키지 모양 등과 같은 공통적인 특성만을 갖추고 있으면 된다. 학습 모드에서, 샘플 패키지의 영상은 통상 고체상태 텔레비젼 카메라를 이용하여 얻어진다. 영상에 대해 방향 에지 증진(direction edge enhancement)이 시행된다. 방향 에지 증진은 에지 특성에 대응하는 영상에서의 불연속성을 감정하는 공지된 영상 처리 기술이다. 에지 특성을 찾는 것에 더하여, 각 에지 특성은 방향, 즉 동, 서, 남, 북과 관련된다. 이러한 방향 에지 특성은 반도체 패키지의 특성을 정확하고 반복적으로 감정하는데 최소의 데이타를 요구하는 것으로 알려져 있다.

제3도는 영상에서 중복된 몇가지 방향 에지 특성을 가진 반도체 패키지의 리드부를 도시한다. 학습 모드에서, 조작자는 관심있는 방향 에지 특성이 발견될 수 있는 윈도우(29)를 감정한다. 반도체 패키지에서 리드, 패키지 모서리, 라벨과 같은 주요 특성을 찾는데 임의의 수의 윈도우(29)가 이용될 수 있다. 일단 위도우(29)가 리드(12) 주위에 놓여지면, 윈도우(29)내의 영상의 방향 에지 증진이 시행된다. 방향 에지 증진은 리드(12)의 서쪽 에지(31), 북쪽 에지(32), 동쪽 에지(33)를 발생시킨다. 에지(31 내지 33)는 조합되어 임의의 리드(12)를 감정하는데 사용될 수 있는 방향 에지 모양을 만든다. 그러므로, 검사되는 모든 리드(12)가 크기, 모양, 윈도우(29)에서 리드(12)에 관한 방향면에서 유사하다면, 리드 방향 에지 모양을 감정하기 위해서 단지 한개의 리드(12)만을 분석하면 된다. 리드 방향 에지 모양은 검사하는 동안 사용하기 위해 기억된다. 이후 명백해지는 바와 같이, 본 발명의 다른 양태에서는 영상에서의 회전, 확대도, 유사한 에러 등을 보상해준다.

방향 에지 증진을 실시하기 이전에 영상을 여과(필터) 시키는 것이 바람직하다. 여러가지 영상 필터링 기술이 공지되어 있는데, 패키지 특성 및 사용되는 영상 장치 또한 원하는 패키지 검사 시스템의 성능등에 따라 특정 방법이 선택된다. 어떤 필터 기술을 사용할지, 또는 필터 기술이 필요한지에 관한 것은 본 기술분야에 숙련된 사람에게는 공지된 것이다.

상관 모양 중심(34)은 리드 방향 에지 모양에 대해 계산될 수 있다. 상관 모양 중심 계산은 분석될 실제 모양에 따라 변화될 것이다. 예를들면, 제3도에 도시된 리드 방향 에지 모양에 대해, 서쪽 에지(31)와 동쪽 에지(33) 중간의 북쪽 에지(32)상의 포인트를 계산하는 것이 바람직하다. 학습 모드에서 샘플 리드(12)의 상관 모양 중심(34)을 기억할 필요는 없지만, 상관 모양 중심(34)은 수행 모드 동안에 검사되는 패키지를 분석하는데 이용된다.

제4도는 영상위에 겹쳐진 다른 방향 에지를 가진 반도체 패키지를 도시한다. 북쪽 에지(22)와 남쪽 에지(23)는 영상의 오른쪽 부분에서 감정되며, 북쪽 에지(26)와 남쪽 에지(24)는 패키지의 왼쪽 영상에서 감정된다. 이들 패키지 방향 에지를 감정하는 공정은 제3도를 참고로 설명한 것과 유사하다. 패키지 보디(11)가 대칭적이라면, 학습 모드에서 한쪽 패키지 에지만을, 예를들면 북쪽 에지(22)만을 감정하고 이 정보를 전환시켜 나머지 에지(23, 24, 26)를 감정하는 것이 가능하다. 상관 모양 중심(28 및 25)은 영상의 좌측 및 우측 필드 모두에서 북쪽과 남쪽 에지 사이의 중간 포인트를 찾아 계산된다. 이후 설명되는 바와 같이, 학습 모드에서 상관 모양 중심을 계산하는 것은 필요치 않지만, 실행 모드 검사시에 사용하기 위해 방향 에지 모양(22, 23, 24, 26)을 기억하는 것은 필요하다.

일단 관심있는 모든 방향 에지 모양이 학습 모드 동안에 감정되고 기억되면, 검사 시스템은 실행 또는 검사 모드에 놓여질 수 있다. 검사 모드에서, 샘플 패키지와 유사한 다수의 패키지는 텔레비젼 카메라의 시각 영역에 순차적으로 놓여진다. 각 패키지의 영상이 얻어지고 방향 에지 증진이 실시된다. 검사 모드가 학습 모드와 다른점은 조작자가 검사 모드 동안에는 제3도에 도시된 윈도우(29)와 같은 윈도우를 감정할 필요가 없다는 것이다. 그러므로, 전체 반도체 패키지 및 리드의 방향 에지 모양이 형성된다. 여러가지 에지 증진 알고리즘이 공지되어 있는데, 그중 임의의 것이 본 발명의 방향 에지 분석을 위해 사용될 수 있다. 통상적으로, 리드 물질 및 패키지 보디 물질은 반사성에 있어 상당히 변화하기 때문에, 방향 에지 알고리즘의 조합이 영상에서의 모든 방향 에지를 감정하는데 이용된다.

제5도는 부분적으로 검사되고 있으며 영상 위에 겹쳐진 검사 데이타를 가진 반도체 패키지의 영상을 도시한다. 일단 반도체 패키지의 방향 에지 영상이 얻어지면, 방향 에지 영상의 주요 특성이 감정되어야 한다. 이러한 감정은 샘플로부터 기억된 방향 에지 영상을 검사되는 패키지의 방향 에지 영상과 상관시킴으로서 이루어진다. 예를들면, 제3도에 도시된 에지(31 내지 33)를 포함하는 방향 에지 모양은 검사되는 패키지의 방향 에지 영상과 상광되어 검사되는 패키지 상의 각 리드(12)를 감정한다. 유사하게, 제4도에 도시된 에지 모양(22, 23, 24, 26)은 검사되는 패키지의 방향 에지 영상과 상관되어 패키지 보디(11)의 에지를 감정한다. 이러한 위치들이 감정되면, 상관 모양 중심(25, 28, 34)은 제5도에 도시되고 전술된 바와 같이 계산된다. 측정 목적을 위해, 상관 모양 중심(25 및 28)을 연결하는 선인 패키지 보디 축(27)을 계산하는 것이 바람직하다.

상관 모양 중심이 확인되면, 각 리드(12)에 대한 리드 높이(14) 및 리드 핑거 간격(13)을 측정하는 것은 비교적 간단한 계산작업이다. 본 기술에 숙련된 사람이면 반도체 패키지의 다른 지정된 특성들을 측정하기 위해 다른 기하학적 계산이 실시될 수 있다는 것을 알 것이다. 리드 동일 평면성은 반도체 패키지의 한 측면상의 모든 모양 중심(34) 사이에 가장 적합한 선을 구성하여 찾을 수 있다. 가장 적합한 선과 각 모양 중심(34)의 실제 위치와의 편차가 이제 계산될 수 있으며, 가장 큰 편차는 비-동일평면성으로 표시된다.

특히 중요한 것은 계산을 튼튼히하여 패키지 회전 및 확대 에러를 고려해야 하는 것이다. 리드 핑거 높이(14)는 예를들어, 패키지 보디 축(27)과 각 리드 핑거 모양 중심(34)간의 수직 거리를 계산하여 측정될 수 있다. 리드 핑거 간격(13)은 각 모양 중심(34) 및 보디 축(25)을 연결하는 선(비도시)을 구성하고 이렇게 구성된 각각의 선 사이의 수평거리를 계산하여 찾을 수 있다. 이 계산은 영상 회전을 보상하는 반면, 각 리드 핑거 모양 중심(34)간의 수평 변위를 단순히 측정하는 것은 영상 회전을 보상하지 못한다.

영상 분석에 있어 직면하는 문제중 하나는 검사시에 영상에서의 허용가능한 변동을 보상하는 문제이다. 영상의 전체 크기 및 회전과 같은 것은 불합격 기준으로 떨어지지 않고도 10% 내지 20% 변동될 수 있다. 그런데 이러한 허용가능한 변동은 영상 분석 시스템을 혼동시킬 수 있으며 오류 검출 및 일부 불합격이 생기게 할 수 있다. 방향 에지 모양 정정의 정확성 및 반복 가능성은 방향 에지 정정을 실행하기 이전에 검사된 패키지의 방향 에지 영상을 수학적으로 변환하여 상당히 개선시킬 수 있다.

한가지 유익한 수학적 변환방법으로는 형태학적 확대로 통상 인용되는 것이 있는데, 여기에는 얻어진 방향 에지 영상을 일련의 선정된 조건을 이용하여 성장시키는 것이 포함된다. 예를들어, 간단한 형태학적 확대로서 모든 에지를 동일한 비율로 확대하여 원래 2픽셀 폭과 10픽셀 길이를 가진 방향 에지 영상이 4픽셀 폭과 12픽셀 길이로 된다. 형태학적 확대는 방향 에지 영상을 팽창시켜, 기억된 방향 에지 모양을 정정할 기회를 증가시키는 한편 방향 에지간의 관계는 유지시키므로 데이타 보존성은 저하되지 않는다. 형태학적 확대는 반도체 패키지가 텔레비젼 카메라하에서 인덱스됨에 따라 발생될 수 있는 영상 회전 및 확대 에러를 보상하는데 사용될 수 있다. 형태학적 확대는 또한 상당한 영상 변동을 보상하여 정확도에는 최소의 영향을 주면서 검사 시스템의 강건성 및 반복가능성을 상당히 개선시킨다.

반도체 패키지의 허용가능성을 판별하기 위한 방금 설명된 방법은 제6도에 도시된 흐름도에 요약되어 있다. 검사될 영상이 얻어진 다음 방향 에지 증진이 실시된다. 방향 에지 증진된 영상은 형태학적으로 확대된다. 이미 기억되어 있는 방향 에지 모양이 검사되는 패키지의 확대된 방향 에지 증진된 영상과 상관된다. 방향 에지 상관은 기억된 방향 에지 모양에 매칭되는 검사되는 영상에서의 특성을 확인(감정)하는 것이다. 각각의 이러한 매칭 특성은 감정되고 각각의 매칭 특성에 대해 모양 중심이 계산된다.

검사되는 패키지의 허용가능성은 측정된 값을 패키지에 대한 설계명세와 비교하여 결정된다. 학습 모드에서 사용된 원래의 샘플은 검사되는 패키지에서 관심있는 모양을 감정하기 위해서만 사용되며 모든 다른 패키지가 비교되는 표준인 것은 아니다. 대신에, 모든 패키지는 패키지에 대한 독립적인 설계명세와 비교된다. 측정치를 독립적인 설계명세와 비교하는 능력은 검사 시스템의 정확도를 상당히 개선시킨다. 기억된 방향 에지 모양이 전술된 바와 같이 학습 모드에서 얻어지지 않아도 된다. 관심있는 에지 모양은 수학적으로 계산되고 원한다면 기억될 수 있다. 그런데, 기억된 데이타의 신뢰성을 보장하고 검사되는 패키지 타입의 광범위한 변동을 허용할 수 있게 하기 위해 각각의 검사가 실행되기 전에 관심있는 방향 에지 모양을 재규정하고 재기억하는 것이 유익하다.

변칙적인 모양이란 기억된 방향 에지 모양과 상관되지 않는 방향 에지 모양으로서, 허용가능하지 않은 부스러기 또는 패키지 손상을 나타내는 것이다. 변칙적인 모양은 확대되고, 확대된 방향 에지 모양에서 크기, 모양, 도심 분석이 실시된다. 변칙적 모양을 분석한 후, 이들은 선정된 설계명세와 비교되어 허용 가능성을 판별한다.

이상적인 영상과 비교하기 보다는 설계명세와 비교하고 매개변수 측정을 실시할 수 있는 실시간 자동 시각적 검사공정이 제공됨을 알 수 있을 것이다. 관심있는 방향 에지 모양은 방향 에지 상관 및 형태학적 확대 공정을 사용하여 반도체 패키지의 영상에서 확인된다. 형태학적 확대와 방향 에지 증진을 결합하여 강건하고, 반복 가능하며, 정확한 영상 확인(감정) 기술을 제공한다. 일단 관심있는 모양이 확인되면, 이들은 모양 중심을 계산하고 모양 중심의 상대위치를 측정하여 분석될 수 있다. 이렇게하여 반도체 패키지의 주요 매개변수가 측정되고 설계명세와 비교되어 반도체 패키지의 허용가능성을 결정할 수 있게 된다.

Claims (3)

1. 반도체 패키지를 자동적으로 검사하는 방법으로서, 패키지의 영상을 입수하는 단계; 다수의 패키지 방향 에지를 결정하기 위해 방향 에지 증진을 실시하는 단계; 패키지 방향 에지의 포인트 위치의 리스트를 형성하는 단계; 포인트 위치를 소정의 허용가능한 포인트 위치의 리스트에 대해 비교하는 단계; 및 포인트 위치의 리스트를 만들기 이전에 상기 패키지 방향 에지를 형태학적으로(morphologically) 확대시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사방법.
2. 반도체 패키지를 자동적으로 검사하는 방법으로서, 샘플 패키지의 영상을 입수하는 단계; 상기 샘플 패키지에 대한 방향 에지 모양을 결정하는 단계; 상기 샘플 패키지로부터 연장하는 리드에 대한 방향 에지 모양을 결정하는 단계; 상기 샘플 패키지 및 리드에 대한 상기 방향 에지 모양을 기억하는 단계; 검사되는 패키지의 영상을 입수하는 단계; 상기 검사되는 패키지에 대한 방향 에지 모양을 결정하는 단계; 상기 검사되는 패키지의 방향 에지 모양을 상기 샘플 패키지의 상기 기억된 패키지 모양과 비교하는 단계; 상기 검사되는 패키지 리드의 방향 에지 모양을 결정하는 단계; 상기 검사되는 패키지 리드의 방향 에지 모양을 상기 샘플 리드의 방향 에지 모양 및 상기 검사되는 패키지의 방향 에지 모양과 비교하는 단계; 상기 샘플 패키지의 방향 에지 모양과 매칭되지 않는 검사되는 패키지의 임의의 방향 에지에 대한 방향 에지 포인트 리스트를 결정하고 상기 방향 에지 포인트 리스트의 면적 및 도심 분석을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사방법.
3. 반도체 패키지를 검사하는 방법으로서, 패키지의 영상을 입수하는 단계; 방향 에지 모양을 형성하도록 방향 에지 증진을 실시하는 단계; 방향 에지 모양을 확대하는 단계; 앞서 기억되어 있는 소정의 모양과 상관시키기 위해 상기 확대된 방향 에지 모양을 테스트하는 단계; 상단 및 하단 패키지 에지 모양의 위치로부터 동일거리에 놓여진 x-축 상의 위치를 계산하는 단계; 좌측 및 우측 패키지 에지 모양의 위치로부터 동일거리에 놓여진 y-축 상의 위치를 계산하는 단계; 리드에 대응하는 각각의 방향 에지 모양에 대한 리드 모양 중심의 위치를 계산하는 단계; 각각의 리드 모양 중심의 위치와 x-축 간의 차이를 계산하는 단계; 각각의 리드 모양 중심 위치와 y-축 간의 차이를 계산하는 단계; 상기 리드 모양 중심 위치를 이용하여 가장 적합한 라인의 위치를 계산하는 단계; 각각의 리드에 대한 동일평면성 에러(coplanarity error)를 결정하기 위해 가장 적합한 라인으로부터 리드 모양 중심 위치를 감산하는 단계; 및 상기 반도체 패키지의 허용가능성*acceptability)을 결정하기 위해 각각의 차이 및 동일평면성 에러를 소정의 설계명세 한계치와 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 검사방법.

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