JP4357666B2 - パターン検査方法および装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造に関係するパターンが形成されたマスク、レチクル、半導体ウエハ、半導体チップ、半導体回路あるいはプリント基板、液晶表示デバイス用基板などの如き試料を検査するパターンの検査方法および装置にかかわり、特にパターンの欠陥や付着ダストの有無などの検査をおこなうパターン検査方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高密度実装技術の進歩により半導体素子を基板に直接貼り付けるCOB(Chip On Board)やCOG(Chip On Glass)等の実装方式が増えている。したがって、半導体チップをモールドしたパッケージではなく、ウエハが完成した段階やダイシングした段階での形態で製品を出荷することも多くなっている。
【0003】
これらの半導体チップのパターンの欠陥や傷、ダストの付着の有無等の検査は半導体チップの不良を低減させるために極めて重要な技術になってきている。
【0004】
パターンの検査方法は大別すると、比較法と特徴抽出法の2つに大きく分けることができる。比較法はさらに隣接比較法、基準画像比較法、設計値との比較法の3つに分類できる、本発明は基準画像比較法の一種なので、従来の技術についても基準画像比較法について説明する。
【0005】
基準画像比較法の基本原理は、入力した検査画像とあらかじめ記憶しておいた基準画像(例えば良品チップを用いて作製した良品画像)との比較を演算し、差画像から欠陥部を抽出し良不良を判定する。ただし、一般に、入力した検査画像は不良が無い場合でも明るさが変化したり、位置ずれが生じている場合が多い。このため、比較に際しては、検出画像の明度を補正したり位置ずれ量を検出して、それにより補正を行って比較している。
【0006】
位置ずれに関しては通常、画素単位で演算を行っているために、1画素以下のずれをどう扱うかが問題となる。図5(a)〜(c)に1画素以下のずれによって生じるノイズの様子の説明図を示す。図5(a)に説明図を示すように、1画素以下のずれがない場合に差分演算したときは、基準画像と検査画像は同じ位置での明度が等しい。すなわち、基準画像の明度が100の箇所では検査画像の明度も100である。また、同様に、基準画像の明度が200の箇所では検査画像の明度も200である。したがって、両者の明度の差分は0になりノイズは発生しないが、図5(b)に示すように、1画素以下のずれがある場合には、検査画像にエッジの影響により、明度が150の箇所が存在するので、図5(c)に示すように、基準画像と検査画像との明度の差は50となって、その箇所でノイズが発生する。
【0007】
次に、この1画素以下のずれによって生じるノイズの問題を解決するために、いくつかの方法が公開されているので、代表的な3つの方法について説明する。
【0008】
(1)近傍の最大値−最小値を参照する方法
図6(a)〜(c)に、近傍の最大値−最小値を参照する方法を1次元データに適用した場合の説明図を示す。図6(a)のように基準画像の注目画素および近傍画素の明度の最大値と最小値を求め、検査画像の注目画素の値が最大値より大きい場合、または、最小値より小さい場合にのみ値をもつようにする。図の例の場合、明度の最大値は200であり、また、明度の最小値は100である。したがって、図6(b)に示すように、検査画像の明度が150の箇所では、その値が明度の最大値より小さく、また、明度の最小値よりも大きいので、図6(c)に示すように値を持たない。
【0009】
(2)統計画像を用いる方法
図7(a)〜(c)に統計画像を用いる方法を1次元データに適用した場合についての説明図を示す。まず、図7(a)に示すように、あらかじめ、実際に検査するシステムで複数枚の画像を撮り込み、平均の画像を基準画像とする。さらに各画素での分散値(ばらつき範囲)を算出する。検査画像と基準画像の差分演算後、差分値が注目画素の分散値に比例する値より大きい場合にのみ値を持つようにする。すなわち、図7(b)に示すように、検査画像が分散値の中に収まっている場合は、図7(c)に示すように、注目画素は値を持たない。
【0010】
(3)局所摂動法
図8(a)〜(e)に局所摂動法を1次元データに適用した場合の説明図を示す。図8(a)に示す基準画像と、図8(b)および(c)に示すような基準画像を1画素以下(例えば1/2画素)だけずらした複数画像について、図8(d)に示す検査画像の注目画素および近傍画素と、基準画像および画素ずらし画像について、対応画素同士の差分の総和を演算する。その結果、最も一致した場合の差分結果を値とする。この場合は、検査画像と図8(b)に示した画像とが最も一致したものであるので、その差分は図8(e)に示すように値を持たない。
【0011】
なお、基準画像比較法については、例えば、特開平10−160681号公報及び特開平10−222673号公報にも開示されている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の近傍の最大値−最小値を参照する方法では、エッジの近くでは微少な明度差の欠陥を検出できないという問題がある。
【0013】
また、統計画像を利用する方法は基準画像を作成するのに手間がかかり、かつ、必ずしも統計による結果が正しいという保証はできない。
【0014】
また、局所摂動法は例えば、1/2画素単位でずらした時には1/4画素ずれたときに最も大きなノイズが出る。このため画像全体に対してしきい値を大きめにとる必要があり、微少な明度差の欠陥を検出できない。
【0015】
つまり、エッジの存在する部分でノイズを出さないようにしきい値を設定すると、平坦な部分では位置ずれによる誤差が生じにくいにも関わらず、しきい値以上の明度差の欠陥のみを検出してしまう。
【0016】
本発明はこれらの事情にもとづいて成されたもので、1画素以下の位置ずれに対してノイズが少なく、かつ、微少な明度差の欠陥を検出できる方法および装置を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明による手段によれば、基準画像のパターンデータと、被検査体を撮像装置で撮像して得た被検査体パターンデータとを比較し、前記被検査体のパターンを検査するパターン検査方法において、
前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較は、前記被検査体のパターンデータと、前記基準画像および前記基準画像を1画素以下だけ複数の方向にずらした複数のパターンデータの各々について比較演算を行って、最も差が少ない位置における差分値を求め、当該差分値が前記基準画像を1画素以下だけずらした際に求められる最大値から最小値の範囲内の場合にはノイズであると判断するようにしたことを特徴とするパターン検査方法である。
【0018】
また請求項2の発明による手段によれば、前記差分値が、前記最大値よりも大きい場合又は最小値よりも小さい場合にのみ前記パターン検査に必要な情報として利用することを特徴とするパターン検査方法である。
【0019】
また請求項3の発明による手段によれば、前記前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較演算は、それぞれのパターンデータの明度により行うことを特徴とするパターン検査方法である。
【0020】
また請求項4の発明による手段によれば、前記前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較により、前記被検査体のパターン欠陥を抽出することを特徴とするパターン検査方法である。
【0021】
また請求項5の発明による手段によれば、基準体および被検査体を撮像する撮像装置と、この撮像装置により撮像されたパターンデータをそれぞれ記憶する各記憶部と、この各記憶部にに記憶されている基準のパターンデータと被検査体のパターンデータとを比較する差分演算部とを有するパターン検査装置において、前記差分演算部では、前記被検査体のパターンデータと、前記基準画像および前記基準画像を1画素以下だけ複数の方向にずらした複数のパターンデータの各々について比較演算を行って、最も差が少ない位置における差分値を求め、当該差分値が前記基準画像を1画素以下だけずらした際に求められる最大値よりも大きい場合又は最小値よりも小さい場合のみ値を持つようにしていることを特徴とするパターン検査装置である。
【0022】
また請求項6の発明による手段によれば、前記差分演算部では、比較演算をそれぞれのパターンデータの明度により行うことを特徴とするパターン検査装置である。
【0023】
また請求項7の発明による手段によれば、前記差分演算部では、比較演算により前記被検査体のパターン欠陥を検出することを特徴とするパターン検査装置である。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1はパターン検査装置の構成図である。
【0025】
撮像装置1は、例えばCCDラインセンサ等が用いられ、半導体ウエハに形成された半導体チップ等の被検査体2の画像を入力してその画像信号を出力する機能を有している。この撮像装置1の出力端子には、A/D変換器3を介して検査パターンメモリ4と良品パターンメモリ6とが接続されている。したがって、撮像装置1が被検査体2を撮像した際には、撮像装置から出力された画像信号がA/D変換器3でデイジタル化されて検査パターンデータとして検査パターンメモリ4に記憶される。一方、撮像装置1が予め選択されている良品半導体ウエハを用いた良品体2aを撮像した際には、撮像装置から出力された画像信号がA/D変換器3でデイジタル化されて良品パターンデータとして良品パターンメモリ6に記憶される。
【0026】
これら検査パターンメモリ4及び良品パターンメモリ6には、それぞれウインドウ抽出部7、8が接続され、このうち一方のウインドウ抽出部7には各デイレイ部9、10を介して差分演算部11が接続され、他方のウインドウ抽出部8にはずれ方向演算部12及び選択部13を介して差分演算部11が接続されている。
【0027】
ウインドウ抽出部7は、検査パターンメモリ4に記億されている検査パターンデータから局部検査を行うために、例えば、注目画素を中心とする5×5画素のウインドウ(以下、5×5ウインドウ)の検査パターンデータを抽出してディレイ部9に送出する機能を有している。
【0028】
このディレイ部9は、ずれ方向演算部12における処理時間に相当する時間だけ、ウインドウ抽出部7により抽出された画像データを遅延するものであり、次のディレイ部10は、ディレイ部9からの画像データを選択部13における処理時間に相当する時間だけ遅延して差分演算部11に送出する機能を有している。
【0029】
ウインドウ抽出部8は、良品パターンメモリ6に記憶されている良品パターンデータから局部検査を行うために、例えば、7×7画素のウインドウ(以下、7×7ウインドウ)の良品パターンデータを抽出して、ずれ方向演算部12に送出する機能を有している。
【0030】
このずれ方向演算部12は、ウインドウ抽出部8により抽出された7×7ウインドウの良品パターンデータを受け取り、この良品パターンデータから注目画素を中心とする5×5ウインドウと、このウインドウの良品パターンデータを例えば角度0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°の8方向にそれぞれ2分の1画素だけずらした、8つの5×5ウインドウとの計9通りのウインドウの良品パターンデータを作成し、これら良品パターンデータと検査パターンデータとの各差分データを求める機能を有している。この場合、ずれ方向演算部12は、良品パターンデータのウインドウを0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°の8方向にずらす場合、隣り合った画素間の和の比率から2分の1画素だけずらすものとなっている。
【0031】
選択部13は、ずれ方向演算部12により求められた各差分データのうち、画素の総和が最小すなわち画素の総和が0に最も近い方向の良品パターンデータ、すなわち検査パターンデータに対して位置補正された良品パターンデータを選択する機能を有している。
【0032】
差分演算部11は、選択部13により選択された良品パターンデータのウインドウの中心画素とディレイ部10からの、検査パターンデータのウインドウの中心画素との差分を求める機能を有している。
【0033】
欠陥判定部14は、差分演算部11からの差分と予め設定されたしきい値とを比較して、被検査体2の欠陥判定を行う機能を有している。
【0034】
繰り返し実行部15は、ずれ方向演算手段12、選択部13、差分演算部11及び欠陥判定部14による被検査体2のパターン検査を行う位置連の処理を検査パターンデータの全画素について繰り返し実行させる機能を有している。
【0035】
次に、これらの構成の装置の作用について説明する。
【0036】
撮像装置1は、まず、被検査体として良品体2aの半導体ウエハを用いて、その半導体ウエハに形成された回路パターン等の被検査対象の画像を入力してその画像信号を出力する。この撮像装置1から出力された画像信号は、A/D変換器3によりディジタル化されて良品パターンデータとして良品パターンメモリ4に記憶される。
【0037】
この状態で、被検査体2である一般の半導体チップの検査にはいる。すなわち、撮像装置1は、被検査体2に形成された回路パターン等の画像を入力してその画像信号を出力する。この撮像装置1から出力された画像信号は、A/D変換器3によりディジタル化されて検査パターンデータとして検査パターンメモリ4に記憶される。
【0038】
これらの検査パターンデータと、良品パターンデータとを比較することにより被検査体2の検査を行う。
【0039】
以下、図2に示すフロー図にもとづいて順次説明する。すなわち、上述のように、あらかじめ、被検査体2として良品体2aの半導体チップを用いて、その半導体チップに形成された回路パターン等の被検査対象を撮像装置1で撮像して、その画像をA/D変換器3を介して良品パターンメモリ4にディジタル化して入力し、その画像信号を良品パターンデータとして良品パターンメモリ4に記憶している状態で、撮像装置1により被検査体2の画像を撮像して、検査画像としてA/D変換器3を介して検査パターンメモリ4にデイジタル化して入力する(S1)。
【0040】
続いて、この検査パターンメモリ4に入力された検査パターンデータに対して、良品パターンメモリ6に記憶されている基準画像である良品パターンデータに対する位置補正を行う(S2)。さらに、検査パターンデータの輝度を測定して輝度の正規化を行う(S3)。次に、基準画像の良品パターンデータと検査パターンデータとの比較を行い差分検出を行う(S4)。
【0041】
この差分検出については、図3(a)〜(e)の説明図により、1次元データに適用した場合の説明を行う。なお、この場合のずらし量は1/2画素としてある。
【0042】
すなわち、図3(a)に示した基準画像と、図3(b)および(c)に示した基準画像を1/2画素ずらした基準画像について、図3(d)に示した検査パターンデータである検査画像の注目画素および近傍画素と、基準画像および画素ずらし基準画像に対する対応画素同士の差分の総和を演算する。すなわち、例えば、3×3画素のウインドウの場合は、9個の画像に対して、それぞれ対応画素同士の差分を算出し、それらの総和を演算する。それにより、最も一致した場合の差分結果を求めておく。同時に、基準画像の注目画素および近傍画素から、基準画像をずらした場合に注目画素位置において取りうる最大値および最小値を求める。この場合1/2画素ずらした基準画像であるので、1/2の半分である1/4画素ずれた場合に最大および最小の誤差が生じる。
【0043】
これらにより、検査画像との差分結果がずらした際に取りうる最大値より大きな場合、または、最小値よりも小さな値の場合に、差分結果から最大値または最小値を減算した値を出力する。したがって、最も一致した場合の差分演算結果は、図3(d)に示した検査画像については、演算結果は図3(e)に示したように値を持たない。つまり、差分結果が最大値から最小値の範囲内である場合には、位置ずれによるノイズであると判断し、値を出力しないものである。
【0044】
次に上述の差分結果を2値化し(S5)、サイズ判定を行い(S6)、結果画像の表示を行う(S7)。
【0045】
なお、1枚の被検査体2が終了したら、繰返し実行部15により、次の被検査体2の撮像を行い、同様なプロセスを繰返すことによって被検査体2を検査することができる。その際、良品パターンデータは、その都度、良品体2aを撮像して作成する必要はなく、良品パターンメモリ6に記憶されている良品パターンデータを用いればよい。
【0046】
また、本発明の方法を2次元画像でずらし量を1/2画素、近傍範囲を3×3画素とし、画素間を1次補間した場合の計算式は次のようになる。ここで、基準画像はR(x、y)、検査画像はP(x、y)、演算結果の画像はQ(x、y)である。
【数1】
Figure 0004357666
上述のように、本発明の方法では1画素以下の範囲で微少な位置決めを行っているのと等価であるので、取りうる誤差を小さくすることができ、その結果、微少な明度差の欠陥を抽出することができる。したがって、従来の近傍の最大値−最小値を参照する方法では、1画素以下の位置ずれにより取りうる誤差が大きく、このため微少な明度差の欠陥を抽出できなかったが、その欠点を解消している。
【0047】
また、本発明の方法では1枚の画像から最大取りうる誤差を計算するので、簡便で、かつ、基準画像の与え方によらず正しい検出が可能である。そのため、従来の統計による方法では必要としていた、あらかじめ処理しておく大量の画像が不用になった。
【0048】
また、本発明の方法ではエッジの部分と平坦な部分で、しきい値が変化することと等価であるので、基準画像のパターンによらず、最適なしきい値で欠陥を抽出できて、微少な明度差の欠陥まで抽出できる。したがって、従来の局所摂動法ではエッジの存在する部分でノイズを出さないようにしきい値を設定すると、平坦な部分では位置ずれによる誤差が生じにくいにも関わらず、しきい値以上の明度差の欠陥のみ検出してしまう弊害を除去できる。
【0049】
次に、上述の検査技術をチップ外観検査装置に用いた場合について説明する。図4はチップ外観検査処置の概要を示すブロック図である。
【0050】
被検査体22を載置する検査テーブル23は、XYステージ24上にθステージ25が形成されている。この検査テーブル23には被検査体22である半導体ウエハを搬入するローダ26と排出を行うアンローダ27とが連接して設けられている。一方、検査テーブル23の上方にはZステージ28が設けられ、このZステージ28には同軸・暗視野照明29、接眼レンズ30および観察用カラーカメラ31へ反射光軸を導くハーフミラー32a、32b、32cが設けられている。また、リング照明33が検査テーブル23面を照射する位置に配設されている。
【0051】
Zステージ28の光軸上の後方には高解像度のCCDカメラ34が設置されている。このCCDカメラ34には画像処理ユニット35が接続されており、また、この画像処理ユニット35は制御部36に接続されている。なお、制御部36には、XYステージ24、θステージ25およびZステージ28を駆動する各モータ(不図示)を制御するドライバ37とモニタ38が接続されている。
【0052】
これらの構成による装置の動作を説明すると、まず、図示しないマガジンから被検査体22である半導体ウエハを取出してローダ26によって搬送し、検査テーブル23上に載置する。載置された半導体ウエハの位置ずれに関し、回転ずれはθステージ25により、また、中心ずれはXYステージ24により補正を行う。また、必要に応じて、レンズ系をオートフォーカスでファインアライメントの補正を行う。
【0053】
次に、指定された照明を点灯し、検査テーブル23を最初の測定位置に移動する。それにより、数チップ分又は1チップの一部の画像を拡大して画像処理ユニット35に取込む。画像処理ユニット35には、予め、良品の半導体ウエハ(不図示)による良品画像のデータが検査前に学習パターン機能を用いて作成されており、そのデータが記憶されているので、そのデータを用いて被検査体22である半導体ウエハの画像の位置決めを行った後に、CCDカメラ34で画像を撮像して画像処理ユニット35にそのデータを取込み、良品画像のデータと比較して、被検査体22の良否判定を行う。画像処理ユニット35での処理は上述の検査方法を用いて行っている。
【0054】
以下同様な作用を繰り返し、全ての測定が終了したら検査テーブル23上の半導体ウエハをアンローダ27で排出し、図示しないマガジンに収納する。
【0055】
したがって、本装置によれば、半導体チップの検査をノイズが少なく、かつ、微小な明度差の欠陥を確実に検出することができる。
【0056】
なお、上述の実施の形態では、本発明のパターン検査装置を半導体チップ検査装置に適用した例を示したが、これに限定されることなく、マスクあるいはレチクル検査装置、あるいはプリント基板や液晶基板等の検査装置にも本発明を適用できるものである。
【0057】
【発明の効果】
本発明によれば、1画素以下の位置ずれがある検査画像でも、ノイズが少なく、かつ、微少な明度差の欠陥を確実に検出を行うことができる。
【0058】
また、基準画像は1枚の画像から最大取りうる誤差を計算するので、簡便で、かつ、基準画像の与え方によらず正確な欠陥の検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】パターン検査装置の構成図。
【図2】パターン検査装置の動作を示すフロー図。
【図3】(a)から(e)は、本発明の差分検出についての説明図。
【図4】チップ外観検査処置の概要を示すブロック図。
【図5】(a)〜(c)は、1画素以下のずれによって生じるノイズの様子の説明図。
【図6】(a)〜(c)は、近傍の最大値−最小値を参照する方法を1次元データに適用した場合の説明図。
【図7】(a)〜(c)は、統計画像を用いる方法を1次元データに適用した場合についての説明図。
【図8】(a)〜(e)に局所摂動法を1次元データに適用した場合の説明図。
【符号の説明】
1…撮像装置、2、22…被検査体、2a…良品体、4…検査パターンメモリ、6…良品パターンメモリ、7…ウインドウ抽出部、8…ウインドウ抽出部、11…差分演算部、14…欠陥判定部、23…検査テーブル、34…CCDカメラ、35…画像処理ユニット

Claims (7)

  1. 基準画像のパターンデータと、被検査体を撮像装置で撮像して得た被検査体パターンデータとを比較し、前記被検査体のパターンを検査するパターン検査方法において、
    前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較は、前記被検査体のパターンデータと、前記基準画像および前記基準画像を1画素以下だけ複数の方向にずらした複数のパターンデータの各々について比較演算を行って、最も差が少ない位置における差分値を求め、当該差分値が前記基準画像を1画素以下だけずらした際に求められる最大値から最小値の範囲内の場合にはノイズであると判断するようにしたことを特徴とするパターン検査方法。
  2. 前記差分値が、前記最大値よりも大きい場合又は最小値よりも小さい場合にのみ前記パターン検査に必要な情報として利用することを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。
  3. 前記前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較演算は、それぞれのパターンデータの明度により行うことを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。
  4. 前記前記基準画像のパターンデータと前記被検査体のパターンデータとの比較により、前記被検査体のパターン欠陥を抽出することを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。
  5. 基準体および被検査体を撮像する撮像装置と、この撮像装置により撮像されたパターンデータをそれぞれ記憶する各記憶部と、この各記憶部にに記憶されている基準のパターンデータと被検査体のパターンデータとを比較する差分演算部とを有するパターン検査装置において、
    前記差分演算部では、前記被検査体のパターンデータと、前記基準画像および前記基準画像を1画素以下だけ複数の方向にずらした複数のパターンデータの各々について比較演算を行って、最も差が少ない位置における差分値を求め、当該差分値が前記基準画像を1画素以下だけずらした際に求められる最大値よりも大きい場合又は最小値よりも小さい場合のみ値を持つようにしていることを特徴とするパターン検査装置。
  6. 前記差分演算部では、比較演算をそれぞれのパターンデータの明度により行うことを特徴とする請求項5記載のパターン検査装置。
  7. 前記差分演算部では、比較演算により前記被検査体のパターン欠陥を検出することを特徴とする請求項5記載のパターン検査装置。
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