KR0151223B1

KR0151223B1 - 강유전체 메모리를 구비한 전자기기

Info

Publication number: KR0151223B1
Application number: KR1019940007655A
Authority: KR
Inventors: 다까시 오리모도; 료오 이시가와; 시게또 스즈끼; 가쓰요시 가네꼬; 다까시 시라사까
Original assignee: 가즈오 가시오; 가시오 게이상기 가부시끼가이샤
Priority date: 1993-04-13
Filing date: 1994-04-12
Publication date: 1998-12-01
Also published as: CN1109186A; CN1037633C; DE69425341D1; EP0620555A3; KR940024596A; DE69425341T2; EP0620555B1; EP0620555A2; JPH06302179A; HK1013518A1; US5850231A; TW251358B

Abstract

본 발명에 관한 전자기기는 불휘발성유전체 메모리를 이용하여 백업용의 전원전압등을 필요로 함이 없이 데이터를 유지한다. 스케듈이나 전화번호등의 데이터를 휘발모드(다이나믹 모드)와 불휘발 모드와의 절환이 가능한 강유전체 RAM(16) 에 기억시키고, CLK키이(12a)에 의한 시계 모드 지정시에는, 메모리 제어회로(17)에 의해 상기 강유전체 RAM(16)을 불휘발 모드로 절환하여 관리데이터의 유지를 도모하고, 또한 SCH키이(12b)나 Tel키이(12c)에 의한 스케듈 모드나 전화모드 지정시에는, 상기 강유전체 RAM(16)을 휘발모드로 절환하여 상기 관리데이터의 기입(등록)이나 판독(표시)을 행하는 구성으로 한다. 또한 전지 전압의 저하나, 전지의 제거를 검출한 때에는 메모리내의 데이터를 보호하기 위해 불휘발모드로 절환되도록 구성하고 있다.

Description

강유전체 메모리를 구비한 전자기기

제1도는 본 발명 전자기기의 제1실시예에 관한 전자기기의 전원 공급구성을 나타내는 회로도이고,

제2도는 상기 제1실시예 전자기기의 전자회로의 상세한 구성을 나타내는 블록도이고,

제3도는 상기 전자회로에 내장되는 강유전체 RAM의 단자구성을 나타내는 도이고,

제4도는 상기 전자회로에 내장되는 강유전체 RAM의 모드절환 동작을 나타내는 타이밍차트이고,

제5도는 상기 제1실시예 전자기기의 동작을 나타내는 폴로우차트이고,

제6도는 제2실시예에 관한 전자기기의 전원공급 구성을 나타내는 회로도이고,

제7도는 제2실시예의 전자회로에 내장되는 강유전체 RAM의 전원 ON에 수반하는 모드절환동작을 나타내는 타이밍차트이고,

제8도는 제2실시예의 전자회로에 내장되는 강유전체 RAM의 전원 OFF에 수반하는 모드절환동작을 나타내는 타이밍차트이고,

제9도는 제3실시예에 관한 전자기기의 전원공급 구성을 나타내는 회로도이고,

제10도는 제4실시예에 관한 것으로, 외부기억매체로서 강유전체 RAM 카드가 장착가능한 전자회로의 구성을 나타내는 블록도이다.

본 발명은, 다이나믹 모드와 불휘발모드의 절환(스위칭)이 가능한 불휘발성 강유전체 메모리(Ferroelectric Memory)를 이용한 전자기기에 관한 것, 특히 메모리의 모드 절환제어에 관한 것이다.

종래, 개인의 스케듈이나 아는 사람의 주소, 전화번호 등의 관리에는 메모수첩이 널리 사용되고 있으나, 최근에는 키이 입력조작에 의해 반도체 메모리에 데이터를 기억시키고 필요에 따라 해당 데이터를 판독하여 표시부에 표시시키는 소위 전자식의 메모장(electronic note-book)도 실용되고 있다.

이 전자식 메모장에 있어서, 상기 데이터는 기기에 내장되던지 또는 외부 기억매체로서의 카드에 내장되는 DRAM(다이나믹 램)이나 SRAM(스타틱 RAM) 등에 기억되고, 전원 OFF시 혹은 카드를 분리했을 때에도, 상기 RAM에는 백업 전압을 공급하는 구성으로하여 기억한 데이터의 보유를 도모하고 있다. 통상 이 종류의 전자기기의 전원에는, 전지나 충전지가 사용되기 때문에 장시간의 경과에 의해 해당전지가 소모하면 상기 백업 전압도 공급되지 않게 되어 RAM내의 데이터는 소멸해 버린다. 이 때문에 종래 전자기기의 일부에는 전원이 되는 전지 전압이 소정치 이하로 저하하면 표시나 버저등에 의해 유우저(사용자)에게 전지교환을 재촉하는 기능이 부가되어 있는 것도 있다.

그러나, 상기 전지 교환 통보기능을 갖춘 전자기기에 있어서도, 장기간 사용되지 않으면 그 통보동작에 유우저가 알아차리지 못한채 전지의 소모가 진행하기 때문에 결국 RAM내의 데이터를 모멸시켜 버리는 경우가 있다.

한편 근년에는 새로운 메모리의 개발이 진행되어 통상의 반도체 RAM과 같은 판독/기입 성능에 추가하여 불휘발성능을 함께 갖는 강유전체 메모리가 출현하게 되었다.

이 메모리는 통상의 DRAM으로서 동작하는 다이나믹 모드와 불휘발성으로 되는 불휘발모드를 절환하여 사용되는 것으로, 다이나믹 모드동작시에는 메모리의 특수구성에 의한 높은 유전율 때문에 DRAM 캐파시터 셀로서 사용되고, 불휘발 모드동작시에는 분극에 의한 2개의 안정상태에 의해 전원없이 데이터를 보유하는 것이 가능해지는 것이다.

본 발명의 목적은 강유전체 메모리를 사용하여 백업전원(backup power source) 없이 데이터를 유지하는 전자기기를 제공하는데 있고, 다른 목적으로서는 전자기기에 사용되는 강유전체 메모리의 모드제어를 적절히 실행하는 장치를 제공하는데 있다.

따라서 본 발명의 한 양태에 의하면, 다이나믹 모드/불휘발성 모드의 2 모드로 절환되는 특성을 갖는 강유전체 메모리; 전자기기의 동작상태를 관리하는 상태 관리수단; 및 이 상태 관리 수단에 의해 관리된 기기의 동작 상태에 따라 상기 유전체 메모리의 모드를 지정하는 모드 지정수단으로 되어 있는 전자기기가 제공된다.

본 발명의 다른 양태에 의하면, 데이터의 입출력을 위한 입력수단; 다이나믹 모드/불휘발성 모드의 2 모드로 절환되는 특성을 갖는 강유전체 메모리; 전자기기의 동작상태를 관리하는 상태 관리수단; 및 이 상태 관리 수단에 의해 관리된 기기의 동작 상태에 따라 상기 유전체 메모리의 모드를 지정하는 모드 지정수단으로 되어 있는 전자기기가 제공된다.

본 발명의 다른 양태에 의하면, 데이터의 입출력을 위한 입력수단; 다이나믹 모드/불휘발성 모드의 2모드로 절환되는 특성을 갖고, 입력수단으로부터 입력된 데이터를 기억하는 강유전체 메모리; 전자기구를 구동하는 전원을 공급하는 전지; 전지의 상태를 감시하는 감시수단; 및 상기 감시수단에 의해 감시된 전지의 상태에 기초하여 상기 강유전체 메모리를 다이나믹 모드로부터 불휘발성모드로 절환하는 모드로 되어 있는 전자기기가 제공된다.

본 발명의 또다른 양태에 의하면, 외부기억매체와, 이 외부 기억매체의 접속이 가능하고, 이 기억매체에 데이터를 기입하고, 기억매체로부터 데이터를 판독하는 전자기기로 구성되는 정보기억시스템이 제공되는데, 상기 외부 기억매체는 다이나믹 모드/불휘발성 모드의 2모드로 절환되는 특성을 갖는 강유전체 메모리를 포함하고, 상기 전자기기는 강유전체 메모리의 다이나믹 모드/불휘발성 모드를 절환제어하는 신호를 출력하는 제어수단으로 포함한다.

[실시예 1]

제1도는 불휘발 강유전체 메모리의 다이나믹 모드와 불휘발 모드절환(스위칭)을 전압검지 및 기기의 모드설정에 연동시킨 전자기기의 전원공급구성을 나타내는 회로도이다.

전자기기의 주요부를 구성하는 전자회로(10)에 대해서는, 전지 혹은 충전지 등을 사용하여 이루어지는 배터리전원(B)으로 부터의 전원전압이, 전원스위치(SW) 및 정전압 레귤레이터(R)를 개재하여 공급된다.

상기 정전압 레귤레이터(R)의 출력전압은, 전압검출기(D)에 의해 검출되고, 그 전압 검출신호는 상기 전자회로(10)에 공급된다.

제2도는 전자기기의 전자회로(10)의 구성을 나타내는 블록도이다. 이 전자회로(10)는, CPU(중앙처리장치)(11)에 의해, 키이입력부(12)로 부터의 키이 조작신호에 따라 ROM(13)에 미리 기억되어 있는 시스템 프로그램이 기동되고 회로각부의 동작제어가 행해진다. 이 CPU(11)에는 상기 키이 입력부(12), ROM(13), 및 상기 전압검출부(D)외에, 주로 워어크용으로서 동작하는 RAM(14), 계시부(15), 불휘발성 강유전체 메모리(강유전체 RAM)(16), 메모리 제어회로(17), 및 표시부(18)가 접속된다.

상기 키이입력부(12)에는, 개인의 스케듈 데이터나 아는 사람의 애드레스 데이터, 전화번호데이터 등을 입력하기 위한 문자키이, 숫자키이, 기호키이 등의 각종 입력키이가 구비됨(도시되지 않음)과 동시에, 시계표시를 행하는 시계모드로 설정할 때 조작되는 CLK키이(12a), 스케듈 데이터의 등록/표시를 행하는 스케듈 모드로 설정할 때 조작되는 Sch키이(12b), 전화번호 데이터의 등록/표시를 행하는 전화모드로 설정할 때 조작되는 Tel키이(12c)의 모드설정키이가 구비된다.

상기 강유전체 RAM(16)은, 통상의 DRAM으로서 동작하는 휘발모드(다이나믹 모드)와 백업 전압을 요하지 않는 불휘발 모드와의 절환이 가능한 것이다. 이 강유전체 RAM(16)에는, 상기 스케듈 모드나 전화 모드가 설정된 때에 입력된 스케듈 데이터나 전화번호 데이터가 등록데이타로서 기억된다.

그리고 상기 강유전체 RAM(16)에 대한 다이나믹모드와 불휘발모드와의 절환신호 D/NV나 리프레시신호 RFSH등의 제어신호는 CPU(11)로부터의 지시에 따라 메모리제어회로(17)로부터 공급된다.

여기서, 메모리 제어회로(17)는, 내장되는 플립·플롭 FF(17a)에 의해 모드 절환신호 D/NV를 출력한다. 강유전체 RAM(16)은, D/NV가 1의 경우에 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환설정되고, 0의 경우에는 불휘발 모드로 절환 설정된다.

제3도는 상기 전자회로(10)에 내장되는 RAM(16)의 단자구성을 보여주는 도면이다.

이 강유전체 RAM(16)에는, 전원단자 Vcc, 접지단자 GND, 애드레스선 및 데이터선의 각 접속단자가 구비됨과 표시에, 모드 절환신호 D/NV, 리프레시 신호 RFSH, 칩 인에이블 신호 CE, 라이트 인에이블 신호 WE, 아우트푸트 인에이블 신호 OE의 각 제어신호 입력단자가 구비된다.

제4도는 상기 전자회로(10)내에 내장되는 강유전체 RAM(16)의 모드 절환동작을 나타내는 타이밍차트이다.

이 강유전체 RAM(16)은, 불휘발 모드에 있어서, 펄스상의 칩 인에이블신호 CE가 일정기간 공급되고, 모드절환신호 D/NV가 0(VIL) → 1(VIH)로 변화되면, 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환(스위칭)되어 리프레시 신호 RFSH의 공급이 필요해진다. 또한 휘발모드(다이나믹 모드)에 있어서, 리프레시 신호 RFSH가 정지되고 모드 절환신호 D/NV가 1(VIH) → 0(VIL)로 변화됨과 동시에, 펄스상의 칩 인에이블 신호 CE가 일정기간 공급되면, 불휘발 모드로 절환되게 된다.

다음에는 상기 구성에 의한 전자기기의 동작에 대해 제5도의 플로우차트를 참조하여 설명한다.

전원 스위치 SW(도시하지 않음)를 ON으로하면, 먼저 CPU(11)는 전압검출기 D로 부터의 전압검출신호에 기초하여 전자회로(10)에 공급되는 전원전압이 그 동작에 필요한 소정치이하로 저하했는지 않았는지가 판단된다(단계 S1).

이 단계 S1에 있어서, No, 결국 전원전압은 아직 소정치이하로 저하하지 않은 것이 판단되면, 키이입력부(12)로부터의 키이조작신호의 입력대기 상태로 된다(단계 S1 → S2).

[시계모드]

여기서, 유우저가 키이 입력부(12)의 CLK키이(12a)를 조작하여 시계모드를 설정하면, 현재 메모리 제어회로(17)에 보유되어 있는 모드절환신호 D/NV는 1인지 아닌지, 결국 강유전체 RAM(16)의 현 동작모드는 휘발모드(다이나믹 모드)인지 아닌지가 판단된다(단계 S3 → S4). 휘발 모드인 경우에는, 메모리 제어회로(17)에 의해 리프레시신호 RFSH가 정지되고, 모드 절환신호 D/NV가 1(VIH) → 0(VIL)로 변경되고, 펄스상의 칩 에이블신호 CE가 일정기간 공급되고, 불휘발모드로 절환된다(단계 S5, S6, S7).

그리고 계시부(시간측정부)(15)로 부터의 계시데이터에 기초하여 표시부(18)에 시계표시가 행해진다(단계 S8).

즉, 상기 시계모드에서는, 상기 강유전체 RAM(16)에 대한 데이터의 기입(등록) 혹은 판독(표시)은 행해지지 않기 때문에 불휘발모드로 절환되어 쓸데없는 전력소비의 억제가 도모된다.

또한 단계 S4에서 불휘발모드인 것이 판단된 경우에는, 단계 5-7를 통과하여 시간표시의 동작에 들어간다.

[스케듈 또는 전화모드]

상기 단계 S2에 있어서의 키이입력대기상태에 있어서, 유우저가 스케듈 모드 혹은 전화모드를 지정하기 위해 키이 입력부(12)의 Sch키이(12b) 혹은 Tel키이(12c)를 조작하면, 현재 메모리 제어회로(17)에 보유되어 있는 모드 절환신호 D/NV는 1 인지 아닌지, 결국 강유전체 RAM(16)의 현동작모드는 휘발모드(다이나믹 모드)인지 아닌지가 판단된다(단계 S9 → S10). 휘발 모드이지 않은 경우에는, 메모리 제어회로(17)에 의해 펄스상의 칩 인에이블 CE가 일정기간 공급되고 모드 절환신호 D/NV가 0(VIL) → 1(VIH)로 변화되고 리프레시 신호 RFSH의 공급이 개시되어 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환된다(단계 S11, S12, S13).

그러면, 키이 입력조작에 따른 스케듈 데이터 혹은 전화번호 데이터의 기입 혹은 판독이 상기 강유전체 RAM(16)에 대해 실행되고, 그 등록처리나 표시처리가 행해지게 된다(단계 S14).

즉, 상기 스케듈 모드 혹은 전화모드에서는, 상기 강유전체 RAM(16)에 대한 데이터의 기입(등록)이나 판독(표시)이 행해지므로, DRAM으로서 동작하는 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환된다. 또한 단계 S10에서 휘발모드라고 판단되면 단계 S11-13가 통과되어 스케듈 또는 전화 모드의 동작에 들어간다.

[전압저하상태]

상기 단계 S1에 있어서 전원전압이 소정치이하로 저하했다고 판단되면, 현재 메모리제어회로(17)에 보유되어 있는 모드 절환신호 D/NV는 1인가 아닌가, 결국 강유전체 RAM(16)의 현동작 모드는 휘발모드(다이나믹 모드)인지 아닌지 판단된다(단계 S1 → S17). 휘발모드인 경우에는, 메모리 제어회로(17)에 의해 리프레시 신호 RFSH가 정지되고 모드 절환신호 D/NV가 1(VIH) → 0(VIL)로 세트됨과 동시에, 펄스상의 칩 인에이블 신호 CE가 일정기간 공급되면, 불휘발 모드로 절환된다(단계 S18).

한편 단계 S17에서 불휘발 모드라고 판단되면 그 모드가 유지된다.

그리고 배터리(B)의 교환을 유우저에게 재촉하는 알람처리가, 메시지 표시 혹은 부저 구동등에 의해 행해진다(단계 S19).

즉, 상기 배터리(B)의 잔량에 여유가 없어지고, 휘발모드(다이나믹 모드)에 있는 강유전체 RAM(16)내의 기억 데이터에 파괴 혹은 소멸등의 우려가 생긴 경우에는 불휘발 모드로 절환된다.

따라서 상기 구성의 전자기기에 의하면, 시계모드 지정시, 혹은 전압검출기(D)에 의해 소정치 이하의 전원전압이 검출된 때에는, 메모리 제어회로(17)에 의해 상기 강유전체 RAM(16)을 불휘발 모드로 절환하여 데이터를 유지하며, 스케듈모드 혹은 전화모드 지정시에는, 상기 강유전체 RAM(16)을 휘발모드로 절환하여 데이터의 기입(등록)이나 판독(표시)을 행하기 때문에, 데이터 메모리의 억세스가 필요한 때에만 전력이 소비되게 되어 전지 수명을 연장할 수 있다.

[실시예 2]

제6도는 강유전체 RAM의 모드절환을 전원스위치 연동형으로한 전자기기의 전원공급 구성을 나타내는 회로도이다.

전자기기의 전자회로(10)에 대해서는, 전지 혹은 충전지 등을 이용하여 이루어지는 배터리 전원(B)으로 부터의 전원전압이, 전원스위치(SW) 및 정전압레귤레이터(R)를 거쳐 공급된다.

상기 전원 스위치(SW)의 후단에는, 콘덴서(C)가 삽입되어 전원 ON시에 있어서의 전원전압의 축적이 행해진다. 또한 전원스위치(SW)의 OFF시에는, 전원 OFF신호0(VIL)가 상기 전자회로(10)에 공급된다. 또한 전자회로(10)는 제1실시예와 마찬가지로 구성되는 것이다.

제7도는 전원 ON에 수반하는 모드 절환동작을 나타내는 타이밍차트이다.

즉, 전자기기가 전원 OFF의 상태(강유전체 RAM은 불휘발모드)에 있어서 전원 스위치(SW)를 ON으로 하면, 그 전원전압이 콘덴서(C)에 축적됨과 동시에, 전자회로(10)에 공급되는 Vcc 및 전원 OFF신호가 서서히 상승한다. 그 Vcc 및 전원 OFF신호가 1(VIH)이 되면, 강유전체 RAM(16)에 대해, 메모리 제어회로(17)에 의해 펄스상의 칩 인에이블 신호 CE가 일정기간 공급됨과 동시에, 모드절환신호 D/NV가 0(VIL) → 1(VIH)로 변화되고, 데이터의 기입(등록) 및 판독(표시)이 가능한 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환된다.

제8도는 전원 OFF에 수반하는 모드 절환동작을 나타내는 타이밍차트이다.

즉, 전자기기가 동작상태(강유전체 RAM이 휘발모드)에 있어서 전원 스위치(SW)를 OFF로 하면, 전자 회로(10)에 공급되는 전원 OFF신호가 0(VIL)으로 내려감과 동시에, 콘덴서(C)의 방전에 의해 Vcc는 서서히 강하해 간다. 이 Vcc의 잔류전압을 이용하여, 강유전체 RAM(16)에 대해, 메모리 제어회로(17)에 의해 모드절환신호 D/NV가 1(VIH) → 0(VIL)로 변화됨과 동시에, 펄스상의 칩 인에이블 신호 CE가 일정기간 공급되고, 데이터의 유지가 가능한 불휘발 모드로 절환된다.

따라서 제6도에 나타낸 구성의 전자기기에 의하면, 전자회로(10)에 내장되는 강유전체 RAM(16)을, 전원 ON에 수반하여 데이터 기입(등록) 및 판독(표시)이 가능한 휘발모드로 절환하고, 전원 OFF에 수반하여 데이터의 유지가 가능한 불휘발 모드로 절환할 수가 있다.

[실시예 3]

제9도는 강유전체 RAM의 모드절환을 배터리 교환 연동형으로한 전자기기의 전원공급 구성을 나타내는 회로도이다.

전자기기의 전자회로(10)에 대해서는, 전지 혹은 충전지 등을 이용해 이루어지는 배터리 전원(B)으로 부터의 전원전압이 전원스위치(SW) 및 정전압레귤레이터(R)를 거쳐 공급된다.

상기 전원 스위치(SW)의 후단에는, 배터리(B)의 교환시에 조작되는 배터리 교환연동 스위치(SW(B))가 삽입된다. 배터리(B)의 교환시에는, 배터리 교환 검출신호가 상기 전자회로(10)에 공급된다. 이 SW(B)는, 예컨대 전자 덮개의 개폐와 연동하도록 구성되어, 전지 교환시에는 반드시 조작되도록 한다.

즉, 제9도에 나타낸 전자기기에 의하면, 배터리(B)의 교환에 수반하여 배터리 교환 검출신호가 공급된 경우에는, 전자회로(10)에 내장되는 강유전체 RAM(16)을 불휘발모드로 절환하고, 또한 배터리(B)의 교환종료에 수반하여 상기 배터리 교환 검출신호의 공급이 중단된 경우에는, 상기 강유전체 RAM(16)을 휘발 모드(다이나믹 모드)로 절환함에 의해, 배터리(B)를 빼냄에 의해 기억데이터가 소멸할 우려를 없앨 수 있다.

[실시예 4]

제10도는 외부기억매체로서 강유전체 RAM을 내장한 카드를 장착가능하게 한 전자기기의 회로구성을 나타내는 블록도이다. 상기 제2도에 있어서의 전자회로(10)와 같은 구성부분에 대해서는 그것과 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략한다.

상기 강유전체 RAM카드(21)는, 상기 실시예와 같은 강유전체 RAM(16)을 내장하여, 스케듈데이터나 전화번호 데이터 등의 각종 데이터를 기억하는 카드형상의 기억매체이다. 이 강유전체 RAM카드(21)는 카드 인터 페이스(22)를 개재하여 전자기기의 내부회로(20)와 접속된다. 카드(21)내의 강유전체 RAM은, 전자기기의 강유전체 RAM제어회로(23)로 부터의 신호에 의해, 휘발모드(다이나믹 모드) 또는 불휘발 모드로 절환된다.

그리고 상기 강유전체 RAM카드(21)에 대한 데이터의 기입(등록) 혹은 판독(표시)은, 입출력 제어회로(24)를 거쳐 CPU(11)와의 사이에서 행해진다.

여기서 상기 카드 인터페이스(22)에는 카드 록스위치(25)가 구비되고 이 카드록 스위치(25)를 록(쇄정)함으로써 장착상태에 있는 강유전체 RAM카드(21)의 제거(꺼냄)가 저지되는 것이다. 이 카드록 스위치(25)에 의한 카드록 신호는 상기 유전체 RAM 제어회로(23)에 공급된다. 이 카드록 신호가 공급된 경우에는, 강유전체 RAM제어회로(23)는 해당 RAM카드(21)에 내장되는 강유전체 RAM(16)에 모드 절환신호 D/NV을 1로서 공급하여 휘발모드(다이나믹 모드)로 절환하고 메모리 억세스 처리를 가능하게 한다. 또한 강유전체 RAM카드(21)의 제거에 수반하여 카드록스위치(25)로 부터의 카드록 신호가 공급되지 않게 된 경우에는, 제어회로(23)는 모드절환신호를 0으로 절환하고, 해당 RAM카드(21)에 내장되는 강유전체 RAM(16)을 불휘발모드로 절환한다. 따라서 카드(21)가 제거된 경우에도 RAM카드(21)내의 데이터를 백업 전압 없는 상태에서도 확실히 유지할 수 있다.

Claims

다이나믹 모드/불휘발모드의 2개의 모드를 절환할 수 있는 특성을 가진 강유전체 메모리(16)와; 전자기기가 갖는 복수의 기능 중에서 사용자에게 1개를 선택시키는 선택수단과(12a,12b,12c), 전자기기의 동작상태를 관리하는 상태관리수단이며, 전자기기에 상기 선택수단에서 선택된 기능을 기초로 하는 소정의 동작을 실행시키는 수단(11)과; 상기 상태관리수단에 의해 관리된 기기의 동작상태에 응하여 상기 강유전체 메모리의 모드를 지정하는 모드지정수단(17)으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제1항에 있어서, 상기 상태관리수단(11)은, 전자기기가 상기 강유전체 메모리에 대한 데이터의 판독, 기입을 실행하는 동작상태를 설정하는 제1설정수단(11, 단계 S9∼S14)를 갖고, 상기 모드지정수단(17)은 데이터의 판독, 기입 동작상태의 설정에 의해 상기 강유전체 메모리를 다이나믹 모드로 하는 수단(17a)을 가진 것을 특징으로 하는 전자기기.
제2항에 있어서, 상기 제1설정수단은 적어도 스케듈데이터와 전화번호의 한쪽을 상기 강유전체 메모리에 등록시키는 전자기기의 동작상태를 설정하는 수단(11, 단계 S9∼S14)을 가진 것을 특징으로 하는 전자기기.
제1항에 있어서, 상기 상태관리수단(11)은, 전자기기가 상기 강유전체 메모리에 대한 데이터의 판독, 기입을 실행하지 않는 동작상태를 설정하는 제2설정수단(11, 단계 S3∼S8)을 갖고, 상기 모드지정수단(17)은 데이타의 판독, 기입을 하지 않는 동작상태의 설정에 의해 상기 강 유전체 메모리를 불휘발성 모드로 하는 수단(17a)을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제4항에 있어서, 계시 수단(15)을 추가로 갖고 있고, 상기 제2설정수단은, 이 계시수단의 내용에 따라 시계(시간)를 표시하는 전자기기의 모드를 설정하는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제1항에 있어서, 상기 상태 관리수단은, 전자기기의 전원의 온/오프 스위치(SW, 제6도)를 갖고, 상기 모드지정수단은, 전원온(ON)일때는 다이나믹 모드를, 전원 오프(OFF)일때는 불휘발성모드를 지정하는 수단(10)을 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제1항에 있어서, 상기 모드 지정수단(17)은, 모드의 절환시에, 상기 강유전체 메모리에 대해서, 적어도 일정기간의 펄스상 칩 인에이블 신호(CE)와 절환신호(D/NV)를 공급하는 신호발생수단을 갖는 것을 특징으로하는 전자기기.
데이터의 입출력을 위한 입력수단(12); 다이나믹 모드/불휘발성 모드의 2 모드로 절환되는 특성을 갖고, 상기 입력수단으로부터 입력된 데이터를 기억하는 강유전체 메모리(16); 전자기기를 구동하는 전원을 공급하는 전지(B); 전지의 상태를 감시하는 감시수단(D, 제2도)(SW(B), 제9도) ; 및 상기 감시수단에 의해 감시된 전지의 상태에 기초하여 상기 강유전체 메모리를 다이나믹 모드로부터 불휘발성 모드로 절환하는 절환수단(10, 17)으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제8항에 있어서, 상기 감시수단은, 전지전압이 소정치보다 낮게 된 것을 검출하는 전압 검출수단(D, 제2도)을 가진 것을 특징으로하는 전자기기.
제8항에 있어서, 상기 감시수단은, 전지가 전자기기로부터 제거된 것을 검지하는 검지수단(SW(B), 제9도)을 갖는 것을 특징으로하는 전자기기.
제10항에 있어서, 상기 검지수단은 전지를 취출할때(꺼낼때)에 조작되는 스위치(SW(B))를 갖는 것을 특징으로 하는 전자기기.
제8항에 있어서, 상기 절환수단(17)은, 모드의 절환시에, 상기 강유전체 메모리에 대해서, 적어도 일정기간 펄스상의 칩 인에이블 신호(CE)와 절환신호(D/NV)를 공급하는 신호발생수단을 가진 것을 특징으로하는 전자기기.
외부기억매체(21)와, 이 외부기억매체에 접속이 가능하고, 이 외부기억매체에 데이터를 기록하고, 이 외부기억매체로부터 데이터를 판독하는 전자기기(20)로 구성되는 정보 기억 시스템에 있어서, 상기 외부 기억매체는 다이나믹 모드/불휘발성 모드인 2개의 모드로 절환되는 특성을 가진 강유전체 메모리(21)를 포함하고, 상기 전자기기는 상기 강유전체 메모리의 다이나믹 모드/불휘발성 모드를 절환제어하는 신호를 출력하는 제어수단(23)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보기억시스템.
제13항에 있어서, 외부 기억매체의 제거를 저지하는 록(쇄정)스위치(25)를 갖고, 상기 제어수단은, 이 록 스위치가 해제됨에 의해 상기 강유전체 메모리를 다이나믹 모드로부터 불휘발모드로 변경시키는 수단을 갖는 것을 특징으로하는 정보기억시스템.
제14항에 있어서, 상기 기억매체는 카드형의 형상을 한 메모리카드인 것을 특징으로하는 정보기억시스템.
제15항에 있어서, 상기 전자기기는 추가로, 데이터를 입력하기 위한 키이보오드(12)와, 데이터를 표시하기 위한 표시패널(18)을 갖는 것을 특징으로 하는 정보기억시스템.
제13항에 있어서, 상기 제어수단은, 모드의 절환시에, 상기 강유전체 메모리에 대해서, 적어도 일정기간 펄스상의 칩 에인블 신호(CE)와 절환신호(D/NV)를 공급하는 신호발생수단(23)을 갖는 것을 특징으로 하는 정보기억시스템.