CN105097029B - 一种存储设备及信息处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种存储设备及信息处理方法，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；所述存储设备还包括：第一控制单元，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。

Description

一种存储设备及信息处理方法
技术领域
本发明涉及信息处理技术，尤其涉及一种存储设备及信息处理方法。
背景技术
固态硬盘闪存颗粒内部的半导体结构对温度相当敏感，温度的升高会导致电子的布朗运动变得剧烈并有更大的几率从晶格中逃逸，从而造成晶格内部的电压(电子数量)低于可探知(读取)的正常范围，体现为数据的丢失。
如果在25℃环境温度下存储或者在40℃环境温度下工作，普通的企业级固态硬盘数据保存时间只有105周(两年)。如果温度升高到30℃，数据保存时间只有一年。温度每升高5℃，数据可以保存的时间就会减少一半。而如果固态硬盘长期不通电，闪存内部的晶体管栅极很容易失去其原有特性，导致存储的数据失效。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种存储设备及信息处理方法。
本发明实施例提供的存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
本发明实施例提供的信息处理方法，应用于一存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；所述方法包括：
控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
本发明实施例的技术方案中，存储设备具有至少一个第一存储单元，每个第一存储单元都是通过浮栅晶体管保存电子(电荷)来实现存储第一数据的，而电子是可以随时间的流逝而流失的，这就可能会造成数据丢失，因此，本发明实施例的存储设备还具有第一供电单元，第一供电单元与第一存储单元电连接；第一供电单元向第一存储单元供电，保证电子的正常存储，防止数据丢失或存储设备的异常。如此，可以防止存储设备中的数据丢失，进而避免相关电子设备启动异常。
附图说明
图1为本发明实施例一的信息处理方法的流程示意图；
图2为本发明实施例二的信息处理方法的流程示意图；
图3为本发明实施例三的信息处理方法的流程示意图；
图4为本发明实施例四的信息处理方法的流程示意图；
图5为本发明实施例的闪存的内部结构示意图；
图6为本发明实施例一的存储设备的结构组成示意图；
图7为本发明实施例二的存储设备的结构组成示意图；
图8为本发明实施例三的存储设备的结构组成示意图；
图9为本发明实施例四的存储设备的结构组成示意图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本发明实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本发明实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本发明实施例。
图1为本发明实施例一的信息处理方法的流程示意图，本示例中的信息处理方法应用于存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；如图1所示，所述信息处理方法包括：
步骤101：控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
本发明实施例中，存储设备可以是固态硬盘。固态硬盘是基于闪存的数据存储设备，每个数据位保存在由浮栅晶体管制成的闪存单元里。在浮栅晶体管中，使用电压来实现每个位的读写和擦除，即浮栅晶体管是通过保存电子来实现保存比特信息的。
上述方案中，闪存单元分为：非易失(NOR)闪存和计算机(NAND)闪存。NAND闪存的擦和写均是基于隧道效应，通过硅基层给浮栅充电，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR闪存擦除数据仍是基于隧道效应，即电流从浮置栅极到硅基层，但在写入数据时则是采用热电子注入方式，即电流从浮置栅极到源极。
上述方案中，存储设备中的第一存储单元具体指固态硬盘中的闪存。下面结合图5所示的闪存结构对本发明实施例的第一存储单元作详细描述。
参照图5，闪存由浮栅晶体管制成，具体地，闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，闪存由源极(Source)、漏极(Drain)、浮置栅极(Floating Gate)、控制栅极(Control Gate)组成，其中，浮置栅极是真正存储数据的单元。
第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷(electrical charge)形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极所被施加的电压，控制栅极控制是向浮置栅极中冲入电荷还是使其释放电荷。而第一数据的表示，以浮置栅极所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值(Vth)来表示。
对于NAND闪存的写入(编程)，就是使控制栅极去充电(对控制栅极施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，足以超过阈值(Vth)，则该闪存表示0。
对于NAND闪存的擦除(Erase)，就是对浮置栅极放电，使浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1。
上述方案中，第一数据表示为0或1不仅限于上述方式，还可以是如下方式：浮置栅极的电压超过阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1；浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存表示0。
本发明实施例中，可通过获取第一指令，来启动第一供电单元；获取第一指令具体可通过但不限于以下方式实现：
方式一：在第一预定时间到来时生成所述第一指令。具体地，可预先设定第一指令的生成时间为第一预定时间，当存储设备检测到第一预定时间到来时，自动生成第一指令。
方式二：检测到用户的第一操作时生成所述第一指令，所述第一操作为启动第一供电单元的操作。具体地，基于用户的第一操作来获得第一指令。
上述方案中，第一指令用于启动对供电单元。
本发明实施例中，固态硬盘是通过浮栅晶体管保存电子来实现保存第一数据的，而电子是可以随时间的流逝而流失的，这就可能会造成数据丢失，一旦重要的数据丢失，就有可能造成电脑启动异常。为此，存储设备(固态硬盘)还具有第一供电单元，具体地，在固态硬盘上添加一块电池，不定期的给固态硬盘上的闪存上电，保证闪存中电子的正常存储，防止数据丢失或硬盘的移动异常。
本发明实施例中，第一供电单元被启动后，第一供电单元为存储设备的各个第一存储单元供电。参照图5，通过一电池为闪存供电，使得闪存中的浮置栅极中的电荷保持在一定范围内。
本发明实施例中，可以将充电策略设置为如下策略：以写入第一数据的时刻为起点，当距离该起点的时长超过预定时长后，自动控制第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。还可以，以上一次充电的时刻为起点，当距离该起点的时长超过预定时长后，自动控制第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。也即可以周期性的按照预设时长控制第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。
本发明实施例中，第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷形式存储的。在第一供电单元向所述第一存储单元供电时，浮置栅极中的电荷为第一运动状态，具体地，浮置栅极中的电荷为第一运动状态时，浮置栅极中电荷对应的电压随时间的变化小于等于某一阈值，从而使得浮置栅极中电荷对应的电压始终保持为超过阈值(Vth)。第一供电单元向第一存储单元供电保证了电子的正常存储，防止数据丢失或存储设备的异常。
图2为本发明实施例二的信息处理方法的流程示意图，本示例中的信息处理方法应用于存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；如图2所示，所述信息处理方法包括：
步骤201：判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值。
本发明实施例中，存储设备可以是固态硬盘。固态硬盘是基于闪存的数据存储设备，每个数据位保存在由浮栅晶体管制成的闪存单元里。在浮栅晶体管中，使用电压来实现每个位的读写和擦除，即浮栅晶体管是通过保存电子来实现保存比特信息的。
上述方案中，闪存单元分为：非易失(NOR)闪存和计算机(NAND)闪存。NAND闪存的擦和写均是基于隧道效应，通过硅基层给浮栅充电，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR闪存擦除数据仍是基于隧道效应，即电流从浮置栅极到硅基层，但在写入数据时则是采用热电子注入方式，即电流从浮置栅极到源极。
上述方案中，存储设备中的第一存储单元具体指固态硬盘中的闪存。下面结合图5所示的闪存结构对本发明实施例的第一存储单元作详细描述。
参照图5，闪存由浮栅晶体管制成，具体地，闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，闪存由源极(Source)、漏极(Drain)、浮置栅极(Floating Gate)、控制栅极(Control Gate)组成，其中，浮置栅极是真正存储数据的单元。
第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷(electrical charge)形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极所被施加的电压，控制栅极控制是向浮置栅极中冲入电荷还是使其释放电荷。而第一数据的表示，以浮置栅极所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值(Vth)来表示。
对于NAND闪存的写入(编程)，就是使控制栅极去充电(对控制栅极施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，足以超过阈值(Vth)，则该闪存表示0。
对于NAND闪存的擦除(Erase)，就是对浮置栅极放电，使浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1。
上述方案中，第一数据表示为0或1不仅限于上述方式，还可以是如下方式：浮置栅极的电压超过阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1；浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存表示0。
本发明实施例中，可通过获取第一指令，来启动第一供电单元；获取第一指令具体可通过但不限于以下方式实现：
方式一：在第一预定时间到来时生成所述第一指令。具体地，可预先设定第一指令的生成时间为第一预定时间，当存储设备检测到第一预定时间到来时，自动生成第一指令。
方式二：检测到用户的第一操作时生成所述第一指令，所述第一操作为启动第一供电单元的操作。具体地，基于用户的第一操作来获得第一指令。
上述方案中，第一指令用于启动对供电单元。
本发明实施例中，第一阈值为上述浮置栅极的电压对应的阈值(Vth)。当第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，则表明数据即将丢失，此时需对第一存储单元进行充电。
步骤202：当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
本发明实施例中，固态硬盘是通过浮栅晶体管保存电子来实现保存第一数据的，而电子是可以随时间的流逝而流失的，这就可能会造成数据丢失，一旦重要的数据丢失，就有可能造成电脑启动异常。为此，存储设备(固态硬盘)还具有第一供电单元，具体地，在固态硬盘上添加一块电池，不定期的给固态硬盘上的闪存上电，保证闪存中电子的正常存储，防止数据丢失或硬盘的移动异常。
本发明实施例中，第一供电单元被启动后，第一供电单元为存储设备的各个第一存储单元供电。参照图5，通过一电池为闪存供电，使得闪存中的浮置栅极中的电荷保持在一定范围内。
本发明实施例中，第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷形式存储的。在第一供电单元向所述第一存储单元供电时，浮置栅极中的电荷为第一运动状态，具体地，浮置栅极中的电荷为第一运动状态时，浮置栅极中电荷对应的电压随时间的变化小于等于某一阈值，从而使得浮置栅极中电荷对应的电压始终保持为超过阈值(Vth)。第一供电单元向第一存储单元供电保证了电子的正常存储，防止数据丢失或存储设备的异常。
图3为本发明实施例三的信息处理方法的流程示意图，本示例中的信息处理方法应用于存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；如图3所示，所述信息处理方法包括：
步骤301：判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值。
本发明实施例中，存储设备可以是固态硬盘。固态硬盘是基于闪存的数据存储设备，每个数据位保存在由浮栅晶体管制成的闪存单元里。在浮栅晶体管中，使用电压来实现每个位的读写和擦除，即浮栅晶体管是通过保存电子来实现保存比特信息的。
上述方案中，闪存单元分为：非易失(NOR)闪存和计算机(NAND)闪存。NAND闪存的擦和写均是基于隧道效应，通过硅基层给浮栅充电，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR闪存擦除数据仍是基于隧道效应，即电流从浮置栅极到硅基层，但在写入数据时则是采用热电子注入方式，即电流从浮置栅极到源极。
上述方案中，存储设备中的第一存储单元具体指固态硬盘中的闪存。下面结合图5所示的闪存结构对本发明实施例的第一存储单元作详细描述。
参照图5，闪存由浮栅晶体管制成，具体地，闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，闪存由源极(Source)、漏极(Drain)、浮置栅极(Floating Gate)、控制栅极(Control Gate)组成，其中，浮置栅极是真正存储数据的单元。
第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷(electrical charge)形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极所被施加的电压，控制栅极控制是向浮置栅极中冲入电荷还是使其释放电荷。而第一数据的表示，以浮置栅极所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值(Vth)来表示。
对于NAND闪存的写入(编程)，就是使控制栅极去充电(对控制栅极施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，足以超过阈值(Vth)，则该闪存表示0。
对于NAND闪存的擦除(Erase)，就是对浮置栅极放电，使浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1。
上述方案中，第一数据表示为0或1不仅限于上述方式，还可以是如下方式：浮置栅极的电压超过阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1；浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存表示0。
本发明实施例中，可通过获取第一指令，来启动第一供电单元；获取第一指令具体可通过但不限于以下方式实现：
方式一：在第一预定时间到来时生成所述第一指令。具体地，可预先设定第一指令的生成时间为第一预定时间，当存储设备检测到第一预定时间到来时，自动生成第一指令。
方式二：检测到用户的第一操作时生成所述第一指令，所述第一操作为启动第一供电单元的操作。具体地，基于用户的第一操作来获得第一指令。
上述方案中，第一指令用于启动对供电单元。
本发明实施例中，第一阈值为上述浮置栅极的电压对应的阈值(Vth)。当第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，则表明数据即将丢失，此时需对第一存储单元进行充电。
步骤302：当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
本发明实施例中，固态硬盘是通过浮栅晶体管保存电子来实现保存第一数据的，而电子是可以随时间的流逝而流失的，这就可能会造成数据丢失，一旦重要的数据丢失，就有可能造成电脑启动异常。为此，存储设备(固态硬盘)还具有第一供电单元，具体地，在固态硬盘上添加一块电池，不定期的给固态硬盘上的闪存上电，保证闪存中电子的正常存储，防止数据丢失或硬盘的移动异常。
本发明实施例中，第一供电单元被启动后，第一供电单元为存储设备的各个第一存储单元供电。参照图5，通过一电池为闪存供电，使得闪存中的浮置栅极中的电荷保持在一定范围内。
步骤303：当所述第一供电单元向所述第一存储单元供电时，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值。
本发明实施例中，第一存储单元中的电荷对应的电压一旦高于第一阈值，则表明第一存储单元中的第一数据不会丢失，则可停止供电，节省了电量。
步骤304：当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
本发明实施例中，第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷形式存储的。在第一供电单元向所述第一存储单元供电时，浮置栅极中的电荷为第一运动状态，具体地，浮置栅极中的电荷为第一运动状态时，浮置栅极中电荷对应的电压随时间的变化小于等于某一阈值，从而使得浮置栅极中电荷对应的电压始终保持为超过阈值(Vth)。第一供电单元向第一存储单元供电保证了电子的正常存储，防止数据丢失或存储设备的异常。
图4为本发明实施例四的信息处理方法的流程示意图，本示例中的信息处理方法应用于存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；如图4所示，所述信息处理方法包括：
步骤401：控制电荷流入第一存储单元，以使所述第一存储单元存储第一数据，所述电荷对应的电压高于第一阈值。
本发明实施例中，存储设备可以是固态硬盘。固态硬盘是基于闪存的数据存储设备，每个数据位保存在由浮栅晶体管制成的闪存单元里。在浮栅晶体管中，使用电压来实现每个位的读写和擦除，即浮栅晶体管是通过保存电子来实现保存比特信息的。
上述方案中，闪存单元分为：非易失(NOR)闪存和计算机(NAND)闪存。NAND闪存的擦和写均是基于隧道效应，通过硅基层给浮栅充电，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。而NOR闪存擦除数据仍是基于隧道效应，即电流从浮置栅极到硅基层，但在写入数据时则是采用热电子注入方式，即电流从浮置栅极到源极。
上述方案中，存储设备中的第一存储单元具体指固态硬盘中的闪存。下面结合图5所示的闪存结构对本发明实施例的第一存储单元作详细描述。
参照图5，闪存由浮栅晶体管制成，具体地，闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，闪存由源极(Source)、漏极(Drain)、浮置栅极(Floating Gate)、控制栅极(Control Gate)组成，其中，浮置栅极是真正存储数据的单元。
第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷(electrical charge)形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的控制栅极所被施加的电压，控制栅极控制是向浮置栅极中冲入电荷还是使其释放电荷。而第一数据的表示，以浮置栅极所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值(Vth)来表示。
对于NAND闪存的写入(编程)，就是使控制栅极去充电(对控制栅极施加电压)，使得浮置栅极存储的电荷够多，足以超过阈值(Vth)，则该闪存表示0。
对于NAND闪存的擦除(Erase)，就是对浮置栅极放电，使浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1。
上述方案中，第一数据表示为0或1不仅限于上述方式，还可以是如下方式：浮置栅极的电压超过阈值(Vth)，则该闪存所存储的第一数据表示1；浮置栅极的电压低于阈值(Vth)，则该闪存表示0。
步骤402：判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值。
本发明实施例中，可通过获取第一指令，来启动第一供电单元；获取第一指令具体可通过但不限于以下方式实现：
方式一：在第一预定时间到来时生成所述第一指令。具体地，可预先设定第一指令的生成时间为第一预定时间，当存储设备检测到第一预定时间到来时，自动生成第一指令。
方式二：检测到用户的第一操作时生成所述第一指令，所述第一操作为启动第一供电单元的操作。具体地，基于用户的第一操作来获得第一指令。
上述方案中，第一指令用于启动对供电单元。
本发明实施例中，第一阈值为上述浮置栅极的电压对应的阈值(Vth)。当第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，则表明数据即将丢失，此时需对第一存储单元进行充电。
步骤403：当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
本发明实施例中，固态硬盘是通过浮栅晶体管保存电子来实现保存第一数据的，而电子是可以随时间的流逝而流失的，这就可能会造成数据丢失，一旦重要的数据丢失，就有可能造成电脑启动异常。为此，存储设备(固态硬盘)还具有第一供电单元，具体地，在固态硬盘上添加一块电池，不定期的给固态硬盘上的闪存上电，保证闪存中电子的正常存储，防止数据丢失或硬盘的移动异常。
本发明实施例中，第一供电单元被启动后，第一供电单元为存储设备的各个第一存储单元供电。参照图5，通过一电池为闪存供电，使得闪存中的浮置栅极中的电荷保持在一定范围内。
步骤404：当所述第一供电单元向所述第一存储单元供电时，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值。
本发明实施例中，第一存储单元中的电荷对应的电压一旦高于第一阈值，则表明第一存储单元中的第一数据不会丢失，则可停止供电，节省了电量。
步骤405：当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
步骤406：控制电荷流出第一存储单元，以使所述第一存储单元中存储的第一数据被擦除。
本发明实施例中，第一数据在闪存的浮置栅极中是以电荷形式存储的。在第一供电单元向所述第一存储单元供电时，浮置栅极中的电荷为第一运动状态，具体地，浮置栅极中的电荷为第一运动状态时，浮置栅极中电荷对应的电压随时间的变化小于等于某一阈值，从而使得浮置栅极中电荷对应的电压始终保持为超过阈值(Vth)。第一供电单元向第一存储单元供电保证了电子的正常存储，防止数据丢失或存储设备的异常。
图6为本发明实施例一的存储设备的结构组成示意图，如图6所示，所述存储设备包括第一供电单元61以及至少一个第一存储单元62，所述至少一个第一存储单元62中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元61与所述至少一个第一存储单元62电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元63，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
第一控制单元63，还用于当超过预定时长后控制所述第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。
本领域技术人员应当理解，上述存储设备中的各单元的实现功能可参照前述信息处理方法的相关描述而理解。
图7为本发明实施例二的存储设备的结构组成示意图，如图7所示，所述存储设备包括第一供电单元71以及至少一个第一存储单元72，所述至少一个第一存储单元72中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元71与所述至少一个第一存储单元72电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元73，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
所述第一控制单元73，还用于判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
本领域技术人员应当理解，上述存储设备中的各单元的实现功能可参照前述信息处理方法的相关描述而理解。
图8为本发明实施例三的存储设备的结构组成示意图，如图8所示，所述存储设备包括第一供电单元81以及至少一个第一存储单元82，所述至少一个第一存储单元82中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元81与所述至少一个第一存储单元82电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元83，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
所述第一控制单元83，还用于判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
所述第一控制单元83，还用于当所述第一供电单元向所述第一存储单元供电时，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
本领域技术人员应当理解，上述存储设备中的各单元的实现功能可参照前述信息处理方法的相关描述而理解。
图9为本发明实施例四的存储设备的结构组成示意图，如图9所示，所述存储设备包括第一供电单元91以及至少一个第一存储单元92，所述至少一个第一存储单元92中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元91与所述至少一个第一存储单元92电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元93，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件。
所述第一控制单元93，还用于判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值。
所述第一控制单元93，还用于当所述第一供电单元向所述第一存储单元供电时，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
所述存储设备还包括：
写入单元94，用于控制电荷流入第一存储单元，以使所述第一存储单元存储第一数据，所述电荷对应的电压高于第一阈值。
所述存储设备还包括：
擦除单元95，用于控制电荷流出第一存储单元，以使所述第一存储单元中存储的第一数据被擦除。
本领域技术人员应当理解，上述存储设备中的各单元的实现功能可参照前述信息处理方法的相关描述而理解。
本领域技术人员应当理解，上述存储设备中的各单元的实现功能可参照前述信息处理方法的相关描述而理解。
本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的方法和智能设备，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个第二处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种存储设备，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；所述存储设备还包括：
第一控制单元，用于控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件；
所述控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，包括：判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值；和，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
2.根据权利要求1所述的存储设备，其特征在于，第一控制单元，还用于当超过预定时长后控制所述第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。
3.根据权利要求1至2任一项所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括：
写入单元，用于控制电荷流入第一存储单元，以使所述第一存储单元存储第一数据，所述电荷对应的电压高于第一阈值。
4.根据权利要求3所述的存储设备，其特征在于，所述存储设备还包括：
擦除单元，用于控制电荷流出第一存储单元，以使所述第一存储单元中存储的第一数据被擦除。
5.一种信息处理方法，应用于一存储设备中，所述存储设备包括第一供电单元以及至少一个第一存储单元，所述至少一个第一存储单元中存储有第一数据，所述第一数据与所述第一存储单元中的电荷数相关；所述第一供电单元与所述至少一个第一存储单元电连接；所述方法包括：
控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，以使所述第一存储单元中的电荷数满足第一预设条件；
所述控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，包括：判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否低于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压低于第一阈值时，控制所述第一供电单元向所述第一存储单元供电，以使表征所述第一数据的电荷对应的电压高于第一阈值；和，判断所述第一存储单元中的电荷对应的电压是否高于第一阈值；当所述第一存储单元中的电荷对应的电压高于第一阈值时，控制所述第一供电单元停止向所述第一存储单元供电。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述第一供电单元按照预定的策略向所述至少一个第一存储单元供电，包括：
当超过预定时长后控制所述第一供电单元向所述至少一个第一存储单元供电。
7.根据权利要求5至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
控制电荷流入第一存储单元，以使所述第一存储单元存储第一数据，所述电荷对应的电压高于第一阈值。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
控制电荷流出第一存储单元，以使所述第一存储单元中存储的第一数据被擦除。
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