KR0147249B1 - 액정구동용 전원회로 - Google Patents

액정구동용 전원회로

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KR0147249B1
KR0147249B1 KR1019940010190A KR19940010190A KR0147249B1 KR 0147249 B1 KR0147249 B1 KR 0147249B1 KR 1019940010190 A KR1019940010190 A KR 1019940010190A KR 19940010190 A KR19940010190 A KR 19940010190A KR 0147249 B1 KR0147249 B1 KR 0147249B1
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KR
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mos transistor
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gate
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KR1019940010190A
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다케시 스야마
쇼이치 이와모토
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
오카모토 세이시
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 저항분할에 의해 복수의 값의 액정구동용 전위를 형성하는 액정 구동용 전원회로에 있어서, 소비전류의 삭감을 보다 더한층 도모하는 것을 목적으로 한다.
VDD 및 VEE간에는 전위분할용의 5개의 저항(R1 ~ R5)이 직렬로 접속되며, VLC1 ~ VLC4에 대응한 분할전위(V1,V2,V3,V4)의 임피던스 변환을 목적으로 하여 전원증폭기(AMP11 ~ AMP14)가 이들의 각 전위점에 접속된다. 그리고, 분할전위(V1)에 접속된 전원증폭기(AMP11)에는 Ntop형의 것의, 분할전위(V2)에 접속된 전원증폭기 (AMP12)에는 Ptop형의 것, 분할전위(V3)에 접속된 전원증폭기(AMP13)에는 Ntop형의 것이, 분할전위 (V4)에 접속된 전원증폭기 (AMP14)에는 Ptop형의 것이 각각 사용된다.

Description

액정구동용 전원회로
제1도는 본 발명의 제1실시예의 회로도
제2도는 본 발명의 제2실시예의 회로도
제3도는 본 발명의 제3실시예의 회로도
제4도는 상기 제3실시예회로에 사용된 Ntop형 전원증폭기의 회로도
제5도는 상기 제3실시예회로에 사용된 Ptop형 전원증폭기의 회로도
제6도는 본 발명의 제4실시예의 회로도
제7도는 전자기기의 표시패널 주변의 구성을 나타낸 블록도
제8도는 종래의 전원회로의 회로도
제9도는 종래의 전원회로 및 본 발명의 각 실시예 회로에 사용된 Ntop형 전원증폭기의 회로도
제10도는 종래의 전원회로 및 본 발명의 각 실시예 회로에 사용된 Ptop형 전원 증폭기의 회로도
제11도는 액정구동용 전위의 VEE의존특성을 나타낸 도면
제12도는 공통 구동신호와 세그먼트 구동신호의 파형의 일례를 나타낸 도면
제13도는 1개의 공통전극, 세그먼트전극에 공급되는 공통구동신호와 세그먼트 구동신호의 파형의 일례를 나타낸 도면이다
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 액정표시패널 12 : COM드라이버
13 : SEG드라이버 14 : 전원회로
R1~R5 : 전위분할용 저항 RV : 가면저항
AMP11,AMP12' ,AMP13 : Ntop형 전원증폭기
AMP12,AMP13' ,AMP14,AMP15 : Ptop형 전원증폭기
26,36,46,66 : 차동단 29,39 : 출력단
49,69 : 중간출력단 52,72 : 최종출력단
[산업상의 이용분야]
본 발명은 액정표시 패널구동영 전원전원을 발생시키는 액정구동용 전원회로에 관한 것이다.
[종래의 기술 및 그 문제점]
액정표시패널은 저소비전력성, 소형이라는 특징을 갖고 있기 때문에 전자식 탁상계산기나 전자수첩등의 휴대용 전자기기에 표시장치로서 사용되고 있다. 상기 액정표시패널을 구동하기 위해서는 값이 다른 복수의 전위를 공급 할 필요가 있다.
제7도는 상기 액정표시패널을 표시장치로서 구비한 전자기기의 표시패널 주변의 구성을 나타낸 블록도이다. 액정표시패널(11)은 기본적으로는 각각의 표면에 서로 교차하는 방향으로 다수의 배선이 배치형성된 2개의 그래스판간에 액정을 사이에 둔 구 구성으로 되어 있고, 통상 액정표시패널(11)의 횡방향으로부터는 공통전극이나 주사전극등으로 불리는 도시되지 않은 복수의 제1전극(이하, 공통전극으로 칭함)이 도출되어 있고, 종방향으로부터는 세그먼트전극이나 데이터전극등이라 불리는 도시되지 않은 복수의 제2전극(이하, 세그먼트전극이라 칭함)이 도출되어 있다. 그리고, 각각 1개의 공통전극과 세그먼트전극간에 소정치의 전위차가 인가됨으로써, 양 전극에 접속된 2개의 배선과 그사이의 액정으로 구성된 용량으로 이루어진 세그먼트가 점등되어 구동된다. 이 세그먼트의 점등 / 비점등의 구동제어에는 공통전극측이 COM드라이버(12), 세그먼트전극측이 SEG(드라이버(13)로 각각 칭해지는 액정구동용 집적회로가 사용된다.
통상, 공통전극과 세그먼트전극의 수는 액정표시패널의 종류에 의해 여러가지이지만 상당히 많으며, 예컨대 어느 것에서는 공통전극이 64개 세그먼트전극이 160개 설치되어 있다. 이 때문에, 통상적으로는 공통전극측과 세그먼트 전극측이 각각 복수으 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)를 설치하도록 하고 있다. 이들 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)는 각종 제어신호나 표시데이터에 기초해서 구동신호를 발생시키고, 액정표시패널(11)의 대응하는 공통전극이나 세그먼트전극에 공급된다. 상기와 같이 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에 있어서 구동신호를 발생시키는 경우에는 값이 다른 복수의 액정구동용전위가 필요하며, 이들의 전위는 전원회로(14)에 의해 형성된다. 이 전원회로(14)는 어느것의 COM드라이버(12) 또는 SEG드라이버(13)에 내장될 수도 있고, 또는 전체의 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)와 더불어 1개의 집적회로내에 내장될 수도 있다.
일반적으로 상기 액정구동용 전위는 전원간에 설치된 복수의 저항을 이용한 저항분할에 의해 형성된다. 이 저항분할로 형성된 전위는 분할저항의 값(値)에 의해 그 전류 구동능력이 결정되어 전류구동능력을 높게한다. 즉, 그 전위점에서의 전류유출량을 많게하는데에는 분할저항의 값을 작게하면 좋다. 그러나, 이 경우에는 전원간에 많은 전류가 흐르며, 전원회로(14)에 있어서의 소비전력이 증대된다.
다른 면에서, 이 소비전력을 삭감하는 데에는 분할저항의 값을 크게하고, 전원간에 보다 적은 전류가 흐르도록 하면 좋다. 그러나, 이 경우에는 작 전위의 전류구동능력이 낮게 되고, 많은 전류가 유출되면 그 전위를 유지할 수 없게 된다.
상기와 같은 모순을 해결하기 위해 종래는 전원회로에 전원증폭기를 이용하도록 하고 있다.
제8도는 전원증폭기를 이용한 종래 전원회로의 구성을 나타내고 있다. 도면에 있어서, VDD 및 VEE는 외부에서 공급되는 전원전위로서, 예컨대 VDD는 0V이고, VEE는 예컨대, -10V의 범위에서는 가변가능하게 되어 있다. 그리고, VDD와 VEE간에는 전위분할용의 5개의 저항(R1 ~ R5)이 직렬접속되어 있다. 이들 저항(R1 ~ R5)에는 전위(VDD, VEE)간에 흐르는 전류의 값을 충분히 작게해서 소비전류를 낮게 억제하기 위해서 고저항이 사용된다. 또, 통상 상기 5개의 저항중 VDD열에 가까운 쪽의 2개의 저항 (R1,R2)과 VEE측에 가까운 쪽의 2개의 저항(R4,R5)은 전부 같은 값으로 설정되어 있고, 그 사이의 저항(R3)은 저항(R1,R2,R4,R5)의 값의 소정치배의 값으로 설정된다. 그리고, 상기 전위 VDD및 VEE의 2값과 각 저항의 접속점에서 얻어지는 4값의 전위와의 합계 6값(値)의 전위가 액정구동용 전위(VLC0 ~ VLC5)로사 상기 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에 공급된다. 그리고, 예컨대 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에서는 전위(VLC0,VLC1,VLC4,VLC5)가 상기 공통전극 구동용 전위로서 사용되며, 전위(VLC0,VLC2,VLC3,VLC5)가 상기 세그먼트 전극구동용 전위로서 사용된다.
그러나, VDD,VEE를 그대로 사용하는 VLC0와 VLC5는 충분한 전류구동능력을 갖추지만, 고저항에 의한 저항분할에 의해 형성된 VLC1 ~ VLC4 는 큰 전류구동능력을 가지고 있지 않다. 이 때문에 도시한 바와 같이 VLC1 ~ VLC4에 대응한 분할전위(V1 ~ V4)를 임피던스변환을 목적으로 하는 전원증폭기(AMP1 ~ AMP4)로 받아 출력을 저임피던스화 해서 상기 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에 공급하도록 하고 있다.
후술하지만, 상기 각 전원증폭기는 각각 P채널 및 N채널 MOS트랜지스터를 이용한 CMOS로 구성된 것이 사용되어 있고, VDD에 가까운 측의 분할전위 (V1,V2)를 받는 2개의 전원증폭기(AMP1,AMP2)에는 입력전위를 받는 트랜지스터가 N채널의 것인 소위 Ntop형의 것이 각각 사용되며, VEE에 가까운 측의 분할전위(V3,V4)를 받는 2개의 전원증폭기 (AMP3,AMP4)에는 전위를 받는 트랜지스터가 P채널의 것인 소위 Ptop형의 것이 각각 사용되어 있다.
한쪽의 Ntop형의 전원증폭기 (AMP1,AMP2)는 각각 제9도에 나타낸 바와 같이 P채널 MOS트랜지스터(21,22)를 전류미러부하, N채널 MOS트랜지스터(23,24)를 차동입력쌍 N채널 MOS트랜지스터(25)를 정전류원으로하는 차동단(26)과, P채널 MOS트랜지스터(27)를 차동단(26)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터 N채널 MOS트랜지스터(28)를 정전류부하로하는 출력단(29)으로 구성되어 있다. 더구나, 트랜지스터 (25,28)의 게이트에는 바이어스전압 (VNBias)이 공급되어 있다.
다른 쪽의 Ptop형의 전원증폭기 (AMP3,AMP4)는 각각 제10도에 나타낸 바와 같이 N채널 MOS트랜지스터(31,32)를 전류미러부하, P채널 MOS트랜지스터(33,34)를 차동입력쌍 P채널 MOS트랜지스터(35)를 정전류원으로 하는 차동단(36)과 N채널 MOS트랜지스터(37)를 차동단(36)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터, P채널 MOS트랜지스터(38)를 정전류부하로 하는 출력단(39)로 구성되어 있다. 더구나, 트랜지스터(35,38)의 게이트에는 바이어스전압(VPBias)이 공급되어 있다. 또, 제9도 및 제10도중의 콘덴서는 각각 동작을 안정시키는 발진방지용의 것이다.
제11도는 상기 제8도의 전원회로로 형성된 36값(値)의 액정구동용 전위(VLC0 ~ VLC5)중, VDD를 그대로 사용하는 VLC0를 제거한 남은 전위의 VEE의존 특성을 나타낸 도면이다. 통상의 액정표시패널에서는 표시 콘트라스트를 어느정도 자유롭게 설정할 수 있도록 하기 때문에 외부전원전압 (VEE)의 값을 조정할 수 있도록 되어 있고, VEE의 값을 -6V에 접근하는 쪽으로 변화시키면 콘트라스트는 약하게 되며, 반대로 -10V에 가까운 쪽으로 변화시키면 콘트라스트는 강하게 된다. 그리고, 전위 (VLC0 ~VLC5)의 값은 VEE가 -6V일 때는 가장 높은 (0V에 가까운 값) 것으로 되고, VEE가 -10V 일 때는 가장 낮게 (부의 큰 값)된다.
상기 4개의 전원증폭기(AMP1 ~ AMP4)에는 제11도에 나타낸 바와 같은 값으로 변화를 나타내는 전위가 공급되기 때문에 각각 입력전위에 따라 성능을 갖춘 전원증폭기를 선택하지 않으면 안된다.
그러나, 입력전위를 받는 트랜지스터가 N채널, 즉 Ntop형의 전원증폭기인 경우 상기 제9도중의 N채널 MOS트랜지스터(23)의 게이트전위(입력전위)가 소스전위에 대해서 그 임계치 전압분 이상 높게 되지않으면 동작하지 않는다. 또, 입력전위를 받는 트랜지스터가 P채널, 즉 Ptop형의 전원증폭기인 경우, 상기 제10도중의 P채널 MOS트랜지스터(33)의 게이트전위(입력전위)가 소스전위에 대해 그 임게치 전압의 절대치분 이상 낮게 되지 않으면 동작하지 않는다. 일반적으로 MOS트랜지스터의 임계치 전압에는 오차가 존재하는 것이 알려져있고, 이 오차를 고려해서 N채널 MOS트랜지스터의 임계치전압과 P채널 MOS트랜지스터의 임계치전압의 절대치의 가장 높은 값을 예컨대, 1V로 가정하면, 제11도중에 나타낸 바와 같이 Ntop형의 전원증폭기 (AMP1,AMP2(Ntop-AMP))가 충분히 동작하는 영역은 VEE가 -10V일때에 -8V이상의 범위로 되고, Ptop형의 전원증폭기 (AMP3,AMP4 (Ptop-AMP))가 충분히 동작하는 영역은 VEE가 -10V의 경우에 -2V이하의 범위로 된다.
따라서, 종래에는 -2V 이상의 값이 될 수 있는 전위가 입력되는 전원증폭기(AMP1,AMP2)로서 Ntop-AMP를 사용하고, -8V 이하의 값이 될 수 있는 전위가 입력되는 전원증폭기(AMP3,AMP4)로서 Ptop-AMP를 사용하고 있다.
제12도는 제7도중의 COM드라이버(12), SEG드라이버(13)로부터 출력되는 공통구동신호(COM), 세그먼트 구동신호(SEG)의 파형의 일례를 나타낸 것이다. 세그먼트 구동신호(SEG)는 상기 4치(値)의 액정구동용 전위(VLC0,VLC2,VLC3,CLC5)를 이용하여 형성되어 있고, 제어신호의 일종인 프레임신호의 어느 반주기에서는 표시데이터가 변화할 때마다 그 전위가 VLC0와 VLC2간에서 서로 절환되며, 프레임신호의 다음 반주기에서는 표시데이터가 변화할 때마다 그 전위가 VLC3와 VLC5간에서 서로 절환되어 있다.
공통 구동신호(COM)는 상기 4치의 액정구동용 전위(VLC0,VLC1,VLC4,VLC5)를 이용해서 형성되어 있고, 상기 프레임신호의 어느 반주기에서는 64개의 공통신호(COM1 ~ COM64)중 COM1부터 전위(VLC1)였던 것이 순차전위( VLC5)로 절환되어 있고, 프레임신호의 다음 반주기에서는 COM1으로부터 전위 VLC4였던 것이 순차전위(VLC0)로 절환되어 있다.
여기서, 제12도로부터 알 수 있는 바와 같이 1개의 공통 구동신호(COM)는 프레임신호의 반주기마다 전위가 1회 절환되는 것에 대해 세그먼트 구동신호(SEG)에서는 표시데이터가 변화할 때마다 전위가 절환되고 있다. 예컨대, 프레임신호의 주파수는 35Hz로, 표시데이터의 래치펄스신호는 2240Hz이다. 따라서, 세그먼트 구동신호(SEG)를 형성하기 위해 사용되는 액정구동용 전위(VLC0,VLC2,VLC3,VLC5)로부터의 전류유출량은 공통 구동신호 (C0M)의 형성에만 사용되는 액정구동용 전위(VLC1,VLC4)로부터의 전류유출량에 비해 큰 것으로 된다.
제13도는 제7도중의 액정표시패널에 있어서의 각각 1개의 공통전극, 세그먼트전극에 공급되는 공통 구동신호(COM),세그먼트 구동신호(SEG)의 파형의 일례를 나타내고 있다. 상기와 같이 세그먼트 구동신호(SEG)를 형성하기 위해서 사용되는 액정구동용 전위(VLC0,VLC2,VLC3,VLC5)로부터의 전류유출량이 많으면, VDD,VEE를 그대로 이용하는 VLC0와 VLC5에서는 문제가 되지않지만 상기 제8도중의 전원증폭기 (AMP2,AMP3)로부터 출력되는 전위 (VLC2,VLC3)에 관해서는 문제가 발생한다.
즉, 전위(VLC2)를 출력하는 Ntop형의 전원증폭기(AMP2)에서는 제9도에 나타낸 바와 같이 출력단(29)에 있어서 출력단자를 고전위로 충전하는 측의 트랜지스터(27)는 차동단(26)의 출력으로 구동되어 있고, 출력단자를 저전위로 방전하는 측의 트랜지스터(28)는 정전류원 부하로 되어 있다. 이 때문에 전원증폭기 자체의 소비전력 삭감을 목적으로하여, 정전류원 부하인 트랜지스터(28)에 흐르는 전류의 값을 낮게 억제한 경우에는 출력전위를 고저위측으로 인상(引上)시키는 능력은 높지만, 저전위측으로 낮추는 능력은 낮게되어 제13도중에 나타낸 바와 같이 세그먼트 구동신호(SEG)의 전위(VLC2)가 전원전위의 VDD(VLC0)측에 끌어당겨져, 그값이 순차 VLC0측에 가까워진다.
다른방향에서, 전위(VLC3)를 출력하는 Ptop형의 전원증폭기 (AMP3)에서는 제10도에 나타낸 바와 같이 출력단(39)에 있어서 출력단자를 저전위로 방전하는 측의 트랜지스터(37)는 차동단(36)의 출력으로 구동되어 있고, 출력단자를 고전위로 충전하는 측의 트랜지스터(38)는 정전류원 부하로 되어 있다. 이 때문에 전원증폭기 자체의 소비전력 삭감을 목적으로 하여, 정전류원으로 되는 트랜지스터(38)에 흐르는 전류의 값을 낮게 유지한 경우에는 출력전위를 저전위측으로 인하(引下)하는 능력을 높지만 고전위측으로 인상시키는 능력은 낮게 되며, 제13도에 나타낸 바와 같이 세그먼트 구동신호(SEG)의 전위 (VLC3)가 전원위의 VEE(VLC5)측에 인하되어, 그 값이 순차 VLC5측에 가까워진다.
이 때문에, 종래에는 전체의 전원증폭기에 있어서 각 전류원에 어느 정도 큰 전류가 흘리고, 전류를 유입하는 능력과 전류를 유출하는 능력 양쪽을 높임으로써 출력 임피던스가 낮아지도록 하여 상기와 같은 출력전위의 변동이 발생하지 않도록 하고 있다.
그러나, 전체 전원증폭기의 정전류원에 큰 전류를 흘리면, 전원증폭기의 소비전류가 중가하고, 전위분할 저항을 고저항으로 하여 소비전류의 삭감을 도모하고 있는 효과가 약해지게 된다. 또, 특히, 전류에 의해 구동되는 휴대용 전자기기에서는 전지의 수명이 짧아지는 경우가 발생한다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기한 점을 감안하여 발명된 것으로, 소비전류의 삭감을 더한층 도모할 수 있는 액정구동용 전원회로를 제공함에 그 목적이 있다.
[발명의 구성]
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1발명의 액정구동용 전원회로는 고전위의전원전위 인가점과 저전위의 전원전위 인가점간에 직렬로 접속된 복수의 저항과, 이 복수의 저항에 의해 분리된 제1 내지 제4중간전위점, 이 제1내지 제4중간전위점중 가장 고전위가 얻어지는 제1중간전위점에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제1중간전위점 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제1임피던스 변환회로, 상기 제1 내지 제4중간전위점 중상디 제1중간전위점을 제와한 것 중에서 가장 고전위가 얻어지는 제2중간전위점에 접속되고 P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제2중간전위저의 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제2임피던스 변환회로(AMP12)와, 상기 제1내지 제4중간전위점중 이 제1및 제2중간전위점을 제외한 것 중에서 보다 고전위가 얻어지는 제3중간전위점에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제3중간전위점의 전위르 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제3임피던스 변환회로 및, 상기 제4중간전위점에 접속되고, P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제4중간전위점의 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제4임피던스 변환회로를 구비하고 있다.
제2발명의 액정구동용 전원회로는 고전위의 전원전위 인가점과 저전위의 전원전위 인가점간에 직렬로 접속된 복수의 저항과, 이 복수의 저항에 의해 분리된 제1 내지 제4중간전위점(V1 ~ V5), 이 제1 내지 제4중간전위점중 가장 고전위가 얻어지는 제1중간전위점(V1)에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제1중간전위점의 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제1임피던스 변환회로, 상기 제1내지 제4중간전위점중 상기 제1중간전위점을 제외한 것 중에서 가장 고전위가 얻어지는 제2중간전위점에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제2중간전위점의 전위를 받는 차동단, 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 중간출력단 및 이 중간출력단의 출력을 게이트에 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 최종출력단을 갖춘 제2임피던스 변환회로, 상기 제1 내지 제4중간전위점중 상기 제1 및 제2중간전위점을 제외한 것 중에서 보다 고전위가 얻어지는 제3중간전위점에 접속되고, P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제3중간전위점의 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터르 구동용 소자로서 이용하며, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 중간출력단 및 이 중간출력단의 출력을 게이트에 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 최종출력단을 갖춘 제3임피던스 변환회로 및, 상기 제4중간전위점에 접속되고 P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제4중간전위점의 전위를 받는 차동단 및 이 차동단의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로 이용하며, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단을 갖춘 제4임피던스 변환회로를 구비한 것을 특징으로 하고 있다.
[작용]
상기와 같이 구성된 본 발명은 전류유출량이 많고, 그 전위가 고전위의 전원위측으로 변동할 염려가 있는 제2중간위점에 접속된 제2임피던스 변환회로의 출력단으로서, 차동단의 출력을 게이트에 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구도용 소자, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 회로로 구성함으로써 상기 제2임피던스 변환회로에 있어서의 전류의 유입능력을 높게하여, 그 출력전위가 고전위의 전원전위측으로 변동하는 것을 방지하고 있다. 그런데, 출력단에서 전류원용 소자로서 이용되는 상기 P채널 MOS트랜지스터는 전류구동능력을 그 만큼 크게하지 않아도 출력전위를 유지할 수 있기 때문에 상기 제2임피던스 변환회로의 소비전류를 낮게 억제할 수 있다.
또, 전류유출량이 많고 그 전위가 저전위의 전원전위측으로 변동할 염려가 있는 제3중간전위점에 접속되는 제3임피던스 변환회로에 출력단으로서 차동단의 출력을 게이트에 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각가 이용한 회로로 구성함으로써 상기 제3임피던스 변환회로에 있어서의 전류의 유출능력을 높게 하여, 그 출력전위가 저전위의 전원전위측으로 변동하는 것을 방지하고 있다. 그런데, 출력단에서 전류원용 소자로서 이용되는 상기 N채널 MOS트랜지스터는 전류구동능력을 그만큼 크게하지 않아도 출력전위를 유지할 수 있기 때문에 상기 제3임피던스 변환회로의 소비전류를 낮게 억제할 수 있다.
[실시예]
이하, 예시도면을 참조하여 본 발명에 따른 1실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 제1실시예를 나타낸 호로도이며, 상기 제7도의 전자기기중의 전원회로(14)의 구성을 나타내고 있다.
도면에 있어서, VDD 및 VEE는 외부에서 공급되는 전원전위로서, 예컨대 VDD는 0V이고, VEE는 예컨대 -10V범위에서 가변가능으로 되어 있다.
상기 양 VDD및 VEE간에는 전위분할용의5개의 저항 (R1 ~ R5)이 직렬로 접속되어 있고, 이들 저항(R1 ~ R5)에는 전위 (VDD)및 (VEE)간에 흐르는 전류의 값을 충분히 작게하여 소비전류를 낮게 억제하기 위해 고저항이 사용된다. 또, 종래와 마찬가지로 저항(R1,R2,R4,R5)은 전부 같은 값으로 설정되어 있고, 저항 (R2)과 저항(R4)간의 저항(R3)은 R1,R2,R4,R5의 값의 소정치배의 값으로 설정되어 있다. 그리고, 상기 전위 (VDD,VEE)의 2값과 각 저항의 접속점에 흐르는 4값의 전위와의 합계 6값(値)의 전위가 액정구동용 전위(VLC0 ~ VLC5)로서 상기 제7도중의 COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에 공급된다. 또, COM드라이버(12) 및 SEG드라이버(13)에서는 전위 (VLC0,VLC1,VLC4,VLC5)가 상기 공통 전극구동용 전위로서 사용되며, 전위(VLC0,VLC2,VLC3,VLC5)는 상기 세그먼트 전극구동용 전위로서 사용된다.
더구나, 본 실시예 회로에서는 종래와 마찬가지로 VLC1 ~ VLC4에 대응한 분할전위(V1,V2,V3,V4;제1 및 제2, 제3, 제4중간전위점의 전위)의, 임피던스 변환을 목적으로 하여 전원증폭기(AMP11 ~ AMP14)가 전위(V1,V2,V3,V4)의 각 전위점에 접속되어 있고, 이들 전원증폭기(AMP11 ~ AMP14)의 출력전위가 상기 COM드라이버 및 SEG드라이버(13)에 공급된다.
분할전위(V1)에 접속된 전원증폭기 (AMP11)는 종래와 마찬가지로 Ntop형의 것이 사용된다. 분할전위(V2)에 접속된 전원증폭기(AMP12)는 종래와는 달리 Ptop형의 것이 사용된다. 분할전위(V3)에 접속된 전원증폭기(AMP13)는 종래와는 달리 Ntop형의 것이 사용된다. 분할전위(V4)에 접속된 전원증폭기(AMP14)는 종래와 마찬가지로 Ptop형의 것이 사용된다.
상기 Ntop형의 전원증폭기(AMP11,AMP13)의 상세한 구성은 상기 제9도에 나타내져 있고, P채널 MOS트랜지스터(21,22)를 전류미러부하, N채널 MOS트랜지스터(23,24)를 차동입력대 N채널 MOS트랜지스터(25)를 정전류원으로 하는 차동단(26)과 P채널 MOS트랜지스터(27)를 차동단(26)의 출력을 받는 구동용트랜지스터, N채널 MOS트랜지스터(28)를 정전류부하로 하는 출력단(29)으로 구성되어 있다.
상기 Ptop형의 전원증폭기(AMP12,AMP14)의 상세한 구성은 상기 제10도에 나타내져 있고, N채널 MOS트랜지스터(31,32)를 전류미러부하, P채널 MOS트랜지스터(33,34)를 차동입력대 P채널 MOS트랜지스터(35)를 정전류원으로하는 차동단(36)과 N채널 MOS트랜지스터 (37)를 차동단(36)의 출력을 받는 구동용트랜지스터, P채널 MOS트랜지스터(38)를 정전류 부하로 하는출력단(39)으로 구성되어 있다.
여기서, 종래 문제로 되어 있던 액정구동용 전위(VLC2,VLC3)에 대해 생각해 본다.
상기 제7도중의 액정표시패널(11)의 표시를 행하는 경우에 전류유출량이 많고 그 전위가 VLC0측으로 변동하는 것이 문제로 되어 있던 액정구동용 전위(VLC2)를 출력하는 전원증폭기(AMP12)는 종래와의 달리 상기 제10도에 나타낸바와 같이 N채널 MOS트랜지스터(37)를 구동용 트랜지스터, P채널 MOS트랜지스터(38)를 정전류부하로하는 출력단(39)을 갖춘 Ptop형의 것으로 변경되어 있다.
이 Ptop형의 전원증폭기에서는 N채널 MOS트랜지스터(37)에 의해 충분한 양의 전류를 유입할 수 있기 때문에 종래와 같이 그 출력전위(VLC2)가 VLCO측으로 인장(引張)되는 것을 방지할 수 있고, VLC2의 값을 안정하게 유지할 수 있다. 그러나, 출력단(39)에서 정전류 부하로서 이용되는 P채널 MOS트랜지스터(38)는 출력전위를 유지하면 좋고, 큰 전류를 출력단자로부터 유출할 필요가 없다. 출력단자의 전위(VLC2)가 규정치 이하의 경우에는 상기 트랜지스터(38)를 매개로 출력단자로부터 전류가 유출되지만 전위(VLC2)가 규정에 도달하고 있을 때는 N채널 트랜지스터(37)를 매개로 상기 전류가 접지측(VEE)에 흐르기 때문에 이 전류는 출력전위에 걸리지 않고 항상 소비되는 것이 된다. 그러나, 상기 이유에 의해 상기 트랜지스터(38)에는 큰 전류를 흘릴 필요가 없기 때문에 이 값을 종래보다도 작게할 수 있다.
한편, 액정표시패널(11)의 표시를 행하는 경우에 전류유출량이 많고 그 전위가 VLC5측으로 변동하는 것이 문제가 되었던 액정구동용 전위(VLC3)를 출력하는 전원증폭기(AMP13)는 종래와는 다르며, 상기 제9도에 나타낸 바와 같이 P채널 MOS트랜지스터(27)를 구동용 트랜지스터, N채널 MOS트랜지스터(28)를 정전류부하로 하는 출력단(29)을 갖춘 Ntop형의 것으로 변경되어 있다.
이 Ntop형의 것에서는 P채널 MOS트랜지스터(27)에 의해 충분한 량의 전류를 유출할 수 있기 때문에 종래와 같이 그 출력전위(VLC3)가 VLC5측으로 인하되는 것을 방지할 수 있고, VLC3의 값을 안정적으로 유지할 수 있다. 그러나, 출력단(29)에서 정전류부하로서 이용되는 N채널 MOS트랜지스터(28)는 출력전위를 유지하면 좋고, 큰 전류를 출력단자로부터 유입할 필요가 없다. 이 트랜지스터(28)는 출력단자의 전위(VLC3)가 규정치 이상인 경우에 출력단자로 부터 전류를 유입시키지만 전위(VLC3)가 규정에 도달하고 있을 때는 P채널 트랜지스터(27)를 매개로 VDD측으로부터 접지측(VEE)으로 흐르기 때문에 이 전류는 출력전위에 걸리지않고, 통상 소비되는 것이 된다. 그러나, 상기 이유에 의해 상기 트랜지스터(28)에는 큰 전류를 흘릴 필요가 없기 때문에 이 값을 종래보다도 작게할 수 있다.
한편, 다른 전원증촉기(AMP11,AMP14)에대해서는 출력전위의 변동을 그만큼 고려할 필요가 없기 때문에 본래부터 저소비전류로 할 수 있다.
따라서, 상기 실시예회로에 의하면 전체의 전원증폭기(AMP11, AMP12, AMP13, AMP14)를 저소비전류로 할 수 있으면서 액정구동용 전위의 안정화를 도모할 수 있다.
더구나, 상기 실시예에서는 VEE로서 -10V까지 가변가능한 것을 사용하는 경우에 설명했지만, 이것은 예컨대 -25V까지 가변가능한 전원전압을 사용할 수 있다.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전원회로를 나타내고 있다.
상기 제1도의 실시에회로에서는 표시콘트라스트의 설정때문에 외부전원전압(VEE)의 값을 변화시키는 경우에 대해 설명했지만, 이 제2실시예에서는 제1도중의 저항(R5)과 고정된 값의 전원전위(VEE)간에 가변저항(RV)을 삽입하고, 이 가변저항(RV)의 조정에 의해 액정구동용 전위(VLC1 ~ VLC5)를 변화시키도록 한 것이다. 이 경우, 전위(VLC5)에 대응한 전위(V5)도 저항분할에 의해 형성되기 때문에 이 전위(V5)를 임피던스 변환을 목적으로 하는 전원증폭기(AMP15)로 받고, 출력을 저임피던스화 하고 있다. 더구나, 상기 전원증폭기(AMP15)로서는 상기 제10도에 나타낸 것과 같은 Ptop형의 것이 사용된다.
제3도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전원회로를 나타내고 있다.
상기 제1도 및 제2도에 각각 나타낸 실시예의 전원회로에서는 분할전위(V2)가 입력되는 전원증폭기(AMP12)로서 Ptop형의 것을 사용하고, 분할전위(V3)가 입력되는 전원증폭기(AMP13)로서 Ntop형의 것을 사용하고 있고, 상기 제8도의 종래의 회로와는 반대 형태의 것이 되어 있다. 상기 제11도의 특성도를 이용해서 설명한 바와 같이 종래 전원증폭기(AMP2)에서는 전위(VLC2)가 -2V이상으로 되기 때문에 Ptop형의 것은 사용할 수도 없고, 따라서 Ntop형의 것을 사용하며, 전원증폭기(AMP3) 에서는 전위(VLC3)가 -8V이하로 내려가기 때문에 Ntop형의 것은 사용할 수 없고, 따라서 Ptop형의 것을 사용하고 있다. 그러나, 이것은 전위(V2)가 입력되는 전원증폭기(AMP12)로서 Ptop형의 것, 또 전위(V3)가 입력되는 전원증폭기(AMP13)로서 Ntop형의 것을 사용했다면 전부 동작하지 않게된다는 것은 아니고, 전위(V2,V3)의 설정에 주의를 기울임과 더불어 트랜지스터의 임계치전압을 좋게 제어한다면 문제는 없다.
그러나, 제1도 및 제2도의 실시예회로에서는 전원증폭기(AMP12,AMP13)의 동작점의 마진이 좁게되는 것은 부정할 수 없다.
여기서, 제3도에 나타낸 실시예회로에서는 전위(V2)가 입력되는 상기 Ptop형의 전원증폭기(AMP12)에 대해 Ntop형의 전원증폭기(AMP12 ' )를 전위(V3)가 입력되는 상기 Ntop형의 전원증폭기(AMP13)에 대해 Ptop형의 전원증폭기(AMP13)를 각각 사용하도록하여 전위(V1,V4)가 입력되는 전원증폭기(AMP11,AMP14)에는 제1도의 경우와 마찬가지의 구성의 것을 각각 사용하도록 한 것이다.
제4도는 상기 Ntop형의 (AMP12 ' )상세한 구성을 나타낸 것이며, P채널 MOS트랜지스터(41,42)를 전류미러부하, N채널 MOS트랜지스터(43,44)를 차동입력쌍 N채널 MOS트랜지스터(45)를 정전류원으로하는 차동단(46)과 P채널 MOS트랜지스터(47)를 차동단(46)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터, N채널 MOS트랜지스터(48)를 정전류부하로하는 중간출력단(49), N채널 MOS트랜지스터(50)를 중간출력단(49)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터, P채널 MOS트랜지스터(51)를 정전류부하로 하는 최종출력단(52)으로 구성되고 있다. 더구나, 상기 트랜지스터(45,48)의 게이트에는 바이어스전위 (VNBias)가, 트랜지스터(51)의 게이트에는 바이어스전위 (VPBias)가 각각 공급되어 있다.
이와 같이 구성된 전원증폭기에서는 차동단(46)에 있어서 입력전위(V2)를 받는 트랜지스터(43)로서 N채널 MOS트랜지스터의 것이 사용되고 있기 때문에 P채널 트랜지스터를 이용하는 경우처럼 동작점의 마진이 좁게되는 것을 피할 수 있다. 그러나, 최종출력단(52)에서는 전위(V1)를 받는 상기 전원증폭기(AMP11)와 마찬가지로 N채널 MOS트랜지스터(50)에 의해 충분한 량의 전류를 유입할 수 있기 때문에 출력전위(VLC2)가 VLC0측으로 인장(引張)되는 것을 방지할 수 있고, VLC2의 값을 안정적으로 유지할 수 있다.
제5도는 상기 Ptop형의 전원증폭기(AMP13 ' )의 상세한 구성을 나타낸 것이며, N채널 MOS트랜지스터(61,62)를 전류미러부하, P채널 MOS트랜지스터(63,64)를 차동입력쌍 P채널 MOS트랜지스터(65)를 정전류원으로하는 차동단(66)과 N채널 MOS트랜지스터(67)를 차동단(66)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터, P채널 MOS트랜지스터(68)를 정전류부하로하는 중간출력단(69), P채널 MOS트랜지스터(70)를 중간출력단(69)의 출력을 받는 구동용 트랜지스터, N채널 MOS트랜지스터(71)를 정전류부하로하는 최종출력단(72)으로부터 구성되어 있다. 더구나, 상기 트랜지스터(65,68)의 게이트에는 바이어스전위(VPBias)가, 트랜지스터(71)의 게이트에는 바이어스전위(VNBiAS)가 각각 공급되어 있다.
이와 같이 구성된 전원증폭기에서는 차동단(66)에 있어서 입력전위(V3)를 받는 트랜지스터(63)로서 P채널의 것이 사용되고 있기 때문에 N채널 트랜지스터를 이용하는 경우처럼 동작점의 마진이 좁게되는 것을 피할 수 있다. 그러나, 최종출력단(72)에서는 전위(V4)를 받는 상기 전원증폭기(AMP14)와 마찬가지로 P채널 MOS트랜지스터(70)에 의해 충분한 량의 전류를 유출할 수 있기 때문에 출력전위(VLC3)가 VLC5측으로 인하되는 것을 방지할 수 있고, VLC3의 값을 안정적으로 유지할 수 있다.
제6도는 본 발명의 제4실시예에 따른 전원회로를 나타내고 있다.
상기 제3도의 실시예 회로에서는 표시콘트라스트의 설정때문에 외부전압(VEE)의 값을 변화시키는 경우에 대해 설명했지만, 이 제4실시예에서는 제3도중의 저항(R5)과 고정된 값의 전원전위(VEE)간에 가변저항(RV)을 삽입하고, 이 가변저항(RV)의 조정에 의해 액정구동용 전위(VLC1 ~ VLC5)를 변화시키도록 한것이다. 이 경우, 전위(VLC5)에 대응한 전위(V5)도 저항분할에 의해 형성되기 때문에, 이 전위(V5)를 임피던스 변환을 목적으로 하는 전원증폭기(AMP15)로 받고, 출력을 저임피던스화 하고 있다. 더구나, 이 전원증폭기(AMP15)로서는 상기 제10도에 나타낸 Ptop형의 것이 사용된다. 한편, 본원 특허청구범위의 각 구성요건에 병기한 도면의 참조부호는 본원 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것으로서, 본원 발명의 기술적 범위를 도면에 도시된 실시예에 한정할 의도로 병기한 것은 아니다.
[발명의 효과]
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 소비전류의 삭감을 보다 더한층 도모할 수 있는 액정구동용 전원회로를 제공할 수 있다.

Claims (2)

  1. 고전위의 전원전위 인가저뫄 저전위의 전원전위 인가점간에 직렬로 접속된 복수의 저항(R1 ~ R5)과, 이 복수의 저항(R1 ~ R5)에 의해 분리된 제1 내지 제4중간전위점(V1 ~ V4),이 제 1 내지 제4중간전위점 (V1 ~V4)중 가장 고전위가 얻어지는 제1중간전위점(V1)에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제1중간전위점 (V1) 전위를 받는 차동단(46) 및 이 차동단 (46)의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(49,52)을 갖춘 제1임피던스 변환회로 (AMP11), 상기 제1내지 제4중간전위점(V1 ~ V4)중 상기 제1중간전위점(V1),을 제외한 것 중에서 가장 고전위가 얻어지는 제2중간전위점(V2)에 접속되고, P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제2중간전위점(V2)의 전위를 받는 차동단(66) 및 이 차동단(66)의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(69,72)을 갖춘 제2임피던스 변환회로(AMP12), 상기 제1내지 제4중간전위점(V1 ~ V4)중 상기 제1 및 제2중간전위점 (V1,V2)을 제외한 것 중에서 보다 고전위가 얻어지는 제3중간전위점(V3)에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제3중간전위점(V3)의 전위를 받는 차동단(66) 및 이 차동단(66)의 출력을 게이트에서 받는 P 채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(69,72)을 갖춘 제3임피던스 변환회로(AMP13) 및, 상기 제4중간전위점(V4)에 접속되고 P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제4중간전위점(V4)의 전위를 받는 차동단(66) 및 이 차동단(66)의 출력을 ㅔ이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(69,72)을 갖춘 제4임피던스 변환회로(AMP14)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정구동용 전원회로.
  2. 고전위의 전원전위 인가점과 저전위의 전원전위 인가점간에 직렬로 접속된 복수의 저항(R1 ~ R5)과, 이 복수의 저항(R1 ~ R5)에 의해 분리된 제1내지 제4중간전위점(V1 ~ V4), 이 제1내지 제4중간전위점(V1 ~ V4)중 가장 고전위가 얻어지는 제1중간전위점(V1)에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제1중간전위점(V1)의 전위를 받는 차동단(46) 및 이 차동단(46)의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(49,52)을 갖춘 제1임피던스 변환회로(AMP11), 상기 제1내지 제4중간전위점(V1 ~ V4)중 상기 제1중간전위점(V1)을 제외한 거 ㅅ중에서 가장 고전위가 얻어지는 제2중간전위점 (V2)에 접속되고, N채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제2중간전위점(V2)의 전위를 받는 차동단(66), 이 차동단(66)의 출력을 게이트에서 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 중간출력단(69) 및 이 중간출력단(69)의 출력을 게이트에 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 최종출력단(72)을 갖춘 제2임피던스 변환회로 (AMP12), 상기 제1내지 제4중간전위점 (V1 ~ V4)중 상기 제1 및 제2중간전위점 (V1,V2)을 제외한 것 중에서 보다 고전위가 얻어지는 제3중간전위점 (V3)에 접속되고, P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제3중간전위점 (V3)의 전위를 받는 차동단(66) 및 이 차동단(66)의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로서 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 중간출력단(69) 및 이 중간출력단(69)의 출력을 게이트에 받는 P채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자, N채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 최종출력단(72)을 갖춘 제3임피던스 변환회로 (AMP13)및, 상기 제4중간전위점(V4)에 접속되고, P채널 MOS트랜지스터의 게이트에서 상기 제4중간전위점 (V4)의 전위를 받는 차동단(66) 및 이 차동단(66)의 출력을 게이트에서 받는 N채널 MOS트랜지스터를 구동용 소자로 이용하면서, P채널 MOS트랜지스터를 전류원용 소자로서 각각 이용한 출력단(69,72)을 갖춘 제4임피던스 변환회로 (AMP14)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정구동용 전원회로.
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