KR0143728B1 - 액정조성물과 액정표시소자 - Google Patents

액정조성물과 액정표시소자

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야마무라 히로시
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Abstract

본 발명은 액정표시소자용 액정조성물과 이 조성물을 이용한 액정표시소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 슈퍼트위스티드 네마틱(supertwisted nematic) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물과 이 조성물을 이용한 액정표시소자에 관한 것이다.

Description

액정조성물과 액정표시소자
제1도는 전압유지율(voltage-hoding ratio)의 측정회로를 나타낸 것이고,
제2도는 전압유지율 측정시 드라이빙파(driving wave)와 측정파(measuring wave)를 나타낸 것이다.
본 발명은 액정표시소자용 액정조성물과 이 조성물을 이용한 액정표시소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 슈퍼트위스티드 네마틱(supertwisted nematic, 이하 STN이라 함) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조정물과 이 조성물을 이용한 액정표시소자에 관한 것이다.
최근 정보기기 특히, 개인용 단말기기의 발달로 인하여 종래의 CRT(cathod ray tube)와 같은 표시용량과 표시품질을 갖으면서도 저 소비전력을 나타내는 작고 얇은 표시소자의 요구도가 높아가고 있다. 이러한 이유로 현재 STN 방식을 이용한 액정표시방법이 주류를 이루고 있다.
이러한 STN 방식은 1984년 세퍼(T.J.Scheffer) 등에 의해 제안된 것으로서, 종래 액정표시용으로 광범위하게 사용된 트위스티드 네마틱(twisted nematic, 이하 TN이라 함) 방식의 한계를 극복한 획기적인 것이다. 즉, 종래 TN 방식이 90도의 꼬임각(twist angle)을 갖는데 비하여 STN 방식에서는 꼬임각을 180~270도로 설정하므로써 액정전지의 복굴절효과(birefringence effect)를 이용하고 90도의 꼬임각을 갖는 TN 방식에서 보다 양호한 대조와 넓은 시야각 및 불순물 비율(duty ratio)이~1/480으로 감소되었음에도 불구하고 표시용량이 낮아지지 않았다(참조:T.J.Scheffer 등:Appl. Phys. Lett., 45(1984) 1021.).
그러나 STN 방식이 양호한 대조와 넓은 시야각을 갖는 장점이 있는 반면, 정전기에 의해 액정전지가 점등되는 이상현상이 발생하고 또한 판넬 어셈블리와 같은 제조과정중에 표시물질에 이물질(異物質)이 포함되어 불규칙적인 표시(irregular display)을 야기시키거나 장시간 점등에 의해 표시화면이 퓨전(fusion)되어 불량한 표시(poor display)를 생산하게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 액정조성물의 전기적 성질을 조절하는 방법이 이용되고 있다. 정전기에 의한 이상 점등(abnormal lighting)을 해결하기 위해서는 4급 암모늄염과 같은 이온성 화합물을 비저항가(specific resistance value)가 큰 액정조성물에 첨가하므로써 비저항가를 조절하는 방법이 제시되어 있다(일본특허출원 공개 소59-4647호). 그러나 상기의 이온성 화합물은 통상의 액정조성물과 상용성 및 용해성이 불충분하다는 단점 이외에도 몇가지 문제점이 아직 남아 있다. 즉, 상기 이온성 화합물은 주입부분 근처에서 쉽게 흡착되기 때문에 액정 전지내에서 이온화합물을 균일하게 분산시키기 어렵고, 또한 비저항가의 조절과 동시에 낮은 전압유지율(voltage-holding ratio)을 유지하기 위해서는 액정전지의 전력 소비량이 매우 커지게 되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 불규칙적인 표시 또는 퓨전현상(fusion phenomena)과 같은 표시불량(poor display)이 없는 STN 방식의 액정표시소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같은 액정표시소자를 얻기위해 비저항가를 낮추지 않고, 낮은 전압유지율 및 낮은 전력 소비를 갖도록 조절하므로써 안정한 액정조성물을 제공하는 것이다. 그러기 위해서 본 발명에서는 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물과 같은 비이온성 화합물 중에서 선택된 최소 1종 화합물을 액정조성물에 소량 첨가하므로써 비저항가를 낮추지 않고 전압유지비율을 쉽게 조절한다는 것을 기본으로 한다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1종 화합물을 포함하는 STN 방식의 액정표시소자용 액정조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상기의 액정조성물을 이용한 STN 방식의 액정표시소자에 관한 것을 포함한다.
또한, 본 발명은 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1종 화합물을 첨가시키므로써 STN 방식의 표시소자용 액정조성물의 전압유지비율을 조절하는 방법도 포함된다.
이와같은 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
액정조성물의 전압유지율과 비저항가는 조성물의 순도와 밀접한 관계가 있으며, 불순물을 함유하는 액정조성물을 이용하여 제조된 액정표시소자는 수명이 짧아지므로 통상적으로 충분히 정제된 액정조성물을 시장에 내놓아야 한다. 이러한 액정조성물은 통상적으로 90% 이상의 전압유지율과 1011~1013Ω·㎝의 비저항가를 갖는다.
본 발명에서는 상기의 액정조성물에 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물중에 선택된 최소 1종 화합물 소량 첨가하여 비저항가를 낮추지 않으면서도 전압유지율을 쉽게 조절할 수 있다. 즉, 본 발명에서는 액정조성물의 전압유지율을 조절하기 위해 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물을 사용한다.
축합된 헤테로고리 화합물로는 질소, 산소 또는 황과 같은 헤테로 원자를 하나이상 갖는 화합물이 바람직하며, 이를 예시하면 다음과 같다.
이환계(二環系) 축합 헤테로고리 화합물로는 벤조퓨란(benzofuran), 벤조치오펜(benzothiophene), 인돌(indole), 이소인돌(isoindole), 인돌리진(indolizine), 퀴놀린(quinoline), 이소퀴놀린(isoquinoline), 퀴놀리진(quinolizine), 이사틴(isatin), 코우마린(coumarin), 인다졸(indazole), 벤즈이미다졸(benzimidazole), 퀴나졸린(quinazoline), 퀸옥사린(quinoxaline), 벤조옥사졸(benzoxazole), 벤조티아졸(benzothiazoie), 벤조트리아졸(benzotriazole), 벤조옥사디아졸(benzoxadiazole), 벤조티아디아졸(benzothiadiazole) 및 벤조디옥산(benzodioxane)이다.
삼환계(三環系) 축합 헤테로고리 화합물로는 카르바졸(carbazole), 디벤조치오펜(dibenzothiophene), 펜안쓰리딘(phenanthridine), 디벤조퓨란(dibenzofuran), 페나진(phenazine), 펜옥사친(phenoxathiine), 치안쓰렌(thianthrene) 및 펜옥사진(phenoxazine)이다.
상기 이환계 및 삼환계 축합헤테로고리 화합물에 있어서 더욱 바람직하기로는 벤조치오펜, 카르바졸, 디벤조치오펜, 펜옥사친, 치안쓰렌 및 펜옥사진이다.
전압유지비를 적절히 조절할 수 있는 화합물로는 방향족 아민과 지방족 아민화합물이 있으며, 바람직하기로는 구조식 R4R5R6N로 표시되는 화합물이고, 이때 R4, R5및 R6은 수소, 비환(非環) 알킬, 시클릭 알킬, 방향족 탄화수소, 치환된 방향족 탄화수소 또는 헤테로모노시클릭기이다.
더욱 바람직한 방향족 및 지방족 아민화합물은 구조식 R1R2R3로 표시되는 화합물로서, 이때 R1은 수소 또는 페닐기이고, R2는 수소, 비환(非環) 알킬, 시클로헥실, 벤질, 페닐, 토릴, 메톡시페닐, 1-나프틸 또는 2-나프틸기이고, R3는 시클로헥실, 펜에틸 또는 페닐기이며, 이때 페닐은 치환기에 의해 치환될 수 있으며 치환기로는 알킬, 알콕시, 하이드록시, 아미노, 니트로, 니트로소, 브로민, 메틸아미노, 시클로헥실아미노, 페닐아미노, 토릴아미노, 1-나프틸아미노, 2-나프틸아미노 또는 4-페닐아미노페닐기이고, R1이 페닐일 때 R2-N-R3는 페닐라지닐이다.
구체적인 방향족 아민화합물의 예로는 1, 4-페닐렌디아민, N-페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디메틸-1, 4-페닐렌디아민, N-이소프로필-N′-페닐-1, 4-페닐렌디아민, N-N′디토릴-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-비스(2-나프틸)-1, 4-페닐렌디아민, 4-아미노페놀, 4-메톡시아닐린, N-페닐-2-나프틸아민, N-페닐-1-나프틸아민, N-4-메톡시페닐-1, 4-페닐렌디아민, 디페닐아민, 토릴아닐린, 아닐린, 아미노바이페닐, 4-니트로아닐린, 4-아미노페닐-4-메톡시페닐아민, N-시클로헥실-N′-페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디페닐벤지딘, N-메틸아닐린, N-(4-니트로소페닐)아닐린, 2-아미노페놀, 4-브로모아닐린, 1, 3-페닐렌디아민, 3-메틸아닐린, 페닐피페라진, 트리페닐아민, N-페닐벤질아민, N, N, N′, N′-테트라메틸-1, 4-페닐렌디아민 및 N, N′-디메틸인도아닐린이다.
지방족 아민화합물로서 트리에틸 아민이 사용될 수 있으며 이 보다 더 높은 끓는점을 갖는 화합물이 바람직하다. 1급 아민화합물에 있어서, 시클릭알킬 아민을 사용하는 것이 비환(非環)알킬 아민을 사용하는 것 보다 더욱 바람직하다.
모노시클릭 화합물은 질소원자를 함유하는 것으로 이를 구체적으로 예시하면 디시클로헥실아민, 시클로헥실아민, N-프로필펜에틸아민(N-propylphenethylamine), N-벤질펜에틸아민(N-benzylphenethylamine) 및 4-페닐피페리딘이다.
특히 바람직한 방향족 및 지방족 아민화합물로는 N, N′-디페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-비스(2-나프틸)-1, 4-페닐렌디아민, 디페닐아민, N, N′-디페닐벤지딘, N-벤질펜에틸아민, 페닐피페라진, 트리페닐아민, N-페닐벤질아민, N, N,
N′, N′-테트라메틸-1, 4-페닐렌디아민 및 N, N′-디메틸인도아닐린이다.
액정조정물의 전압유지율을 조절하기 위해서 첨가될 수 있는 방향족 하이드록시 화합물은 방향족 고리에 친전자성 치환체를 갖고, 산도상수(acidity constant, Ka)가 10 이하인 화합물이 바람직하다.
이러한 방향족 하이드록시 화합물은 시아노페놀 유도체, 니트로페놀 유도체, 할로겐화된 페놀유도체 및 할로겐화된 알킬페놀 유도체를 포함하는 것으로 다음 구조식으로 표시할 수 있다.
상기식에서, X는 시아노, 니트로, 할로겐, 할로알킬, 알킬, 아릴 또는 아르알킬기이고, n은 1 내지 5의 정수이다.
상기 방향족 하이드록시 화합물을 구체적으로 예시하면 시아노페놀, 니트로페놀, 클로로페놀, 브로모페놀, 플루오로페놀, (트리플루오로메틸)페놀, 디플루오로페놀, 디시아노페놀, 메틸플루오로페놀, 페닐플루오로페놀, 벤질플루오로페놀, (트리플루오로메틸)플루오로페놀, 시아노플루오로페놀, 플루오로니트로페놀, (트리플루오로메틸)시아노페놀, 클로로시아노페놀 및 시아노디플루오로페놀이다.
상기 방향족 하이드록시 화합물 중에서 바람직하기로는 시아노페놀, 디플루오로페놀, 디시아노페놀, 시아노플루오로페놀, (트리플루오로메틸)시아노페놀 및 시아노디플루오로페놀이다.
본 발명에서 사용된 액정조성물은 다음 구조식으로서 구체적으로 표시된 액정화합물 중에서 몇 종류를 혼합한 것이다.
상기식에서,R1및 R2는 알킬, 알콕시알킬, 알콕시, 알케닐, 알킬페닐, 알콕시알킬페닐, 알콕시페닐, 알케닐페닐, 알킬시클로헥실, 알콕시알킬시클로헥실, 알케닐시클로헥실, 시아노페닐, 시아노, 할로겐, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시 또는 디플루오로메톡시기이고, R1및 R2가 페닐인 경우 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 디플루오로메톡시 및 플루오린과 클로린의 할로겐에 의해 치환될 수 있고, X는 수소, 트리플루오로메틸, 트리플루오로메톡시, 디플루오로메톡시 및 플루오린과 클로린의 할로겐이다.
본 발명의 액정조성물의 전압유지율의 적절한 상한가(upper limit value)는 액정조성물중에 존재하는 불순물에 의한 불규칙적인 배향 및 퓨전현상에 의해 야기되는 표시불량(irregular display)의 존재 유무에 달려 있으며, 바람직한 전압유지율은 90% 이하이다. 그리고 전압유지율의 하한가(lower limit value)는 소비전력과 신뢰성에 영향을 받으며 바람직하기로는 40% 이상이다. 따라서, 바람직한 액정조성물의 전압유지율은 40 내지 80%이다.
본 발명에서는 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물 및 지방족 아민화합물 중에서 선택된 최소 1종 화합물을 함유하며 그 사용량은 액정조성물의 등방성 상태(isotropic state)로의 전이점과 같은 안정성을 감소시키지 않을 정도의 미소량(微少量)을 사용한다. 또한 그 함량은 화합물의 석출 및 분리를 일으키지 않은 법위내이며, 바람직하기로는 액정조성물에 대하여 0.0001~3 중량% 함유하는 것이다. 전압유지율은 화합물의 형태와 함량에 의해 좌우된다. 따라서 0.0001~3 중량% 범위내에서 적절한 미소량의 화합물을 첨가하므로써 전압유지율을 40~80% 범위내에서 조절할 수 있다.
본 발명의 액정조성물은 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 2종 이상 선택한 혼합물을 사용할 수 있으며, 또한 콜레스테릴 노나노에이트(cholesteril nonanoate)와 같은 광학활성물질을 함께 사용할 수 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하겠는 바, 본 발명이 실시예에 의해 항상 한정되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용된 액정조성물은 다음 표 1에 나타낸 액정혼합물 1 및 액정혼합물 2의 두 종류이며, 기본성분은 페닐시클로헥산 타입의 화합물을 포함한다. 그리고 액정전지(liquid crystal cell)는 다음과 같이 이루어져 있다. 폴리이미드 타입의 수지(PSI-A-2204, 일본 찌소주식회사 제품)를 유리기질에 처리한후 수지를 굳힌다. 그리고 코팅된 유리기질표면을 문지른다. 투명전극을 갖는 유리기질을 모아서 6㎛ 간격과 240도로 트위스티드 배향시킨다.
액정혼합물의 조성은 다음 표 1과 같다.
액정조성물의 전압유지율은 도면 제1도에 나타낸 회로에 의해 측정하며, 도면 제2도는 전압유지율 측정 당시의 파형(波形, waveform)으로서, Vd의 사선부분은 실제 측정된 파형을 나타낸 것이다.
전압유지율은 소스전압(source voltage, V)과 적용시간(t-t)의 곱((V)×(t-t))에 대한 도면 제2도의 사선부분(V-t-t-V)의 비율로서 나타낸다.
[실시예 1]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 삼환계(三環系) 축합 헤테로고리화합물인 디벤조치오펜(dibenzothiophene) 1 중량%를 첨가한 다음 잘 섞어서 액정조성물을 만들었다. 이 조성물의 전압유지율은 70%이고, 비저항가는 2×10 Ω·㎝이었다. 또한 상기 액정혼합물 1의 전압유지율은 95%이고, 비저항가는 5×10 Ω·㎝이었다. 즉, 축합된 헤테로고리 화합물인 디벤조치오펜을 사용하므로써 비저항가의 커다란 감소 없이 전압유지율을 낮출 수 있었다.
[실시예 2]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 삼환계 축합 헤테로고리화합물인 펜옥사진(phenoxazine)을 0.03 중량%, 0.3 중량% 및 1.0 중량%를 첨가하여 각각의 액정조성물을 제조하였다. 이들 각각 조성물의 전압유지율은 75%, 59% 및 48%이었으며 비저항가는 각각 4×10 Ω·㎝, 2×10 Ω·㎝ 및 9×10 Ω·㎝이었다.
[실시예 3]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 이환계(二環系) 축합된 헤테로고리 화합물인 벤조치오펜(benzothiophene) 0.01 중량% 및 0.03 중량%를 첨가하여 각각의 액정조성물을 제조하였다. 이들 조성물 각각의 전압유지율은 60% 및 51%이고, 각각의 비저항가는 1×10 Ω·㎝ 및 4×10 Ω·㎝이었다. 반면에 상기액정혼합물 2의 전압유지율은 92%이고, 비저항가는 3×10 Ω·㎝이었다. 즉, 축합된 헤테로고리 화합물인 벤조치오펜을 사용하므로써 비저항가를 현저히 낮추지 않으면서도 전압유지율을 낮출 수 있었다.
[실시예 4]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 삼환계 축합된 헤테로고리 화합물인 카르바졸(carbazole) 0.3 중량% 및 1.0 중량%를 첨가하여 각각의 액정조성물을 제조하였다. 이들 각각의 액정조성물의 전압유지율은 78% 및 65%이었다.
[실시예 5]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 삼환계 축합된 헤테로고리 화합물인 치안쓰렌(thianthrene) 0.3 중량% 및 1.0 중량%를 첨가하여 각각의 액정조성물을 제조하였으며 이들 각각 조성물의 전압유지율은 80% 및 70%이었다.
[실시예 6]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 펜옥사친(phenoxathiine) 1.5 중량%를 첨가하여 액정조성물을 제조하였으며, 이 조성물의 전압유지율은 75%이었다.
[실시예 7] (사용예)
전극을 갖는 기질 쌍(pair) 표면위를 폴리이미드 타입의 수지(PSI-A-2204, 찌소주식회사 제품)로 코팅한 다음 기질을 문지른 후 240도로 꼬인 배열판을 만들었다. 이러한 기질 쌍을 이용하여 전지간격(cell gap)이 6㎛이고 640×400 도트(dot)의 픽셀(pixel)을 이용하여 액정전지를 제조하였다. 그리고 상기 실시예 3에서 제시된 바 있는 액정혼합물 2에 0.03 중량%의 벤조치오펜을 첨가하여 제조한 액정조성물을 전지에 주입시켰다. 그리고 양측면에 2개의 편광판을 갖는 STN 소자를 만들었다. 70㎐에서 20V의 사각파(ON 전압)를 소자에 적용시키므로써 A 문자를 나타내었다. 균형이 잡히지 않은 표시(unevendisplay)는 관측되지 않았다. 그리고 1시간동안 전압을 적용시킨 다음 이를 제거시켰을 때 OFF 상태에서 퓨전현상(fused phenomenon)은 관측되지 않았다.
[실시예 8]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 방향족 아민화합물인 디페닐아민(diphenylamine) 0.3 중량%를 첨가하여 액정조성물을 제조하였다. 조성물의 전압유지율은 62%이었고, 비저항가는 9×10 Ω·㎝이었다. 상기 액정혼합물 1의 전압유지율이 95%이고 비저항가가 5×10 Ω·㎝이었으며, 디페닐아민을 사용하므로써 비저항가를 현저히 낮추지 않고 전압유지율을 낮출 수 있었다.
[실시예 9]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 방향족 아민화합물인 N, N-디페닐벤지딘(N, N-diphenylbenzidine) 0.0005 중량%, 0.003 중량%, 0.03 중량% 및 0.3 중량%를 첨가하여 네종류의 액정조성물을 제조하였다. 이들 조성물 각각의 전압유지율은 77%, 65%, 45% 및 40%이었고, 비저항가는 각각 9×10 Ω·㎝, 8×10 Ω·㎝, 6×10 Ω·㎝ 및 2×10 Ω·㎝이었다. 반면에 상기 액정혼합물 2의 전압유지율은 92%이었고, 비저항는 3×10 Ω·㎝이었다. 즉, 아민화합물로서 디페닐벤지딘을 사용하므로써 비저항가를 현저히 낮추지 않고도 전압유지율을 낮출 수 있었다.
[실시예 10]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 방향족 아민화합물인 페닐피페라진(phenylpiperazine) 0.01 중량%, 0.05 중량%, 0.3 중량% 및 1 중량%를 첨가하여 네종류의 액정조성물을 제조하였다. 이들 조성물 각각의 전압유지율은 78%, 69%, 60% 및 42% 이고, 각각의 비저항가는 3×10 Ω·㎝, 1×10 Ω·㎝, 8×10 Ω·㎝ 및 7×10 Ω·㎝이었다.
[실시예 11]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 지방족 아민화합물인 벤질펜에틸아민(benzylphenethylamine) 0.005 중량%, 0.03 중량% 및 0.5 중량%를 첨가하여 세종류의 액정조성물을 제조하였으며 이들 각각의 전압유지율은 73%, 64% 및 58% 이었다.
[실시예 12]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 방향족 아민화합물인 트리페닐아민(triphenylamine) 2 중량%를 첨가하여 액정혼합물을 제조하였으며, 조성물의 전압유지율은 78%이고, 비저항가는 8×10 Ω·㎝이었다.
[실시예 13]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 방향족 아민화합물인 N-페닐벤질아민(N-phenylbenzylamine) 0.3 중량%를 첨가하여 액정조성물을 제조하였으며 조성물의 전압유지율은 76%이고, 비저항가는 3×10 Ω·㎝이었다.
[실시예 14]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 방향족 아민화합물인 N, N′-디페닐-1, 4-페닐렌디아민(N, N′-diphenyl-1, 4-phenylenediamine) 0.005 중량%, 0.01 중량% 및 0.5 중량%를 첨가하여 세종류의 액정조성물을 제조하였다.
[실시예 15]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 방향족 아민화합물인 N, N′-비스(2-나프틸)-1, 4-페닐렌디아민(N, N′-bis(2-naphthyl)-1, 4-phenylenediamine) 0.005 중량%, 0.01 중량% 및 0.5 중량%를 첨가하여 세종류의 액정조성물을 제조하였다.
[실시예 16] (사용예)
전극을 갖는 기질 쌍(pair) 표면위를 폴리이미드 타입의 수지(PSI-A-2204, 찌소주식회사 제품)로 코팅한 다음 기질을 문지른 후 240도로 꼬인 배열판을 만들었다. 이러한 기질을 이용하여 전지간격(cell gap)이 6㎛이고 640×400도트(dot)의 픽셀(pixel)을 이용하여 액정전지를 제조하였다. 그리고 상기 실시예 9에서 제시된 바 있는 액정혼합물 2에 0.003 중량%의 N, N′-디페닐벤지딘을 첨가하여 제조한 액정조성물을 전지에 주입시켰다. 그리고 양측면에 2개의 편광판을 갖는 STN 소자를 만들었다. 70㎐에서 20V의 사각파(ON 전압)를 소자에 적용시키므로써 A 문자를 나타내었다. 균형이 잡히지 않은 표시(uneven display)는 관측되지 않았다. 그리고 1시간동안 전압을 적용시킨 다음 이를 제거시켰을 때 OFF 상태에서 퓨전현상(fused phenomenon)은 관측되지 않았다.
[실시예 17]
상기 표 1의 액정혼합물 1에 방향족 하이드록시 화합물인 2-플루오로-4=하이드록시벤조니트릴을 0.3 중량% 첨가하여 액정조성물을 제조하였다. 이 조성물의 전압유지율은 65%이고, 비저항가는 2×10 Ω·㎝이었다.
[실시예 18]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 방향족 하이드록시 화합물인 3-플루오로-4-하이드록시벤조니트릴을 0,3 중량% 첨가하여 액정조성물을 제조하였다. 이 조성물의 전압유지율은 70%이고, 비저항가는 1×10 Ω·㎝이었다.
[비교예 1]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 첨가물을 첨가하지 않고 상기 실시예 7 및 실시예 16과 같은 방법으로 전지에 주입시켜 STN 소자를 만들었다. 소자에 ON 전압을 1시간 적용시켜 A 문자를 나타나게 하였다. OFF 상태에서 희미하게 A자 남아있는 퓨전현상(fused phenomenon)이 관측되었다.
[비교예 2]
상기 표 1의 액정혼합물 2에 이온성 화합물인 테트라부틸암모늄 브로마이드 0.0001 중량% 첨가하여 액정조성물을 제조하였다. 전극표면에 폴리이미드 타입의 수지(PSI-A-2204, 찌소주식회사)로 코팅하고 문지른 후 240도로 꼬인 배열판을 만들었다. 이러한 기질을 이용하여 전지간격이 6㎛이고 640×400도트(dot)의 픽셀을 갖는 액정전지에 상기의 액정조성물을 주입시켰다. 이 경우에 있어서, 불규칙적인 표시(uneven display)는 전지중앙의 삽입구 근처에서 관측되었으며 이는 주입시 테트라부틸암모늄 브로마이드의 흡착에 의한 것이다.
상기에서 설명된 본 발명의 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물 및 지방족 아민화합물은 STN 소자의 불규칙적인 표시(irregular display) 또는 퓨전현상(fusion phenomena)을 개선시키는데 있어서 광범위하게 사용되고 있다.
본 발명은 비저항기를 낮추지 않고도 전압유지율을 적절히 조절할 수 있는 STN 타입의 액정소자용 액정조성물을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면 퓨전현상(fusion phenomena)과 불순물에 의한 불규칙적 표시(irregular display)을 야기시키지 않으면서 높은 용량을 갖는 STN 타입의 액정소자를 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 액정조성물에 있어서, 상기 액정조성물은 축합된 헤테로고리 화합물;방향족 아민화합물;지방족 아민화합물;지방족 아민화합물;그리고 방향족 하이드록시 화합물로서 치환된 디시아노페놀;플루오로원자, 트리플루오로메틸기가 각각 또는 동시에 포함되어 있으면서 다른 치환기로 치환되지 않은 페놀;플루오로원자, 트리플루오로메틸기가 각각 또는 동시에 포함되어 있으면서 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기 또는 알킬카보닐옥시기로 치환된 페놀이 제외된 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1종 이상의 화합물이 0.0001~3 중량% 포함되어 있는 것을 특징을 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 축합된 헤테고리 화합물은 질소, 산소, 및 황의 헤테로원자중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 축합된 헤테로고리 화합물은 벤조퓨란(benzofuran), 벤조치오펜(benzothiophene), 인돌(indole), 인소인돌(isoindole), 인돌리진(indolizine), 퀴놀린(quinoline), 이소퀴놀린(isoquinoline), 퀴놀리진(quinolizine), 이사틴(isatin), 코우마린(coumarin), 카르바졸(carbazole), 디벤조치오펜(dibenzothophene), 펜안쓰리딘(phenanthridine), 디벤조퓨란(dibenzofuran), 인다졸(indazole), 벤조이미다졸(benzimidazole), 퀴나졸린(quinazoline), 퀸옥사린(quinoxaline), 벤조옥사졸(benzoxazole), 벤조치아졸(benzothiazole), 벤조트리아졸(benzotriazole), 벤조옥사디아졸(benzoxadiazole), 벤조치아디아졸(benzothiadiazole) 벤조디옥산(benzodioxane), 아크리딘(acridine), 페나진(phenazine), 펜옥사친(phenoxathine), 치안쓰렌(thianthrene) 및 펜옥사진(phenoxazine) 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 축합된 헤테로고리 화합물은 벤조치오펜(benzothiophene), 카르바졸(carbazole), 디벤조치오펜(dibenzothiophene), 펜옥사친(phenoxathine), 치안쓰렌(thianthrene) 및 펜옥사진(phenoxazine) 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방향족 아민화합물과 지방족 아민화합물은 각각 구조식 R1R2R3N(이때 R1은 수소 또는 페닐기이고, R2는 수소, 비환(非環)알킬, 시클로헥실, 벤질, 페닐, 토릴, 메톡시페닐, 1-나프릴 또는 2-나프틸기이고, R3은 시클로헥실, 펜에틸 또는 페닐기이고, 페닐기는 치환기에 의해 치환될 수 있으며 이때 치환기로는 알킬, 알콕시, 하이드록시, 아미노, 니트로, 니트로소, 브로민, 메틸아미노, 시클로헥실아미노, 페닐아미노, 토릴아미노, 1-나프틸아미노, 2-나프틸아미노 또는 4-페닐아미노페닐기이고, R1이 페닐일 때 R2-N-R3는 페닐라지닐기)으로 표시되는 화합물임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방향족 아민화합물과 지방족 아민화합물은 각각 1, 4-페닐렌디아민, N-페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디메틸-1, 4-페닐렌디아민, N-이소프로필-N′-페닐-1, 4-페닐린디아민, N, N′-디토릴-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-비스(2-나프틸)-1, 4-페닐렌디아민, 4-아미노페놀, 4-메톡시아닐린, N-페닐-2-나프틸아민, N-페닐-1-나트틸아민, N-4-메톡시페닐-1, 4-페닐렌디아민, 디페닐아민, 토릴아닐린, 아닐린, 아미노바이페닐, 4-니트로아닐린, 4-아미노페닐-4-메톡시페닐아민, N-시클로헥실-N′-페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-디페닐벤지딘, N-메틸아닐린, N-(4-니트로소페닐)아닐린, 2-아미노페놀, 4-브로모아닐린, 1, 3-페닐렌디아민, 3-메틸아닐린, 페닐피페라진, 트리페닐아민, N-페닐벤질아민, N, N, N′, N′-테트라메틸-1, 4-페닐렌디아민 및 N, N-디메틸인도아닐린, 디시클로헥실아민, 시클로헥실아민, N-프로필펜에틸아민, N-벤질펜에틸아민 및 4-페닐피페리딘 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 방향족 아민화합물은 N, N′-디페닐-1, 4-페닐렌디아민, N, N′-비스(2-나프틸)-1, 4-페닐렌디아민, 디페닐아민, N, N′-디페닐벤지딘, 페닐피페라진, 트리페닐아민, N-페닐벤질아민, N, N, N′, N′-테트라메틸-1, 4-페닐렌디아민, N, N-디메틸인도아닐린 및 N-벤질펜에틸아민 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 방향족 하이드록시 화합물은 방향족 고리에 친전자성 치환체를 갖고 산도상수(acidity constant, Ka)가 10 이하인 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 방향족 하이드록시 화합물은 시아노페놀 유도체, 니트로페놀 유도체, 할로겐화된 페놀 유도체 및 할로겐화된 알킬페놀 유도체중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 방향족 하이드록시 화합물은 시아노페놀, 니트로페놀, 클로로페놀, 브로모페놀, 페닐플루오로페놀, 벤질플루오로페놀, 시아노플루오로페놀, 플루오로니트로페놀, 클로로시아노페놀 및 시아노디플루오로페놀 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 액정조성물은 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1중 화합물을 함유시켜 전압유지율이 40~80% 범위로 조절된 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자용 네마틱 액정조성물.
  12. 상기 제1항 내지 제10항 및 제13항 중에서 선택된 어느 한 항의 액정 조성물이 사용된 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자.
  13. 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 표시소자용 네마틱 액정조성물에 상기 제1항 내지 제10항 및 제13항 중에서 선택된 어느 한 항의 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1종 이상의 화합물을 사용하여 액정조성물의 전압유지율을 40~80% 범위로 조절하는 방법.
  14. 제14항에 있어서, 상기 액정 조성물은 축합된 헤테로고리 화합물, 방향족 아민화합물, 지방족 아민화합물 및 방향족 하이드록시 화합물 중에서 선택된 최소 1종 이상의 화합물을 사용하여 전압유지율을 40~80% 범위로 조절한 것임을 특징으로 하는 슈퍼트위스티드 네마틱(STN) 방식의 액정표시소자.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5723065A (en) * 1993-01-11 1998-03-03 Chisso Corporation Liquid crystal compositions and liquid crystal display devices
DE19517038A1 (de) * 1995-05-10 1996-11-14 Hoechst Ag 1,8-Difluorisochinolinderivate und ihre Verwendung in flüssigkristallinen Mischungen
TWI239997B (en) * 1998-02-04 2005-09-21 Merck Patent Gmbh Liquid-crystal composition, method of adjusting the resistance of a liquid-crystal composition, liquid-crystal display and substituted phenols
JP3652997B2 (ja) * 2000-06-14 2005-05-25 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶材料及び液晶表示装置
US20020030654A1 (en) * 2000-09-14 2002-03-14 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
JP4551667B2 (ja) * 2003-09-26 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液晶組成物及び液晶素子
JP2009132793A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Hitachi Displays Ltd 液晶組成物およびそれを用いた液晶表示装置
US9155599B2 (en) 2010-11-03 2015-10-13 Global Dental Science Llc Systems and processes for forming anatomical features in dentures
US9364302B2 (en) 2012-02-08 2016-06-14 Global Dental Science Llc Process and systems for molding thermosetting plastics
US9867684B2 (en) 2013-03-14 2018-01-16 Global Dental Sciences LLC System and process for manufacturing of dentures
US10251733B2 (en) 2014-03-03 2019-04-09 Global Dental Science Llc System and method for manufacturing layered dentures
US10206764B2 (en) 2014-03-03 2019-02-19 Global Dental Sciences, LLC System and method for manufacturing layered dentures

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3951845A (en) * 1972-06-23 1976-04-20 General Electric Company Nematic liquid crystal mixtures having homogeneous boundary conditions and method of making the same
JPS5039686A (ko) * 1973-08-15 1975-04-11
DE2727024A1 (de) * 1977-06-15 1978-12-21 Sevostjanov Fluessigkristallanzeigevorrichtung
US4366080A (en) * 1980-04-07 1982-12-28 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Liquid crystal display element
DE3378660D1 (en) * 1982-09-30 1989-01-12 Showa Denko Kk Electrically conductive liquid crystalline substance and polymer
GB2132192B (en) * 1982-10-30 1986-01-22 Dainippon Ink & Chemicals Nematic liquid crystalline 3-fluro-4-cyanophenol derivatives
US4574233A (en) * 1984-03-30 1986-03-04 Tektronix, Inc. High impedance current source
US4640795A (en) * 1986-03-21 1987-02-03 Chisso Corporation 5-alkyl-2-(3,4-difluorophenyl)pyrimidine and nematic liquid crystal composition containing same
EP0282254B1 (en) * 1987-03-09 1993-06-16 Chisso Corporation Diamino compounds and liquid crystal aligning films
US5067797A (en) * 1988-03-25 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display cell and process for producing the same
EP0365255B1 (en) * 1988-10-19 1996-07-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ferroelectric liquid crystal composition and liquid crystal display device
JP2636035B2 (ja) * 1989-02-27 1997-07-30 松下電器産業株式会社 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶表示装置
DE4011792A1 (de) * 1990-04-12 1991-10-17 Hoechst Ag Ionophore enthaltende ferroelektrische fluessigkristallmischungen
JP3143483B2 (ja) * 1990-02-15 2001-03-07 キヤノン株式会社 液晶組成物、及びこの使用方法，これを使用した液晶素子，表示装置
US5723065A (en) * 1993-01-11 1998-03-03 Chisso Corporation Liquid crystal compositions and liquid crystal display devices

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Publication number Publication date
DE69424071T2 (de) 2000-11-02
TW303385B (ko) 1997-04-21
KR940018690A (ko) 1994-08-18
DE69424071D1 (de) 2000-05-31
SG44527A1 (en) 1997-12-19
US5985170A (en) 1999-11-16
EP0606858A1 (en) 1994-07-20
EP0606858B1 (en) 2000-04-26
US5723065A (en) 1998-03-03

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