KR0129363Y1 - 열처리 장치 - Google Patents

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KR0129363Y1
KR0129363Y1 KR2019910018975U KR910018975U KR0129363Y1 KR 0129363 Y1 KR0129363 Y1 KR 0129363Y1 KR 2019910018975 U KR2019910018975 U KR 2019910018975U KR 910018975 U KR910018975 U KR 910018975U KR 0129363 Y1 KR0129363 Y1 KR 0129363Y1
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이노우에 다케시
도오교오 에레구토론 사가미 가부시끼 가이샤
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Abstract

열처리 장치는, 피처리체를 수납하는 반응관과, 반응관 주위를 둘러싼 와이어 형상의 발열체와, 발열체를 복수의 위치에서 지지하는 지지장치와, 지지장치를 보강하기 위한 보강부재를 가지고 있다.
지지장치는 적층된 복수의 유지체를 가지며, 각 유지체는 오목부가 형성된 적층면을 가지고, 유지체가 적층되면, 인접하는 유지체의 오목부는 구멍을 형성하여 이 구명내에 발열체가 끼워서 통해지고 있다.
지지장치는 적층된 유지체의 열(列)을 지지하는 지지부재를 가지며, 각 유지체는 지지부재와 걸어맞춤되고 있다.

Description

열처리 장치
제1도는 본 고안의 1 실시예의 관한 열치러 장치의 개략 종단면도.
제2도는 상기 열처리 장치의 횡단면도.
제3도는 제 2도의 A-A선에 따르는 단면도.
제4도는 상기 실시예에 관한 지지부재의 조립상태를 나타낸 사시도.
제5a도 및 제5b도는 상기 실시예에 관한 히이터 유지체의 측면도 및 평면도.
제6도 및 제7도는 히이터와 히이터 유지체와 지지부재와의 걸어맞춤 상태를 나타낸 평면도 및 사시도.
제8도는 히이터 지지체의 제 1 변형예를 나타낸 평면도.
제9도는 히이터 지지체의 제 2 변형예를 나타낸 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 석영 보우트
3 : 반입/반출구 4 : 반응관
5 : 히이터 6 : 단자
7 : 단열재 8 : 보온통
9 ; 덮개 11 : 반응가스 공급로
12 : 반응가스 배기로 13 : 단열부재
13a ; 구멍 14 : 프레임
15 : 위덮개 16 : 지지부재
17 : 히이터 유지체 18,18a,18b : 접촉면
19 : 오목부 20 : 볼록부
21 : 오목부 22 : 걸어맞춤부
23 : 직각면 24 : 측면홈
25 : 걸어맞춤돌기 26 : 히이터 유지체 배면
27 : 반월형 오목부 28 : 내열성 보강기둥
28a :지주 29 : 관통구멍
30 : 강화부재
본 고안은, 반도체 소자의 제조공정에서 사용되는 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체의 제조공정에서, 반도체 웨이퍼상에 막 형성을 실시하는 장치로서, 종형 열처리 장치가 알려져 있다.
이 종형 열처리 장치는 열처리를 실시할때에 웨이퍼면상의 온도를 균일하게 유지하여 처리를 실시하기 때문에 웨이퍼가 대경화에 따라 여러 가지 방법이 사용되고 있다.
이와같은 종형 열처리 장치는, 예를 들면 일본국 실개소 63-145291호 또는 실개평 1-10921호에 나타나 있다.
실개소 63-145291호에 나타낸 열처리 장치에서는, 히이터선을 지지하는 지지장치가 다수의 히이터 유지체를 가지며, 이 히이터 유지체는 적층되어서 거의 타원형의 히이터선 지지구멍을 형성하고, 이 지지구멍은 내부에서 히이터선이 이동할수 있는 크기로 형성된다.
그리고, 적층된 히이터 유지체는 8개의 열(列)을 구성하며, 각 열은 반응관의 바깥둘레에 8개소 마련된 지지부재에 지지되어 있다.
또, 일본국 실개평 1-10921호에 나타낸 열처리 자치에서는, 히이터 유지체의 선단을 단면 S자 형상으로 형성하고, 상하의 히이터 유지체를 히이터선을 유지 하도록 구성되어 있다.
열처리 장치에서는 히이터의 온도가 1200℃정도까지 상승하기 때문에, 일반적으로 히이터 유지체는 내열성 있는 세라믹으로 형성되어 있다.
세라믹은 열팽창이 되지 않고, 또 유연성이 없기 때문에, 히이터선의 열팽창에 의해 직경방향이나 원둘레 방향으로 끌어 당겨진다.
그 때문에 히이터선의 팽창을 고려해서 히이터 지지구멍을 크게 형성하지만, 그런데도 팽창된 히이터선에 끌어당겨져서 잔금이 가는 일이 있다.
특히, 단자에 접속된 히이터선 부분은 고정되어 있기 때문에, 그 부분의 열팽창으로 히이터 유지체가 지지부재가 파괴되기 쉽고, 히이터 유지체나 지지부재가 파괴되면, 그 파편이 날아흩어져서 웨이퍼의 오염원(原)으로 되거나, 변형된 히이터선에 의하여 반응관이 파괴되는 일도 있다.
본 고안의 목적은, 히이터선의 열팽창에 의해 히이터 지지장치가 파괴되지 않고, 만약지지장치가 파괴된다고 하더라도, 파괴편이 날아 흩어지지 않는 열처리 장치를 제공하는데 있다.
본 고안의 목적은, 이하의 열처리 장치에 의하여 달성된다. 즉, 이 열처리 장치는, 피처리체를 수납하는 반응관과, 반응관 주위를 둘러 싼 와이어 형상의 발열체와, 발열체를 주위로부터 복수의 위치에서 지지하는 지지수단과, 지지수단의 지지부재를 보강하기 위한 보강수단을 구비하고 있다.
이 지지수단은 적층된 복수의 유지체를 가지며, 각 유지체는 오목부가 형성된 적층면을 갖고, 유지체가 적층되면, 인접하는 유지체의 오목부는 구명을 형성하며, 이 구멍내에 발열체가 끼워서 통하게 되어 있다.
또, 지지수단은 적층된 유지체의 열(列)을 지지하는 지지부재를 가지며, 각 유지체는 지지부재와 걸어맞춤하고 있다.
본 고안에서는, 상기 보강수단을 마련함으로써, 지지부재가 발열체의 팽창에 의해 끌어 당겨져도 유지체나 지지부재가 파괴되는 일은 없다.
또, 만약 파괴된다고 하더라도 파편이 날아 흩어지는 일은 없다. 따라서, 깨끗한 상태를 유지 하면서, 피처리체를 수율이 좋도록 열처리 할 수가 있다.
[실시예]
이하 도면을 참조하면서 본 고안의 실시예에 대해서 설명한다.
본 고안의 1 실시예에 관한 열처리 장치는, 제 1 도에 나타낸 바와 같이, 내열성부재, 예를 들면 석영으로 형성된 원통형상의 반응관(4)을 가지며, 이 반응관(4)내에서, 석영 보우트(2)에 수납된 웨이퍼(1)에 대하여 열처리가 실시된다.
반응관(4)의 하부에는, 웨이퍼(1)를 수납한 석영 보우트(2)의 반입/반출구(3)가 설치되어 있다.
석영 보우트(2)는 가열장치를 내장한 보온통(8)상에 얹어놓여지고, 보온통(8)은 반응관(4)을 아래쪽으로부터 개폐하는 덮개(9)상에 얹어 놓여져 있다. 그리고, 이 덮개(9)는 도시하지 않는 승강기구에 의해 상하로 이동 하도록 구성되어 있다.
반응관(4)의 바깥둘레에는, 철·크롬·알루미늄합금 등의 저항 발열체로 형성된 스파이럴 형상의 히이터(5)가 설치되어 있다.
이 히이터(5)는, 반응관(4)내의 웨이퍼 수납공간을 균일하게 가열하기 위하여, 몇 개의 존으로 분할되어 설치되어 있다.
그리고, 각 존마다 단자(6)가 설치되어, 단자(6)로부터 히이터(5)에 전류가 공급된다.
따라서 각 존마다 소망하는 발열 온도를 얻을 수가 있다.
반응관(4)의 꼭대기부에는 반응가스 공급로(11)가 설치되고, 반응관(4)의 하부에는 반응가스 배기로(12)가 설치되어 있다.
그리고, 반응가스 공급로(11)로부터 공급된 반응가스에 의해 웨이퍼(1)상에 막을 형성하고, 막 형성후의 반응 생성 가스나 잉영 반응가스는, 반응가스 배기로(12)로부터 배기된다.
제2도 및 제3도에 나타낸 바와 같이, 반응관(4)의 바깥둘레에는 단열재(7)가 설치되고, 단열재(7)의 안쪽 예를 들면 8개소에, 통상 1m 이상의 길이를 가지는 단면 C자 형상의 지지부재(16)가 설치되어 있다.
지지부재(16)의 오목한 곳에는, 다수의 히이터 유지체(17)가 적층 상태로 걸어맞춤되고, 히이터 유지체(17)는, 각각 히이터(5)를 유지하고 있다.
이와 같은 지지부재(16) 및 히이터 유지체(17)는, 입자가 비교적 가는 세락믹(Al2O3)을 금형으로 성형하여 형성되어 있다.
또 제4도에 나타낸 바와 같이 8개의 지지부재(16)는, 그 양끝단부가 링형상의 단열부재(13)로 유지되어도 있다.
요컨대, 링형상의 단열부재(13)에는, 원둘레 방향으로 등간격으로 8개의 구멍(13a)이 형성되어 각각 지지부재(16)의 끝단부가 삽입되어 있다.
이 링형상의 단열부재(13)는, 세라믹 섬유를 굳혀서 형성되어 있다. 또한, 제3도에 나타낸 바와 같이 링형상의 단열부재(13)는, 한 쌍의 프레임(14)에 의하여 끼워지고 있다.
그리고, 상부 단열부재(13)의 개구부는 디스크 형상의 단열재로 형성된 위덮개(15)로 막혀져 있다.
이와 같이 구성된 열처리로는 도시하지 않은 커버에 의하여 전체가 덮혀져 있다.
제5a도 및 제5b도에 나타낸 바와 같이, 히이터 유지체(17)에서의 인접하는 히이터 유지체와 접촉하는 접촉면(18)에는, 히이터(5)를 상하 방향으로부터 덮는 오목부(19)가 형성되어 있다.
오목부(19)의 크기는, 히이터(5)의 열팽창을 고려하여 설정되고, 히이터(5)가 열팽창 되어도 원둘레 방향으로 이동 가능한 크기로 형성되어 있다.
히이터 유지체(17)는, 또 한쪽 접촉면(18a)에 형성된 볼록부(20)와, 다른쪽 접촉면(18b)에 형성된 오목부(21)를 가지며, 이들 오목볼록부는 걸어맞춤부(22)를 구성하여, 히이터 유지체가 서로 어긋나는 것을 방지하고 있다.
또, 접촉면(18)과 직각인면(23)에는 측면홈(24)이 형성되어, 제6도에 나타낸 바와 같이, 이 측면홈(24)과 지지부재(16)의 단면 C자형상의 선단에 형성되는 걸어맞춤돌기(25)가 걸어맞춤되고, 히이터 유지체(17)가 지지부재(16)에 떼내기가 자유롭도록 장착되어 있다.
제6도 및 제7도에 나타낸 바와 같이, 히이터 유지체(17)가 지지부재(16)에 대면하는 히이터 유지체(17)의 배면(26)에는, 반원형의 오목부(27)가 형성되고, 이 오목부(27)내에 내열성 보강기중(28)이 삽입되어 있다. 내열성 보강기둥(28)은, 강도가 높은 니켈 강합금, 예를 들면 인코넬(inconel)로 형성되어 있다.
이와 같이 구성된 열처리 장치를 사용하여 반도체 웨이퍼상에 막 형성을 실시할 경우는, 히이터(5)에 통전하여 반응관(4)을 소정 온도로 가열하고, 석영 보우트(2)에 지지된 웨이퍼(1)를 반응관(4)의 반입/반출구(3)로부터 삽입하여 반응관(4)내에 배치한다.
그리고, 반응관(4)상부의 반응가스 공급로(11)로부터 반응가스를 반응관(4)내에 공급하고, 웨이퍼(1)에 막 형성처리를 실시한다.
반응후의 처리가스는, 반응가스 배기로(12)로부터 배기된다.
히이터(5)는, 통전하면 발열에 의해 부분적으로 팽창 되거나 변형 되거나 하지만, 그런 경우 히이터(5)는 히이터 유지체(17)의 오목부(19)내에서 이동하여 지지된다.
또, 히이터(5)의 대부분이 팽창된 경우라도, 지지부재(16)와 걸어맞춤되어 있는 히이터 유지체(17)는 히이터(5)를 지지 할 수가 있다.
또, 히이터(5)가 고정되는 단자(6)부분에서 히이터(5)의 팽창에 의한 변형 때문에, 히이터 유지체(17)에 강한 힘이 부하되어, 히이터 유지체(17)가 지지부재(16)를 국부적으로 끌어 당기는 경우라도, 강도가 강한 니켈 강합금의 보강 기둥(28)을 설치 하였기 때문에, 지지부재(16)나 히이터 유지체(17)가 파괴되지 않는다.
다음에 상기 지지부재의 변형예에 대해서 설명한다.
제8도에 나타낸 제 1 변형예는 700℃ 정도로 가열되는 저온 타입의 열처리 장치에 관한 것이다.
이 변형예에서는, 히이터 유지체(17)의 기초 끝단부에 관통구멍(29)을 형성하고, 이 관통구멍(29)에 내열성 지주(28a)를 삽입해서, 히이터 유지체(17)를 적층하여 지지하고 있다.
따라서 지지부재(16)의 걸어맞춤 돌기(25)와 걸어맞춤하는 히이터 유지체(17)의 측면홈(24)이 불필요하게 되어, 히이터 유지체의 제조 코스트를 저감할 수가 있다.
또한, 관통구멍(29)은 1개로 한정되지 않고 복수로 형성 하여도 된다. 또, 지지부재(16)와 측면홈(24)을 설치하는 구성이라도 히이터 지지체의 기초 끝단부에 관통구멍(29)을 형성하여 지주(28a)를 삽입해도 된다.
제9도에 나타낸 제2변형예는, 1000℃ 정도로 가열되는 고온타입의 열처리 장치에 관한 것이다.
이 변형예에서는, 세라믹 섬유 등의 강화부재(30)를 매설하여 금형으로 성형한 세라믹으로 지지부재(16)가 형성되어 있다.
이와 같이 지지부재(16)를 강화하는 것으로도 지지부재의 부러짐이나 파괴를 방지할 수가 있다.
본 고안에 관한 히이터 지지구조는, 열처리 장치에 한하지 않고, 다른 가열장치에도 알맞게 사용할 수가 있다.
본 고안은, 상기 실시예 및 변형예에 의해서 한정되지 않으며, 고안의 요지를 벗어남이 없이, 여러 가지로 변형하여 실시할수 있는 것은 당연한 일이다.

Claims (19)

  1. 피처리체를 수납하는 반응관(4)과, 상기 반응관(4) 주위를 둘러싼 와이어 형상의 발열체(5)와, 지지수단은 적층된 복수의 유지체(17)를 가지며, 각 유지체(17)는 오목부(19)가 형성된 적층면을 가지며, 유지체가 적층되면, 인접하는 유지체(17)의 오목부(19)는 구멍을 형성하여 이 구멍내에 상기 발열체가 끼워서 통하게 되고, 또, 상기 지지수단은 상기 적층된 유지체의 열(列)을 지지하는 지지부재(16)를 가지며 각 유지체는 지지부재와 걸어맞춤하고 있는 상기 발열체를 복수 위치에서 지지하는 지지수단과, 상기 지지수단의 지지부재(16)를 보강하기 위한 보강수단으로 구성되는 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보강수단은, 상기 유지체(17)와 상기 지지부재(16)와의 사이에 삽입된 내열성을 가지는 보강기둥(28)을 가지고 있는 열처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보강기둥(28)은, 상기 유지체의 기초 끝단면에 형성된 반원형 오목부(27)내에 삽입되어 있는 열처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 보강기둥(28)은, 상기 유지체에 형성된 통하는 구멍내에 삽입되어 있는 열처리 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 보강기둥(28)은 인코넬로 형성되어 있는 열처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지부재(16)는 단면 C자 형상의 가늘고 긴 채널로 형성되어 있는 열처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 각 유지체는 측면홈(24)을 가지며, 상기 채널은 서로 대항하는 가장자리부를 가지며, 각 유지체의 측면홈(24)은 채녈의 양가장자리부와 걸어맞춤하고 있는 열처리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 지지부재(16)는, 금형으로 성형한 세라믹으로 형성되어 있는 열처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 각 유지체는, 금형으로 성형한 세라믹으로 형성되고, 각 유지체의 적층면에는 인접하는 다른 유지체와 걸어맞춤하는 걸어맞춤부가 형성되어 있는 열처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 와이어 형상의 발열체는 복수의 영역으로 구분되고, 각 영역으로 통전하기 위한 전극이 설치되어 있는 열처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반응관과 발열체와 지지수단을 둘러싼 절연부재를 더 포함하여 구성되는 열처리 장치.
  12. 피처리체를 수납하는 반응관(4)과, 상기 반응관 주위를 둘러싼 와이어 형상의 발열체(5)와, 지지수단은 적층된 복수의 유지체(17)와 지주(28a)를 가지며, 각 유지체는 오목부(19)가 형성된 적층면을 가지며, 유지체가 적층되면, 인접하는 유지체의 오목부(19)는 구멍을 형성하고, 이 구멍내에 상기 발열체가 끼워서 통하게 되고, 각 유지체는 적층방향으로 형성된 관통구멍(29)을 가지며, 이 관통구멍(29)에 상기 지주(28a)가 삽입되도록 상기 발열체를 복수의 위치에서 지지하는 지지수단으로 구성되는 열처리 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 지주(28a)는, 인코넬로 형성되어 있는 열처리 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 각 유지체는, 금형으로 성형한 세라믹으로 형성되고, 각 유지체의 적층면에는 인접하는 다른 유지체와 걸어맞춤하는 걸어맞춤부가 형성되어 있는 열처리 장치.
  15. 적층되어서 복수의 열을 형성하는 복수의 히이터 유지체와, 이들 지지부재는 원둘레 위에 배열되어 있는 상기 히이터 유지체의 열을 지지하는 복수의 지지부재와, 상기 복수의 지지부재를 양측에서 유지하는 한쌍의 단열 링으로 구성되는 히이터 지지장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 각 단열링은, 세라믹 섬유를 굳혀서 형성되어 있는 히이터 지지장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 지지부재는, 단면 C자 형상의 가늘고 긴 채녈로 형성되어 있는 히이터 지지장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 각 유지체는 측면홈을 가지며, 상기 채널은 서로 대향하는 가장자리부를 가지며, 각 유지체의 측면홈은 채녈의 양가장자리부와 걸어맞춤하고 있는 히이터 지지장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 지지부재는 금형으로 성형한 세라믹으로 형성되어 있는 히이터 지지장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483457B1 (ko) * 1997-02-18 2005-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 열처리장치

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3380988B2 (ja) * 1993-04-21 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5592581A (en) * 1993-07-19 1997-01-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus
US5506389A (en) * 1993-11-10 1996-04-09 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Thermal processing furnace and fabrication method thereof
US5578232A (en) * 1995-05-04 1996-11-26 Hart & Cooley, Inc. Open-coil heater assembly and insulator therefor
US6005225A (en) * 1997-03-28 1999-12-21 Silicon Valley Group, Inc. Thermal processing apparatus
JP3848442B2 (ja) * 1997-08-20 2006-11-22 株式会社日立国際電気 ヒータ支持装置及び半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
US6807220B1 (en) * 2003-05-23 2004-10-19 Mrl Industries Retention mechanism for heating coil of high temperature diffusion furnace
NL1028057C2 (nl) * 2005-01-18 2006-07-19 Tempress Systems Inrichting voor het op zijn plaats houden van verhittingsdraden in een horizontale oven.
US8023806B2 (en) * 2007-03-20 2011-09-20 Tokyo Electron Limited Heat processing furnace and vertical-type heat processing apparatus
DE102008007354B4 (de) * 2008-01-29 2009-11-19 Stiftung Alfred-Wegener-Institut Für Polar- Und Meeresforschung Hochtemperatur-Rohrofen für die Pyrolyse
JP5096182B2 (ja) * 2008-01-31 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 熱処理炉
KR101096602B1 (ko) * 2009-07-21 2011-12-20 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 가열 장치, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5544121B2 (ja) * 2009-07-21 2014-07-09 株式会社日立国際電気 加熱装置、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
US9064912B2 (en) * 2009-07-21 2015-06-23 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Heating device, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP5787563B2 (ja) * 2010-05-11 2015-09-30 株式会社日立国際電気 ヒータ支持装置及び加熱装置及び基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び基板の製造方法及び保持用ピース
TWI565367B (zh) * 2010-06-25 2017-01-01 山特維克熱傳動公司 用於加熱元件線圈之支撐結構
US20120061377A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Mitch Agamohamadi Thermal processing apparatus with optimized structural support mechanism
US8987641B2 (en) * 2011-06-20 2015-03-24 Arsalan Emami High performance heater
JP5868619B2 (ja) * 2011-06-21 2016-02-24 ニチアス株式会社 熱処理炉及び熱処理装置
US9958302B2 (en) 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9188989B1 (en) 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
US20140166640A1 (en) * 2012-12-13 2014-06-19 Sandvik Thermal Process Inc Support for resisting radial creep of a heating element coil
JP2015021598A (ja) * 2013-07-23 2015-02-02 東京エレクトロン株式会社 断熱ユニット及びそれを備えた熱処理装置
US9497803B2 (en) 2014-02-03 2016-11-15 Plansee Se Supporting system for a heating element and heating system
CN105789084B (zh) * 2014-12-17 2019-04-23 北京北方华创微电子装备有限公司 加热腔室以及半导体加工设备
US11147129B2 (en) 2016-03-10 2021-10-12 Arsalan Emami Industrial heater
US10303189B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10838437B2 (en) 2018-02-22 2020-11-17 Ichor Systems, Inc. Apparatus for splitting flow of process gas and method of operating same
US10679880B2 (en) 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US11144075B2 (en) 2016-06-30 2021-10-12 Ichor Systems, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10663337B2 (en) 2016-12-30 2020-05-26 Ichor Systems, Inc. Apparatus for controlling flow and method of calibrating same
DE102017102276B3 (de) 2017-02-06 2018-08-02 Benteler Automobiltechnik Gmbh Elektrisches Widerstandsgerät und Verwendung eines elektrischen Widerstandsgeräts
JP2024512898A (ja) 2021-03-03 2024-03-21 アイコール・システムズ・インク マニホールドアセンブリを備える流体流れ制御システム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US635133A (en) * 1898-01-31 1899-10-17 Edward E Gold Electric heater.
US1649925A (en) * 1925-05-18 1927-11-22 Holcroft & Co Electric heating device
DE1565398A1 (de) * 1965-09-03 1970-04-16 Atomic Energy Of Australia Heizstab fuer elektrische Widerstandsoefen und unter Verwendung solcher Staebe gebildete Heizeinrichtung
JPH0110921Y2 (ko) * 1984-11-05 1989-03-29
JPS62170186A (ja) * 1986-01-23 1987-07-27 東京エレクトロン相模株式会社 熱処理装置
US4849608A (en) * 1987-02-14 1989-07-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for heat-treating wafers
JPH047598Y2 (ko) * 1987-03-16 1992-02-27
US5038019A (en) * 1990-02-06 1991-08-06 Thermtec, Inc. High temperature diffusion furnace

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100483457B1 (ko) * 1997-02-18 2005-08-29 동경 엘렉트론 주식회사 열처리장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH079036Y2 (ja) 1995-03-06
JPH0474299U (ko) 1992-06-29
US5187771A (en) 1993-02-16
KR920010376U (ko) 1992-06-17

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