KR960002688A - 열처리장치 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 abstract 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03B2201/00—Type of glass produced
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Abstract
아래편쪽으로부터 웨이퍼를 로딩하는 반응관 및 그 주위에 설치된 가열부를 갖춘 종형열처리장치, 혹은 반응관 속에 1개의 웨이퍼를 유지구에 얹어서 로딩하고 열처리를 하는 낱장식의 열처리장치에 있어서, 반응관의 예를 들면 2층의 적층구조로 하고, 열처리분위기에 접하는 내표면부인 제1층부를, 사염화규소 등의 규소화합물을 원료로 하는 합성석영 유리에 의하여 구성하고, 제1층부의 바깥쪽의 제2층부를 수정을 원료로 하는 용융석 영유리에 의하여 구성한다. 합성석영유리는 금속의 함유량이 매우 미량이기 때문에, 반응관이 고온에 쬐더라도 열처리분위기로의 금속의 비산량은 실질영이고, 더구나, 합성석영유리와 용융석영유리를 적층하고 있으므로 반응관의 내열성도 크다. 이에 의하여 피처리체 예를 들면 반도체 웨이퍼를 산화처리, 확산처리 기타의 열처리를 함에 당면하여서, 불순물 오염을 경감할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 열처리장치의 1실시예인 배치식 종형 열처리장치의 전체구성을 나타낸 종단면도,
제2도는 제1도에 나타낸 종형열처리장치에 사용하는 반응관의 일부확대 종단면도.
Claims (10)
- 피처리체를 반응용기내에 반이하여 열처리하는 장치에 있어서, 상기 반응용기가 열처리분위기에 접하고 내표면부를 형성하는 합성석영유리로 이루어진 제1층부와, 이 제1층부의 바깥쪽에 적층되고 용융석영유리로 이루어진 제2층부로 이루어진 열처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응용기의 제2층부가 불투명석영인 열처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응용기의 제2층부의 위에 다시 합성석영유리 혹은 용융석영유리로 이루어진 제3층부를 적층한 열처리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응용기의 주위에 균열관을 배치한 열처리장치.
- 열처리분위기내 또는 열처리분위기에 연속하는 분위기내에는 유리구조물이 배치되고 피처리체를 반응용기내에 반입하여서 열처리하는 장치에 있어서, 상기 유리구조물의 적어도 일부가 열처리분위기 또는 열처리분위기에 연속하는 분위기에 접하는 합성석영유리로 이루어진 외층부와, 이 외층부의 안쪽에 적층되고, 용융석영유리로 이루어진 내층부로 이루어진 열처리장치.
- 제5항에 있어서, 상기 유리구조물이, 피처리체를 유지하는 피처리체 유지구인 열처리장치.
- 제6항에 있어서, 상기 피처리체 유지구가 웨이퍼보우트이며, 그 천정판, 바닥판 및 지주의 외층부가 합성석영유리, 내층부가 용융석영유리로 이루어진 열처리장치.
- 피처리체유지구를 중간개재부를 개재하여 승강하는 덮개체의 위에 얹어놓고, 다수의 피처리체를 피처리체 유지구에 상하로 선반형상으로 탑재하여서 반응관내에 반입함과 동시에 덮개체에 의하여 반응관의 하단 개구부를 밀폐하는 열처리장치에 있어서, 상기 중간개재부의 적어도 일부가 반응관내의 분위기에 접하는 합성석영유리로 이루어진 외층부와, 이 외층부의 안쪽에 적층되고 용융석영유리로 이루어진 내층부로 이루어진 열처리장치.
- 제8항에 있어서, 상기 중간개재부가 보온통인 열처리장치.
- 피처리체를 반응용기내에 반입하여 열처리하는 장치에 있어서, 상기 반응용기의 상면의 바로 아래쪽에 다수의 가스도입구멍을 갖춘 가스도입판을 일체로 형성함과 동시에, 이 가스도입판이 합성석영유리로 이루어진 상하 2층의 외층부와, 이 외층부의 내층쪽에 샌드위치형상으로 적층된 용융석영유리로 이루어진 내층부로 이루어진 열처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15953394A JP3188967B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 熱処理装置 |
JP94-159533 | 1994-06-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960002688A true KR960002688A (ko) | 1996-01-26 |
KR100280693B1 KR100280693B1 (ko) | 2001-04-02 |
Family
ID=15695853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950016131A KR100280693B1 (ko) | 1994-06-17 | 1995-06-17 | 열처리장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5749723A (ko) |
JP (1) | JP3188967B2 (ko) |
KR (1) | KR100280693B1 (ko) |
TW (1) | TW283257B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11238728A (ja) * | 1997-12-16 | 1999-08-31 | Fujitsu Ltd | 半導体デバイスの製造の際に使用される熱処理治具及びその製造法 |
JP3472482B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2003-12-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と製造装置 |
US6191388B1 (en) * | 1998-11-18 | 2001-02-20 | Semitool, Inc. | Thermal processor and components thereof |
NL1011578C2 (nl) * | 1999-03-17 | 1999-12-10 | Asm Int | Drager voor een waferrek alsmede ovensamenstel. |
DE60028091T2 (de) * | 2000-02-07 | 2006-12-21 | Tokyo Electron Ltd. | Quarzglasbauteil für halbleiterherstellungsanlage und verfahren zur metalluntersuchung in einem quarzglasbauteil |
KR100398594B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2003-09-19 | (주)영인테크 | 웨이퍼용 히팅장치 |
JP3886424B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2007-02-28 | 鹿児島日本電気株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
US8506647B2 (en) * | 2002-02-14 | 2013-08-13 | Boston Scientific Scimed, Inc. | System for maintaining body canal patency |
DE10234694A1 (de) * | 2002-07-30 | 2004-02-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Oxidieren einer Schicht und zugehörige Aufnamevorrichtung für ein Substrat |
JP5046753B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-10-10 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法及びその装置 |
JP5867976B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2016-02-24 | 信越化学工業株式会社 | 光ファイバ母材の製造方法 |
JP4399026B2 (ja) * | 2007-08-06 | 2010-01-13 | 株式会社テオス | シリコン加熱炉 |
JP5176423B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 石英製品のベーク方法及び記憶媒体 |
US9748125B2 (en) * | 2012-01-31 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Continuous substrate processing system |
JP6987021B2 (ja) * | 2018-05-28 | 2021-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184736A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光学系多孔質ガラスの透明ガラス化法 |
JPS61247022A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-04 | Toshiba Corp | 半導体処理用石英管 |
JPH0493026A (ja) * | 1990-08-09 | 1992-03-25 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜形成装置 |
JP3230836B2 (ja) * | 1992-04-09 | 2001-11-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
-
1994
- 1994-06-17 JP JP15953394A patent/JP3188967B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-13 US US08/489,937 patent/US5749723A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-17 KR KR1019950016131A patent/KR100280693B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-06-29 TW TW084106697A patent/TW283257B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5749723A (en) | 1998-05-12 |
JP3188967B2 (ja) | 2001-07-16 |
JPH088203A (ja) | 1996-01-12 |
TW283257B (ko) | 1996-08-11 |
KR100280693B1 (ko) | 2001-04-02 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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|
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