KR100280693B1 - 열처리장치 - Google Patents

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KR100280693B1
KR100280693B1 KR1019950016131A KR19950016131A KR100280693B1 KR 100280693 B1 KR100280693 B1 KR 100280693B1 KR 1019950016131 A KR1019950016131 A KR 1019950016131A KR 19950016131 A KR19950016131 A KR 19950016131A KR 100280693 B1 KR100280693 B1 KR 100280693B1
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와타루 오카세
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히가시 데쓰로
동경 엘렉트론주식회사
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Abstract

아래편쪽으로부터 웨이퍼를 로딩하는 반응관 및 그 주위에 설치된 가열부를 갖춘 종형열처리장치, 혹은 반응관 속에 1개의 웨이퍼를 유지구에 얹어서 로딩하고 열처리를 하는 낱장식의 열처리장치에 있어서, 반응관의 예를 들면 2층의 적층구조로 하고, 열처리분위기에 접하는 내표면부인 제1층부를, 사염화규소 등의 규소화합물을 원료로 하는 합성석영 유리에 의하여 구성하고, 제1층부의 바깥쪽의 제2층부를 수정을 원료로 하는 용융석영유리에 의하여 구성한다. 합성석영유리는 금속의 함유량이 매우 미량이기 때문에, 반응관이 고온에 쬐더라도 열처리분위기로의 금속의 비산량은 실질영이고, 더구나, 합성석영유리와 용융석영유리를 적층하고 있으므로 반응관의 내열성도 크다. 이에 의하여 피처리체 예를 들면 반도체 웨이퍼를 산화처리, 확산처리 기타의 열처리를 함에 당면하여서, 불순물 오염을 경감할 수 있다.

Description

열처리장치
제1도는 본 발명의 열처리장치의 1실시예인 배치식 종형 열처리장치의 전체구성을 나타낸 종단면도.
제2도는 제1도에 나타낸 종형열처리장치에 사용하는 반응관의 일부 확대 종단면도.
제3도는 본 발명의 열처리장치의 가열부, 반응관 및 웨이퍼의 온도변화를 나타낸 특성도.
제4(a)도와 제4(b)도는 제1도에 나타낸 웨이퍼보우트의 구조(지주부)의 일부 종단면도와 사시도.
제5도는 제1도에 나타낸 보온통의 확대 종단면도.
제6도는 본 발명의 열처리장치의 다른 실시예인 낱장식 열처리장치의 전체구성을 나타낸 종단면도.
제7도는 제6도에 나타낸 낱장식 열처리장치에 사용하는 반응관의 일부 확대 종단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반응관 2 : 가스도입판
3 : 가열부 5 : 웨이퍼보우트
5a : 지주 5b : 홈
6 : 보온통 7 : 반응관
11 : 제1층부 12 : 제2층부
20 : 가스도입구멍 21 : 외층부
22 : 내층부 31 : 단열층
32 : 전열선 33 : 열전쌍
41 : 가스공급관 42 : 배기관
43 : 덮개체 44 : 보우트엘리베이터
51 : 외층부 52 : 내층부
61 : 수용부 62 : 통형상의 용기
63 : 석영울 64 : 외층부
65 : 내층부 66 : 외층부
67 : 내층부 71 : 제1층부
72 : 제2층부 81 : 웨이퍼 유지부
81a : 로드 82 : 가열부(면형상 발열원)
83 : 처리가스 공급관 84 : 배기관
85 : 수냉재킷 W : 웨이퍼
본 발명은, 열처리장치에 관한 것이다.
반도체장치의 제조 공정중에, 고온하에 있어서, 웨이퍼를 구성하는 실리콘의 표면부를 산화하고, 이것에 의하여 산화막(절연막)을 얻는 산화처리나, 불순물층을 표면에 형성한 실리콘층을 가열하고, 이것에 의하여 불순물을 실리콘층내에 열확산하는 확산처리등이 있다.
이 종류의 산화, 확산을 행하는 열처리장치로서 배치식 처리를 하는 종형 열처리장치가 알려져 있다. 그 구조에 대하여 간단히 기술하면, 하단이 개구한 반응관과 그 주위를 둘러싸는 히터에 의하여 종형의 열처리로를 구성함과 동시에, 웨이퍼보우트를 탑재하여 이 웨이퍼보우트가 열처리로내와 그 아래편의 대기실과의 사이에서 승강하도록 보우트엘리베이터를 설치한다. 그리고, 웨이퍼보우트에 다수매의 웨이퍼를 상하로 선반형상으로 얹어놓아 웨이퍼보우트를 열처리로에 반입하고, 히터에 의하여 반응관내를 소정의 열처리온도가지 가열하여서 웨이퍼를 열처리 하도록 구성되어 있다.
한편, 예를 들면 캐패시터절연막의 산화막이나 게이트산화막의 형성 혹은 불순물이온의 확산처리에서는 매우 얇은 막이나 얇은 접합을 얻는 경우, 막질, 막두께나 확산깊이가 열이력(熱履歷)의 영향을 크게 받는다. 이때문에 배치식의 열처리장치에서는, 먼저 반응관내에 반입된 웨이퍼와 최후에 반입된 웨이퍼와는 열이력에 큰 차가 생겨버린다.
그래서, 상술한 열처리로를 개량하고, 반응관내의 설정위치에 1장씩 웨이퍼를 유지구에 얹어서 반입한 후, 급가열하는 낱장식의 열처리장치가 사용되고 있다. 그리고, 예를 들면 산화처리를 할 경우, 반응관내는 1000℃이상이라는 고온으로 가열되기 때문에, 상술한 배치식의 열처리 장치 및 낱장식의 열처리장치의 반응관으로서는 수정을 원료로 하여서 용융법에 의하여 제조되는 용융석영유리(투명석영유리 등이라고도 불림)가 사용되고 있다. 이 용융석영유리는, 연화점이 1700℃부근으로서, 열팽창률이 1000℃이고 10-7급으로 매우 작고, 내열성에 뛰어나기 때문에, 열처리장치에 알맞는 것으로서 사용되고 있다.
그런데, 반도체장치의 패턴의 미세화 및 박막화가 진행되어 오면서 중금속 기타의 불순물의 오염의 허용범위가 매우 엄격하게 되어 있고, 웨이퍼가 관리되는 클린룸은 물론이고, 상술한 열처리장치의 열처리영역에 있어서도 중금속 등의 비산량은 실질적으로 0이 아니면 안된다. 한편, 상술한 반응관의 재질인 용융유리는, 원료로서 천연의 수정을 사용하고 있으므로 알루미늄, 철 및 동 등의 중금속이나, 알칼리금속, 알칼리토류 금속이 ppm 급으로 그속에 포함되어 있다. 이때문에, 반응관이 1000℃ 이상이란 고온으로 가열되면, 이들 중금속이 유리로부터 방출되어서 열처리영역으로 비산한다. 그 비산량은 매우 미량이며, 디바이스의 패턴이 그다지 미세하지 않으면 큰 영향은 없다고 생각되지만, 디바이스의 패턴의 미세화가 진행되면, 디바이스의 특성에 영향을 주어서 생산수율이 나빠진다고 생각된다. 또한 석영유리로서는, 용융석영유리에 대하여 규소화합물을 원료로 하는 합성석영유리가 있다. 이것은 중금속의 혼입량이 용융석영유리보다도 각별히 작은 것이지만, 연화점이 낮기 때문에, 되풀이 사용하면 변형하여 버리며, 매우 값이 비싸다고 하는 문제점이 있다.
본 발명은, 이와 같은 문제점하에서 하게 된 것으로서, 그 목적은, 웨이퍼등의 피처리체에 대하여 불순물오염을 경감할 수 있는 열처리장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 피처리체를 반응용기내에 반입하여서 열처리하는 장치에 있어서, 반응용기가 열처리분위기에 접하고, 내표면부를 형성하는 합성석영유리로 이루어진 제1층부와, 이 제1층부의 외부에 적층되고, 용융석영유리로 이루어진 제2층부로 이루어진 것을 특징으로 한다.
만일, 합성석영유리만으로 반응용기를 구성한 경우, 그 연화점이 낮으므로 되풀이 사용하면 변형할 염려가 있다. 그러나, 본 발명과 같이, 내표면부인 제1층부를 합성석영유리에 의하여 구성하고, 그 바깥쪽에 용융석영유리를 적층함으로써 반응용기 전체에 대해서는 내열성이 커지고 열변형의 염려도 없어진다. 그리고, 열처리분위기에 접하는 합성석영유리는 중금속의 함유량이 ppb급 이하로 매우 미량이기 때문에, 열처리온도가 높더라도 열처리분위기로의 중금속의 비산량은 실질적으로 0이며, 피처리체의 중금속오염을 억제할 수 있다. 또, 합성석영유리 및 용융석영유리의 조합을 피처리체유지구나, 종형열처리장치의 덮개체와 피처리체유지구와의 사이의 중간개제물 등에 적용한 경우에도 마찬가지로 피처리체의 중금속을 억제할 수 있게 된다.
[실시예]
이하, 본 발명을 산화, 확산을 행하는 종형 열처리장치에 적용한 실시예에 대하여 기술한다. 제1도는, 피처리체인 웨이퍼가 반응용기인 반응관(1)내에 반입된 상태를 나타내고 있으며, 이 반응관(1)은 하단부가 개구하고, 상단이 폐쇄된 통형상체로 이루어진다. 반응관(1)의 상면의 바로 아래쪽에는 다수의 가스도입구멍(20)을 갖춘 가스도입판(2)이 용접등에 의하여 반응관(1)과 일체로 형성되어 있다.
반응관(1)은, 제2도에 도시한 바와 같이, 열처리분위기에 접하고, 내표면부를 형성하는 합성석영유리로 이루어진 예를 들면 두께 1.0mm의 제1층부(1)와, 이 제1층부(11)의 바깥쪽에 적층되고, 용융석영유리로 이루어진 예를 들면 두께 3.0mm의 제2층부(12)로 이루어진 이중구조의 유리관으로서 구성되어 있다. 여기서 합성석영유리는, 사염화규소등의 규소화합물을 원료로 하여서 산수소염(酸水素炎)이나 고주파 유도플라즈마 등에 의한 합성법에 의하여 제조되는 것이다. 또, 용융석영유리는, 수정을 원료로 하여서 예를 들면 산수소염 용융법이나 전기진공용융법등의 용융법에 의하여 제조되는 것이다.
또, 가스도입판(2)은, 합성석영유리로 이루어진 외층부(표면쪽)(21)와, 이 외층부(21)의 내층쪽에 적층되고, 용융석영유리로 이루어진 내층부(22)로 구성되어 있다. 여기서, 반응관(1)의 제2층부(용융석영유리)(12)는, 화염가수분해(火炎加水分解), 화염산화(火炎酸化)등에 의하여 제1층부(합성석영유리)(11)의 바깥쪽에 접합 등에 의하여 일체로 적층된다.
제1도에 도시한 바와같이, 반응관(1)의 바깥쪽에는 반응관(1)을 둘러싸듯이 가열부(3)가 설치되어 있다. 이 가열부(3)는, 알루미나등의 단열층(31)의 내면에 전열선(32)을 감아서 구성되어 있다. 이 전열선(32)에서는, 반응관(1)내에 설치된 온도검출수단 예를 들면 열전쌍(33)의 온도검출치에 기초하여 공급전력이 제어되도록 되어 있다. 가스도입판(2)의 위편쪽에는, 처리가스를 공급하기 위한 가스공급관(41)이 돌입하여 설치되어 있다.
이 가스공급관(41)은 석영으로 이루어지며, 반응관(1)의 외주와 소정의 틈새를 유지하여 직립하여 뻗어 있다. 또 반응관(1)의 하부에는 배기관(42)이 접속되어 있다.
반응관(1)내에 로딩되어 있는 웨이퍼유지구를 이루를 웨이퍼보우트(5)는 제4(a)도와 제4(b)도에 도시한 바와 같이, 예를 들면 웨이퍼(W)의 가장자리가 삽입되어서 지지되는 홈을 갖춘 4개의 석영제의 지주(5a)를 가지며, 또 제1도에 도시한 바와같이 반응관(1)의 하단 개구부를 기밀하게 막기 위한 덮개체(43)의 위에 중간개재부인 보온통(6)을 개재하여 얹어놓여 있다. 웨이퍼보우트(5)에는 다수개 예를 들면 150개 정도의 웨이퍼(W)가 각각 수평으로 상하로 줄지어 유지되어 있다. 덮개체(43)는 보우트 엘리베이터(44)의 위에 설치하고, 이 보우트엘리베이터(44)의 승강에 의하여 웨이퍼보우트(5)가 반응관(1)에 반입, 혹은 그곳에서 반출되도록 되어 있다.
다음에 상술한 본 발명의 열처리장치의 실시예의 작용에 대하여 기술한다. 먼저, 웨이퍼보우트(5)를 반응관(5)의 아래편쪽에 위치시켜두고 피처리체 예를 들면 150개 정도의 웨이퍼(W)를 웨이퍼보우트(5)에 얹어 놓음과 동시에, 반응관(1)내를 예를 들면 800℃의 가열분위기로 하고, 제1도에 도시한 바와같이, 웨이퍼보우트(5)를 반응관(1)내에 반입한다. 그 후, 반응관(1)내를 예를 들면 1200℃정도까지 승온하고, 소정의 산화 가스를 가스공급관(41)으로부터 가스도입판(2)의 가스도입구멍(20)을 개재하여 반응관(1)내에 공급함과 동시에, 예를 들면 760Torr의 압력으로 반응관(1)내를 유지하여 웨이퍼(W)의 피처리면에 실리콘산화막을 형성한다. 그 후, 반응관(1)내를 소정온도까지 강온하고, 웨이퍼보우트(5)를 강하시켜서 반응관(1)의 개구부로부터 아래쪽으로 반출한다.
상술한 실시예에 의하면, 반응관(1)이 약 1200℃라는 고온에 가열된다. 그러나, 열처리분위기에 접하는 반응관(1)의 내표면부(제1층부 11)는 합성석영유리로 구성되어 있으며, 이 합성석영유리중에 함유된 Al, Fe, Cu등의 중금속이나 알칼리금속 혹은 알칼리토류금속의 함유량은 용융석영유리에 비하여 예를 들면 두자리수 낮고, 매우 고순도이다. 그 때문에, 반응관(1)으로부터 튀어나와서 열처리분위기에 비산하는 중금속의 양은 매우 미량이고 실질적으로 0이다. 더구나, 합성석영유리 자체는 연화점 예를 들면 1600℃이하이기 때문에, 1000℃를 넘는 예를 들면 1200℃온도에서의 열처리에 되풀이 사용되면 변형의 염려가 있다. 그러나, 본 발명에서는, 반응관(1)은, 합성석영유리와 예를 들면 연화점이 1700℃정도인 용융석영유리와의 이중구조로 하고 있기 때문에, 반응관(1) 전체로서는 내열성이 크고, 1200℃정도의 온도에서는 변형의 염려가 없다. 따라서, 웨이퍼(W)에 대한 중금속이나 알칼리금속 등의 불순물오염을 경감할 수 있고, 금후 반도체장치의 각층의 박막화가 진행하고, 불순물오염의 허용량이 매우 엄격해져 가는 것을 고려하면, 반응관(1)을 상술한 바와같이 이층화하는 것은 매우 오염방지상 유효하다. 또한 반응관(1)은, 제1층부(11)가 합성석영유리, 제1층부의 바깥쪽의 제2층부(12)가 용융석영유리이면, 다시 제2층부(12)의 위에 합성석영유리나 용융석영유리를 적층하여 3층 이상으로 하여도 좋다.
또한, 반응관(1)의 합성석영유리로서는, 불투명석영 혹은 투명석영이라도 좋으나, 불투명석영을 사용하면 다음과 같은 이점이 있다. 즉, 가열부(3)의 전열선(32)의 공급전력은 반응관(1)내의 열전쌍(33)의 온도검출치에 근거하여 제어되는데, 반응관(1)내의 온도상승은 전열선(32)의 강온 혹은 승온에 비하여 더디기 때문에, 제3도에 도시한 바와 같이, 전열선(32)의 온도는 소정의 설정온도로 안정하기 전에 오버슈트(돌출부분참조)가 일어난다. 이때문에 반응관(1)이 투명석영이면, 가열부(3)로 부터의 복사열의 대략 전부가 투과하여 웨이퍼(W)에 조사되므로 웨이퍼(W)의 온도도 마찬가지로 오버슈트한다. 그러나, 반응관(1)이 불투명석영으로 이루어졌으면, 가열부(3)로부터의 복사열이 일단 불투명석영에 흡수되어서 약화되고, 이를테면, 버퍼의 역할을 하고, 웨이퍼(W)의 온도가 제3도에 도시한 바와 같이 빨리 열처리온도로 안정한다. 요컨대, 열처리온도 직전의 온도불안정영역이 짧아진다.
그리고, 열처리온도의 직전의 온도불안정영역이 짧다고 하는 것은 웨이퍼(W)의 면내온도 균일성이 높다는 것이다. 열처리온도 부근에 있어서의 열이력의 불균일은 막두께나 막질의 면내 균일성을 좌우하기 때문에 반응관(1)을 불투명석영으로 하면 열처리의 면내 균일성을 향상시킬수 있다. 또한, 반응관(1)과 가열부(3)와의 사이에, 반응관(1)을 둘러싸듯이 예를 들면 SiC로 이루어진 균열관(도시하지 않음)을 설치하면, 반응관(1)이 투명하더라도, 이 균열관이 버퍼의 역할을 하여서 웨이퍼(W)의 온도의 오버슈트를 완화할 수 있다. 그러나, 반응관(1)을 불투명석영으로 함으로써, 균열관을 사용하지 않고 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 다만 본 발명에서는 반응관(1)을 불투명으로 하고 다시 그 주위에 균열관을 설치하여도 좋고, 이와같이 하면 웨이퍼(W)의 온도를 보다 한층 스무즈하게 안정시킬 수 있다.
그리고, 또 반응관(1)의 상부의 가스도입판(2)도 열처리분위기에 접하는 것이기 때문에, 제2도에 도시한 실시예와 같이 합성석영유리와 용융석영유리와의 2층구조의 유리체를 사용하면, 이곳으로부터의 금속의 비산을 억제할 수 있다. 또한 본 발명에서는, 열처리분위기 또는 열처리분위기에 연속하는 분위기에 접하는 유리구조물(예를 들면 웨이퍼보우트)에 대하여 합성석영유리와 용융석영유리와의 적층구조를 채용하여도 좋다.
제4(a)도 및 제4(b)도는 제1도에 도시한 웨이퍼보우트(5)의 지주부분을 나타낸 도면이다. 여기서는, 예를 들면 외층부(51)가 합성석영유리, 내층부(5)가 용융석영유리로 이루어진 지주(5a)(4개)를 사용하고 있다. (5b)는 웨이퍼(W)를 지지하기 위하여 지주(5a)에 형성한 홈이다. 또한 지주부분만 도시하고 있으나, 웨이퍼보우트(5)의 천판 및 바닥판에 대해서도 열처리분위기에 접하는 외층부가 합성석영유리, 내층부가 용융석영유리로 만들어져 있다. 또, 홈(5b)의 표면도 합성석영유리로 구성되어 있다.
또 제5도는, 제1도에 도시한 보온통(6)의 구조를 상세히 나타낸 도면이다. 상면에 웨이퍼보우트(5)의 수용부(61)를 갖춘 통형상의 용기(62)속에 석영울(63)을 충전하여서 구성되어 있다. 수용부(61)는 반응관(1)내의 분위기에 접촉하는 외층부(64)가 합성석영유리에 의하여, 내층부(65)가 용융석영유리에 의하여 각각 구성되어 있다. 또, 수용부(61)의 상면도 합성석영유리로 이루어진다. 또 통형상의 용기(62)는 외층부(66)가 합성석영유리에 의하여, 내층부(67)가 용융석영유리에 의하여 구성되어 있다. 이와같이 반응관(1)이외의 유리구조물(예를 들면 보온통)에 대해서도 합성석영유리 및 용융석영유리의 적층구조의 유리를 사용하면, 보다 한층 중금속 오염을 억제할 수 있다.
여기서, 본 발명은 종형열처리장치에 한하지 않고, 낱장식의 열처리장치에 대하여 적용하여도 좋다.
이와같은 열처리장치에 대하여 제6도 및 제7도를 참조하면서 설명한다. 여기서, (7)은 반응관이고, 이 속에서 웨이퍼유지구(81)가 승강이 자유롭게 설치되어 있다. 웨이퍼유지구(81)에는, 반응관(7) 의 아래편쪽에서 도시하지 않은 반송수단에 의하여 1개의 웨이퍼(W)가 얹어놓여지고, 웨이퍼(W)는 소정위치까지 상승한후, 가열부(면형상 발열원)(82)에 의하여 소정의 열처리온도까지 가열되어서 열처리, 예를 들면 산화처리된다. 또한 (83)은 처리가스공급관, (84)는 배기관, (85)는 수냉재킷이다.
그리고, 반응관(7)은 열처리분위기에 접하는 내표면부인 제1층부(71)가 합성석영유리, 그 바깥쪽의 제2층부(72)의 용융석영유리로 구성되어 있다. 반응관(7)을 이와같은 적층구조로 함으로써 이미 기술한 바와 같이 웨이퍼(W)의 금속오염을 경감할 수 있다. 또, 웨이퍼유지부(81)나 처리가스공급관(83)에 대해서도, 열처리분위기에 접하는 외층부를 합성석영유리로, 내층부를 용융석영유리로 구성한다. 또, 웨이퍼유지부(81)를 합성석영유리로 하고, 그 로드(81a)를 합성석영유리와 용융석영유리의 2층구조로 하여도 좋다.
본 발명의 열처리장치는, 횡형열처리장치에 적용하여도 좋고, 또 확산처리, CDV, 아닐 등의 열처리를 할 경우에 적용하여도 좋다. 또한, 반응관의 일부를 이루는 합성석영유리는, 불투명인 것에 한하지 않고 투명이라도 좋다.
본 발명에 의하면, 피어리체를 열처리함에 당면하여 불순물오염을 극력 억제할 수 있고, 생산수율을 향상시킬 수 있다. 또, 반응관에 사용하는 합성석영유리로서 불투명석영을 사용하면, 피처리체의 승온시에 있어서의 온도의 오버슈트를 완화할 수 있고, 안정된 열처리를 할 수 있다.

Claims (24)

  1. 열원과; 열처리분위기 형성기구와; 상기 열원에 의하여 가열되고 내부에서 상기 분위기 형성기구가 열처리분위기를 형성하고, 열처리분위기에 접하고 내표면부를 형성하는 합성석영유리로 이루어진 제1층부와 이 제1층부의 바깥쪽에 적층되고 용융석영유리로 이루어진 제2층부를 구비하는 반응용기를 포함하여 구성되고, 상기 제1층부는 개방된 바닥 및 폐쇄된 상단와 측벽을 가지는 하나의 조직체를 형성하고, 상기 제2층부는 개방된 바닥 및 폐쇄된 상단와 측벽을 가지는 하나의 조직체를 형성하는 열처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2층부는 상기 제1층부의 외표면부와 직접 접촉하는 내표면부를 가지고, 상기 제2층부는 상기 제1층부보다 고온 연화점을 가지므로 상기 제2층부가 상기 제1층부의 형상에 있어 붕괴를 방지하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반응용기는 상기 제1층부의 외부에 위치한 제3의 유리층부를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3의 유리층부는 천연석영으로 형성된 용융유리층부이고, 상기 제2층부 위에 적층한 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3층부는 실리콘 합성물로 형성된 합성석영유리인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 실리콘 합성물은 실리콘 4 염화물인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1층부는 불투명한 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 합성석영유리는 실리콘 4 염화물로 만들어지는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2층부는 상기 제1층부보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  10. 제1항에 있어서, 가스도입구멍이 형성되고, 상기 용기의 폐쇄된 상단 부근의 상기 제1층부에 의해 지지되는 가스도입판을 더욱 구비하고, 상기 열처리분위기 형성기구는 상기 폐쇄된 상단과 상기 가스도입판 사이에 위치한 출구를 가지는 가스공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 도입판은 용융석영유리로 형성된 중간층부와 합성석영유리로 된 2개의 외층부를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제2층부는 상기 제1층부보다 3배 두꺼운 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 반응용기 주위에서 연장된 라이너튜브(liner tube)를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  14. 열원과; 열처리분위기 형성기구와; 상기 열원에 의하여 가열되고 내부에서 상기 분위기 형성기구가 열처리분위기를 형성하고, 열처리분위기에 접하고 내표면부를 형성하는 합성석영유리로 이루어진 제1층부와 이 제1층부의 바깥쪽에 적층되고 용융석영유리로 이루어진 제2층부를 구비하는 반응용기를 포함하여 구성되고, 상기 제1층부는 불투명한 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  15. 열원과; 열처리분위기 형성기구와; 상기 열원에 의하여 가열되고 내부에서 상기 열처리분위기 형성기구가 열처리분위기를 형성하고, 상기 열처리분위기 형성기구에 의해 공급된 분위기에 접촉하는 표면을 가지는 합성석영유리로 구성되는 제1층부와 용융석영유리로 구성되는 제2층부를 가지는 유리구조를 포함하는 반응용기를 포함하여 구성되고, 상기 유리구조는 상기 열처리되는 피처리체를 유지하기 위한 피처리체 홀더(holder)인 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1층부는 상기 제2층부에 적층되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 피처리체 홀더는 제1판, 제2판 및 상기 판사이에서 연장되는 지주를 가지는 웨이퍼보우트이며, 상기 제1, 제2판과 상기 지주는 상기 유리구조의 외부 층부로 대표되는 상기 제1층부와 상기 유리구조의 내부 층부로 대표되는 상기 제2층부로 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 열처리장치는 불투명한 석영유리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  19. 열원과; 열처리분위기 형성기구와; 상기 열원에 의하여 가열되고 내부에서 상기 열처리분위기 형성기구가 열처리분위기를 형성하고, 상기 열처리분위기 형성기구에 의해 공급된 분위기에 접촉하는 표면을 가지는 합성석영유리로 구성되는 제1층부와 용융석영유리로 구성되는 제2층부를 가지는 유리구조를 포함하는 반응용기를 포함하여 구성되고, 상기 제1층부는 상기 제2층부에 적층되고, 상기 반응용기에 있는 개구를 시일하는 크기의 덮개체와, 상기 홀더와 상기 덮개체 사이에 위치하고 적어도 한 부분이 상기 유리구조를 가지는 중간부재와, 그리고 상기 덮개체를 시일위치로 접근 및 이탈하고 상기 홀더를 상기 반응용기내로 및 밖으로 이동하기 위한 수단을 더욱 구비하는 열처리장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 중간부재는 열절연통이고 상기 제1층부는 상기 열절연통의 외부 층부를 형성하고 상기 제2층부는 상기 열절연통의 보다 내부 층부를 형성하는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  21. 제20항에 있어서, 각각의 상기 반응용기와 상기 피처리체 홀더와 상기 열절연통은 합성석영유리의 제1층부와 용융천연석영유리의 제2층부로 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  22. 열원과; 열처리분위기 형성기구와; 상기 열원에 의하여 가열되고 내부에서 상기 열처리분위기 형성기구가 열처리분위기를 형성하고, 상기 열처리분위기 형성기구에 의해 공급된 분위기에 접촉하는 표면을 가지는 합성석영유리로 구성되는 제1층부와 용융석영유리로 구성되는 제2층부를 가지는 유리구조를 포함하는 반응용기를 포함하여 구성되고, 상기 제1층부는 상기 제2층부에 적층되고, 상기 유리구조는 많은 가스도입구멍을 가지고 상기 반응용기의 상단 바로 아래에 위치한 가스도입판인 열처리장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 유리구조는 합성석영유리물질로 형성된 제3층부를 더욱 구비하고 상기 제2층부는 합성석영유리의 상기 제1과 제2층부 사이에 끼워진 것을 특징으로 하는 열처리장치.
  24. 열원과; 열처리매체 공급시스템과; 상기 열원에 의하여 가열되고, 상기 매체 공급시스템이 열처리 매체를 그 속으로 공급하는 열처리공동을 포함하고, 상기 열처리공동을 적어도 부분적으로 규정하는 내부 표면을 가지는 제1합성석영유리 층부와 상기 제1층부 외부에 위치한 제2용융석영유리 층부와 상기 제1층부의 외부에 또한 위치한 제3석영유리층부로 형성되는 반응용기를 포함하여 구성되는 열처리장치.
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