JPWO2022270504A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- ガラス又はシリコンから成る基板の表面に光反応性接合剤を付与する接合剤付与工程と、
前記光反応性接合剤が付与された前記基板の表面に光を照射し、前記基板の表面と前記光反応性接合剤とを接合する照射工程と、
前記照射工程後に前記基板の表面と接合していない前記光反応性接合剤を洗浄により取り除く第１洗浄工程と、
前記第１洗浄工程の後に前記光反応性接合剤に結合する触媒を付与する触媒付与工程と、
前記触媒付与工程の後に前記光反応性接合剤に結合していない前記触媒を洗浄により取り除く第２洗浄工程と、
前記第２洗浄工程の後に前記触媒が結合した前記光反応性接合剤に無電解めっき処理により導電性物質を配置するめっき工程と、を有する被めっき基板の製造方法。 - 前記照射工程における照射は、前記基板の表面の一部を遮蔽するマスクを配置し光を照射することにより前記基板の表面を選択的に照射する方法、及び／又は収束光を照射することにより前記基板の表面を選択的に照射する方法によって行われる、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
- 前記光反応性接合剤は、１分子内に、トリアジン環と、アルコキシシリル基（前記アルコキシシリル基中のアルコキシ基がＯＨである場合も含まれる）と、を有し、
ジアゾ基又はアジド基をさらに有する化合物である、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。 - 前記光反応性接合剤は、下記一般式（１）又は（２）で表される化合物より選択される、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
［式（１）中、－Ｑ１又は－Ｑ２の少なくとも１つが－ＮＲ１（Ｒ２）又は－ＳＲ１（Ｒ２）であり、残りは任意の基である。Ｒ１及びＲ２は、Ｈ、炭素数が１～２４の炭化水素基、又は－ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３－ｎ（Ｒは、炭素数が１～１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１～４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１～４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０～２の整数である。）である。ただし、前記Ｒ１，Ｒ２のうちの少なくとも一つは前記－ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３－ｎである。］
［式（２）中、－Ｑ３は－ＮＲ１（Ｒ２）又は－ＳＲ１（Ｒ２）である。Ｒ１及びＲ２は、Ｈ、炭素数が１～２４の炭化水素基、又は－ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３－ｎ（Ｒは、炭素数が１～１２の鎖状の炭化水素基である。Ｒ’は、炭素数が１～４の鎖状の炭化水素基である。Ａは、Ｈ又は炭素数が１～４の鎖状の炭化水素基である。ｎは０～２の整数である。）である。ただし、前記Ｒ１，Ｒ２のうちの少なくとも一つは前記－ＲＳｉ（Ｒ’）ｎ（ＯＡ）３－ｎである。］ - 前記光反応性接合剤は、下記一般式（３）で表される化合物である、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
- 前記光反応性接合剤は、下記一般式（４）で表される化合物である、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
- 前記照射工程にて照射する光の波長が２００ｎｍ～３８０ｎｍである、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
- 前記触媒付与工程において付与される触媒は、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｕからなる群より選ばれる、請求項１に記載の被めっき基板の製造方法。
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