JPWO2022264212A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2022264212A5 JPWO2022264212A5 JP2023529170A JP2023529170A JPWO2022264212A5 JP WO2022264212 A5 JPWO2022264212 A5 JP WO2022264212A5 JP 2023529170 A JP2023529170 A JP 2023529170A JP 2023529170 A JP2023529170 A JP 2023529170A JP WO2022264212 A5 JPWO2022264212 A5 JP WO2022264212A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductivity type
- silicon carbide
- semiconductor device
- carbide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 16
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/022527 WO2022264212A1 (ja) | 2021-06-14 | 2021-06-14 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置を用いた電力変換装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022264212A1 JPWO2022264212A1 (https=) | 2022-12-22 |
| JPWO2022264212A5 true JPWO2022264212A5 (https=) | 2023-09-28 |
| JP7573747B2 JP7573747B2 (ja) | 2024-10-25 |
Family
ID=84525793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023529170A Active JP7573747B2 (ja) | 2021-06-14 | 2021-06-14 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置を用いた電力変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240274709A1 (https=) |
| JP (1) | JP7573747B2 (https=) |
| CN (1) | CN117461143A (https=) |
| DE (1) | DE112021007820B4 (https=) |
| WO (1) | WO2022264212A1 (https=) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4900662B2 (ja) | 2006-03-02 | 2012-03-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素mos電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| JP2012099630A (ja) | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Panasonic Corp | 半導体装置および電力変換器 |
| CN111480239B (zh) | 2017-12-19 | 2023-09-15 | 三菱电机株式会社 | 碳化硅半导体装置以及电力变换装置 |
| JP6923457B2 (ja) | 2018-01-19 | 2021-08-18 | 株式会社日立製作所 | 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法、電力変換装置、自動車並びに鉄道車両 |
| JP7002998B2 (ja) | 2018-05-28 | 2022-01-20 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法、電力変換装置、3相モータシステム、自動車、並びに鉄道車両 |
| JP6972382B2 (ja) | 2018-11-30 | 2021-11-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| DE112019007687T5 (de) | 2019-09-06 | 2022-06-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Siliciumcarbid-halbleitereinheit und leistungswandler |
| JP7353925B2 (ja) | 2019-11-11 | 2023-10-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
-
2021
- 2021-06-14 JP JP2023529170A patent/JP7573747B2/ja active Active
- 2021-06-14 US US18/567,023 patent/US20240274709A1/en active Pending
- 2021-06-14 WO PCT/JP2021/022527 patent/WO2022264212A1/ja not_active Ceased
- 2021-06-14 CN CN202180099162.3A patent/CN117461143A/zh active Pending
- 2021-06-14 DE DE112021007820.8T patent/DE112021007820B4/de active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101345243B (zh) | 半导体器件 | |
| JP4066946B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN102165594B (zh) | 在金属衬底上的半导体异质结构中具有应变沟道的功率mosfet | |
| KR970060527A (ko) | 탄화규소 반도체소자 및 이의 제조를 위한 공정 | |
| US11715773B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP5324157B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2018060943A (ja) | スイッチング素子 | |
| TWI550882B (zh) | 平面型金屬氧化物半導體場效應電晶體、製造其之方法及其電荷保持 | |
| JP2022139077A5 (https=) | ||
| US9525062B2 (en) | Insulated gate switching element | |
| JPWO2022097221A5 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
| CN103762241A (zh) | 一种梳状栅纵向沟道soi ldmos单元 | |
| CN113471279B (zh) | 降低导通电阻的功率晶体管结构 | |
| JP4719472B2 (ja) | シリコンカーバイド静電誘導トランジスタ | |
| JPWO2022264212A5 (https=) | ||
| JP4542178B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN203707141U (zh) | 集成梳状栅纵向沟道soi ldmos单元 | |
| WO2006134810A1 (ja) | 半導体デバイス | |
| JP3651449B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
| US12166082B2 (en) | Silicon carbide semiconductor power transistor and method of manufacturing the same | |
| CN113629128B (zh) | 半导体器件 | |
| JP2018085383A (ja) | スイッチング素子 | |
| CN103681823B (zh) | 半导体装置 | |
| US8860129B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP3376294B2 (ja) | 半導体装置 |