JPWO2021084902A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 複数のチップと、複数の前記チップが一時的に接合された第１基板と、複数の前記チップを介して前記第１基板に接合された第２基板とを含む積層基板を準備することと、
   前記第１基板及び前記第２基板に接合された複数の前記チップを、第３基板のデバイス層を含む片面に接合すべく、前記第１基板から分離することと、
   を有する、チップ付き基板の製造方法。
2. 複数の前記チップと前記第１基板との分離は、前記第１基板を厚み方向に分割する予定の分割面にレーザー光線で複数の改質層を形成することと、複数の前記改質層を起点に前記第１基板を分割することと、を含む、請求項１に記載のチップ付き基板の製造方法。
3. 前記第１基板は、シリコンウェハと、前記シリコンウェハと前記チップとの間にて前記レーザー光線を吸収する吸収層とを含み、
   前記レーザー光線は、前記シリコンウェハを通り、前記吸収層に前記改質層を形成する、請求項２に記載のチップ付き基板の製造方法。
4. 前記吸収層は、シリコン酸化層である、請求項３に記載のチップ付き基板の製造方法。
5. 前記レーザー光線の波長は、８．８μｍ～１１μｍである、請求項２～４のいずれか１項に記載のチップ付き基板の製造方法。
6. 複数の前記チップと前記第１基板との分離は、前記第１基板の前記分割面での分割後に、前記チップに付着する前記第１基板の残留物を除去することを更に含む、請求項２～５のいずれか１項に記載のチップ付き基板の製造方法。
7. 前記第１基板から分離した複数の前記チップを、前記第２基板に接合した状態で、前記第３基板の前記デバイス層を含む片面に接合することを更に有する、請求項１～６のいずれか１項に記載のチップ付き基板の製造方法。
8. 複数の前記チップを、１つずつ、前記第１基板の片面に一時的に接合することと、
   前記第１基板に接合された複数の前記チップを、前記第２基板の前記第１基板との対向面に接合することと、
   を更に有する、請求項１～７のいずれか１項に記載のチップ付き基板の製造方法。
9. 複数のチップを、１つずつ、第１基板の片面に一時的に接合することと、
   前記第１基板に接合された複数の前記チップを、第２基板の前記第１基板との対向面に接合することと、
   前記第１基板及び前記第２基板に接合された複数の前記チップを、前記第１基板から分離することと、
   前記第１基板から分離した複数の前記チップを、前記第２基板に接合した状態で、第３基板のデバイス層を含む片面に接合することと、
   を有する、チップ付き基板の製造方法。
10. 複数の前記チップと前記第１基板との接合後、複数の前記チップと前記第２基板との接合前に、複数の前記チップを薄化し、厚みを均一化することを更に有する、請求項８又は９に記載のチップ付き基板の製造方法。
11. 複数の前記チップの薄化後、複数の前記チップと前記第２基板との接合前に、前記チップと前記第２基板とを接合する接合層を、前記チップの表面に形成することを更に有する、請求項１０に記載のチップ付き基板の製造方法。
12. 前記接合層の形成後、複数の前記チップと前記第２基板の接合前に、前記接合層の前記第２基板との接触面を平坦化することを更に有する、請求項１１に記載のチップ付き基板の製造方法。
13. 複数のチップと、複数の前記チップが一時的に接合された第１基板と、複数の前記チップを介して前記第１基板に接合された第２基板とを含む積層基板を搬送する搬送部と、
    前記第１基板を厚み方向に分割する予定の分割面にレーザー光線で複数の改質層を形成するレーザー加工部と、
    複数の前記改質層を起点に前記第１基板を分割する分割部とを有する、基板処理装置。
14. 前記第１基板は、シリコンウェハと、前記シリコンウェハと前記チップとの間にて前記レーザー光線を吸収する吸収層とを含み、
    前記レーザー光線は、前記シリコンウェハを通り、前記吸収層に前記改質層を形成する、請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記吸収層は、シリコン酸化層である、請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記レーザー加工部は、前記レーザー光線の光源であるＣＯ_２レーザーを含む、請求項１４又は１５に記載の基板処理装置。