JPWO2020111008A1 - 含フッ素化合物、含フッ素化合物含有組成物、コーティング液、物品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる含フッ素化合物、含フッ素化合物含有組成物、コーティング液、表面層を表面に有する物品及びその製造方法の提供。［（Ｒｆ−Ａ−）２Ｎ−］ａ１Ｑ１［−Ｔ］ｂ１（Ｒｆ：フルオロアルキル基又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基、Ａ：フッ素原子を有しない２価の有機基、Ｑ１：ａ１＋ｂ１価の有機基、Ｔ：−Ｓｉ（Ｒ）３−ｃ（Ｌ）ｃ、Ｒ：アルキル基、Ｌ：加水分解性基又は水酸基、ａ１：１以上の整数、ｂ１：２以上の整数、ｃ：２又は３）で表される含フッ素化合物。

Description

本発明は、含フッ素化合物、含フッ素化合物含有組成物、コーティング液、物品及びその製造方法に関する。

フルオロアルキル基、フルオロポリエーテル鎖等の含フッ素有機基と、加水分解性シリル基とを有する含フッ素化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。

耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素化合物としては、複数のフルオロポリエーテル鎖と複数の加水分解性シリル基とを有する含フッ素化合物が提案されている（特許文献１の段落［００４９］の化合物（１−２）、化合物（１−４）、化合物（１−５）、化合物（１−７）及び化合物（１−８））。

国際公開第２０１７／１８７７７５号

表面処理剤は、スマートフォン、タブレット端末等の携帯デバイスの裏面（表示画面とは反対側の面）の表面処理にも用いられることがある。
本発明者らが、含フッ素化合物を含む表面処理剤を用いて基材の主表面全体を表面処理して得られた表面層付き基材を評価したところ、表面層の指紋汚れ除去性は良好であるものの、耐滑り性に劣ること（すなわち、滑りやすいこと）が判明した。例えば、表面層付き基材が携帯デバイスである場合、携帯デバイスを操作する際や机等に載置した際に、携帯デバイスが滑落するおそれがある。そのため、携帯デバイスの裏面に形成される表面層には、耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に加え、耐滑り性が求められる。
本発明者らの検討によれば、含フッ素有機基の鎖長を短くすると表面層の耐滑り性が向上する傾向にあることが分かっている。しかし、含フッ素有機基の鎖長を短くすると、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が低下する傾向にある。

本発明は、含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる含フッ素化合物、含フッ素化合物含有組成物及びコーティング液、含フッ素化合物の含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を有する物品及びその製造方法の提供を目的とする。

本発明は、下記［１］〜［１４］の構成を有する含フッ素化合物、含フッ素化合物含有組成物、コーティング液、物品、及び物品の製造方法を提供する。
［１］下式（１Ａ）で表される化合物又は下式（１Ｂ）で表される化合物である、含フッ素化合物。
［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１［−Ｔ］_ｂ１ ・・・（１Ａ）
［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ｑ^２［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−Ｔ］_ｂ２ ・・・（１Ｂ）
ただし、
Ｒ^ｆは、フルオロアルキル基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^ｆは、フルオロアルキレン基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
Ａは、フッ素原子を有しない２価の有機基であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＡは同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１は、ａ１＋ｂ１価の有機基であり、
Ｑ^２は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^１０は、水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、２以上のＲ^１０は同一であっても異なっていてもよく、
Ｔは、−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃであり、
Ｒは、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
ａ１は、１以上の整数であり、ａ２は、０以上の整数であり、２以上の［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］は同一であっても異なっていてもよく、
ａ３は、０又は１であり、ａ２＋ａ３≧１であり、
ｂ１及びｂ２は、それぞれ２以上の整数であり、２以上のＴは同一であっても異なっていてもよく、
ｃは、２又は３である。
ただし、前記式（１Ｂ）で表される化合物において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

［２］前記式（１Ｂ）で表される化合物が、下式（１ＢＸ）で表される化合物である、［１］の含フッ素化合物。
｛［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（１ＢＸ）
［３］前記Ｒ^ｆが、下式（ｇ１ａ）で表される基である、［１］又は［２］の含フッ素化合物。
Ｒ^ｆ１−（ＯＲ^ｆ２）_ｍ− ・・・（ｇ１ａ）
ただし、
Ｒ^ｆ１は、炭素数１〜６のフルオロアルキル基（ただし、ｍが０の場合、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
Ｒ^ｆ２は、炭素数１〜６のフルオロアルキレン基（ただし、Ａに結合するＲ^ｆ２のＡ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
ｍは、０以上の整数であり、ｍが２以上の場合、（ＯＲ^ｆ２）_ｍは２種以上のＯＲ^ｆ２からなるものであってもよい。
［４］前記Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が、それぞれ、５０〜１０００である、［１］〜［３］のいずれかの含フッ素化合物。
［５］前記Ａが、−（ＣＨ_２）_ｎ−、−Ｃ（Ｏ）−、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＮＨＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−（ただし、ｎは、１以上の整数である。）である、［１］〜［４］のいずれかの含フッ素化合物。

［６］前記Ｑ^１が、式（ｇ２−１）で表される基（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、式（ｇ２−２）で表される基（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｅ２である。）、式（ｇ２−３）で表される基（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝２である。）、式（ｇ２−４）で表される基（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｈ２である。）、又は式（ｇ２−５）で表される基（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｉ２である。）であり、
前記Ｑ^２が、式（ｇ２−１）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、式（ｇ２−２）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｅ２である。）、式（ｇ２−３）で表される基（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝２である。）、式（ｇ２−４）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｈ２である。）、又は式（ｇ２−５）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｉ２である。）である、［１］〜［５］のいずれかの含フッ素化合物。

（−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２−）_ｅ２ ・・・（ｇ２−２）
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３−）_２ ・・・（ｇ２−３）
（−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４−）_ｈ２ ・・・（ｇ２−４）
（−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５−）_ｉ２ ・・・（ｇ２−５）
ただし、
式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）においては、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４及びＱ^１５側が［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］又は−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−の窒素原子に接続し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４及びはＱ^２５側がＴに接続し、
Ｑ^１１は、単結合、−Ｏ−、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、又はアルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１２を２以上有する場合、２以上のＱ^１２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１３は、アルキレン基であり、
Ｑ^１４は、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^１２であり、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^１３であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１４を２以上有する場合、２以上のＱ^１４は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１５は、アルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１５を２以上有する場合、２以上のＱ^１５は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２個のＱ^２３は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、２以上のＱ^２４は同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２５は同一であっても異なっていてもよく、
Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するａ１＋ｂ１価又はａ２＋ｂ２＋１価の環構造を有する基であり、
Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＲ^１を２以上有する場合、２以上のＲ^１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基であり、
Ｒ^３は、アルキル基であり、
ｄ１は、０〜３の整数であり、ｄ２は、０〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、１〜３の整数であり、
ｄ３は、０〜３の整数であり、ｄ４は、０〜３の整数であり、ｄ３＋ｄ４は、１〜３の整数であり、
ｄ１＋ｄ３は、１〜４の整数であり、ｄ２＋ｄ４は、２〜５の整数であり、
ｅ１は、１又は２であり、ｅ２は、２又は３であり、ｅ１＋ｅ２は、３又は４であり、
ｈ１は、１以上の整数であり、ｈ２は、２以上の整数であり、
ｉ１は、１又は２であり、ｉ２は、２又は３であり、ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。

［７］前記［１］〜［６］のいずれかの含フッ素化合物の１種以上と、他の含フッ素化合物とを含むことを特徴とする含フッ素化合物含有組成物。
［８］前記［１］〜［６］のいずれかの含フッ素化合物又は［７］の含フッ素化合物含有組成物と、液状媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
［９］前記［１］〜［６］のいずれかの含フッ素化合物又は［７］の含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を基材の表面に有することを特徴とする物品。
［１０］タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、［９］の物品。
［１１］前記［１］〜［６］のいずれかの含フッ素化合物又は［７］の含フッ素化合物含有組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素化合物又は前記含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
［１２］ウェットコーティング法によって［８］のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素化合物又は前記含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。

［１３］下式（２Ａ）で表される化合物又は下式（２Ｂ）で表される化合物である、含フッ素化合物。
［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（２Ａ）
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂ）
ただし、
Ｒ^ｆは、フルオロアルキル基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、式（２Ａ）及び式（２Ｂ）における２以上のＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^ｆは、フルオロアルキレン基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
Ａは、フッ素原子を有しない２価の有機基であり、式（２Ａ）及び式（２Ｂ）における２以上のＡは同一であっても異なっていてもよく、
Ｑ^１０は、ａ１＋ｂ１価の有機基であり、
Ｑ^２０は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２０は同一であっても異なっていてもよく、
ａ１は、１以上の整数であり、ａ２は、０以上の整数であり、２以上の［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］は同一であっても異なっていてもよく、
ｂ１及びｂ２は、それぞれ２以上の整数である。
ただし、前記式（２Ｂ）で表される化合物において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
［１４］前記式（２Ｂ）で表される化合物が、下式（２ＢＸ）で表される化合物である、［１３］の含フッ素化合物。
｛［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（２ＢＸ）

本発明の含フッ素化合物によれば、含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に優れる表面層を形成できる。
本発明の含フッ素化合物含有組成物によれば、含フッ素化合物の含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に優れる表面層を形成できる。
本発明のコーティング液によれば、含フッ素化合物の含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に優れる表面層を形成できる。
本発明の物品は、含フッ素化合物の含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に優れる表面層を有する。
本発明の物品の製造方法によれば、含フッ素化合物の含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に優れる表面層を有する物品を製造できる。

本明細書において、式（１Ａ）で表される化合物を化合物（１Ａ）と記し、式（１Ｂ）で表される化合物を化合物（１Ｂ）と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。なお、化合物（１Ａ）と化合物（１Ｂ）とを総称して化合物（１）とも記す。
また、式（ｇ１ａ）で表される基を基（ｇ１ａ）と記す。他の式で表される基も同様に記す。
オキシフルオロアルキレン単位の化学式は、その酸素原子をフルオロアルキレン基の左側に記載して表すものとする。
本明細書における以下の用語の意味は、以下の通りである。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基を意味する。加水分解性シリル基又はシラノール基は、例えば式（１Ａ）又は式（１Ｂ）中のＴ（−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ）である。以下、加水分解性シリル基及びシラノール基をまとめて「反応性シリル基」とも記す。
「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素化合物が、フルオロポリエーテル鎖の鎖長が異なる複数の含フッ素化合物の混合物である場合、Ｒ^ｆ又はＱ^ｆの「分子量」は、^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１９Ｆ−ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される数平均分子量である。末端基としては、例えば、式（ｇ１ａ）中のＲ^ｆ１、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）中のＴが挙げられる。
含フッ素化合物がＲ^ｆやＱ^ｆの鎖長が単一である含フッ素化合物である場合、Ｒ^ｆやＱ^ｆの「分子量」は、^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１９Ｆ−ＮＭＲによってＲ^ｆやＱ^ｆの構造を決定して算出される分子量である。

［含フッ素化合物］
本発明の含フッ素化合物は、化合物（１Ａ）又は化合物（１Ｂ）である。
［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１［−Ｔ］_ｂ１ ・・・（１Ａ）
［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ｑ^２［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−Ｔ］_ｂ２ ・・・（１Ｂ）
ただし、Ｒ^ｆは、フルオロアルキル基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよい。Ｑ^ｆは、フルオロアルキレン基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）である。Ａは、フッ素原子を有しない２価の有機基であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＡは同一であっても異なっていてもよい。Ｑ^１は、ａ１＋ｂ１価の有機基である。Ｑ^２は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２は同一であっても異なっていてもよい。Ｒ^１０は、水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、２以上のＲ^１０は同一であっても異なっていてもよい。Ｔは、−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃであり、Ｒは、アルキル基であり、Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、ｃは、２又は３であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよい。ａ１は、１以上の整数であり、ａ２は、０以上の整数であり、２以上の［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］は同一であっても異なっていてもよい。ａ３は、０又は１であり、ａ２＋ａ３≧１である。ｂ１及びｂ２は、それぞれ２以上の整数であり、２以上のＴは同一であっても異なっていてもよい。

前記化合物（１Ｂ）において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。すなわち、化合物（１Ｂ）が有する［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−で表される２つの基において、Ａ、Ｑ^２、Ｒ^１０、Ｒ^ｆ、Ｔ、ａ２、ａ３及びｂ２の少なくとも１つが異なっていてもよい。
化合物（１Ｂ）としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点から、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基が同一である化合物（１Ｂ）が好ましい。以下、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基が同一である化合物（１Ｂ）を下式（１ＢＸ）で表す。
｛［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（１ＢＸ）

化合物（１Ａ）は、Ｒ^ｆを複数個有する。末端にＲ^ｆを複数個有する化合物（１Ａ）は、表面層の指紋汚れ除去性に優れる。化合物（１Ｂ）は、Ｑ^ｆに加えて、Ｒ^ｆを複数個有する。Ｑ^ｆに加えて、Ｒ^ｆを複数個有する化合物（１Ｂ）は、表面層の指紋汚れ除去性に優れる。
化合物（１）は、反応性シリル基を複数個有する。末端に反応性シリル基を複数個有する化合物（１）は、基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。
ａ１としては、化合物（１Ａ）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１〜６が好ましく、１〜４がより好ましく、１又は２が特に好ましい。ａ２は、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、０〜６が好ましく、０〜４がより好ましく、０〜２が特に好ましい。
ｂ１としては、化合物（１Ａ）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、２〜６が好ましく、２〜５がより好ましく、２〜４が特に好ましい。ｂ２としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、２〜６が好ましく、２〜５がより好ましく、２〜４が特に好ましい。
ａ３としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１が好ましい。ａ３が０の場合、Ｒ^１０の炭化水素基としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点から、アルキル基が好ましい。Ｒ^１０の炭化水素基の炭素数は、１〜３が好ましく、１〜２が特に好ましい。

Ｒ^ｆは、１価の含フッ素有機基である。Ｒ^ｆとしては、表面層の指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、フルオロポリエーテル鎖が好ましい。フルオロポリエーテル鎖は、フルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を複数個有する基である。フルオロポリエーテル鎖は、通常、オキシフルオロアルキレン単位を有する。Ｒ^ｆとしては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロポリエーテル鎖がより好ましい。
Ｑ^ｆは、２価の含フッ素有機基である。Ｑ^ｆとしては、表面層の指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、フルオロポリエーテル鎖が好ましい。Ｑ^ｆとしては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロポリエーテル鎖がより好ましい。

Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量はそれぞれ、表面層の指紋汚れ除去性及び耐滑り性を両立する点から、５０〜１０００が好ましく、１００〜９００がより好ましく、２００〜８００が特に好ましい。Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が前記範囲の下限値以上であれば、表面層の指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐滑り性がさらに優れる。
Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点からは、１５００〜１００００が好ましく、２０００〜８０００がより好ましく、２５００〜６０００が特に好ましい。Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が前記範囲の下限値以上であれば、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐摩擦性がさらに優れる。

Ｒ^ｆとしては、例えば、基（ｇ１ａ）が挙げられる。
Ｒ^ｆ１−（ＯＲ^ｆ２）_ｍ− ・・・（ｇ１ａ）
ただし、Ｒ^ｆ１は、炭素数１〜６のフルオロアルキル基（ただし、ｍが０の場合、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、Ｒ^ｆ２は、炭素数１〜６のフルオロアルキレン基（ただし、Ａに結合するＲ^ｆ２のＡ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、０以上の整数であり、ｍが２以上の場合、（ＯＲ^ｆ２）_ｍは２種以上のＯＲ^ｆ２からなるものであってもよい。

Ｑ^ｆとしては、例えば、基（ｇ１ｂ）を有する基が挙げられる。
−Ｒ^ｆ２（ＯＲ^ｆ２）_ｍ’− ・・・（ｇ１ｂ）
ただし、Ｒ^ｆ２は、炭素数１〜６のフルオロアルキレン基（ただし、Ａに結合するＲ^ｆ２のＡ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍ’は、１以上の整数であり、ｍ’が２以上の場合、（ＯＲ^ｆ２）_ｍ’は２種以上のＯＲ^ｆ２からなるものであってもよい。

Ｒ^ｆ１の炭素数が１〜６であれば、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。Ｒ^ｆ１のフルオロアルキル基の炭素数は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１〜４が好ましく、１〜３が特に好ましい。
Ｒ^ｆ１としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキル基が好ましい。Ｒ^ｆ１がペルフルオロアルキル基である化合物（１Ａ）は、末端がＣＦ_３−となる。末端がＣＦ_３−である化合物（１Ａ）によれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
Ｒ^ｆ１としては、ＣＦ_３−、ＣＦ_３ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−、ＣＦ_３ＣＦ（ＣＦ_３）−等が挙げられる。

Ｒ^ｆ２の炭素数が１〜６であれば、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。
Ｒ^ｆ２としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、直鎖のフルオロアルキレン基が好ましい。
Ｒ^ｆ２としては、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。
全Ｒ^ｆ２のうちのペルフルオロアルキレン基の割合は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。

表面層に充分な耐滑り性が求められる場合、ｍは、０〜３０の整数が好ましく、０〜２０の整数がより好ましく、０〜１０の整数が特に好ましい。ｍが前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐滑り性がさらに優れる。表面層に充分な耐滑り性が求められる場合、ｍ’は、１〜３０の整数が好ましく、１〜２０の整数がより好ましく、１〜１０の整数が特に好ましい。ｍ’が前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐滑り性がさらに優れる。
表面層に充分な耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が求められる場合、ｍ及びｍ’は、２〜２００の整数が好ましく、５〜１５０の整数がより好ましく、１０〜１００の整数が特に好ましい。ｍ及びｍ’が前記範囲の下限値以上であれば、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる。ｍ及びｍ’が前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐摩擦性がさらに優れる。すなわち、化合物（１）の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量あたりに存在する加水分解性シリル基の数が減少し、表面層の耐摩擦性が低下する。

ＯＲ^ｆ２、すなわちオキシフルオロアルキレン単位としては、ＯＣＨＦ、ＯＣＦ_２ＣＨＦ、ＯＣＨＦＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨＦ、ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２、ＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２等が挙げられる。

（ＯＲ^ｆ２）_ｍ及び（ＯＲ^ｆ２）_ｍ’において、２種以上のＯＲ^ｆ２が存在する場合、各ＯＲ^ｆ２の結合順序は限定されない。例えば、ＯＣＦ_２とＯＣＦ_２ＣＦ_２が存在する場合、ＯＣＦ_２とＯＣＦ_２ＣＦ_２がランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
２種以上のＯＲ^ｆ２が存在するとは、炭素数の異なる２種以上のＯＲ^ｆ２が存在すること、水素原子数が異なる２種以上のＯＲ^ｆ２が存在すること、水素原子の位置が異なる２種以上のＯＲ^ｆ２が存在すること、及び、炭素数が同一であっても側鎖の有無や側鎖の種類（側鎖の数や側鎖の炭素数等）が異なる２種以上のＯＲ^ｆ２が存在することをいう。
２種以上のＯＲ^ｆ２の配置については、例えば、｛（ＯＣＦ_２）_ｍ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ２｝で表される構造は、ｍ１個の（ＯＣＦ_２）とｍ２個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ５で表される構造は、ｍ５個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）とｍ５個の（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）とが交互に配置されていることを表す。

（ＯＲ^ｆ２）_ｍ及び（ＯＲ^ｆ２）_ｍ’としては、少なくともその一部に下記の構造を有するものが好ましい。
｛（ＯＣＦ_２）_ｍ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ２｝、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ３、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ４、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ５、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ６（ＯＣＦ_２）_ｍ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ６（ＯＣＦ_２）_ｍ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ６（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ７、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８、
（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｍ９。
ただし、ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６、ｍ７、ｍ８及びｍ９は、１以上の整数である。ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４、ｍ５、ｍ６、ｍ７、ｍ８及びｍ９の上限値は、ｍの上限値に合わせて調整される。

（ＯＲ^ｆ２）_ｍ及び（ＯＲ^ｆ２）_ｍ’としては、化合物（１）を製造しやすい点から、下記のものが好ましい。
｛（ＯＣＦ_２）_ｍ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ２｝ＯＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ３ＯＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ４ＯＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_２｛（ＯＣＦ_２）_ｍ１（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ２｝ＯＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ５ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８ＯＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８ＯＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｍ８ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２、
（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｍ９ＯＣＦ（ＣＦ_３）。

Ａは、２価の連結基である。
Ａの有機基は、炭素原子を有する基であればよい。Ａの有機基としては、２価の炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基、フェニレン基、これらの組み合わせ等）、炭素原子を有する結合（−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^４−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^４−等）、２価の炭化水素基と結合（−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^４−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＮＲ^４−、−Ｓ−、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^４−、−ＳＯ_２ＮＲ^４−等）との組み合わせ等が挙げられる。ただし、Ｒ^４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基である。
Ａとしては、化合物（１）を製造しやすい点から、−（ＣＨ_２）_ｎ−、−Ｃ（Ｏ）−、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＮＨＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−が好ましい。ただし、ｎは、１以上の整数である。ｎは、１〜１０の整数が好ましく、１又は２が特に好ましい。

Ｑ^１は、ａ１＋ｂ１価の直鎖状又は分岐状の連結基である。Ｑ^２は、ａ２＋ｂ２＋１価の直鎖状又は分岐状の連結基である。
Ｑ^１の有機基は、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、環構造及びａ１＋ｂ１価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ」と記す。）を有することが好ましい。なお分岐点Ｐには特定分岐鎖が結合する。Ｑ^２の有機基は、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ、環構造及びａ２＋ｂ２＋１価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ’」と記す。）を有することが好ましい。なお分岐点Ｐ’には特定分岐鎖が結合する。ここで特定分岐鎖とは、含フッ素有機基（Ｒ^ｆ又はＱ^ｆ）又は反応性シリル基をその鎖内に有する鎖をいう。

環構造としては、化合物（１）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、３〜８員環の脂肪族環、３〜８員環の芳香族環、３〜８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。環構造は、ハロゲン原子、アルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等の置換基を有してもよい。

ａ１＋ｂ１価のオルガノポリシロキサン残基又はａ２＋ｂ２＋１価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下記の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^５は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^５のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１が特に好ましい。

Ｑ^１及びＱ^２の有機基は、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＮＲ^６−、−Ｓ−、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ^６−、−ＳＯ_２ＮＲ^６−、−Ｓｉ（Ｒ^６）_２−、−ＯＳｉ（Ｒ^６）_２−及び２価のオルガノポリシロキサン残基からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合（以下、「結合Ｂ」と記す。）を有していてもよい。ただし、Ｒ^６は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基である。

２価のオルガノポリシロキサン残基としては、例えば、下式の基が挙げられる。ただし、下式におけるＲ^７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はフェニル基である。Ｒ^７のアルキル基及びアルコキシ基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１が特に好ましい。

結合Ｂとしては、化合物（１）を製造しやすい点から、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６−、−Ｃ（Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合が好ましく、表面層の耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ^６−又は−Ｃ（Ｏ）−が特に好ましい。

Ｑ^１としては、２個以上の２価の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐとの組み合わせ、又は２個以上の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐと１個以上の結合Ｂとの組み合わせが挙げられる。Ｑ^２としては、２個以上の２価の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐ’との組み合わせ、又は２個以上の炭化水素基と１個以上の分岐点Ｐ’と１個以上の結合Ｂとの組み合わせが挙げられる。
２価の炭化水素基としては、２価の脂肪族炭化水素基（アルキレン基、シクロアルキレン基等）、２価の芳香族炭化水素基（フェニレン基等）等が挙げられる。２価の炭化水素基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が特に好ましい。

前記組み合わせのＱ^１としては、化合物（１Ａ）を製造しやすい点から、基（ｇ２−１）（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２−２）（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｅ２である。）、基（ｇ２−３）（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝２である。）、基（ｇ２−４）（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｈ２である。）、又は基（ｇ２−５）（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｉ２である。）が好ましい。
前記組み合わせのＱ^２としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点から、基（ｇ２−１）（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ２−２）（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｅ２である。）、基（ｇ２−３）（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝２である。）、基（ｇ２−４）（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｈ２である。）、又は基（ｇ２−５）（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｉ２である。）が好ましい。

（−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２−）_ｅ２ ・・・（ｇ２−２）
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３−）_２ ・・・（ｇ２−３）
（−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４−）_ｈ２ ・・・（ｇ２−４）
（−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５−）_ｉ２ ・・・（ｇ２−５）

ただし、式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）においては、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４及びＱ^１５側が［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］又は−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−の窒素原子に接続し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４及びＱ^２５側がＴに接続し、Ｑ^１１は、単結合、−Ｏ−、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、又はアルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１２を２以上有する場合、２以上のＱ^１２は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^１３は、アルキレン基であり、Ｑ^１４は、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^１２であり、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^１３であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１４を２以上有する場合、２以上のＱ^１４は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^１５は、アルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１５を２以上有する場合、２以上のＱ^１５は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２２は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２個のＱ^２３は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、２以上のＱ^２４は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２５は同一であっても異なっていてもよく、Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するａ１＋ｂ１価又はａ２＋ｂ２＋１価の環構造を有する基であり、Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＲ^１を２以上有する場合、２以上のＲ^１は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基であり、Ｒ^３は、アルキル基であり、ｄ１は、０〜３の整数であり、１又は２が好ましく、ｄ２は、０〜３の整数であり、１又は２が好ましく、ｄ１＋ｄ２は、１〜３の整数であり、ｄ３は、０〜３の整数であり、１又は２が好ましく、ｄ４は、０〜３の整数であり、１又は２が好ましく、ｄ３＋ｄ４は、１〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ３は、１〜４の整数であり、２又は３が好ましく、ｄ２＋ｄ４は、２〜５の整数であり、２〜４の整数が好ましく、ｅ１は、１又は２であり、ｅ２は、２又は３であり、ｅ１＋ｅ２は、３又は４であり、ｈ１は、１以上の整数であり、１又は２が好ましく、ｈ２は、２以上の整数であり、２又は３が好ましく、ｉ１は、１又は２であり、ｉ２は、２又は３であり、ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。

Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４及びＱ^２５のアルキレン基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、いずれも、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が特に好ましい。ただし、炭素−炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

Ｚにおける環構造としては、上述した環構造が挙げられ、好ましい形態も同様である。なお、Ｚにおける環構造にはＱ^１４やＱ^２４が直接結合するため、環構造に例えばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ^１４やＱ^２４が連結することはない。

Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３のアルキル基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、いずれも、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。
ｈ１は、化合物（１）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、１〜６が好ましく、１〜４がより好ましく、１又は２がさらに好ましく、１が特に好ましい。
ｈ２は、化合物（１）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性がさらに優れる点から、２〜６が好ましく、２〜４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。

Ｑ^１の他の形態としては、基（ｇ２−６）（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−７）（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−８）（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−９）（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｋの合計である。）、又は基（ｇ２−１０）（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｋの合計である。）が挙げられる。
Ｑ^２の他の形態としては、基（ｇ２−６）（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−７）（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−８）（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ２−９）（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｋの合計である。）、又は基（ｇ２−１０）（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｋの合計である。）が挙げられる。

（−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２−Ｇ）_ｅ２ ・・・（ｇ２−７）
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３−Ｇ）_２ ・・・（ｇ２−８）
（−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４−Ｇ）_ｈ２ ・・・（ｇ２−９）
（−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５−Ｇ）_ｉ２ ・・・（ｇ２−１０）

ただし、式（ｇ２−６）〜式（ｇ２−１０）においては、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４及びＱ^１５側が［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］又は−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−の窒素原子に接続し、Ｇ側がＴに接続し、Ｇは、基（ｇ３）であり、Ｑ^１又はＱ^２が有する２以上Ｇは同一であっても異なっていてもよく、Ｇ以外の符号は、式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）における符号と同じである。
−Ｓｉ（Ｒ^８）_３−ｋ（−Ｑ^３−）_ｋ ・・・（ｇ３）
ただし、式（ｇ３）においては、Ｓｉ側がＱ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４及びＱ^２５に接続し、Ｑ^３側がＴに接続し、Ｒ^８は、アルキル基であり、Ｑ^３は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は−（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）_ｐ−Ｏ−であり、２以上のＱ^３は同一であっても異なっていてもよく、ｋは、２又は３であり、Ｒ^９は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２個のＲ^９は同一であっても異なっていてもよく、ｐは、０〜５の整数であり、ｐが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）は同一であっても異なっていてもよい。

Ｑ^３のアルキレン基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる点から、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が特に好ましい。ただし、炭素−炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。
Ｒ^８のアルキル基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。
Ｒ^９のアルキル基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。
Ｒ^９のアルコキシ基の炭素数は、化合物（１）の保存安定性に優れる点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。
ｐは、０又は１が好ましい。

Ｔは、−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃであり、反応性シリル基である。
Ｒのアルキル基の炭素数は、化合物（１）を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１〜２が特に好ましい。

Ｌの加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、Ｌが加水分解性基であるＳｉ−Ｌは、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）となる。シラノール基は、さらに分子間で脱水縮合反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）を形成する。
加水分解性基としては、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イソシアナート基等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。アリールオキシ基としては、炭素数３〜１０のアリールオキシ基が好ましい。ただしアリールオキシ基のアリール基としては、ヘテロアリール基を含む。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アシル基としては、炭素数１〜６のアシル基が好ましい。アシルオキシ基としては、炭素数１〜６のアシルオキシ基が好ましい。
Ｌとしては、化合物（１）を製造しやすい点から、アルコキシ基およびハロゲン原子が好ましい。Ｌとしては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物（１）の保存安定性に優れる点から、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、化合物（１）の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。
ｃは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、３が特に好ましい。
化合物（１）中の複数のＴは、同一であっても異なっていてもよい。化合物（１）を製造しやすい点から、同一の基であることが好ましい。

化合物（１）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、耐薬品性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れ、なかでも耐光性が特に優れる点から好ましい。下式の化合物におけるＲ^ｆ又はＱ^ｆは、上述した式（１）におけるＲ^ｆ又はＱ^ｆと同様であり、好ましい形態も同様である。

Ｑ^１が基（ｇ２−１）である化合物（１Ａ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^１が基（ｇ２−２）である化合物（１Ａ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^１が基（ｇ２−３）である化合物（１Ａ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^１が基（ｇ２−４）である化合物（１Ａ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^１が基（ｇ２−７）である化合物（１Ａ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^２が基（ｇ２−１）である化合物（１Ｂ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^２が基（ｇ２−２）である化合物（１Ｂ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^２が基（ｇ２−３）である化合物（１Ｂ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^２が基（ｇ２−４）である化合物（１Ｂ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

Ｑ^２が基（ｇ２−７）である化合物（１Ｂ）としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。

（化合物（１Ａ）及び化合物（１Ｂ）の製造方法）
化合物（１Ａ）は、例えば、化合物（２Ａ）と、化合物（３ａ）又は化合物（３ｂ）をヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。化合物（１Ｂ）は、例えば、化合物（２Ｂ）と、化合物（３ａ）又は化合物（３ｂ）をヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（２Ａ）
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂ）
ただし、式（２Ａ）において、Ｑ^１０は、ａ１＋ｂ１価の有機基であり、Ｑ^１０以外の符号は、式（１Ａ）における符号と同じである。式（２Ｂ）において、Ｑ^２０は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２０以外の符号は、式（１Ｂ）における符号と同じである。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１は、ヒドロシリル化後に化合物（１Ａ）におけるＱ^１となる。Ｑ^１０としては、Ｑ^１と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２は、ヒドロシリル化後に化合物（１Ｂ）におけるＱ^２となる。Ｑ^２０としては、Ｑ^２と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。

前記化合物（２Ｂ）において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。すなわち、化合物（２Ｂ）が有する［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−で表される２つの基において、Ａ、Ｑ^２０、Ｒ^ｆ、ａ２及びｂ２の少なくとも１つが異なっていてもよい。
化合物（２Ｂ）としては、化合物（２Ｂ）を製造しやすい点から、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基が同一である化合物（２Ｂ）が好ましい。以下、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基が同一である化合物（２Ｂ）を下式（２ＢＸ）で表す。
｛［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（２ＢＸ）

ＨＳｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ ・・・（３ａ）
ＨＳｉ（Ｒ^８）_３−ｋ［−（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）_ｐ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ｋ ・・・（３ｂ）
ただし、式（３ａ）及び式（３ｂ）における符号は、式（１）及び式（ｇ３）における符号と同じである。化合物（３ｂ）は、例えば、特願２０１８−０８５４９３号の明細書に記載の方法によって製造できる。

Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１としては、化合物（１Ａ）を製造しやすい点から、基（ｇ４−１）（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ４−２）（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｅ２である。）、基（ｇ４−３）（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝２である。）、基（ｇ４−４）（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｈ２である。）、又は基（ｇ４−５）（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｉ２である。）が好ましい。
Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２としては、化合物（１Ｂ）を製造しやすい点から、基（ｇ４−１）（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、基（ｇ４−２）（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｅ２である。）、基（ｇ４−３）（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝２である。）、基（ｇ４−４）（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｈ２である。）、又は基（ｇ４−５）（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｉ２である。）が好ましい。

（−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｅ２ ・・・（ｇ４−２）
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_２ ・・・（ｇ４−３）
（−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｈ２ ・・・（ｇ４−４）
（−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｉ２ ・・・（ｇ４−５）

ただし、Ｑ^２２０は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２２０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２３０は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２３０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２４０は、Ｑ^２４０が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２０であり、Ｑ^２４０が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３０であり、２以上のＱ^２４０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２５０は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２５０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^２２０、Ｑ^２３０、Ｑ^２４０及びＱ^２５０以外の符号は、式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）における符号と同じである。

Ｑ^２２０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に化合物（１）におけるＱ^２２となる。Ｑ^２２０としては、Ｑ^２２と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。
Ｑ^２３０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に化合物（１）におけるＱ^２３となる。Ｑ^２３０としては、Ｑ^２３と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。
Ｑ^２４０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に化合物（１）におけるＱ^２４となる。Ｑ^２４０としては、Ｑ^２４と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。
Ｑ^２５０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に化合物（１）におけるＱ^２５となる。Ｑ^２５０としては、Ｑ^２５と同様な基が挙げられ、好ましい形態も同様である。

Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１の他の形態としては、基（ｇ４−６）（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−７）（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−８）（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−９）（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｋの合計である。）、又は基（ｇ４−１０）（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｋの合計である。）が挙げられる。
Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２の他の形態としては、基（ｇ４−６）（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−７）（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−８）（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝ｋの合計である。）、基（ｇ４−９）（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｋの合計である。）、又は基（ｇ４−１０）（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｋの合計である。）が挙げられる。

（−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２−Ｇ^１）_ｅ２ ・・・（ｇ４−７）
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３−Ｇ^１）_２ ・・・（ｇ４−８）
（−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４−Ｇ^１）_ｈ２ ・・・（ｇ４−９）
（−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５−Ｇ^１）_ｉ２ ・・・（ｇ４−１０）

ただし、Ｇ^１は、基（ｇ５）であり、Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１又はＱ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２が有する２以上Ｇ^１は同一であっても異なっていてもよく、Ｇ^１以外の符号は、式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）における符号と同じである。
−Ｓｉ（Ｒ^８）_３−ｋ（−Ｑ^３０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｋ ・・・（ｇ５）
ただし、Ｑ^３０は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^３０は同一であっても異なっていてもよく、Ｑ^３０以外の符号は、式（ｇ３）における符号と同じである。
Ｑ^３０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に基（ｇ３）におけるＱ^３となる。Ｑ^３０としては、Ｑ^３と同様な基が挙げられ（ただし、−（ＯＳｉ（Ｒ^９）_２）_ｐ−Ｏ−を除く。）、好ましい形態も同様である。

（化合物（２Ａ）及び化合物（２Ｂ）の製造方法）
化合物（２Ａ）は、例えば、下記の手順にて製造できる。
化合物（４Ａ）と化合物（５ａ）とをアミド化反応させて化合物（６Ａ）を得る。
［Ｈ_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（４Ａ）
Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−Ｘ ・・・（５ａ）
［Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（６Ａ）
ただし、Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基又は水酸基であり、Ｘ以外の符号は、式（２Ａ）における符号と同じである。

化合物（４Ａ）は、市販の化合物として入手できる。また、化合物（４Ａ）は、例えば、特許文献１に記載の方法、国際公開第２０１９／０３９１８６号に記載の方法によって製造できる。
化合物（５ａ）は、例えば、国際公開第２００９／００８３８０号に記載の方法、国際公開第２０１３／１２１９８４号に記載の方法、国際公開第２０１３／１２１９８６号に記載の方法、国際公開第２０１５／０８７９０２号に記載の方法、国際公開第２０１７／０３８８３０号に記載の方法、国際公開第２０１７／０３８８３２号に記載の方法、国際公開第２０１８／１４３４３３号に記載の方法、国際公開第２０１８／２１６６３０号に記載の方法によって製造できる。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１が基（ｇ４−１）である化合物（６Ａ）は、例えば、特許文献１に記載の方法（ｄ１及びｄ３＝１、ｄ２及びｄ４＝２）によって製造できる。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１が基（ｇ４−２）である化合物（６Ａ）は、例えば、特許文献１に記載の方法（ｅ１＝２、ｅ２＝２）、国際公開第２０１７／０３８８３０号に記載の方法（ｅ１＝１、ｅ２＝３）、国際公開第２０１９／０３９２２６号に記載の方法（ｅ１＝１、ｅ２＝２、Ｒ^２＝水素原子又はアルキル基）によって製造できる。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１が基（ｇ４−３）である化合物（６Ａ）は、例えば、国際公開第２０１７／０３８８３２号に記載の方法によって製造できる。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１が基（ｇ４−４）である化合物（６Ａ）は、例えば、国際公開第２０１９／０３９１８６号に記載の方法によって製造できる。
Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１が基（ｇ４−７）〜基（ｇ４−９）である化合物（６Ａ）は、例えば、国際公開第２０１９／１６３２８２号に記載の方法によって製造できる。

化合物（６Ａ）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（７Ａ）を得る。
［Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−ＮＨ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（７Ａ）
ただし、式（７Ａ）における符号は、式（２Ａ）における符号と同じである。

化合物（７Ａ）と化合物（５ａ）とをアミド化反応させて化合物（２Ａａ）を得る。
［（Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−）（Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−）Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１
・・・（２Ａａ）
ただし、式（２Ａａ）における符号は、式（２Ａ）における符号と同じである。

化合物（２Ａａ）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（２Ａｂ）を得てもよい。
［（Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（２Ａｂ）
ただし、式（２Ａｂ）における符号は、式（２Ａ）における符号と同じである。

化合物（２Ｂ）は、ａ２が１以上の場合、例えば、下記の手順にて製造できる。
化合物（４Ｂ）と化合物（５ａ）とをアミド化反応させて化合物（６Ｂ）を得る。
［Ｈ_２Ｎ−］_ａ２＋１Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（４Ｂ）
Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−Ｘ ・・・（５ａ）
［Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−］_ａ２［Ｈ_２Ｎ−］Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（６Ｂ）
ただし、Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基又は水酸基であり、Ｘ以外の符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。
化合物（４Ｂ）としては、化合物（４Ａ）と同様のものが挙げられる。

化合物（６Ｂ）と化合物（５ｂ）とをアミド化反応させて化合物（６Ｂ’）を得る。
Ｘ−Ｃ（Ｏ）−Ｑ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−Ｘ ・・・（５ｂ）
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−］_ａ２Ｑ^２０−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｑ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ｑ^２０［−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（６Ｂ’）
ただし、Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基又は水酸基であり、Ｘ以外の符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。
化合物（５ｂ）は、化合物（５ａ）と同様の方法で製造できる。

化合物（６Ｂ’）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（７Ｂ）を得る。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−ＮＨ−］_ａ２Ｑ^２０−ＮＨ−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−ＮＨ−Ｑ^２０［−ＮＨ−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（７Ｂ）
ただし、式（７Ｂ）における符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

化合物（７Ｂ）と化合物（５ａ）とをアミド化反応させて化合物（２Ｂａ）を得る。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−）（Ｒ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−）Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ）−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−Ｎ（−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−Ｎ（−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ）（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂａ）
ただし、式（２Ｂａ）における符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

化合物（２Ｂａ）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（２Ｂｂ）を得てもよい。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−ＣＨ_２−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−Ｎ（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−Ｎ（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂｂ）
ただし、式（２Ｂｂ）における符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

化合物（２Ｂ）は、ａ２が０の場合、例えば、下記の手順にて製造できる。
化合物（４Ｃ）と化合物（５ｂ）とをアミド化反応させて化合物（６Ｃ）を得る。
Ｈ_２Ｎ−Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（４Ｃ）
Ｘ−Ｃ（Ｏ）−Ｑ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−Ｘ ・・・（５ｂ）
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２Ｑ^２０−ＮＨ−Ｃ（Ｏ）−Ｑ^ｆ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（６Ｃ）
ただし、Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基又は水酸基であり、Ｘ以外の符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

化合物（６Ｃ）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（７Ｃ）を得る。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２Ｑ^２０−ＮＨ−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−ＮＨ−Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（７Ｃ）

化合物（７Ｃ）と化合物（５ａ）とをアミド化反応させて化合物（２Ｂｃ）を得る。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ）−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−Ｎ（−Ｃ（Ｏ）−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂｃ）
ただし、式（２Ｂｃ）における符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

化合物（２Ｂｃ）と還元剤（水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム等）とを反応させて化合物（２Ｂｄ）を得てもよい。
［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２Ｑ^２０−Ｎ（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）−ＣＨ_２−Ｑ^ｆ−ＣＨ_２−Ｎ（−ＣＨ_２−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂｄ）
ただし、式（２Ｂｄ）における符号は、式（２Ｂ）における符号と同じである。

以上説明した化合物（１）にあっては、下記の理由から、含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。
特許文献１に記載の含フッ素化合物は、複数の含フッ素有機基（フルオロポリエーテル鎖）を有するものの、含フッ素有機基間の距離が離れているため、表面層における含フッ素有機基の密度が低い。そのため、含フッ素有機基の鎖長を短くして表面層の耐滑り性を改善しようとすると、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が低下する傾向にある。
一方、本発明の（１）は、Ｎ原子による分岐にＡ基を介して２つの含フッ素有機基（Ｒ^ｆとＲ^ｆ、又はＲ^ｆとＱ^ｆ）が結合しているため、２つの含フッ素有機基が接近している。そのため、含フッ素有機基間の距離が近く、表面層における含フッ素有機基の密度が高い。そのため、含フッ素有機基の鎖長を短くした場合でも耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。

［含フッ素化合物含有組成物］
本発明の含フッ素化合物含有組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、化合物（１）の１種以上と、他の含フッ素化合物とを含む。

他の含フッ素化合物としては、化合物（１）の製造工程で副生する含フッ素化合物（以下、「副生含フッ素化合物」とも記す。）、化合物（１）と同様の用途に用いられる公知の含フッ素化合物等が挙げられる。
他の含フッ素化合物としては、化合物（１）の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。

副生含フッ素化合物としては、未反応の化合物（２Ａ）又は化合物（２Ｂ）、化合物（１）の製造におけるヒドロシリル化の際にアリル基の一部がインナーオレフィンに異性化した含フッ素化合物等が挙げられる。
公知の含フッ素化合物としては、表面処理剤として市販されている含フッ素化合物等が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素化合物を含む場合、化合物（１）の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。

化合物（１）の含有量は、本組成物のうち、６０質量％以上１００質量％未満が好ましく、７０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、８０質量％以上１００質量％未満が特に好ましい。
他の含フッ素化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
化合物（１）の含有量及び他の含フッ素化合物の含有量の合計は、本組成物のうち、８０〜１００質量％が好ましく、８５〜１００質量％が特に好ましい。
化合物（１）の含有量及び他の含フッ素化合物の含有量が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性及び耐薬品性がさらに優れる。

本組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、化合物（１）及び他の含フッ素化合物以外の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、化合物（１）や公知の含フッ素化合物の製造工程で生成した副生物（ただし、副生含フッ素化合物を除く。）、未反応の原料等の製造上不可避の化合物が挙げられる。
また、他の成分としては、加水分解性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
他の成分の含有量は、本組成物のうち、０〜９．９９９質量％が好ましく、０〜０．９９質量％が特に好ましい。

［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、「本コーティング液」とも記す。）は、化合物（１）又は本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、溶液であっても分散液であってもよい。

液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素有機溶媒でも非フッ素有機溶媒でもよく、両溶媒を含んでもよい。
含フッ素有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４〜８の化合物が好ましい。市販品としては、Ｃ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。
フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４〜１２の化合物が好ましい。市販品としては、ＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素、アルコール、ケトン、エーテル、エステルが挙げられる。
液状媒体は、２種以上を混合した混合媒体であってもよい。

化合物（１）又は本組成物の含有量は、本コーティング液のうち、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。
液状媒体の含有量は、本コーティング液のうち、９０〜９９．９９９質量％が好ましく、９９〜９９．９９質量％が特に好ましい。

［物品］
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、化合物（１）又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。表面層は、基材の表面の一部に形成されてもよく、基材のすべての表面に形成されてもよい。表面層は、基材の表面に膜状に拡がってもよく、ドット状に点在してもよい。
表面層は、化合物（１）を、化合物（１）の加水分解性シリル基の一部又は全部が加水分解反応し、かつシラノール基が脱水縮合反応した状態で含む。

表面層の厚さは、１〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍが特に好ましい。表面層の厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。表面層の厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ−Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

基材としては、撥水撥油性の付与が求められている基材が挙げられる。例えば、他の物品（例えばスタイラス）や人の手指を接触させて使用することがある基材、操作時に人の手指で持つことがある基材、他の物品（例えば載置台）の上に置くことがある基材が挙げられる。
基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ_２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。
また、基材としては、携帯電話（例えばスマートフォン）、携帯情報端末（例えばタブレット端末）、ゲーム機、リモコン等の機器における外装部分（表示部を除く）に使用する、ガラス又は樹脂フィルムも好ましい。

［物品の製造方法］
本物品は、例えば、下記の方法で製造できる。
・化合物（１）又は本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、化合物（１）又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、化合物（１）又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。

ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。ドライコーティング法としては、化合物（１）の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄、鋼等の金属多孔体に化合物（１）又は本組成物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。本コーティング液を鉄、鋼等の金属多孔体に含浸させ、液状媒体を乾燥させて、化合物（１）又は本組成物が含浸したペレット状物質を用いてもよい。

ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。なお、例１〜４、９〜１２は実施例であり、例５〜８、１３〜１６は比較例である。

［例１］
（例１−１）
１０００ｍＬの四ツ口フラスコにアジポニトリル（東京化成工業社製）の５．５１ｇ、テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」とも記す。）の５００ｍＬを加え、窒素雰囲気下、ドライアイス−アセトンバスで冷却しながら撹拌した。その後、リチウムジイソプロピルアミドのヘキサン溶液（１．１モル／Ｌ、アルドリッチ社製）の５０ｍＬをゆっくり添加した後、臭化アリル（東京化成工業社製）の７．５ｇをゆっくり添加した。この操作を４回繰り返し、リチウムジイソプロピルアミドのヘキサン溶液をトータルで２００ｍＬ、臭化アリルをトータルで２９．９ｇ添加した。フラスコ内の内容物をゆっくり２５℃に戻しながら１２時間撹拌した。その後、１Ｎ塩酸水溶液の３００ｍＬを加え、塩化メチレンを用いて分液操作した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、固体をろ過によって取り除き、液体を濃縮した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（８−１）の５．４７ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．９〜５．７（４Ｈ）、５．４〜５．１（８Ｈ）、２．３（８Ｈ）、１．７（４Ｈ）。

（例１−２）
１０００ｍＬの四ツ口フラスコに例１−１で得た化合物（８−１）の５．４７ｇ、ＴＨＦの５００ｍＬを加え、窒素雰囲気下、氷浴につけて撹拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２．５モル／Ｌ、東京化成工業社製）をゆっくり加えた。フラスコ内の内容物をゆっくり２５℃に戻しながら１４時間撹拌した。その後、イオン交換水の２ｍＬ、１５％の水酸化ナトリウム水溶液の２ｍＬを加えて撹拌し、イオン交換水の６ｍＬをさらに加えて撹拌した。析出した固体をセライトろ過で取り除き、化合物（４−１）の粗体の５．６４ｇを得た。

（例１−３）
国際公開第２００８／０２６７０７号の実施例１に記載の方法にしたがって、化合物（５−１）を得、化合物（５−１）をメタノールと反応することにより化合物（５−２）を得た。
ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２Ｃ（Ｏ）Ｆ ・・・（５−１）
ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_３ ・・・（５−２）
例１−２で得た化合物（４−１）の粗体に化合物（５−２）の１６．３６ｇを加え、２５℃で３時間撹拌した。その後、反応生成物を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製して化合物（６−１）の９．２４ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：６．９（２Ｈ）、５．９〜５．７（４Ｈ）、５．２〜５．０（８Ｈ）、３．２（４Ｈ）、２．０（８Ｈ）、１．３（４Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７９（４Ｆ）、−８７（６Ｆ）、−８８〜−８９（１２Ｆ）。

（例１−４）
２００ｍＬのナスフラスコに例１−３で得た化合物（６−１）の５．０４ｇ、ＴＨＦの１００ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２．５モル／Ｌ）の７ｍＬをゆっくり滴下し、加熱還流で１３時間撹拌した。その後、反応系を氷浴で冷やし、イオン交換水の０．６ｍＬ、１５％の水酸化ナトリウム水溶液の１．８ｍＬを加えて撹拌し、さらにイオン交換水の１．８ｍＬを加え撹拌した。析出した固体をセライトろ過で取り除き、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（７−１）の２．４ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．９〜５．７（４Ｈ）、５．２〜５．０（８Ｈ）、３．２（４Ｈ）、２．５（４Ｈ）、２．０（８Ｈ）、１．３（４Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７６（４Ｆ）、−８７（６Ｆ）、−８８〜−８９（１２Ｆ）。

（例１−５）
窒素雰囲気下、２０ｍＬのバイアルビンに例１−４で得た化合物（７−１）の０．６２ｇ、トリエチルアミンの１．２８ｇ、塩化メチレンの１３ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、例１−３で得た化合物（５−１）の１．０４ｇを加え、２５℃で２時間撹拌した後、さらに化合物（５−１）の０．３７ｇを加え、１２時間撹拌した。１Ｎ塩酸水溶液で抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（２ａ−１）の１．００ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．９〜５．７（４Ｈ）、５．２〜５．０（８Ｈ）、４．１（４Ｈ）、３．５（４Ｈ）、２．０（８Ｈ）、１．３（４Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７０〜−７３（８Ｆ）、−８７（１２Ｆ）、−８８〜−８９（２４Ｆ）。

（例１−６）
窒素雰囲気下でアニリンの３．５ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の５．２ｍｇ、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン（ＡＧＣ社製、ＡＣ−６０００）の１０ｇを混合し、触媒溶液を調製した。窒素雰囲気下、５ｍＬのバイアルビンに例１−５で得た化合物（２ａ−１）の０．５１ｇ、トリメトキシシランの０．１８ｇ、触媒溶液の０．５２ｇを加え、４０℃で３日間撹拌した。その後、溶媒を留去し、化合物（１−１）の０．５８ｇを得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：４．１（４Ｈ）、３．６〜３．４（４０Ｈ）、１．５〜１．０（２０Ｈ）、０．５（８Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７０〜−７３（８Ｆ）、−８７（１２Ｆ）、−８８〜−８９（２４Ｆ）。

［例２］
（例２−１）
例１−１における出発原料をアジポニトリルからマロノニトリルに変更した以外は例１−１〜例１−２と同様の手法で化合物（４−２）（２，２−ジアリルプロパン−１，３−ジアミン）を得た。
窒素雰囲気下、５０ｍＬの三ツ口フラスコに例１−３で得た化合物（５−２）の１３．８ｇを加え、氷浴で撹拌した。その後、化合物（４−２）の２．４６ｇを２時間かけて添加し、３時間撹拌した。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（６−２）の１２．３ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．９３〜５．８４（２Ｈ，ｍ）、５．２２〜５．１２（４Ｈ，ｍ）、３．２０（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）、２．０３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７８．５０（４Ｆ，ｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ）、−８７．００（６Ｆ，ｓ）、−８８．６９（４Ｆ，ｔ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ）、−８８．８２（８Ｆ，ｓ）。

（例２−２）
１０００ｍＬのナスフラスコに例２−１で得た化合物（６−２）の９．１８ｇ、ＴＨＦの１０００ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２．５モル／Ｌ）の３０ｍＬをゆっくり滴下し、加熱還流で１６時間撹拌した。その後、反応系を氷浴で冷やし、撹拌しながら硫酸ナトリウム十水和物を発泡しなくなるまで加えた。析出した固体をセライトろ過で取り除き、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（７−２）の７．３８ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．８６〜５．７２（２Ｈ，ｍ）、５．０９〜５．０３（４Ｈ，ｍ）、３．１５（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝１０．５ Ｈｚ）、２．５８（４Ｈ，ｓ）、２．０３（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ）、１．４９（２Ｈ，ｓ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７５．６７〜−７５．８４（４Ｆ，ｍ）、−８７．０３（６Ｆ，ｓ）、−８８．８７〜−８９．０４（８Ｆ，ｍ）、−８９．１６〜−８９．２２（４Ｆ，ｍ）。

（例２−３）
窒素雰囲気下、５０ｍＬの三ツ口フラスコに例２−２で得た化合物（７−２）の１．１０ｇ、トリエチルアミンの２．８９ｇ、塩化メチレンの２５ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、例１−３で得た化合物（５−１）の２．３０ｇを加え、２５℃で２時間撹拌した後、さらに化合物（５−１）の１．５２ｇを加え、３時間撹拌した。その後、さらに化合物（５−１）の１．６５ｇを加え、２１時間撹拌した。１Ｎ塩酸水溶液の６０ｍＬを加え、塩化メチレンの５０ｍＬを用いて３回抽出した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（２ａ−２）の０．６１ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．８７〜５．７３（２Ｈ，ｍ）、５．２５〜５．０８（４Ｈ，ｍ）、４．１２（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ）、３．５６（４Ｈ，ｓ）、２．０７（４Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７１．０９（４Ｆ，ｓ）、−７１．８２（４Ｆ，ｓ）、−８７．５０（６Ｆ，ｓ）、−８７．５３（６Ｆ，ｓ）、−８８．８４〜−８９．７２（２４Ｆ，ｍ）。

（例２−４）
窒素雰囲気下、５ｍＬのバイアルビンに例２−３で得た化合物（２ａ−２）の０．５６ｇ、トリメトキシシランの０．１２ｇ、アニリンの１．９ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の５．２ｍｇ、ＡＣ−６０００の０．６３ｇを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、溶媒を留去し、化合物（１−２）の０．６５ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：４．１１（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．９ Ｈｚ）、３．５１（１８Ｈ，ｓ）、３．５１（４Ｈ，ｓ）、１．３８（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）、１．２６（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）、０．５４（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７１．０９（４Ｆ，ｓ）、−７１．８２（４Ｆ，ｓ）、−８７．５０（６Ｆ，ｓ）、−８７．５３（６Ｆ，ｓ）、−８８．８４〜−８９．７２（２４Ｆ，ｍ）。

［例３］
（例３−１）
例１−１における出発原料をアジポニトリルからアセトニトリルに変更した以外は例１−１〜例１−２と同様の手法で化合物（４−３）を得た。
窒素雰囲気下、５０ｍＬの三ツ口フラスコに例１−３で得た化合物（５−２）の２．４５ｇを加え、氷浴で撹拌した。その後、化合物（４−３）の１．０４ｇを添加し、７時間撹拌した。粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（６−３）の２．８９ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：６．５（１Ｈ）、６．０〜５．７（３Ｈ）、５．２〜５．０（６Ｈ）、３．３（２Ｈ）、２．０（６Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７６（２Ｆ）、−８７（３Ｆ）、−８９（６Ｆ）。

（例３−２）
３００ｍＬのナスフラスコに例３−１で得た化合物（６−３）の２．０ｇ、ＴＨＦの２００ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、水素化リチウムアルミニウムのＴＨＦ溶液（２．５モル／Ｌ）の１０ｍＬをゆっくり滴下し、加熱還流で１６時間撹拌した。その後、反応系を氷浴で冷やし、撹拌しながら硫酸ナトリウム十水和物を発泡しなくなるまで加えた。析出した固体をセライトろ過で取り除き、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（７−３）の０．９２ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：６．０〜５．７（３Ｈ）、５．２〜５．０（６Ｈ）、３．１（２Ｈ）、２．５（２Ｈ）、２．０（６Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７６（２Ｆ）、−８７（３Ｆ）、−８８〜−８９（６Ｆ）。

（例３−３）
窒素雰囲気下、５０ｍＬの三つ口フラスコに例３−２で得た化合物（７−３）の０．９２ｇ、トリエチルアミンの３ｍＬ、塩化メチレンの２１ｍＬを加え、２５℃で撹拌した。その後、例１−３で得た化合物（５−１）の１．８１ｇを加え、２５℃で２時間撹拌した。その後、さらに化合物（５−１）の１．５４ｇを加え、２時間撹拌した。１Ｎ塩酸水溶液で抽出し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、化合物（２ａ−３）の１．４２ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：５．９〜５．７（３Ｈ）、５．２〜５．０（６Ｈ）、４．１（２Ｈ）、３．５（２Ｈ）、２．０（６Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７２〜−７６（４Ｆ）、−８９（６Ｆ）、−９２（１２Ｆ）。

（例３−４）
窒素雰囲気下、５ｍＬのバイアルビンに例３−３で得た化合物（２ａ−３）の０．５５ｇ、トリメトキシシランの０．３６ｇ、アニリンの１．９ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の３．２ｍｇ、ＡＣ−６０００の０．５５ｇを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、溶媒を留去し、化合物（１−３）の０．７７ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：４．１（２Ｈ）、３．７（２７Ｈ）、３．２（２Ｈ）、１．４（６Ｈ）、１．２（６Ｈ）、１．５（６Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７２〜−７６（４Ｆ）、−８９（６Ｆ）、−９２（１２Ｆ）。

［例４］
国際公開第２００９／００８３８０号の例１に記載の方法にしたがって、化合物（５−３）を得た。ｘの平均値は７であった。
国際公開第２００９／００８３８０号の例１に記載の方法にしたがって、化合物（５−４）を得た。ｘの平均値は７であった。
ＣＦ_３（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｘＯＣＦ_２Ｃ（Ｏ）Ｆ ・・・（５−３）
ＣＦ_３（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｘＯＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ_２ＣＨ_３ ・・・（５−４）
化合物（５−２）の代わりに化合物（５−４）を用い、化合物（５−１）の代わりに化合物（５−３）を用いた以外は、例１−３〜例１−６と同様にして化合物（１−４）を得た。ｘの平均値は７である。Ｒ^ｆの平均分子量は１０００である。

［例５］
窒素雰囲気下、２０ｍＬのバイアルビンに例１−３で得た化合物（６−１）の１．０５ｇ、トリメトキシシランの０．６２ｇ、アニリンの２．８ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の２．８ｍｇ、ＡＣ−６０００の１．０６ｇを加え、４０℃で５時間撹拌した。その後、反応液を濃縮し、化合物（１０−１）の１．６ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：７．５（２Ｈ）、３．５（３６Ｈ）、３．１（４Ｈ）、１．５〜０．９（２０Ｈ）、０．５（８Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７９（４Ｆ）、−８７（６Ｆ）、−８８〜−８９（１２Ｆ）。

［例６］
窒素雰囲気下、５ｍＬのバイアルビンに例２−１で得た化合物（６−２）の０．５０ｇ、トリメトキシシランの０．２８ｇ、アニリンの１．２ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の５．８ｍｇ、ＡＣ−６０００の０．５５ｇを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、溶媒を留去し、化合物（１０−２）の０．６４ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：３．６（１８Ｈ）、３．２（４Ｈ，ｓ）、１．４（４Ｈ）、１．２（４Ｈ）、０．５（４Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７８（４Ｆ）、−８７（６Ｆ）、−８８（４Ｆ）、−８８（８Ｆ）。

［例７］
窒素雰囲気下、５ｍＬのバイアルビンに例３−１で得た化合物（６−３）の０．６０ｇ、トリメトキシシランの０．４９ｇ、アニリンの２．２ｍｇ、白金（０）−１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の５．２ｍｇ、ＡＣ−６０００の０．５５ｇを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、溶媒を留去し、化合物（１０−３）の１．０１ｇを得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：テトラメチルシラン） δ（ｐｐｍ）：３．７（２７Ｈ）、３．２（２Ｈ）、１．４（６Ｈ）、１．２（６Ｈ）、１．５（６Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−７６（２Ｆ）、−８７（３Ｆ）、−８９（６Ｆ）。

［例８］
化合物（５−２）の代わりに例４で得た化合物（５−４）を用いた以外は、例１−３、例５と同様にして化合物（１０−４）を得た。ｘの平均値は７であった。

［例９〜１６：物品の製造及び評価］
例１〜８で得た各化合物を用いて基材を表面処理し、例９〜１６の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法及びウェットコーティング法を用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。

（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。例１〜８で得た各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０^−３Ｐａ以下に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＧＣ社製、ＡＫ−２２５）にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（ウェットコーティング法）
例１〜８で得た各化合物と、媒体としてのＣ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ−２２５にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（評価方法）
＜水接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水の接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ−５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。

＜初期水接触角＞
表面層について、初期水接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
○（良） ：１００度以上。
×（不可）：１００度未満。

＜耐滑り性＞
主表面が水平に保持された全自動接触角計（協和界面科学社製、ＤＭｏ−７０１）を準備した。ポリエチレンシート（ハギテック社製、硬質ポリエチレンシート（高密度ポリエチレン））の表面（水平面）上に、表面層が接するように物品を載置した後、全自動接触角計を用いて徐々に傾けて、物品が滑落し始めたときの物品の表面層と水平面とのなす角度（滑落角）を測定した。判定基準を以下に示す。なお、物品とポリエチレンシートのとの接触面積：６ｃｍ×６ｃｍ、物品に対する荷重：０．９８Ｎの条件で測定した。
◎（優） ：滑落角が５度以上である。
○（良） ：滑落角が２度以上５度未満である。
×（不可）：滑落角が２度未満である。

＜耐摩擦性＞
表面層について、ＪＩＳ Ｌ０８４９：２０１３（ＩＳＯ １０５−Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、セルロース製不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ−３）を荷重：９．８Ｎ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：１万回往復後の水接触角の変化が１０度以下。
○（良） ：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超１５度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１５度超。

＜指紋汚れ除去性＞
人工指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ−３）にて拭き取って、指紋のスタンプを準備した。指紋スタンプを表面層上に乗せ、荷重：９．８Ｎにて１０秒間押しつけた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重：４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復毎にヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ拭き取り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優） ：拭き取り回数が３回以下。
○（良） ：拭き取り回数が４〜５回。
△（可） ：拭き取り回数が６〜８回。
×（不可）：拭き取り回数が９回以上。

化合物（１Ａ）を用いた例９〜１２は、初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐滑り性に優れていることを確認した。

本発明の含フッ素化合物は、潤滑性や撥水撥油性の付与が求められている各種の用途に用いることができる。例えばタッチパネル等の表示入力装置、透明なガラス製又は透明なプラスチック製部材の表面保護コート、キッチン用防汚コート、電子機器、熱交換器、電池等の撥水防湿コートや防汚コート、トイレタリー用防汚コート、導通しながら撥液が必要な部材へのコート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート等に用いることができる。より具体的な使用例としては、ディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの、携帯電話、携帯情報端末等の機器のタッチパネルシートやタッチパネルディスプレイ等人の指あるいは手のひらで画面上の操作を行う表示入力装置を有する各種機器、トイレ、風呂、洗面所、キッチン等の水周りの装飾建材、配線板用防水コーティング熱交換機の撥水・防水コート、太陽電池の撥水コート、プリント配線板の防水・撥水コート、電子機器筐体や電子部品用の防水・撥水コート、送電線の絶縁性向上コート、各種フィルタの防水・撥水コート、電波吸収材や吸音材の防水性コート、風呂、厨房機器、トイレタリー用防汚コート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート、機械部品、真空機器部品、ベアリング部品、自動車部品、工具等の表面保護コートが挙げられる。
なお、２０１８年１１月２８日に出願された日本特許出願２０１８−２２２８７１号の明細書、特許請求の範囲および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (14)

1. 下式（１Ａ）で表される化合物又は下式（１Ｂ）で表される化合物である、含フッ素化合物。
   ［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１［−Ｔ］_ｂ１ ・・・（１Ａ）
   ［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ｑ^２［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−Ｔ］_ｂ２ ・・・（１Ｂ）
   ただし、
   Ｒ^ｆは、フルオロアルキル基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^ｆは、フルオロアルキレン基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
   Ａは、フッ素原子を有しない２価の有機基であり、式（１Ａ）及び式（１Ｂ）における２以上のＡは同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^１は、ａ１＋ｂ１価の有機基であり、
   Ｑ^２は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ^１０は、水素原子又は炭素数１〜６の炭化水素基であり、２以上のＲ^１０は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｔは、−Ｓｉ（Ｒ）_３−ｃ（Ｌ）_ｃであり、
   Ｒは、アルキル基であり、
   Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、
   ａ１は、１以上の整数であり、ａ２は、０以上の整数であり、２以上の［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］は同一であっても異なっていてもよく、
   ａ３は、０又は１であり、ａ２＋ａ３≧１であり、
   ｂ１及びｂ２は、それぞれ２以上の整数であり、２以上のＴは同一であっても異なっていてもよく、
   ｃは、２又は３である。
   ただし、前記式（１Ｂ）で表される化合物において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
2. 前記式（１Ｂ）で表される化合物が、下式（１ＢＸ）で表される化合物である、請求項１に記載の含フッ素化合物。
   ｛［Ｔ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（１ＢＸ）
3. 前記Ｒ^ｆが、下式（ｇ１ａ）で表される基である、請求項１又は２に記載の含フッ素化合物。
   Ｒ^ｆ１−（ＯＲ^ｆ２）_ｍ− ・・・（ｇ１ａ）
   ただし、
   Ｒ^ｆ１は、炭素数１〜６のフルオロアルキル基（ただし、ｍが０の場合、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
   Ｒ^ｆ２は、炭素数１〜６のフルオロアルキレン基（ただし、Ａに結合するＲ^ｆ２のＡ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
   ｍは、０以上の整数であり、ｍが２以上の場合、（ＯＲ^ｆ２）_ｍは２種以上のＯＲ^ｆ２からなるものであってもよい。
4. 前記Ｒ^ｆ及びＱ^ｆの分子量が、それぞれ、５０〜１０００である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の含フッ素化合物。
5. 前記Ａが、−（ＣＨ_２）_ｎ−、−Ｃ（Ｏ）−、−（ＣＨ_２）_ｎ−ＮＨＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−（ＣＨ_２）_ｎ−（ただし、ｎは、１以上の整数である。）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の含フッ素化合物。
6. 前記Ｑ^１が、式（ｇ２−１）で表される基（ただし、ａ１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ１＝ｄ２＋ｄ４である。）、式（ｇ２−２）で表される基（ただし、ａ１＝ｅ１及びｂ１＝ｅ２である。）、式（ｇ２−３）で表される基（ただし、ａ１＝１及びｂ１＝２である。）、式（ｇ２−４）で表される基（ただし、ａ１＝ｈ１及びｂ１＝ｈ２である。）、又は式（ｇ２−５）で表される基（ただし、ａ１＝ｉ１及びｂ１＝ｉ２である。）であり、
   前記Ｑ^２が、式（ｇ２−１）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｄ１＋ｄ３及びｂ２＝ｄ２＋ｄ４である。）、式（ｇ２−２）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｅ１及びｂ２＝ｅ２である。）、式（ｇ２−３）で表される基（ただし、ａ２＋１＝１及びｂ２＝２である。）、式（ｇ２−４）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｈ１及びｂ２＝ｈ２である。）、又は式（ｇ２−５）で表される基（ただし、ａ２＋１＝ｉ１及びｂ２＝ｉ２である。）である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の含フッ素化合物。
   

   

   （−Ｑ^１２−）_ｅ１Ｃ（Ｒ^２）_{４−ｅ１−ｅ２}（−Ｑ^２２−）_ｅ２ ・・・（ｇ２−２）
   −Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２３−）_２ ・・・（ｇ２−３）
   （−Ｑ^１４−）_ｈ１Ｚ（−Ｑ^２４−）_ｈ２ ・・・（ｇ２−４）
   （−Ｑ^１５−）_ｉ１Ｓｉ（Ｒ^３）_{４−ｉ１−ｉ２}（−Ｑ^２５−）_ｉ２ ・・・（ｇ２−５）
   ただし、
   式（ｇ２−１）〜式（ｇ２−５）においては、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４及びＱ^１５側が［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］又は−Ｎ（Ｒ^１０）_１−ａ３（−Ａ−Ｒ^ｆ）_ａ３−の窒素原子に接続し、Ｑ^２２、Ｑ^２３、Ｑ^２４及びはＱ^２５側がＴに接続し、
   Ｑ^１１は、単結合、−Ｏ−、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基であり、
   Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、又はアルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１２を２以上有する場合、２以上のＱ^１２は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^１３は、アルキレン基であり、
   Ｑ^１４は、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^１２であり、Ｑ^１４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^１３であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１４を２以上有する場合、２以上のＱ^１４は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^１５は、アルキレン基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^１５を２以上有する場合、２以上のＱ^１５は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^２２は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２２は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^２３は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２個のＱ^２３は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^２４は、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が炭素原子の場合、Ｑ^２２であり、Ｑ^２４が結合するＺにおける原子が窒素原子の場合、Ｑ^２３であり、２以上のＱ^２４は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｑ^２５は、アルキレン基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、２以上のＱ^２５は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するａ１＋ｂ１価又はａ２＋ｂ２＋１価の環構造を有する基であり、
   Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＲ^１を２以上有する場合、２以上のＲ^１は同一であっても異なっていてもよく、
   Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基であり、
   Ｒ^３は、アルキル基であり、
   ｄ１は、０〜３の整数であり、ｄ２は、０〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、１〜３の整数であり、
   ｄ３は、０〜３の整数であり、ｄ４は、０〜３の整数であり、ｄ３＋ｄ４は、１〜３の整数であり、
   ｄ１＋ｄ３は、１〜４の整数であり、ｄ２＋ｄ４は、２〜５の整数であり、
   ｅ１は、１又は２であり、ｅ２は、２又は３であり、ｅ１＋ｅ２は、３又は４であり、
   ｈ１は、１以上の整数であり、ｈ２は、２以上の整数であり、
   ｉ１は、１又は２であり、ｉ２は、２又は３であり、ｉ１＋ｉ２は、３又は４である。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の含フッ素化合物の１種以上と、他の含フッ素化合物とを含むことを特徴とする含フッ素化合物含有組成物。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の含フッ素化合物又は請求項７に記載の含フッ素化合物含有組成物と、
   液状媒体とを含むことを特徴とするコーティング液。
9. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の含フッ素化合物又は請求項７に記載の含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を基材の表面に有することを特徴とする物品。
10. タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に前記表面層を有する、請求項９に記載の物品。
11. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の含フッ素化合物又は請求項７に記載の含フッ素化合物含有組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素化合物又は前記含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
12. ウェットコーティング法によって請求項８に記載のコーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素化合物又は前記含フッ素化合物含有組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成することを特徴とする物品の製造方法。
13. 下式（２Ａ）で表される化合物又は下式（２Ｂ）で表される化合物である、含フッ素化合物。
    ［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ１Ｑ^１０［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ１ ・・・（２Ａ）
    ［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−Ｑ^ｆ−Ａ−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ｑ^２０［−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）_２］_ａ２［−ＣＨ＝ＣＨ_２］_ｂ２ ・・・（２Ｂ）
    ただし、
    Ｒ^ｆは、フルオロアルキル基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、式（２Ａ）及び式（２Ｂ）における２以上のＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、
    Ｑ^ｆは、フルオロアルキレン基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）、又は炭素数２以上のフルオロアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｏ−を有する基（ただし、Ａ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、
    Ａは、フッ素原子を有しない２価の有機基であり、式（２Ａ）及び式（２Ｂ）における２以上のＡは同一であっても異なっていてもよく、
    Ｑ^１０は、ａ１＋ｂ１価の有機基であり、
    Ｑ^２０は、ａ２＋ｂ２＋１価の有機基であり、２個のＱ^２０は同一であっても異なっていてもよく、
    ａ１は、１以上の整数であり、ａ２は、０以上の整数であり、２以上の［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］は同一であっても異なっていてもよく、
    ｂ１及びｂ２は、それぞれ２以上の整数である。
    ただし、前記式（２Ｂ）で表される化合物において、Ｑ^ｆを介して連結された２つの１価の基は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
14. 前記式（２Ｂ）で表される化合物が、下式（２ＢＸ）で表される化合物である、請求項１３に記載の含フッ素化合物。
    ｛［ＣＨ_２＝ＣＨ−］_ｂ２［（Ｒ^ｆ−Ａ−）_２Ｎ−］_ａ２Ｑ^２０−Ｎ（−Ａ−Ｒ^ｆ）−Ａ−｝_２Ｑ^ｆ ・・・（２ＢＸ）