JPWO2019208503A1

JPWO2019208503A1 - 含フッ素エーテル化合物、それを含む組成物、コーティング液及び物品

Info

Publication number: JPWO2019208503A1
Application number: JP2020516346A
Authority: JP
Inventors: 啓吾松浦; 村田　浩一; 浩一村田; 古川　豊; 豊古川; 星野　泰輝; 泰輝星野; 誠人宇野; 英一郎安樂
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 2018-04-26
Filing date: 2019-04-22
Publication date: 2021-04-30
Also published as: WO2019208503A1

Abstract

従来と同様に指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、従来に比べ耐光性が更に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物の提供。ポリフルオロポリエーテル鎖及び下記Ｘで表される基を有し、好ましくは、（Ｇ１−）ｔＱ１（−Ｘ）ｓ又は（Ｘ−）ｓＱ２−Ｇ２−Ｑ２（−Ｘ）ｓで表される、含フッ素エーテル化合物。但し、Ｇ１は１価のポリフルオロポリエーテル鎖、Ｇ２は２価のポリフルオロポリエーテル鎖、Ｑ１はｓ＋ｔ価の有機基、Ｑ２はｓ＋１価の有機基、ｓは１以上の整数、ｔは１以上の整数、Ｘは−Ｓｉ（Ｒ１）３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ２）２）ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ３）３−ｃ（Ｌ）ｃ］ａ、Ｒ１はアルキル基であり、Ｒ２はアルキル基等、Ｒ３はアルキル基、Ｌは加水分解性基又は水酸基、ａは２又は３、ｂは０〜５の整数、ｃは２又は３である。

Description

本発明は、含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル組成物、コーティング液、物品、その製造方法、及び反応性シリル基含有化合物に関する。

ペルフルオロポリエーテル鎖を有する含フッ素エーテル化合物は、高い潤滑性、撥水撥油性等を示す表面層を基材の表面に形成できるため、表面処理剤に好適に用いられる。含フッ素エーテル化合物を含む表面処理剤は、表面層が指で繰り返し摩擦されても撥水撥油性が低下しにくい性能（耐摩擦性）及び拭き取りによって表面層に付着した指紋を容易に除去できる性能（指紋汚れ除去性）が長期間維持されることが求められる用途、例えば、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材、メガネレンズ、ウェアラブル端末のディスプレイの表面処理剤として用いられる。

耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物としては、ペルフルオロポリエーテル鎖の一方又は両方の末端に連結基を介して１個の加水分解性シリル基を導入した含フッ素エーテル化合物が提案されている（特許文献１）。しかし、特許文献１に記載の含フッ素エーテル化合物を用いて形成された表面層は、耐摩擦性が不充分である。

耐摩擦性が更に優れる表面層を基材の表面に形成できる含フッ素エーテル化合物としては、下記のものが提案されている。
ペルフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に炭素原子による分岐点を有する連結基を介して３個の加水分解性シリル基を導入した含フッ素エーテル化合物（特許文献２）。
ペルフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に窒素原子による分岐点を有する連結基を介して２個の加水分解性シリル基を導入した含フッ素エーテル化合物（特許文献３）。

国際公開第２０１３／１２１９８６号国際公開第２０１７／０３８８３０号国際公開第２０１７／０３８８３２号

特許文献２、３に記載の含フッ素エーテル化合物は、指紋汚れ除去性及び耐摩擦性に加え、耐光性にも優れる。最近では、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材等の表面層には、耐光性のさらなる向上が求められることがある。そのため、指紋汚れ除去性及び耐摩擦性を維持しつつ、耐光性が更に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物が必要となることがある。

本発明は、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を形成できる含フッ素エーテル化合物、含フッ素エーテル化合物を含む含フッ素エーテル組成物及びコーティング液、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を有する物品及びその製造方法の提供を目的とする。
また、本発明は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の原料として有用な反応性シリル基含有化合物の提供を目的とする。

本発明は、上記目的を達成するものであり、下記の態様を有する。
［１］ポリフルオロポリエーテル鎖及び下式ｇ１で表される基を有する、含フッ素エーテル化合物。
−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式ｇ１
但し、Ｒ^１は、アルキル基であり、Ｒ^２は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２つのＲ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^３は、アルキル基であり、Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、ａは、２又は３であり、２以上の［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］は同一であっても異なっていてもよく、ｂは、０〜５の整数であり、ｂが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）は同一であっても異なっていてもよく、ｃは、２又は３である。
［２］前記含フッ素エーテル化合物が、下式１ａで表される化合物である、［１］の含フッ素エーテル化合物。
（Ｇ^１−）_ｔＱ^１（−Ｘ）_ｓ式１ａ
但し、Ｇ^１は、１価のポリフルオロポリエーテル鎖であり、Ｑ^１は、ｓ＋ｔ価の有機基であり、Ｘは、前記式ｇ１で表される基であり、ｓは、１以上の整数であり、ｓが２以上の場合、２以上のＸは同一であっても異なっていてもよく、ｔは、１以上の整数であり、ｔが２以上の場合、２以上のＧ^１は同一であっても異なっていてもよい。
［３］前記Ｇ^１が、下式ｇ２−１で表される基である、［２］の含フッ素エーテル化合物。
Ａ−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−１
但し、Ａは、炭素数１〜２０のポリフルオロアルキル基（但し、末端にＣＦ_３−を有する。）であり、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２は、フルオロアルキレン基（但し、Ｑ^１側の末端の炭素原子及びＯ（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、２〜５００の整数であり、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍは炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏからなるものであってもよい。
［４］前記ｔが１であり、前記Ｑ^１が、式ｇ３−１で表される基（但し、ｓ＝１である。）、式ｇ３−２で表される基（但し、ｓ＝ｄである。）、式ｇ３−３で表される基（但し、ｓ＝２である。）、式ｇ３−４で表される基（但し、ｓ＝ｅである。）、式ｇ３−５で表される基（但し、ｓ＝ｎである。）、式ｇ３−６で表される基（但し、ｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、式ｇ３−７で表される基（但し、ｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は式ｇ３−８で表される基（但し、ｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）である、［２］又は［３］の含フッ素エーテル化合物。
−Ｑ^１１− 式ｇ３−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１−）_ｄ式ｇ３−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２式ｇ３−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ式ｇ３−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ式ｇ３−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１−）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｄ２式ｇ３−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｈ式ｇ３−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｅ２式ｇ３−８
但し、式ｇ３−２〜式ｇ３−８においては、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３又はＱ^１４側がＧ^１に接続し、Ｑ^２１側がＸに接続する。式ｇ３−２〜式ｇ３−８における各記号の意味は後記するとおりである。
［６］前記Ｇ^２が、下式ｇ２−２で表される基である、［５］の含フッ素エーテル化合物。
−Ｒ^ｆ２−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−２
但し、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２は、フルオロアルキレン基（但し、Ｑ^２側の末端の炭素原子及びＯ（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、２〜５００の整数であり、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍは炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏからなるものであってもよい。
［７］前記ｔが１であり、前記Ｑ^２が、式ｇ３−１で表される基（但し、ｓ＝１である。）、式ｇ３−２で表される基（但し、ｓ＝ｄである。）、式ｇ３−３で表される基（但し、ｓ＝２である。）、式ｇ３−４で表される基（但し、ｓ＝ｅである。）、式ｇ３−５で表される基（但し、ｓ＝ｎである。）、式ｇ３−６で表される基（但し、ｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、式ｇ３−７で表される基（但し、ｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は式ｇ３−８で表される基（但し、ｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）である、［５］又は［６］の含フッ素エーテル化合物。
−Ｑ^１１− 式ｇ３−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１−）_ｄ式ｇ３−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２式ｇ３−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ式ｇ３−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ式ｇ３−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１−）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｄ２式ｇ３−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｈ式ｇ３−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｅ２式ｇ３−８
但し、式ｇ３−２〜式ｇ３−８においては、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３又はＱ^１４側がＧ^２に接続し、Ｑ^２１側がＸに接続する。式ｇ３−２〜式ｇ３−８における各記号の意味は後記するとおりである。
［８］前記［１］〜［７］のいずれかの含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む含フッ素エーテル組成物。
［９］前記［１］〜［７］のいずれかの含フッ素エーテル化合物又は前記［８］の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含むコーティング液。
［１０］前記［１］〜［７］のいずれかの含フッ素エーテル化合物又は前記［８］の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する物品。
［１１］前記表面層を、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に有する、［１０］の物品。
［１２］前記［１］〜［７］のいずれかの含フッ素エーテル化合物又は前記［８］の含フッ素エーテル組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素エーテル化合物又は前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成する物品の製造方法。
［１３］前記［９］のコーティング液を、ウェットコーティング法によって基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素エーテル化合物又は前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成する物品の製造方法。
［１４］下式２で表される化合物である、反応性シリル基含有化合物。
Ｈ−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式２
但し、Ｒ^１は、アルキル基であり、Ｒ^２は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２つのＲ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^３は、アルキル基であり、Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、ａは、２又は３であり、２以上の［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］は同一であっても異なっていてもよく、ｂは、０〜５の整数であり、ｂが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）は同一であっても異なっていてもよく、ｃは、２又は３である。

本発明の含フッ素エーテル化合物によれば、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を形成できる。
本発明の含フッ素エーテル組成物によれば、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を形成できる。
本発明のコーティング液によれば、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を形成できる。
本発明の物品は、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を有する。
本発明の物品の製造方法によれば、指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、耐光性が更に優れる表面層を有する物品を製造できる。
本発明の反応性シリル基含有化合物は、表面処理剤に好適に用いられる含フッ素エーテル化合物の原料として有用である。

本明細書における用語の意味、及び記載の仕方は下記のとおりである。
「式１ａで表される化合物」を化合物１ａと記す。他の式で表される化合物もこれに準じて記す。「式ｇ１で表される基」を基ｇ１と記す。他の式で表される基もこれに準じて記す。
オキシフルオロアルキレン単位の化学式は、その酸素原子をフルオロアルキレン基の右側に記載して表すものとする。
「加水分解性シリル基」とは、加水分解反応してシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）を形成し得る基を意味する。加水分解性シリル基又はシラノール基は、例えば式ｇ１中の（−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ）である。以下、加水分解性シリル基及びシラノール基をまとめて「反応性シリル基」とも記す。

「表面層」とは、基材の表面に形成される層を意味する。
含フッ素エーテル化合物の「数平均分子量（Ｍｎ）」は、^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１９Ｆ−ＮＭＲによって、末端基を基準にしてオキシペルフルオロアルキレン単位の数（平均値）を求めて算出される。末端基は、例えば式ｇ２−１中のＡ又は式ｇ１中のＳｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃである。
数値範囲を示す「〜」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。

［含フッ素エーテル化合物］
本発明の含フッ素エーテル化合物は、ポリフルオロポリエーテル鎖及び下式ｇ１で表される基を有する。特に本発明の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１ａ又は化合物１ｂ（以下、化合物１ａ及び化合物１ｂをまとめて「化合物１」とも記す。）が好ましい。ポリフルオロポリエーテル鎖は、フッ素原子を有するポリエーテル鎖（ポリ（オキシアルキレン）鎖）であり、その価数は、１価又は２価が好ましい。
−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式ｇ１
但し、Ｒ^１は、アルキル基であり、Ｒ^２は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２つのＲ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^３は、アルキル基であり、Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、ａは、２又は３であり、２以上の［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］は同一であっても異なっていてもよく、ｂは、０〜５の整数であり、ｂが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）は同一であっても異なっていてもよく、ｃは、２又は３である。
（Ｇ^１−）_ｔＱ^１（−Ｘ）_ｓ式１ａ
（Ｘ−）_ｓＱ^２−Ｇ^２−Ｑ^２（−Ｘ）_ｓ式１ｂ
但し、Ｇ^１は、１価のポリフルオロポリエーテル鎖であり、Ｇ^２は、２価のポリフルオロポリエーテル鎖であり、Ｑ^１は、ｓ＋ｔ価の有機基であり、Ｑ^２は、ｓ＋１価の有機基であり、式１ｂにおける２つのＱ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｘは、下式ｇ１で表される基であり、ｓは、１以上の整数であり、式１ｂにおける２つのｓは同一であっても異なっていてもよく、ｓが２以上の場合、２以上のＸは同一であっても異なっていてもよく、ｔは、１以上の整数であり、ｔが２以上の場合、２以上のＧ^１は同一であっても異なっていてもよい。

化合物１は、少なくとも片側の末端に反応性シリル基を複数個有する。末端に反応性シリル基を複数個有する化合物１は、基材と強固に化学結合するため、表面層の耐摩擦性に優れる。
また、化合物１としては、一方の末端のみに反応性シリル基を有する化合物１ａが好ましい。一方の末端のみに反応性シリル基を有する化合物１ａは凝集しにくいため、表面層の外観に優れる。また、表面層の潤滑性及び耐摩擦性にも優れる。

ｓは、化合物１を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１〜６が好ましく、１〜４がより好ましく、１〜３が特に好ましい。
ｔは、化合物１ａを製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１〜６が好ましく、１〜４がより好ましく、１が特に好ましい。

Ｘは、後述する本発明の反応性シリル基含有化合物（化合物２）に由来する基である。
Ｒ^１のアルキル基の炭素数は、化合物２を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^２のアルキル基の炭素数は、化合物２を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^２のアルコキシ基の炭素数は、化合物１の保存安定性に優れる点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^３のアルキル基の炭素数は、化合物２を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。

Ｌの加水分解性基は、加水分解反応によって水酸基となる基である。すなわち、Ｓｉ−Ｌは、加水分解反応によってシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）となる。シラノール基は、更に分子間で脱水縮合反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成する。また、シラノール基は、基材の表面の水酸基（基材−ＯＨ）と脱水縮合反応して、化学結合（基材−Ｏ−Ｓｉ）を形成する。
加水分解性基としては、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基、イソシアナート基等が挙げられる。アルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。
Ｌとしては、化合物１を製造しやすい点から、アルコキシ基又はハロゲン原子が好ましい。Ｌとしては、塗布時のアウトガスが少なく、化合物１の保存安定性に優れる点から、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、化合物１の長期の保存安定性が必要な場合にはエトキシ基が特に好ましく、コーティング後の反応時間を短時間とする場合にはメトキシ基が特に好ましい。

ａは、２又は３が好ましい。
ｂは、０又は１が好ましい。
ｃは、表面層と基材との密着性がより強固になる点から、３が特に好ましい。
化合物１中の複数のＳｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃは、同一であっても異なっていてもよい。化合物１を製造しやすい点から、同一の基であることが好ましい。

Ｇ^１及びＧ^２のポリフルオロポリエーテル鎖は、複数のフッ素原子及び複数のエーテル性酸素原子を有する有機基である。ポリフルオロポリエーテル鎖は、通常、オキシペルフルオロアルキレン単位を有する。Ｇ^１としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、１価のペルフルオロポリエーテル鎖が好ましい。Ｇ^２としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、２価のペルフルオロポリエーテル鎖が好ましい。

Ｇ^１としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、基ｇ２−１が好ましい。Ｇ^２としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、基ｇ２−２が好ましい。
Ａ−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−１
−Ｒ^ｆ２−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−２
但し、Ａは、炭素数１〜２０のポリフルオロアルキル基（但し、末端にＣＦ_３−を有する。）であり、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２は、フルオロアルキレン基（但し、Ｑ^１又はＱ^２側の末端の炭素原子及びＯ（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、２〜５００の整数であり、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍは炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏからなるものであってもよい。

Ａとしては、表面層の潤滑性及び耐摩擦性が更に優れる点から、炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基が好ましい。Ａがペルフルオロアルキル基である化合物１は、Ａが末端にＣＦ_３−を有するため、化合物１ａの一方の末端がＣＦ_３−となり、他方の末端が反応性シリル基となる。一方の末端がＣＦ_３−であり、他方の末端が反応性シリル基である化合物１ａによれば、低表面エネルギーの表面層を形成できるため、両末端に反応性シリル基を有する化合物１ｂよりも、表面層の潤滑性及び耐摩擦性が更に優れる。
Ａのペルフルオロアルキル基の炭素数は、化合物１ａによって形成される表面層の潤滑性及び耐摩擦性が更に優れる点から、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜３が特に好ましい。

Ｒ^ｆ１の炭素数は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が更に優れる点から、１〜６が好ましい。Ｒ^ｆ１としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、直鎖のフルオロアルキレン基が好ましい。Ｒ^ｆ１としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。
全Ｒ^ｆ１のうちのペルフルオロアルキレン基の割合は、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、１００モル％が特に好ましい。

ｍは、２〜２００の整数が好ましく、５〜１５０の整数がより好ましく、１０〜１００の整数が特に好ましい。ｍが前記範囲の下限値以上であれば、表面層の撥水撥油性が更に優れる。ｍが前記範囲の上限値以下であれば、表面層の耐摩擦性が更に優れる。すなわち、化合物１の数平均分子量が大きすぎると、単位分子量あたりに存在する反応性シリル基の数が減少し、表面層の耐摩擦性が低下する。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍにおいて、２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在する場合、各Ｒ^ｆ１Ｏの結合順序は限定されない。例えば、ＣＦ_２ＯとＣＦ_２ＣＦ_２Ｏが存在する場合、ＣＦ_２ＯとＣＦ_２ＣＦ_２Ｏがランダム、交互、ブロックに配置されてもよい。
２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在するとは、炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在すること、水素原子数が異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在すること、水素原子の位置が異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在すること、及び、炭素数が同一であっても側鎖の有無や側鎖の種類（側鎖の数や側鎖の炭素数等）が異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏが存在することをいう。
２種以上のＲ^ｆ１Ｏの配置については、例えば、｛（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ２｝で表される構造は、ｍ１個の（ＣＦ_２Ｏ）とｍ２個の（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とがランダムに配置されていることを表す。また、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ５で表される構造は、ｍ５個の（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とｍ５個の（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とが交互に配置されていることを表す。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍとしては、下記の構造を有するものが好ましい。
｛（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ２｝、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ３、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ４、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ５、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ６（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ７、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ６（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ７、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ６（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ７、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ６（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ７、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８。
但し、ｍ１は１以上の整数であり、ｍ２は１以上の整数であり、ｍ１＋ｍ２は２〜５００の整数であり、ｍ３及びｍ４は、それぞれ、２〜５００の整数であり、ｍ５は、１〜２５０の整数であり、ｍ６及びｍ７は、それぞれ１以上の整数であり、ｍ６＋ｍ７は、２〜５００の整数であり、ｍ８は、１〜２５０の整数である。

（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍとしては、化合物１を製造しやすい点から、下記のものが好ましい。
｛（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ２｝、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ４、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_２｛（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ２−２｝、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ５−１ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８−１ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ、
（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ８−１ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ。
但し、ｍ２−２、ｍ５−１及びｍ８−１については、１以上の整数となるように、ｍ２、ｍ５及びｍ８の数が選択される。
特に｛（ＣＦ_２Ｏ）_ｍ１（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ２｝において、ｍ２／ｍ１は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が更に優れる点から、０．１〜１０が好ましく、０．２〜５．０がより好ましく、０．２〜２．０が更に好ましく、０．２〜１．５が特に好ましく、０．２〜０．８５が最も好ましい。

Ｒ^ｆ２の炭素数は、表面層の耐摩擦性及び指紋汚れ除去性が更に優れる点から、１〜８が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜５が特に好ましい。Ｒ^ｆ２としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、直鎖のフルオロアルキレン基が好ましい。
Ｒ^ｆ２としては、表面層の耐摩擦性及び潤滑性が更に優れる点から、ペルフルオロアルキレン基が好ましい。Ｒ^ｆ２の構造は、化合物１を製造する際の原料及び合成方法に依存する。

Ｑ^１及びＱ^２は、直鎖状又は分岐状の連結基である。
Ｑ^１及びＱ^２の有機基は、Ｃ、Ｎ、Ｓｉ及び後述する環構造からなる群から選ばれる少なくとも１種の分岐点（以下、「分岐点Ｐ」と記す。）を有していてもよい。
Ｑ^１及びＱ^２の有機基は、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＮＲ−、−Ｓ−、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｏ−、−ＮＨＣ（Ｏ）ＮＲ−、−ＳＯ_２ＮＲ−及び−Ｓｉ（Ｒ）_２−（但し、Ｒは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基である。）からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合（以下、「結合Ｂ」と記す。）を有していてもよい。結合Ｂとしては、化合物１を製造しやすい点から、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ−、−Ｃ（Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選ばれる少なくとも１種の結合が好ましく、表面層の耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ−又は−Ｃ（Ｏ）−が特に好ましい。
Ｑ^１及びＱ^２としては、炭化水素基のみ、炭化水素基と分岐点Ｐとの組み合わせ、炭化水素基と結合Ｂとの組み合わせ、又は炭化水素基と分岐点Ｐと結合Ｂとの組み合わせが挙げられる。炭化水素基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が特に好ましい。

Ｑ^１（但し、ｔ＝１である。）及びＱ^２としては、化合物１を製造しやすい点から、基ｇ３−１（但し、ｓ＝１である。）、基ｇ３−２（但し、ｓ＝ｄである。）、基ｇ３−３（但し、ｓ＝２である。）、基ｇ３−４（但し、ｓ＝ｅである。）、基ｇ３−５（但し、ｓ＝ｎである。）、基ｇ３−６（但し、ｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、基ｇ３−７（但し、ｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は基ｇ３−８（但し、ｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）が好ましい。

−Ｑ^１１− 式ｇ３−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１−）_ｄ式ｇ３−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２式ｇ３−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ式ｇ３−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ式ｇ３−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１−）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｄ２式ｇ３−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｈ式ｇ３−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｅ２式ｇ３−８

但し、式ｇ３−２〜式ｇ３−８においては、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３又はＱ^１４側がＧ^１に接続するか（式（１ａ）の場合）、又はＧ^２に接続し（式（１ｂ）の場合）、Ｑ^２１側がＸに接続し、Ｑ^１１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＨ−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^１もしくはＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^１もしくはＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^１３は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^１もしくはＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^１もしくはＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^１４は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^１５は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、Ｑ^２１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基であり、Ｑ^１又はＱ^２がＱ^２１を２以上有する場合、２以上のＱ^２１は同一であっても異なっていてもよく、Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２１が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｅ＋１価の環構造を有する基であり、Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、水酸基、フッ素原子又はフルオロアルキル基であり、Ｒ^５は、アルキル基であり、ｄは、２又は３であり、ｅは、１以上の整数であり、ｎは、２又は３であり、ｄ１は、０〜２の整数であり、ｄ２は、１〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、２又は３であり、ｄ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｈは、１又は２であり、ｈが２の場合、２個の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｅ１は、０以上の整数であり、ｅ２は、１以上の整数であり、ｅ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよい。

Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５又はＱ^２１のアルキレン基の炭素数は、化合物１を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が特に好ましい。但し、炭素−炭素原子間に特定の結合を有する場合のアルキレン基の炭素数の下限値は２である。

Ｚにおける環構造としては、化合物１を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、３〜８員環の脂肪族環、３〜８員環の芳香族環、３〜８員環のヘテロ環、及びこれらの環のうちの２つ以上からなる縮合環からなる群から選ばれる１種が好ましく、下式に挙げられる環構造が特に好ましい。

Ｚにおける環構造は、ハロゲン原子、アルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を含んでいてもよい。）、シクロアルキル基、アルケニル基、アリル基、アルコキシ基、オキソ基（＝Ｏ）等の置換基を有してもよい。なお、Ｚにおける環構造にはＱ^１４やＱ^２１が直接結合するため、環構造に例えばアルキレン基が連結して、そのアルキレン基にＱ^１４やＱ^２１が連結することはない。

ｅ又は（ｅ１＋ｅ２）は、化合物１を製造しやすい点、及び表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる点から、２〜６が好ましく、２〜４がより好ましく、２又は３が特に好ましい。ｅ又は（ｅ１＋ｅ２）が２以上であれば、化合物１が強固に基材の表面に結合し、表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる。ｅ又は（ｅ１＋ｅ２）が６以下であれば、原料を入手しやすくなり、化合物１を製造しやすい。また、化合物１の反応性シリル基側の末端が嵩高くならないため、基材の表面における化合物１の密度が比較的高くなる。その結果、表面層の耐摩擦性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる。

Ｒ^４のアルキル基の炭素数は、化合物１を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^４のフルオロアルキル基の炭素数は、化合物１を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^５のアルキル基の炭素数は、化合物１を製造しやすい点から、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。

化合物１としては、例えば、下式の化合物が挙げられる。下式の化合物は、工業的に製造しやすく、取扱いやすく、表面層の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、潤滑性、耐薬品性、耐光性及び耐薬品性が更に優れ、なかでも耐光性が特に優れる点から好ましい。下式の化合物におけるＧ^１の好ましい形態は、上述した基ｇ２−１において好ましいＡ、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ及びＲ^ｆ２を組み合わせたものとなる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−１である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−２である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−３である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−４である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−５である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

ｔが１であり、Ｑ^１が基ｇ３−６である化合物１ａとしては、下式の化合物が挙げられる。

（化合物１の製造方法）
化合物１は、例えば、本発明の反応性シリル基含有化合物である化合物２と、化合物３ａ又は化合物３ｂ（以下、化合物３ａ及び化合物３ｂをまとめて「化合物３」とも記す。）とをヒドロシリル化反応させる方法によって製造できる。
Ｈ−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式２
但し、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｌ、ａ、ｂ及びｃは、化合物１で説明したＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｌ、ａ、ｂ及びｃと同じであり、好ましい形態も同様である。

（Ｇ^１−）_ｔＱ^１０（−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｓ式３ａ
（ＣＨ_２＝ＣＨ−）_ｓＱ^２０−Ｇ^２−Ｑ^２０（−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｓ式３ｂ
但し、Ｇ^１、Ｇ^２、ｓ及びｔは、化合物１で説明したＧ^１、Ｇ^２、ｓ及びｔと同じであり、好ましい形態も同様である。
Ｑ^１０（−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｓは、ヒドロシリル化後に化合物１ａにおけるＱ^１となる。
Ｑ^２０（−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｓは、ヒドロシリル化後に化合物１ｂにおけるＱ^２となる。

Ｑ^１０（但しｔ＝１である。）及びＱ^２０としては、化合物２を製造しやすい点から、基ｇ４−１（但しｓ＝１である。）、基ｇ４−２（但しｓ＝ｄである。）、基ｇ４−３（但しｓ＝２である。）、基ｇ４−４（但しｓ＝ｅである。）、基ｇ４−５（但しｓ＝ｎである。）、基ｇ４−６（但しｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、基ｇ４−７（但しｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は基ｇ４−８（但しｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）が好ましい。

−Ｑ^１１０−ＣＨ＝ＣＨ_２式ｇ４−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｄ式ｇ４−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_２式ｇ４−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｅ式ｇ４−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ式ｇ４−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ］_ｄ２式ｇ４−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ］_ｈ式ｇ４−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２）_ｎ］_ｅ２式ｇ４−８

但し、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５、Ｚ、Ｒ^４、Ｒ^５、ｄ、ｅ、ｎ、ｄ１、ｄ２、ｈ、ｅ１及びｅ２は、基３−１〜基３−８で説明したＱ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３、Ｑ^１４、Ｑ^１５、Ｚ、Ｒ^４、Ｒ^５、ｄ、ｅ、ｎ、ｄ１、ｄ２、ｈ、ｅ１及びｅ２と同じであり、好ましい形態も同様である。
Ｑ^１１０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に式ｇ３−１におけるＱ^１１となる。
Ｑ^２１０−ＣＨ＝ＣＨ_２は、ヒドロシリル化後に式ｇ３−２〜式ｇ３−８におけるＱ^２１となる。

（化合物２の製造方法）
化合物２は、例えば、下記のようにして製造できる。
化合物４と化合物５とを反応させて化合物２ａを得る。
Ｈ−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^６）_３］_ａ式４
ＣｌＳｉ（ＯＲ^７）_３式５
Ｈ−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（ＯＲ^７）_３］_ａ式２ａ

但し、Ｒ^６は、アルキル基であり、Ｒ^７は、アルキル基である。Ｒ^６のアルキル基の炭素数は、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。Ｒ^７のアルキル基の炭素数は、１〜６が好ましく、１〜３がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、ａ及びｂは、化合物１で説明したＲ^１、Ｒ^２、ａ及びｂと同じであり、好ましい形態も同様である。

化合物４は、例えば、化合物４−１（１，１，１，３，５，５，５−ヘプタメチルトリシロキサン）、化合物４−２（トリス(トリメチルシリルオキシ）シラン）として東京化成工業社、シグマアルドリッチ社等から入手できる。
Ｈ−Ｓｉ（ＣＨ_３）［−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３］_２式４−１
Ｈ−Ｓｉ［−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ_３）_３］_３式４−２
化合物５は、例えば、化合物５−１（クロロトリエトキシシラン）として東京化成工業社、シグマアルドリッチ社等から入手できる。
ＣｌＳｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３式５−１

（化合物３の製造方法）
Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−１である化合物３は、例えば、日本特開２０１２−０７２２７２号公報、国際公開第２０１３／１２１９８４号、特許文献１に記載の方法によって製造できる。
Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−２である化合物３は、例えば、日本特開２０１５−１９９９０６号公報（ｄ＝２、Ｒ^４＝水酸基）、日本特開２０１６−２０４６５６号公報（ｄ＝３）、特許文献２（ｄ＝３）、日本特開２０１９−０４４１５８号の明細書（ｄ＝２、Ｒ^４＝水素原子、アルキル基、フッ素原子又はフルオロアルキル基）に記載の方法によって製造できる。

Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−３である化合物３は、例えば、特許文献３に記載の方法によって製造できる。Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−４である化合物３は、例えば、国際公開第２０１９／０３９１８６号の明細書に記載の方法によって製造できる。Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−５である化合物３は、例えば、日本特開２０１６−０３７５４１号公報に記載の方法によって製造できる。Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−６である化合物３は、例えば、日本特願２０１７−２５１６１１号の明細書に記載の方法によって製造できる。Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−７である化合物３は、例えば、日本特願２０１７−２５１６１１号の明細書に記載の方法によって製造できる。Ｑ^１０又はＱ^２０が基ｇ４−８である化合物３は、例えば、日本特願２０１７−２５１６１１号の明細書に記載の方法によって製造できる。

以上説明した化合物１にあっては、下記の理由から、指紋汚れ除去性、耐摩擦性及び耐光性に優れる表面層を形成できる。
化合物１は、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍを有するため、フッ素原子の含有量が多い。そのため、化合物１は、耐摩擦性及び指紋汚れ除去性に優れる表面層を形成できる。また、化合物１は、複数個の反応性シリル基（Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ）を有するＸを末端に有するため、基材との結合部位が多くなり、基材と強固に結合する。そのため、化合物１は、耐摩擦性に優れる表面層を形成できる。
更に、化合物１は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するＸを末端に有する。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合はＣ−Ｃ結合に比べ耐酸化性が高いため、Ｃ−Ｃ結合が比較的少なくなるＸの耐酸化性は高い。そのため、従来と同様に指紋汚れ除去性、耐摩擦性に優れ、従来に比べ耐光性が更に優れる表面層を形成できる。

［含フッ素エーテル組成物］
本発明の含フッ素エーテル組成物（以下、「本組成物」とも記す。）は、化合物１の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む。
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１の製造工程で副生する含フッ素エーテル化合物（以下、「副生含フッ素エーテル化合物」とも記す。）や、化合物１と同様の用途に用いられる公知の含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。
他の含フッ素エーテル化合物としては、化合物１の特性を低下させるおそれが少ない化合物が好ましい。

副生含フッ素エーテル化合物としては、未反応の化合物３、化合物１の製造におけるヒドロシリル化の際にアリル基の一部がインナーオレフィンに異性化した含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。
公知の含フッ素エーテル化合物としては、市販の含フッ素エーテル化合物等が挙げられる。本組成物が公知の含フッ素エーテル化合物を含む場合、化合物１の特性を補う等の新たな作用効果が発揮される場合がある。

化合物１の含有量は、本組成物のうち、６０質量％以上１００質量％未満が好ましく、７０質量％以上１００質量％未満がより好ましく、８０質量％以上１００質量％未満が特に好ましい。
他の含フッ素エーテル化合物の含有量は、本組成物のうち、０質量％超４０質量％以下が好ましく、０質量％超３０質量％以下がより好ましく、０質量％超２０質量％以下が特に好ましい。
化合物１の含有量及び他の含フッ素エーテル化合物の含有量の合計は、本組成物のうち、８０〜１００質量％が好ましく、８５〜１００質量％が特に好ましい。該合計が前記範囲内であれば、表面層の初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性及び耐薬品性が更に優れる。

本組成物は、化合物１及び他の含フッ素エーテル化合物以外の成分を含んでいてもよい。
他の成分としては、化合物１や公知の含フッ素エーテル化合物の製造工程で生成した副生物（但し、副生含フッ素エーテル化合物を除く。）、未反応の原料等の製造上不可避の化合物が挙げられる。
また、反応性シリル基の加水分解と縮合反応を促進する酸触媒や塩基性触媒等の添加剤が挙げられる。酸触媒としては、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、燐酸、スルホン酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。塩基性触媒としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
他の成分の含有量は、本組成物のうち、０〜９．９９９質量％が好ましく、０〜０．９９質量％が特に好ましい。

［コーティング液］
本発明のコーティング液（以下、「本コーティング液」とも記す。）は、化合物１又は本組成物と液状媒体とを含む。本コーティング液は、溶液であっても分散液であってもよい。
液状媒体としては、有機溶媒が好ましい。有機溶媒は、含フッ素有機溶媒でも非フッ素有機溶媒でもよく、両溶媒を含んでもよい。
含フッ素有機溶媒としては、フッ素化アルカン、フッ素化芳香族化合物、フルオロアルキルエーテル、フッ素化アルキルアミン、フルオロアルコール等が挙げられる。
フッ素化アルカンとしては、炭素数４〜８の化合物が好ましい。市販品としては、Ｃ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−２０００）、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＨＦＣＨＦＣＦ_３（ケマーズ社製、バートレル（登録商標）ＸＦ）等が挙げられる。
フッ素化芳香族化合物としては、ヘキサフルオロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ペルフルオロトルエン、ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン等が挙げられる。

フルオロアルキルエーテルとしては、炭素数４〜１２の化合物が好ましい。市販品としては、ＣＦ_３ＣＨ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ−３０００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７１００）、Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）、Ｃ_２Ｆ_５ＣＦ（ＯＣＨ_３）Ｃ_３Ｆ_７（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７３００）等が挙げられる。
フッ素化アルキルアミンとしては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等が挙げられる。
フルオロアルコールとしては、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。
非フッ素有機溶媒としては、水素原子及び炭素原子のみからなる化合物と、水素原子、炭素原子及び酸素原子のみからなる化合物が好ましく、炭化水素、アルコール、ケトン、エーテル、エステルが挙げられる。
液状媒体は、２種以上を混合した混合媒体であってもよい。

化合物１又は本組成物の含有量は、本コーティング液のうち、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％が特に好ましい。液状媒体の含有量は、本コーティング液のうち、９０〜９９．９９９質量％が好ましく、９９〜９９．９９質量％が特に好ましい。

［物品］
本発明の物品（以下、「本物品」とも記す。）は、化合物１又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に有する。表面層は、化合物１を、化合物１の反応性シリル基の一部又は全部が加水分解反応し、かつ脱水縮合反応した状態で含む。

表面層の厚さは、１〜１００ｎｍが好ましく、１〜５０ｎｍが特に好ましい。該厚さが１ｎｍ以上であれば、表面処理による効果が充分に得られやすい。該厚さが１００ｎｍ以下であれば、利用効率が高い。表面層の厚さは、薄膜解析用Ｘ線回折計（ＲＩＧＡＫＵ社製、ＡＴＸ−Ｇ）を用いて、Ｘ線反射率法によって反射Ｘ線の干渉パターンを得て、干渉パターンの振動周期から算出できる。

基材としては、撥水撥油性の付与が求められている基材が挙げられる。基材の材料としては、金属、樹脂、ガラス、サファイア、セラミック、石、これらの複合材料が挙げられる。ガラスは化学強化されていてもよい。基材の表面にはＳｉＯ_２膜等の下地膜が形成されていてもよい。
基材としては、タッチパネル用基材、ディスプレイ用基材、メガネレンズが好適であり、タッチパネル用基材が特に好適である。タッチパネル用基材の材料としては、ガラス又は透明樹脂が好ましい。

［物品の製造方法］
本物品は、例えば、下記の方法で製造できる。
・化合物１又は本組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、化合物１又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。
・ウェットコーティング法によって本コーティング液を基材の表面に塗布し、乾燥させて、化合物１又は本組成物から形成された表面層を基材の表面に形成する方法。

ドライコーティング法としては、真空蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング等の手法が挙げられる。ドライコーティング法としては、化合物１の分解を抑える点、及び装置の簡便さの点から、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着時には、鉄、鋼等の金属多孔体に化合物１又は本組成物を含浸させたペレット状物質を用いてもよい。本コーティング液を鉄、鋼等の金属多孔体に含浸させ、液状媒体を乾燥させて、化合物１又は本組成物が含浸したペレット状物質を用いてもよい。

ウェットコーティング法としては、スピンコート法、ワイプコート法、スプレーコート法、スキージーコート法、ディップコート法、ダイコート法、インクジェット法、フローコート法、ロールコート法、キャスト法、ラングミュア・ブロジェット法、グラビアコート法等が挙げられる。

以下に実施例を用いて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。以下において「％」は特に断りのない限り「質量％」である。例３、４、８〜１１は実施例であり、例５〜７、１２〜１４は比較例である。

［例１］
（例１−１）
窒素置換した５０ｍＬの３口フラスコに、ビスマス（ＩＩＩ）クロライド（東京化成工業社製）の０．０８９ｇ、アセトニトリルの４．０ｇを入れ、２５℃で撹拌した。３口フラスコ内に、及び化合物５−１の３．５７ｇを滴下し、次いで化合物４−１（東京化成工業社製）の１．０３ｇを滴下した。２５℃で２４時間撹拌した。反応液を濃縮し、析出した固体を濾過によって取り除き、液体を５５℃で減圧乾燥した。更に析出した固体を濾過によって取り除き、液体である化合物２−１の１．０６ｇを得た。

化合物２−１のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ-ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：ＣＨＣｌ_３） δ（ｐｐｍ）：４．７（１Ｈ）、３．８（１２Ｈ）、１．１（１８Ｈ）、０．１（３Ｈ）。

（例１−２）
窒素置換した５０ｍＬのナスフラスコに、例１−１で得た化合物２−１の０．５ｇ、及びメタノールの４ｇを入れ、２５℃で１８時間撹拌した。反応液を濃縮し、化合物２−２の０．３５ｇ得た。

化合物２−２のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：ＣＨＣｌ_３） δ（ｐｐｍ）：４．７（１Ｈ）、３．６（１８Ｈ）、０．１（３Ｈ）。

［例２］
（例２−１）
国際公開第２０１３／１２１９８４号の実施例の例１１−１〜例１１−３に記載の方法にしたがって化合物６−１を得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＦ_２ＯＣ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ_３）ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３式６−１
ｘの平均値：１３、化合物６−１のＭｎ：５，０５０。

（例２−２）
アルミホイルで遮光した５００ｍＬのナスフラスコに、ピリチオンナトリウムの５．８ｇ、１，３−ビストリフルオロメチルベンゼン（ＡＧＣセイミケミカル社製、ＳＲ−ソルベント）の１００ｍＬを入れ、氷冷下で撹拌した。次いで、例２−１で得た化合物６−１の５０．０ｇを入れ、氷冷のまま２時間撹拌した。次いで、ヨウ素の１２．０ｇ、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）の１．８ｇを入れ、遮光していたアルミホイルを取り除き、８５℃で一晩撹拌した。温度を２５℃に戻し、メタノールを入れて撹拌した後、Ｃ_６Ｆ_１３Ｃ_２Ｈ_５（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−６０００）を入れて２層分離し、下層を回収し、溶媒を留去した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物７−１の３９．８ｇを得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｉ式７−１

化合物７−１のＮＭＲスペクトル；
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：ＣＦＣｌ_３） δ（ｐｐｍ）：−５５（３Ｆ）、−５８（２Ｆ）、−８３（５０Ｆ）、−８８（５２Ｆ）、−９０（２Ｆ）、−１１６（２Ｆ）、−１２５（５２Ｆ）。
ｘの平均値：１３。

（例２−３）
１００ｍＬのナスフラスコに、例２−２で得た化合物７−１の１０ｇ、ＳＲソルベントの１０ｇを入れ、２５℃で撹拌した。次いで、アリルトリブチルスズ（東京化成工業社製）の４ｇ、及びアゾビスイソブチロニトリルの０．０４ｇを入れ、９０℃で２１時間撹拌した。２５℃に戻し、水で洗浄した後、ヘキサンで再沈した。得られた固体をＣ_６Ｆ_１３Ｈ（ＡＧＣ社製、アサヒクリン（登録商標）ＡＣ−２０００）に溶解し、硫酸マグネシウムで脱水した後、固体を濾過で取り除き、液体を濃縮した。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物３−１の８．５ｇ得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２式３−１

化合物３−１のＮＭＲスペクトル；
^１Ｈ−ＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：ＣＨＣｌ_３） δ（ｐｐｍ）：６．０（１Ｈ）、５．５（２Ｈ）、３．０（２Ｈ）。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ_３、基準：Ｃ_６Ｆ_６） δ（ｐｐｍ）：−５５（３Ｆ）、−８３（５０Ｆ）、−８８（５２Ｆ）、−９０（２Ｆ）、−１１４（２Ｆ）、−１２５（５２Ｆ）。
ｘの平均値：１３。

［例３］
５０ｍＬのナスフラスコに、例２−３で得た化合物３−１の２．０ｇ、例１−１で得た化合物２−１の０．２５ｇ、アニリンの０．００２４ｇ、ＡＣ−６０００の２．０ｇ、及び白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の０．００６７ｇを入れ、６０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、化合物１−１の２．１ｇを得た。

ｘの平均値：１３。

［例４］
５０ｍＬのナスフラスコに、例２−３で得た化合物３−１の２．０ｇ、例１−２で得た化合物２−２の０．２０ｇ、アニリンの０．００２４ｇ、ＡＣ−６０００の２．０ｇ、及び白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の０．００６７ｇを入れ、６０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、化合物１−２の２．０ｇを得た。

ｘの平均値：１３。

［例５］
５０ｍＬのナスフラスコに、例２−３で得た化合物３−１の２．０ｇ、トリエトキシシランの０．１３ｇ、アニリンの０．００２４ｇ、ＡＣ−６０００の２．０ｇ、及び白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の０．００６７ｇを入れ、６０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、化合物１０−１の２．０ｇ得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_３式１０−１

［例６］
５０ｍＬのナスフラスコに、例２−３で得た化合物３−１の２．０ｇ、トリメトキシシランの０．１３ｇ、アニリンの０．００２４ｇ、ＡＣ−６０００の２．０ｇ、及び白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の０．００６７ｇを入れ、６０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、化合物１０−２の１．９ｇ得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＣＨ_３）_３式１０−２

［例７］
特許文献３の実施例の例３に記載の方法にしたがって化合物１０−３を得た。

［例８］
（例８−１）
窒素置換した５０ｍＬのナスフラスコに例２−３で得た化合物３−１の２．０ｇ、トリクロロシランの０．２０ｇ、ＡＣ−６０００の２．０ｇ、及び白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の０．００５２ｇを入れ、６０℃で撹拌した。反応液を濃縮し、化合物８−１の２．０ｇ得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−ＳｉＣｌ_３式８−１

（例８−２）
３００ｍＬのナスフラスコに炭酸アンモニウムの１４．５５ｇ、水の２．３８ｇ、及びテトラヒドロフランの１２５ｍＬを加えた後、氷冷下攪拌した。その後、テトラヒドロフラン５０ｍＬにクロロトリエトキシシランの５．４５ｇを溶解した溶液を２時間かけてゆっくり滴下し、滴下終了後１時間攪拌した。その後吸引ろ過でろ過した後、ろ液を硫酸ナトリウムで乾燥、蒸留することにより−０．１ｋＰａで４３〜４６℃の留分の（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ）_３Ｓｉ−ＯＨを３．４９ｇ得た。

（例８−３）
窒素置換した５０ｍＬのナスフラスコに、例８−２で得た（ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ）_３Ｓｉ−ＯＨの０．３５ｇ、ＡＣ−２０００の２ｍＬ、及びピリジンの０．３２ｇを加え、氷冷下攪拌した。次に例８−１で得たＡＣ−２０００の２ｍＬで溶解した化合物４−１の２．０ｇを滴下し室温に挙げた後、終夜で攪拌した。その後、反応系を氷冷し、クロロトリメチルシランの０．０６ｇを添加し、６時間室温で攪拌した後、吸引ろ過し、ろ液を硫酸ナトリウムで乾燥した。その後真空乾燥し、化合物１−３を２．１ｇ得た。
ＣＦ_３−Ｏ−（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−Ｓｉ（ＯＳｉ（ＯＣＨ_２ＣＨ_３）_３）_３式１−３

［例９〜１４：物品の製造及び評価］
例３〜８で得た各化合物を用いて基材を表面処理し、例９〜１４の物品を得た。表面処理方法として、各例について下記のドライコーティング法又はウェットコーティング法を用いた。基材としては化学強化ガラスを用いた。得られた物品について、下記の方法で評価した。結果を表１に示す。

（ドライコーティング法）
ドライコーティングは、真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＶＴＲ３５０Ｍ）を用いて行った（真空蒸着法）。例３〜８で得た各化合物の０．５ｇを真空蒸着装置内のモリブデン製ボートに充填し、真空蒸着装置内を１×１０^−３Ｐａ以下（絶対圧）に排気した。化合物を配置したボートを昇温速度１０℃／分以下の速度で加熱し、水晶発振式膜厚計による蒸着速度が１ｎｍ／秒を超えた時点でシャッターを開けて基材の表面への製膜を開始させた。膜厚が約５０ｎｍとなった時点でシャッターを閉じて基材の表面への製膜を終了させた。化合物が堆積された基材を、２００℃で３０分間加熱処理し、ジクロロペンタフルオロプロパン（ＡＧＣ社製、ＡＫ−２２５）にて洗浄して基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（ウェットコーティング法）
例３〜８で得た各化合物と、媒体としてのＣ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５（３Ｍ社製、ノベック（登録商標）７２００）とを混合して、固形分濃度０．０５％のコーティング液を調製した。コーティング液に基材をディッピングし、３０分間放置後、基材を引き上げた（ディップコート法）。塗膜を２００℃で３０分間乾燥させ、ＡＫ−２２５にて洗浄して、基材の表面に表面層を有する物品を得た。

（評価方法）
＜接触角の測定方法＞
表面層の表面に置いた、約２μＬの蒸留水又はｎ−ヘキサデカンの接触角を、接触角測定装置（協和界面科学社製、ＤＭ−５００）を用いて測定した。表面層の表面における異なる５箇所で測定し、その平均値を算出した。接触角の算出には２θ法を用いた。

＜初期接触角＞
表面層について、初期水接触角及び初期ｎ−ヘキサデカン接触角を前記測定方法で測定した。評価基準は下記のとおりである。
初期水接触角：
◎（優）：１１５度以上 ○（良）：１１０度以上１１５度未満
△（可）：１００度以上１１０度未満 ×（不可）：１００度未満。
初期ｎ−ヘキサデカン接触角：
◎（優）：６６度以上 ○（良）：６５度以上６６度未満。
△（可）：６３度以上６５度未満 ×（不可）：６３度未満。

＜耐光性＞
表面層に対し、卓上型キセノンアークランプ式促進耐光性試験機（東洋精機社製、ＳＵＮＴＥＳＴＸＬＳ＋）を用いて、ブラックパネル温度：６３℃にて、光線（６５０Ｗ／ｍ^２、３００〜７００ｎｍ）を１，０００時間照射した後、水接触角を測定した。促進耐光試験後の水接触角の低下が小さいほど光による性能の低下が小さく、耐光性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優）：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良）：促進耐光試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可）：促進耐光試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：促進耐光試験後の水接触角の変化が１０度超。

＜耐摩擦性＞
表面層について、ＪＩＳＬ０８４９：２０１３（ＩＳＯ１０５−Ｘ１２：２００１）に準拠して往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、スチールウールボンスター（♯００００）を圧力：９８．０７ｋＰａ、速度：３２０ｃｍ／分で１万回往復させた後、水接触角を測定した。摩擦後の撥水性（水接触角）の低下が小さいほど摩擦による性能の低下が小さく、耐摩擦性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優）：１万回往復後の水接触角の変化が２度以下。
○（良）：１万回往復後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可）：１万回往復後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：１万回往復後の水接触角の変化が１０度超。

＜耐光性＋耐摩擦性＞
上記耐光性の試験後に、上記耐摩擦性の試験を行い、耐摩擦性（スチールウール）の評価基準にて評価した。

＜耐薬品性（耐アルカリ性）＞
物品を、１規定の水酸化ナトリウム水溶液（ｐＨ＝１４）に５時間浸漬した後、水洗、風乾し、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほどアルカリによる性能の低下が小さく、耐アルカリ性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度以下。
〇（良）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：耐アルカリ性試験後の水接触角の変化が１０度超。

＜耐薬品性（耐塩水性）＞
ＪＩＳＨ８５０２に準拠して塩水噴霧試験を行った。すなわち、物品を、塩水噴霧試験機（スガ試験機社製）内で３００時間塩水雰囲気に暴露した後、水接触角を測定した。試験後における水接触角の低下が小さいほど塩水による性能の低下が小さく、耐塩水性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度以下。
○（良）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が２度超５度以下。
△（可）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が５度超１０度以下。
×（不可）：塩水噴霧試験後の水接触角の変化が１０度超。

＜指紋汚れ除去性＞
人工指紋液（オレイン酸とスクアレンとからなる液）を、シリコンゴム栓の平坦面に付着させた後、余分な油分を不織布（旭化成社製、ベンコット（登録商標）Ｍ−３）にて拭き取って、指紋のスタンプを準備した。指紋スタンプを表面層上に乗せ、荷重：９．８Ｎにて１０秒間押しつけた。指紋が付着した箇所のヘーズをヘーズメータにて測定し、初期値とした。指紋が付着した箇所について、ティッシュペーパーを取り付けた往復式トラバース試験機（ケイエヌテー社製）を用い、荷重：４．９Ｎにて拭き取った。拭き取り一往復毎にヘーズの値を測定し、ヘーズが初期値から１０％以下になる拭き取り回数を測定した。拭き取り回数が少ないほど指紋汚れを容易に除去でき、指紋汚れ拭き取り性に優れる。評価基準は下記のとおりである。
◎（優）：拭き取り回数が３回以下。 ○（良）：拭き取り回数が４〜５回。
△（可）：拭き取り回数が６〜８回。 ×（不可）：拭き取り回数が９回以上。

化合物１を用いた例９〜１１は、初期の撥水撥油性、耐摩擦性、指紋汚れ除去性、耐光性及び耐薬品性に優れていることを確認した。特に、耐光性の試験後の耐摩擦性に優れており、従来の含フッ素エーテル化合物を用いた例１２〜１４よりも、更に耐光性に優れることを確認した。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、潤滑性や撥水撥油性の付与が求められている各種の用途に用いることができる。例えばタッチパネル等の表示入力装置；透明なガラス製又は透明なプラスチック製部材の表面保護コート、キッチン用防汚コート；電子機器、熱交換器、電池等の撥水防湿コートや防汚コート、トイレタリー用防汚コート；導通しながら撥液が必要な部材へのコート；熱交換機の撥水・防水・滑水コート；振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート等に用いることができる。

より具体的な使用例としては、ディスプレイの前面保護板、反射防止板、偏光板、アンチグレア板、あるいはそれらの表面に反射防止膜処理を施したもの、携帯電話、携帯情報端末等の機器のタッチパネルシートやタッチパネルディスプレイ等人の指あるいは手のひらで画面上の操作を行う表示入力装置を有する各種機器、トイレ、風呂、洗面所、キッチン等の水周りの装飾建材、配線板用防水コーティング熱交換機の撥水・防水コート、太陽電池の撥水コート、プリント配線板の防水・撥水コート、電子機器筐体や電子部品用の防水・撥水コート、送電線の絶縁性向上コート、各種フィルタの防水・撥水コート、電波吸収材や吸音材の防水性コート、風呂、厨房機器、トイレタリー用防汚コート、熱交換機の撥水・防水・滑水コート、振動ふるいやシリンダ内部等の表面低摩擦コート、機械部品、真空機器部品、ベアリング部品、自動車部品、工具等の表面保護コートが挙げられる。

なお、２０１８年４月２６日に出願された日本特許出願２０１８−０８５４９３号の明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims

ポリフルオロポリエーテル鎖及び下式ｇ１で表される基を有する、含フッ素エーテル化合物。
−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式ｇ１
但し、Ｒ^１は、アルキル基であり、Ｒ^２は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２つのＲ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^３は、アルキル基であり、Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、ａは、２又は３であり、２以上の［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］は同一であっても異なっていてもよく、ｂは、０〜５の整数であり、ｂが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）は同一であっても異なっていてもよく、ｃは、２又は３である。
前記含フッ素エーテル化合物が、下式１ａで表される化合物である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
（Ｇ^１−）_ｔＱ^１（−Ｘ）_ｓ式１ａ
但し、Ｇ^１は、１価のポリフルオロポリエーテル鎖であり、Ｑ^１は、ｓ＋ｔ価の有機基であり、Ｘは、前記式ｇ１で表される基であり、ｓは、１以上の整数であり、ｓが２以上の場合、２以上のＸは同一であっても異なっていてもよく、ｔは、１以上の整数であり、ｔが２以上の場合、２以上のＧ^１は同一であっても異なっていてもよい。
前記Ｇ^１が、下式ｇ２−１で表される基である、請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
Ａ−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−１
但し、Ａは、炭素数１〜２０のポリフルオロアルキル基（但し、末端にＣＦ_３−を有する。）であり、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２は、フルオロアルキレン基（但し、Ｑ^１側の末端の炭素原子及びＯ（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、２〜５００の整数であり、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍは炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏからなるものであってもよい。
前記ｔが１であり、
前記Ｑ^１が、式ｇ３−１で表される基（但し、ｓ＝１である。）、式ｇ３−２で表される基（但し、ｓ＝ｄである。）、式ｇ３−３で表される基（但し、ｓ＝２である。）、式ｇ３−４で表される基（但し、ｓ＝ｅである。）、式ｇ３−５で表される基（但し、ｓ＝ｎである。）、式ｇ３−６で表される基（但し、ｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、式ｇ３−７で表される基（但し、ｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は式ｇ３−８で表される基（但し、ｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）である、請求項２又は３に記載の含フッ素エーテル化合物。
−Ｑ^１１− 式ｇ３−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１−）_ｄ式ｇ３−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２式ｇ３−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ式ｇ３−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ式ｇ３−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１−）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｄ２式ｇ３−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｈ式ｇ３−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｅ２式ｇ３−８
但し、式ｇ３−２〜式ｇ３−８においては、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３又はＱ^１４側がＧ^１に接続し、Ｑ^２１側がＸに接続し、
Ｑ^１１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＨ−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^１側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^１側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１３は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^１側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^１側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１４は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１５は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^２１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基であり、Ｑ^１がＱ^２１を２以上有する場合、２以上のＱ^２１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２１が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｅ＋１価の環構造を有する基であり、
Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、水酸基、フッ素原子又はフルオロアルキル基であり、Ｒ^５は、アルキル基であり、ｄは、２又は３であり、ｅは、１以上の整数であり、ｎは、２又は３であり、ｄ１は、０〜２の整数であり、ｄ２は、１〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、２又は３であり、ｄ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｈは、１又は２であり、ｈが２の場合、２個の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｅ１は、０以上の整数であり、ｅ２は、１以上の整数であり、ｅ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよい。
前記含フッ素エーテル化合物が、下式１ｂで表される化合物である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
（Ｘ−）_ｓＱ^２−Ｇ^２−Ｑ^２（−Ｘ）_ｓ式１ｂ
但し、Ｇ^２は、２価のポリフルオロポリエーテル鎖であり、Ｑ^２は、ｓ＋１価の有機基であり、２つのＱ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｘは、前記式ｇ１で表される基であり、ｓは、１以上の整数であり、２つのｓは同一であっても異なっていてもよく、ｓが２以上の場合、２以上のＸは同一であっても異なっていてもよい。
前記Ｇ^２が、下式ｇ２−２で表される基である、請求項５に記載の含フッ素エーテル化合物。
−Ｒ^ｆ２−Ｏ−（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ−Ｒ^ｆ２− 式ｇ２−２
但し、Ｒ^ｆ１は、フルオロアルキレン基であり、Ｒ^ｆ２は、フルオロアルキレン基（但し、Ｑ^２側の末端の炭素原子及びＯ（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍ側の末端の炭素原子には少なくとも１個のフッ素原子が結合する。）であり、ｍは、２〜５００の整数であり、（Ｒ^ｆ１Ｏ）_ｍは炭素数の異なる２種以上のＲ^ｆ１Ｏからなるものであってもよい。
前記ｔが１であり、
前記Ｑ^２が、式ｇ３−１で表される基（但し、ｓ＝１である。）、式ｇ３−２で表される基（但し、ｓ＝ｄである。）、式ｇ３−３で表される基（但し、ｓ＝２である。）、式ｇ３−４で表される基（但し、ｓ＝ｅである。）、式ｇ３−５で表される基（但し、ｓ＝ｎである。）、式ｇ３−６で表される基（但し、ｓ＝ｄ１＋ｎ×ｄ２である。）、式ｇ３−７で表される基（但し、ｓ＝（２−ｈ）＋ｎ×ｈである。）又は式ｇ３−８で表される基（但し、ｓ＝ｅ１＋ｎ×ｅ２である。）である、請求項５又は６に記載の含フッ素エーテル化合物。
−Ｑ^１１− 式ｇ３−１
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_３−ｄ（−Ｑ^２１−）_ｄ式ｇ３−２
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２式ｇ３−３
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ式ｇ３−４
−Ｑ^１１−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ式ｇ３−５
−Ｑ^１２−Ｃ（Ｒ^４）_{３−ｄ１−ｄ２}（−Ｑ^２１−）_ｄ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｄ２式ｇ３−６
−Ｑ^１３−Ｎ（−Ｑ^２１−）_２−ｈ［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｈ式ｇ３−７
−Ｑ^１４−Ｚ（−Ｑ^２１−）_ｅ１［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］_ｅ２式ｇ３−８
但し、式ｇ３−２〜式ｇ３−８においては、Ｑ^１１、Ｑ^１２、Ｑ^１３又はＱ^１４側がＧ^２に接続し、Ｑ^２１側がＸに接続し、
Ｑ^１１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＨ−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１２は、単結合、−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１３は、単結合、−Ｃ（Ｏ）−、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＧ^２側の末端に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１４は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基の末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつ末端（但し、Ｚの窒素原子に接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^１５は、単結合、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基であり、
Ｑ^２１は、アルキレン基、炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有する基、アルキレン基のＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基、又は炭素数２以上のアルキレン基の炭素−炭素原子間に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−又は−Ｏ−を有しかつＳｉに接続しない側の末端（但し、Ｎに接続する末端を除く。）に−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−ＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｃ（Ｏ）ＮＨ−を有する基であり、Ｑ^２がＱ^２１を２以上有する場合、２以上のＱ^２１は同一であっても異なっていてもよく、
Ｚは、Ｑ^１４が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有しかつＱ^２１が直接結合する炭素原子又は窒素原子を有するｅ＋１価の環構造を有する基であり、
Ｒ^４は、水素原子、アルキル基、水酸基、フッ素原子又はフルオロアルキル基であり、Ｒ^５は、アルキル基であり、ｄは、２又は３であり、ｅは、１以上の整数であり、ｎは、２又は３であり、ｄ１は、０〜２の整数であり、ｄ２は、１〜３の整数であり、ｄ１＋ｄ２は、２又は３であり、ｄ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｈは、１又は２であり、ｈが２の場合、２個の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよく、ｅ１は、０以上の整数であり、ｅ２は、１以上の整数であり、ｅ２が２以上の場合、２以上の［−Ｑ^１５−Ｓｉ（Ｒ^５）_３−ｎ（−Ｑ^２１−）_ｎ］は同一であっても異なっていてもよい。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物の１種以上と、他の含フッ素エーテル化合物とを含む含フッ素エーテル組成物。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項８に記載の含フッ素エーテル組成物と、液状媒体とを含むコーティング液。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項８に記載の含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を基材の表面に有する物品。
前記表面層を、タッチパネルの指で触れる面を構成する部材の表面に有する、請求項１０に記載の物品。
請求項１〜７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物又は請求項８に記載の含フッ素エーテル組成物を用いたドライコーティング法によって基材の表面を処理して、前記含フッ素エーテル化合物又は前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成する物品の製造方法。
請求項９に記載のコーティング液を、ウェットコーティング法によって基材の表面に塗布し、乾燥させて、前記含フッ素エーテル化合物又は前記含フッ素エーテル組成物から形成された表面層を前記基材の表面に形成する物品の製造方法。
下式２で表される化合物である、反応性シリル基含有化合物。
Ｈ−Ｓｉ（Ｒ^１）_３−ａ［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］_ａ式２
但し、Ｒ^１は、アルキル基であり、Ｒ^２は、アルキル基、フェニル基又はアルコキシ基であり、２つのＲ^２は同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^３は、アルキル基であり、
Ｌは、加水分解性基又は水酸基であり、２以上のＬは同一であっても異なっていてもよく、ａは、２又は３であり、２以上の［−（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）_ｂ−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ^３）_３−ｃ（Ｌ）_ｃ］は同一であっても異なっていてもよく、ｂは、０〜５の整数であり、ｂが２以上の場合、２以上の（ＯＳｉ（Ｒ^２）_２）は同一であっても異なっていてもよく、ｃは、２又は３である。