JPWO2020074999A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (6)
- トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と接する領域を有する導電体と、を有し、
前記導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有する第１の金属窒化物と、前記第１の金属窒化物を介して前記酸化物半導体との重なりを有する第２の金属窒化物との積層構造を有し、
前記第１の金属窒化物と、前記第２の金属窒化物とは、構成元素が同じであり、
前記第１の金属窒化物に含まれる金属に対する窒素の原子数比は、前記第２の金属窒化物に含まれる金属に対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体と接する領域を有する導電体と、を有し、
前記導電体は、前記酸化物半導体と接する領域を有する第１の金属窒化物と、前記第１の金属窒化物を介して前記酸化物半導体との重なりを有する第２の金属窒化物との積層構造を有し、
前記第１の金属窒化物と、前記第２の金属窒化物とは、それぞれタンタルを有し、
前記第１の金属窒化物に含まれるタンタルに対する窒素の原子数比は、前記第２の金属窒化物に含まれるタンタルに対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上面と接する領域を有する導電体と、を有し、
前記導電体は、金属窒化物を有し、
前記導電体の下面における金属に対する窒素の原子数比は、前記導電体の上面における金属に対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体と、
前記酸化物半導体の上面と接する導電体と、を有し、
前記導電体は、窒化タンタルを有し、
前記導電体の下面におけるタンタルに対する窒素の原子数比は、前記導電体の上面におけるタンタルに対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一において、
前記導電体は、水素濃度が２．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有する、半導体装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一において、
前記導電体は、前記チャネル形成領域よりも水素濃度が高い領域を有する、半導体装置。
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