JPWO2020053697A5 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020053697A5 JPWO2020053697A5 JP2020546534A JP2020546534A JPWO2020053697A5 JP WO2020053697 A5 JPWO2020053697 A5 JP WO2020053697A5 JP 2020546534 A JP2020546534 A JP 2020546534A JP 2020546534 A JP2020546534 A JP 2020546534A JP WO2020053697 A5 JPWO2020053697 A5 JP WO2020053697A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- conductor
- nitrogen
- tantalum
- atomic ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 3
Claims (3)
- 第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第２の酸化物上の、第２の導電体、および第３の導電体と、を有し、
前記第２の導電体は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第３の導電体は、第３の領域と、第４の領域と、を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の上方に位置し、
前記第４の領域は、前記第３の領域の上方に位置し、
前記第２の導電体、および前記第３の導電体のそれぞれは、タンタルと、窒素と、を有し、
前記第１の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比は、前記第２の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比よりも高く、
前記第３の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比は、前記第４の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - 請求項１において、
前記第２の導電体は、前記第１の領域、および前記第２の領域に加えて、第５の領域を有し、
前記第３の導電体は、前記第３の領域、および前記第４の領域に加えて、第６の領域を有し、
前記第５の領域は、前記第２の領域の上方に位置し、
前記第６の領域は、前記第４の領域の上方に位置し、
前記第５の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比は、前記第２の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比よりも高く、
前記第６の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比は、前記第４の領域における、タンタルに対する窒素の原子数比よりも高い、半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第２の導電体、および前記第３の導電体上に、第２の絶縁体が設けられる、半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018171617 | 2018-09-13 | ||
| JP2018171617 | 2018-09-13 | ||
| PCT/IB2019/057373 WO2020053697A1 (ja) | 2018-09-13 | 2019-09-02 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020053697A1 JPWO2020053697A1 (ja) | 2021-08-30 |
| JPWO2020053697A5 true JPWO2020053697A5 (ja) | 2022-09-09 |
| JP7395488B2 JP7395488B2 (ja) | 2023-12-11 |
Family
ID=69778002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020546534A Active JP7395488B2 (ja) | 2018-09-13 | 2019-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11929416B2 (ja) |
| JP (1) | JP7395488B2 (ja) |
| CN (1) | CN112673479A (ja) |
| TW (1) | TWI833794B (ja) |
| WO (1) | WO2020053697A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11935964B2 (en) | 2018-10-12 | 2024-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| KR20220093583A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002214B1 (en) | 2004-07-30 | 2006-02-21 | International Business Machines Corporation | Ultra-thin body super-steep retrograde well (SSRW) FET devices |
| US8791502B2 (en) | 2011-10-09 | 2014-07-29 | The Institute of Microelectronics Chinese Academy of Science | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP6134598B2 (ja) | 2012-08-02 | 2017-05-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2014065343A1 (en) | 2012-10-24 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6329762B2 (ja) | 2012-12-28 | 2018-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9929279B2 (en) | 2014-02-05 | 2018-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP6240017B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-11-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9871104B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-01-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Nanowire semiconductor device structure and method of manufacturing |
| JP6884569B2 (ja) | 2015-12-25 | 2021-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
| WO2017175095A1 (en) | 2016-04-08 | 2017-10-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2018155034A1 (ja) | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 酸化物半導体及び半導体装置 |
| US10312332B2 (en) | 2017-04-18 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method of forming the same |
| US11031506B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor using oxide semiconductor |
-
2019
- 2019-09-02 CN CN201980058033.2A patent/CN112673479A/zh active Pending
- 2019-09-02 WO PCT/IB2019/057373 patent/WO2020053697A1/ja active Application Filing
- 2019-09-02 JP JP2020546534A patent/JP7395488B2/ja active Active
- 2019-09-02 US US17/272,399 patent/US11929416B2/en active Active
- 2019-09-03 TW TW108131739A patent/TWI833794B/zh active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015144251A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015015458A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015188063A5 (ja) | ||
| JP2016015484A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2016225602A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2016111352A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015188062A5 (ja) | ||
| JP2015084416A5 (ja) | ||
| JP2015133482A5 (ja) | ||
| JP2013179290A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015188079A5 (ja) | ||
| JP2016184731A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014030012A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014160839A5 (ja) | ||
| JP2014199406A5 (ja) | ||
| JP2013149982A5 (ja) | ||
| JP2014232869A5 (ja) | ||
| JP2013110393A5 (ja) | ||
| JP2015188064A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010226097A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013254946A5 (ja) | 配線の形成方法および半導体装置の作製方法 | |
| JP2018041932A5 (ja) | ||
| JP2016027597A5 (ja) | ||
| JP2015029087A5 (ja) | ||
| JP2016154229A5 (ja) | 半導体装置 |