JPWO2019244651A1 - パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 - Google Patents

パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2019244651A1
JPWO2019244651A1 JP2020525497A JP2020525497A JPWO2019244651A1 JP WO2019244651 A1 JPWO2019244651 A1 JP WO2019244651A1 JP 2020525497 A JP2020525497 A JP 2020525497A JP 2020525497 A JP2020525497 A JP 2020525497A JP WO2019244651 A1 JPWO2019244651 A1 JP WO2019244651A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist composition
component
pattern printing
ether
mass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020525497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7222995B2 (ja
Inventor
玉井 仁
仁 玉井
祐司 ▲高▼橋
祐司 ▲高▼橋
紳平 岡本
紳平 岡本
邦裕 中野
邦裕 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaneka Corp
Original Assignee
Kaneka Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaneka Corp filed Critical Kaneka Corp
Publication of JPWO2019244651A1 publication Critical patent/JPWO2019244651A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7222995B2 publication Critical patent/JP7222995B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/202Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物である。アルカリ性エッチング液に対する耐性が高く、酸性水溶液により簡単に剥離可能で、しかも印刷で保護パターン形成可能なレジスト組成物である。

Description

本発明は、パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法に関する。
レジスト材料は、半導体、製版、プリント基板等の電極回路形成時の保護材料として使用され、家電用、工業用、車載用、航空用、宇宙用の電子部品、工業用ロボット、太陽電池等の製造には不可欠なものである。
エッチングレジスト材には、導電性層エッチング液への耐性、エッチング後のレジスト層の易剥離性等の様々の特性が要求される。
一般的に電子基板、太陽電池電極の電極形成の場合、導電層のエッチングには酸性のエッチング液を使用することが大半で、適用されるレジストは、アルカリ現像、剥離タイプのレジストである。なお、半導体、n型アモルファス光電層を有する太陽電池では、プラズマによるエッチング方法も提案されているが、マスク精度、下地のp層でダメージ等といった課題があり実用化されていない。そのため実績のあるウェットエッチングを適用することが、生産の点では実用的である。n層のウェットエッチングにはアルカリ性のエッチング液が必要である。従って、そのパターニングには耐アルカリ性のレジストが必須となる。また、工程簡略化の点では、感光性レジストの場合、露光、現像工程が煩雑となることから加熱乾燥型のパターン印刷レジストが好ましい。
しかし、アルカリエッチングによる電極パターンを形成する例としては、FPC上のスルーホールを形成する際、エッチングを防止したい部分に銅の酸化膜を形成したり(特許文献1)、銅と耐アルカリ性のある錯体を形成する化合物を塗布したりする例が開示されている程度である(特許文献2)。
一方、レジスト剤としては、耐アルカリ性のパターン印刷レジストは市販されておらず、耐酸性、アルカリ剥離性を有するレジスト種の乾燥条件を例えばポストベークするなどして調整して、ぎりぎり耐アルカリ性を確保している実情がある(特許文献3)。そこで、新たに耐アルカリ性レジストを設計する必要があった。
JP2−224295A JPH06−51516A JP3711198B
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、皮膜の酸化、錯体形成等の煩雑な工程を経ること無く、アルカリエッチング対象の下地を簡便に保護し、エッチング工程後速やかに保護層を剥離できるパターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法を得ることを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ね、レジスト組成物の基本設計として、耐アルカリ性と酸剥離性を両立させるため、アミノ基等の塩基性官能基を有するポリマーをバインダーとして用い、そこに溶剤、充填剤、チクソトロピー性を添加することが良好な作用、効果をもたらすとの知見を得た。尚、剥離の原理は、剥離液中に含まれる酸成分と、レジスト組成物中に含まれる前記バインダー成分中の塩基性残基との間で解離度の高いイオン対を形成し、バインダーに水溶性を付与して、レジストを溶解、膨潤させて剥離するというものである。このような基本設計に加え、酸剥離性を補助する成分として、剥離時ある種のトリガーによりアミン成分を発生させる成分を添加することで、剥離制御の精度より高め得ること、またバインダー全体としてのアミン価を所定の範囲に設定しつつアミノ基含有ポリマーとして複数種を組み合わせて用いることでレジスト組成物の粘度、耐アルカリ性と酸剥離性のバランスも良好となることも想到し、これらの知見に基づき更に研究を進めた結果本発明に到達したものである。より具体的には本発明は以下のものを提供する。
すなわち上記課題を解決する本発明の第一の観点は、いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)成分、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物である。
また、前記第一の観点の一実施形態においては、上記(A)成分がアミノ基変性アクリル樹脂及びポリエチレンイミンなる群から選択されてなる少なくとも2種を含むものである上記パターン印刷用レジスト組成物が示される。
さらに前記第一の観点の一実施形態においては、上記(A)成分が水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを含む上記パターン印刷用レジスト組成物がまた示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、また、上記パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、上記(A)成分の含有量が10質量部以上50質量部以下である上記パターン印刷用レジスト組成物がさらに示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、上記(B)成分がケチミン構造を有する化合物及び光塩基発生剤からなる群から選択されてなる少なくとも1種であり、その含有量がパターン印刷レジスト組成物100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下である上記パターン印刷用レジスト組成物が示される。
前記第一の観点の一実施形態においては、また、上記(C)成分がフュームドシリカ、クレー、ベントナイト及びタルクからなる群から選択される少なくとも1つのものであり、(C)成分の含有量がパターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部である上記パターン印刷レジスト組成物がさらに示される。
さらに前記第一の観点の一実施形態においては、上記(D)成分がエチレングリコールモノエチルエーテルである上記パターン印刷レジスト組成物がまた示される。
上記課題を解決する本発明の別の観点は、上記のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングする工程有する回路パターンの形成方法である。
上記別の観点の一実施形態においては、上記パターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングした後で、酸水溶液及び/又はアルコール含有水溶液を用いてレジスト剥離する工程を備える、回路パターンの形成方法がさらに示される。
上記課題を解決する本発明のさらに別の観点は、上記した回路パターン形成方法により太陽電池アモルファス層上への回路パターン形成を含む回路パターン形成工程を有する太陽電池の製造方法である。
上記課題を解決する本発明のまた別の観点は、上記した太陽電池の製造方法で製造されてなる、太陽電池である。
本発明によれば、アルカリ性エッチング液に対する耐性が高く、酸性水溶液により簡単に剥離可能で、しかも印刷で保護パターン形成可能なレジスト組成物を得ることができる。
本発明の一実施形態について説明すると以下の通りであるが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)成分、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有する。
ここで、上記のような組成を有する本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、耐アルカリエッチング性と酸剥離性との両立という特性を有するものである。以下に詳述するように、耐アルカリエッチング性と酸剥離性の基本性能は、樹脂(A)成分中のカチオン性の置換基(アミノ基)に依存するものである。更に、耐アルカリエッチング性を維持したまま、酸剥性の精度を向上させるため、水分及び/又はUV(紫外線)等の光をトリガーとしてアミンを発生する化合物(B)成分を添加するものである。また、パターン印刷性能である隠蔽性、チクソトロピー性を付与する目的で増粘剤(C)を添加し、希釈剤(D)成分により粘度を調整するものである。以下、各成分について順次説明する。
[アミノ基を含有する樹脂(A)成分]
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物においてバインダーとして配合される樹脂(A)成分は、少なくとも2種以上のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなるものである。そして、組み合わされる2種以上のアミノ基含有樹脂は相互に異なるアミン価を有するものとされる。そして、このような複数種のアミノ基含有樹脂を組み合わせてなる樹脂(A)成分全体としてのアミン価が1.5〜10.0の範囲、より好ましくは、1.6〜7.0の範囲、更に好ましくは1.8〜6.0の範囲とするよう組み合わせる。なお、本明細書において用語「アミン価」とは、非水系による酸滴定で測定したものであり(単位 mmol/g (固形分換算))、後述する実施例での一部記載を除き、簡略化のため、無名数として表現する。
樹脂(A)成分全体としてのアミン価が1.5未満では、耐酸性が高まり良好な酸剥離性が得られない虞れが生じ、一方、アミン価が10.0を越えると水溶性が強くなり過ぎ、アルカリエッチング時にレジストパターンが溶解、剥離し、下地保護性能が低下する虞れが生じる。
本発明において組み合わせて用いられる各々のアミノ基含有樹脂の有するアミン価としては、これらを複数組み合わせた場合に樹脂(A)成分全体としてのアミン価が上記所定の範囲に入るものとすることができる限り、特に限定はないが、代表的には例えば、低いところではアミン価0.5程度から、高いところではアミン価30程度までのアミン価としては比較的広範囲な種々のものを用いることが可能である。
また、樹脂(A)成分全体としてのアミン価は、組み合わせる各々のアミノ基含有樹脂の有するアミン価と、各々の配合量とを適宜調整することで、所期の範囲内に比較的容易に収めることができる。複数種のアミノ基含有樹脂を組み合わせることによって、レジスト組成物の粘度、耐アルカリ性と酸剥離性のバランスを図りやすくすることができる。このため、樹脂(A)成分全体としてのアミン価が所期の範囲内に収まることに加えて、組み合わされる各アミノ基含有樹脂のうちのそれぞれの配合量がある程度実質的な量である、例えば、2種類を組み合わせる場合において、樹脂(A)成分全体100質量部当たりに一方のアミノ基含有樹脂が少なくとも1質量部以上であるような態様であることが、上記のバランスの改善が高まるために望ましい。また、本発明に係る樹脂(A)成分を構成する上で組み合わせるアミノ基含有樹脂の種類は2種という態様に限られず、それよりも多い3種ないしはそれ以上を組み合わせるものであってももちろん構わない。このようなより多い種類を組み合わせる場合にも、少なくともそのうちの2種類は上記したような実質的な配合量であることが望まれる。
本発明に係る樹脂(A)成分を構成し得るアミノ基含有樹脂、一般的には、アミノ基を含有しかつアミン価が上記したような0.5〜30、望ましくは0.6〜20である樹脂としては、例えば、架橋されていない親水性の塩基性樹脂を例示することができる。このようなものとしては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、直鎖状ポリアルキレンアミン、分岐状ポリアルキレンアミン、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、ポリN−ビニルイミダゾール、ポリビニルピリジン、ポリビニルピリジンアミンオキシド、ポリジアリルアミン、ポリアミドポリアミン、ポリジメチルアミノアルキルアクリレート、ポリジメチルアミノアルキルメタクリレート、ポリジメチルアミノアルキルアクリルアミド、ポリジメチルアミノアルキルメタクリルアミド、ポリアミジン、ポリビニルグアニジン、ポリジアリルアミン、ポリアクリル酸ヒドラジン、アスパラギン酸−ヘキサメチレンジアミン重縮合物;ポリリシンのような塩基性ポリアミノ酸;キトサンなどの天然物由来の塩基性樹脂;及びこれらの重合体の共重合体などを挙げることができる。好ましくは、塩基性樹脂がアミノ基含有塩基性樹脂であり、より好ましくは該塩基性樹脂が、その塩基性基の90〜100モル%が未中和(フリー)の塩基の形で存在する、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリビニルアミン、ポリジアリルアミン、ポリジアリルジメチルアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、最も好ましくはポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ポリビニルアミンより選ばれる少なくとも1種である。また本発明において、架橋前の塩基性樹脂の平均分子量は約1,000〜10,000,000の範囲であることが好ましい。
また、本発明において樹脂(A)成分を構成する上で、組み合わせて用いられるアミノ基含有樹脂としては、水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを組み合わせる態様が好ましいものとして挙げられる。水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを組みあわせることにより、耐アルカリ性と酸剥離性との双方の特性が良好となる。水溶性アミノ基含有樹脂としては、上記したようなものが挙げられ、一方非水溶性アミノ基含有樹脂としては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、ポリエチレンイミンを側鎖にグラフトした1級アミノ基含有アクリル系ポリマー挙げられる(カルボキシル基を有するアクリル系ポリマーに、ポリエチレンイミンを反応させたグフトポリマー)等が挙げられる。
(A)成分の添加量は、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、10質量部以上50質量部以下が好ましく、耐アルカリ性と酸剥離性、印刷粘度の観点で20質量部以上40質量部以下がより好ましい。
[水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)]
本発明において用いられる、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)としては、水分及び/又は紫外線(UV)等の光のない状態では安定ではあるが、これらに曝露されることが引き金(トリガー)となってアミンを発生するものであれば、いずれも使用可能である。
<ケチミン化合物(B−1)>
水分によりアミンを発生する化合物としてはケミチン化合物が好ましく挙げられる。本発明のパターン印刷用レジスト組成物に用いるケチミン化合物(B−1)としては、特に限定されず、各種のものを用いることができ、例えば、公知のアミン化合物と公知のカルボニル化合物との縮合反応により得ることができる。このようなケチミン化合物は、水分のない状態では安定に存在し、水分によって一級アミンとケトンに分解され、生じた一級アミンが有機酸触媒との相乗効果により架橋性シリル基の加水分解縮合反応を促進させる効果を有する。
ケチミン化合物(B−1)としては、例えば、特開平7−242737号公報などに挙げられているケチミン等を用いることが可能である。例えばアミン化合物としては、具体的には例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、1,3−ジアミノブタン、2,3−ジアミノブタン、ペンタメチレンジアミン、2,4−ジアミノペンタン、ヘキサメチレンジアミン、p−フェニレンジアミン、p,p′−ビフェニレンジアミンなどのジアミン;1,2,3−トリアミノプロパン、トリアミノベンゼン、トリス(2−アミノエチル)アミン、テトラ(アミノメチル)メタンなどの多価アミン;ジエチレントリアミン、トリエチレントリアミン、テトラエチレンペンタミンなどのポリアルキレンポリアミン;ポリオキシアルキレン系ポリアミン;γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのアミノシランなどが使用され得る。また、カルボニル化合物としては、具体的には例えば、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、n−ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、ジエチルアセトアルデヒド、グリオキサール、ベンズアルデヒド等のアルデヒド類;シクロペンタノン、トリメチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、トリメチルシクロヘキサノン等の環状ケトン類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、ジイソプロピルケトン、ジブチルケトン、ジイソブチルケトン等の脂肪族ケトン類;アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、マロン酸メチルエチル、ジベンゾイルイルメタン等のβ−ジカルボニル化合物などが使用され得る。
ケチミン中にイミノ基が存在する場合には、イミノ基をスチレンオキサイド;ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテル;グリシジルエステルなどと反応させてもよい。
これらのアミン成分としてシランカップリング剤を使用することもできる。具体例としては、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシランのアミノシランとメチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類との反応によって得られるケチミン化合物が挙げられる。更に、入手が容易である点から、γ−アミノプロピルトリエトキシシランとメチルイソブチルケトンの反応によって得られるN−(1,3−ジメチルブチリデン)−3−(トリエトキシシリル)−1−プロパンアミン(例えば、サイラエースS340、チッソ社製)が挙げられる。
中でも1,2−エチレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2−ヘキシレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2−プロピレンビス(イソペンチリデンイミン)、p,p′−ビフェニレンビス(イソペンチリデンイミン)、1,2−エチレンビス(イソプロピリデンイミン)、1,3−プロピレンビス(イソプロピリデンイミン)、p−フェニレンビス(イソペンチリデンイミン)、(ジエチレントリアミンメチルイソブチルケトン重縮合物)フェニルグリシジルエーテルが樹脂成分(A)との相溶性、アミン価のバランスの点で好ましい。
これらのケチミン化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を併用して用いてもよい。ケチミン化合物の添加量は特に制限はないが、硬化性と貯蔵安定性の点から、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.5質量部以上6質量部以下がより好ましい。
<光塩基発生剤(B−2)>
光(UV)照射によりアミンを発生する化合物としては、光塩基発生剤が好ましく挙げられる。
光塩基発生剤は、特に限定されず、例えば、紫外線等の光照射により、ビグアニジウム、イミダゾール、ピリジン、ジアミン及びこれらの誘導体を発生する化合物等が挙げられる。中でも、イミダゾール、ビグアニジウムを発生する化合物が好ましい。光塩基発生剤の具体例としては、特に限定されるものではないが、具体的には例えば、9−アンスリルメチル−N,N−ジエチルカルバメート、(E)−1−[3−(2−ヒドロキシフェニル)−2−プロペノイル]ピペリジン、1−(アニソラキノン−2−イル)エチル イミダゾールカルボキシレート、2−ニトロフェニルメチル 4−メタクリロイルオキシピペリジン−1−カルボキシレート、1,2−ジイソプロピル−3−[ビス(ジメチルアミノ)メチレン]グアニジウム 2−(3−ベンゾイルフェニル)プロピオネート、1,2−ジシクロヘキシル−4,4,5,5−テトラメチルビグアニジウム n−ブチルトリフェニルボレート等が挙げられる。これらの光塩基発生剤は、1種を単独で使用してもよく、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.5質量部以上6質量部以下がより好ましい。
[増粘剤(C)]
増粘剤は、パターン印刷用レジストにチクソトロピー性を付与するという観点で必須成分である。増粘剤としては、レジスト組成物中に一般的に配合され得るものであれば特に制限はなく、例えば、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、アクリルポリマー、ポリオレフィンワックス、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が挙げられる。ここで上記に例示するような増粘剤が粉体の形状を呈する場合には、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm未満のものである、いわゆるナノ粒子、代表的には20nm〜<1000nm程度のものである、より好ましくは、50nm〜500nm程度のものであることが、チクソトロピー性を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。また、上記に例示した増粘剤のうち、チクソトロピー性付与とレジスト組成物中の分散性のバランス及び耐アルカリ性の点で、炭酸カルシウム、マイカ、フュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイト、硫酸バリウム、アミドワックス、ポリビニルピロリドン、ポリオレフィンワックス、酸化ポリオレフィン、ウレア誘導体、ノニオン系疎水変性ポリマー、ひまし油誘導体、アルキルアリルスルフォン酸塩、アルキルアンモニウム塩、ポリエチレン線状ファイバー等が好ましい。パターン印刷用レジスト組成物へ少量でチクソトロピー性付与ができる点でフュームドシリカ、タルク、クレー、ベントナイトがより好ましい。フュームドシリカは、乾式法で作製されるものであって、増粘剤の密度を制御できる点でより好ましい。
添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部以下が好ましく、0.1質量部以上2質量部以下がより好ましい。
[希釈剤(D)成分]
希釈としては、(A)成分、(B)成分への溶解性、(C)成分の分散性が良好であり、印刷時に過度に乾燥することなく、加熱により迅速に乾燥し、レジストパターン中に気泡等に欠損を生じないものであれば特に限定はない。
具体的には、例えば、シクロアルキルアルコール、シクロアルキルアセテート、アルキレングリコール、アルキレングリコールジアセテート、アルキレングリコールモノエーテル、アルキレングリコールジアルキルエーテル、アルキレングリコールモノエーテルアセテート、ジアルキレングリコールモノエーテル、ジアルキレングリコールジアルキルエーテル、ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、トリアルキレングリコールモノエーテル、トリアルキレングリコールモノエーテルアセテート、3−メトキシブタノール、3−メトキシブタノールアセテート、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコールアセテート、テルペン系化合物とその誘導体等を挙げることができる。
シクロアルキルアルコールとしては、例えば、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、シクロオクチルアルコール、メチルシクロヘキシルアルコール、エチルシクロヘキシルアルコール、プロピルシクロヘキシルアルコール、i−プロピルシクロヘキシルアルコール、ブチルシクロヘキシルアルコール、i−ブチルシクロヘキシルアルコール、s−ブチルシクロヘキシルアルコール、t−ブチルシクロヘキシルアルコール、ペンチルシクロヘキシルアルコール等のC1〜5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員〜15員のシクロアルキルアルコール等を挙げることができる。
シクロアルキルアセテートとしては、例えば、シクロヘキシルアセテート、シクロペンチルアセテート、シクロオクチルアセテート、メチルシクロヘキシルアセテート、エチルシクロヘキシルアセテート、プロピルシクロヘキシルアセテート、i−プロピルシクロヘキシルアセテート、ブチルシクロヘキシルアセテート、i−ブチルシクロヘキシルアセテート、s−ブチルシクロヘキシルアセテート、t−ブチルシクロヘキシルアセテート、ペンチルシクロヘキシルアセテート等のC1〜5アルキル基等の置換基を有していてもよい3員〜15員のシクロアルキルアセテート等を挙げることができる。
アルキレングリコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブチレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、1,6−ヘキサンジオール等を挙げることができる。
アルキレングリコールジアセテートとしては、例えば、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、1,3−プロパンジオールジアセテート、1,3−ブチレングリコールジアセテート、1,4−ブタンジオールジアセテート、1,5−ペンタンジオールジアセテート、1,6−ヘキサンジオールジアセテート等を挙げることができる。
アルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル等のエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノペンチルエーテル等のプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル等を挙げることができる。
アルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジペンチルエーテル等のエチレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);エチレングリコールエチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルメチルエーテル、エチレングリコールメチルペンチルエーテル、エチレングリコールエチルプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエチルエーテル、エチレングリコールエチルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルプロピルエーテル、エチレングリコールプロピルペンチルエーテル、エチレングリコールブチルペンチルエーテル等のエチレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称);プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);プロピレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールメチルペンチルエーテル、プロピレングリコールエチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエチルエーテル、プロピレングリコールエチルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルプロピルエーテル、プロピレングリコールプロピルペンチルエーテル、プロピレングリコールブチルペンチルエーテル等のプロピレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称)等を挙げることができる。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート;プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル等のジエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル;ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のジプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールジアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールプロピルペンチルエーテル、ジエチレングリコールブチルペンチルエーテル等のジエチレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキルエーテル(直鎖又は分岐鎖)(末端アルキル基非対称);ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジペンチルエーテル等のジプロピレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基対称);ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルペンチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルプロピルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルペンチルエーテルなどのジプロピレングリコールC1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)C1〜5アルキル(直鎖又は分岐鎖)エーテル(末端アルキル基非対称)等を挙げることができる(異性体を含む)。
ジアルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート;ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
トリアルキレングリコールモノエーテルとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノペンチルエーテル等のトリエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル;トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテル等のトリプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテル等を挙げることができる(異性体を含む)。
トリアルキレングリコールモノエーテルアセテートとしては、例えば、トリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリエチレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート;トリプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールモノペンチルエーテルアセテート等のトリプロピレングリコールモノC1〜5アルキルエーテルアセテート等を挙げることができる(異性体を含む)。
テルペン系化合物とその誘導体としては、例えば、ターピネオール、ターピネオールアセテート、ジヒドロターピネオール、ジヒドロターピニルアセテート、ジヒドロターピニルプロピオネート、リモネン、メンタン、メントール等を挙げることができる。
中でも、バインダー溶解性、増粘剤の分散性、適度な揮発性、粘度制御の点でエチレングリコールモノアルキルエーテル類が好ましい。また、溶剤(D)成分の添加量としては、パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して1質量部以上100質量部以下が好ましく、5質量部以上80質量部以下がより好ましい。
<レベリング剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、硬化した際の表面凹凸の調整のために、レベリング剤が添加されても構わない。
一般的に、フッ素系、シリコーン系、アクリル系、エーテル系、又はエステル系のレベリング材が挙げられ、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物には、これらの何れのレベリング剤も使用できる。
<消泡剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、スクリーン印刷等で発生する気泡の発生を防止ずる目的で、消泡剤が添加されてもよい。好ましい例としては、アクリル系、シリコン系フッ素系の消泡剤が挙げられる。
<接着性付与剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、基材への接着性を向上させるために、接着性付与剤が添加されても構わない。
接着性付与剤としては、架橋性シリル基含有化合物、極性基を有するビニル系単量体が好ましく、更にはシランカップリング剤、酸性基含有ビニル系単量体が好ましい。
シランカップリング剤としては、例えば、分子中にエポキシ基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、カルバメート基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、ハロゲン基、(メタ)アクリル基等の、炭素原子及び水素原子以外の原子を有する官能基と、架橋性シリル基を併せ持つシランカップリング剤を用いることができる。
<充填剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、一定の強度を担保するために、充填剤が添加されても構わない。ここで充填剤としては、特に限定されるわけではないが、その一次粒径が1μm以上のものである、代表的には1μm〜50μm程度のものである、より好ましくは、5μm〜20μm程度のものであることが、レジストに強度を付与するという増粘剤としての機能面から望まれる。
充填材としては、特に限定されないが、結晶性シリカ、溶融シリカ、ドロマイト、カーボンブラック、酸化チタン等が、少量で充填率改善できる観点から、好ましい。特に、これら充填材で強度の高い硬化物を得たい場合には、主に結晶性シリカ、溶融シリカ、無水ケイ酸、含水ケイ酸、カーボンブラック、表面処理微細炭酸カルシウム又は、活性亜鉛華等から選ばれる充填材が好ましい。
<可塑剤>
パターン印刷用レジスト組成物には、粘度、スランプ性、又は、硬化した場合の硬度、引張り強度、若しくは伸び等機械特性の調整のために、可塑剤が添加されても構わない。
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジイソノニルフタレート(DINP)、ジヘプチルフタレート、ジ(2−エチルヘキシル)フタレート、ジイソデシルフタレート(DIDP)、ブチルベンジルフタレート等のフタル酸エステル化合物;
ビス(2−エチルヘキシル)−1,4−ベンゼンジカルボキシレート(例えば、EASTMAN168(EASTMAN CHEMICAL製))等のテレフタル酸エステル化合物;
1,2−シクロヘキサンジカルボン酸ジイソノニルエステル(例えば、Hexamoll DINCH(BASF製))等の非フタル酸エステル化合物;
アジピン酸ジオクチル、セバシン酸ジオクチル、セバシン酸ジブチル、コハク酸ジイソデシル、アセチルクエン酸トリブチル等の脂肪族多価カルボン酸エステル化合物;
オレイン酸ブチル、アセチルリシノール酸メチル等の不飽和脂肪酸エステル化合物;
アルキルスルホン酸フェニルエステル(例えば、Mesamoll(LANXESS製));
トリクレジルホスフェート、トリブチルホスフェート等のリン酸エステル化合物;
トリメリット酸エステル化合物;
塩素化パラフィン;
アルキルジフェニル、部分水添ターフェニル等の炭化水素系油;
プロセスオイル;
エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸ベンジル等のエポキシ可塑剤;
等が挙げられる。
[パターン印刷用レジスト組成物の製造方法]
パターン印刷レジスト組成物は、アミノ基を含有する樹脂であってアミン価1.5〜4.0である樹脂(A)、水分、光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、希釈剤(D)成分の順に混合、攪拌して製造される。その際、(C)成分を添加後、十分に攪拌、混練することで、チクソトロピー性が付与されたパターン印刷用レジスト組成物を効果的に得ることが出来る。また、(B)成分は水分混入の影響を受けるので、系中の水分を考慮して、設計よりも少し多めに添加する態様を採ることが望ましい。
混錬に使用する装置としては、三本ロール、プラネタリーミキサー、遊星式攪拌脱泡装置等の攪拌脱泡装置が挙げられる。なお、装置は複数種を組み合わせて使用することが出来る。
なお、混錬する場合、混錬時の発熱により、溶剤成分が揮発しないように留意すべきである。混錬時の温度は、安定性と(C)成分と追加で添加する充填剤の混錬とのバランスの観点から、0℃以上80℃以下であることが好ましく、5℃以上60℃以下であることがより好ましく、10℃以上50℃以下であることが更に好ましい。
また、(A)成分、(B)成分、(C)成分が予め混合されたパターン印刷レジスト組成物に(D)成分を混合、混練して本発明に係るパターン印刷レジスト組成物を得ることも可能である。その際混練方法は上記と同様の方法である。
[パターン印刷用レジスト組成物の特性]
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、上述したように、例えば、電極フィルム、電極基盤又は太陽電池といった装置の導電層のエッチング、パターニングに使用され得る。例えば、FPDであれば、ITO(Indium Tin Oxide)フィルム、ポリイミド製のFPC(Flexible Printed Circuits)の回路形成(エッチング)用に使用されたりする。また、太陽電池であれば、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、シリコン基板上の集電極の下の光電子発生・移動層、特に、裏面電極型太陽電池では、シリコン基板の一方の主面のみに、アモルファス層パターンを形成するのに使用され得る。
[回路パターンの製造方法]
本発明に係る回路のパターン製造方法は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物を用いてアモルファスシリコン層上に形成したレジストパターンをマスクとして、アルカリ水溶液によりアモルファスシリコン層をエッチングする工程を含む。上記回路パターンの製造方法は、更に、アルカリ水溶液によって前記アモルファスシリコン層をエッチングした後、塩酸、硫酸、硝酸等の酸水溶液及び/又は引火点を生じないアルコール含有水溶液を用いて前記レジストを剥離する工程を含んでもよい。前記アルカリ水溶液のpHは、8.0〜13.0でよく、8.5〜12.0でもよい。前記酸水溶液のpHは、0.1〜5.0でよく、0.3〜4.0でもよい。前記アルコール含有水溶液中のアルコールとしては、例えば、イソプロパノール、n−ブタノール、2−ブタノール、イソブタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、n−オクタノール、2−エチル−ヘキシルアルコール、n−デカノール、1−(2−メトキシ−2−メトキシエトキシ)−2−プロパノール、3−メトキシ−3−メチルブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、印刷によりレジストパターンの形成が可能であるため、スクリーン印刷等の印刷を用いて、下地層上に、良好なレジストパターンを容易に形成することができる。また、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、アルカリ系エッチング液に対する耐性が高いため、アルカリ水溶液により前記アモルファスシリコン層をエッチングする際に、良好なレジストパターンが維持されやすく、所望の回路パターンを精度よく得ることがより容易である。更に、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、弱酸水溶液により易剥離可能であるため、得られた回路パターン上に残渣が残りにくく、電極性能等の電気的性能が高い電子基板、太陽電池電極等を得やすい。
[太陽電池]
本発明に係る太陽電池は、本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物又は本発明に係る回路パターンの製造方法を用いて得られる回路パターンを備える。上述の通り、この回路パターン上には残渣が残りにくいため、この回路パターンからは電極性能が高い太陽電池電極を得やすい。その結果、本発明に係る太陽電池は、高い変換効率を発揮しやすい。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
以上述べたように本発明に係るパターン印刷用レジスト組成物は、「いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物」であって、本願明細書における上述の説明及び以下の実施例において述べる各特性は、以下の測定方法によって、それぞれ分析することができる。
<アミン価>
上述したように、アミン価は、非水系による酸滴定で測定する。より詳細には、ASTM D2074に記載の方法に準拠し、以下の手順により測定される。
(1) 試料0.5〜2gを精秤する。
(2) 中性エタノール30mlの試料を溶解する。
(3) 0.2mol/lのエタノール性塩酸溶液で滴定する。
滴定量と下記式を用いてアミン価を算出する。
アミン価=(滴定量×滴定液の力価×0.2×56.108)/サンプル質量
<パターン印刷用レジスト組成物の性能評価>
以下の方法によって、本発明のパターン印刷用レジスト組成物の性能を評価する。
(粘度)
粘度はJISZ8803に記載のB型粘度計を用いて測定する。特に本発明に係る導電性ペースト組成物は高粘度であることから、HBタイプ(英弘精機製)で測定できる。ローターとしてプリンドルSC4−14を用いて23±1℃範囲で測定を行った粘度を、本明細書で規定する粘度とする。
(印刷性)
L/S=750/250μm、乳剤厚=20μmのスクリーン印刷版、スクリーン印刷機を用いてスキージ圧=0.20MPa、速度=100mm/分でアモルファス層を製膜したシリコンウェハー上にパターン印刷し、設計値に対するパターン幅の広がり、高さ及び(D)成分に溶解した(A)成分によるレジストパターン端部よりの染み出し幅を測定、評価する。
(耐アルカリエッチング液性)
p層パターンが形成されたテクスチャー付きシリコンウェハーにn層(正孔)を製膜したセル上にライン幅450μm、ライン間スペース100μm、厚み40μmでレジストをスクリーン印刷し、120℃×30分で乾燥させて、レジストパターンを形成した。また、(B)成分として光塩基発生剤を含有する系については、乾燥後積算光量=1000mJ/cmでUV照射(UV照射装置:ライトハンマー−6(コンベアー式)、ヘレウス(株)製)しレジストパターンを形成した。4質量%の水酸化カリウム水溶液のエッチング槽に10分間浸漬した後、走査型顕微鏡(SEM)によりn層の状態を確認し、耐アルカリエッチング液性を以下の評価基準により評価する。
良好:n層のパターン幅が400μm以上450μm以下
可:n層パターン幅が350μm以上400μm未満
不良:n層パターン幅が350μm未満
(レジスト剥離性)
上記のアルカリエッチングを行ったサンプルを3質量%の塩酸水溶液に揺動を伴い(遥動幅=3cm)、10分間浸漬して、レジスト剥離の状態を光学顕微鏡で観察する。
以下、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
<パターン印刷用レジスト組成物の調製(組成は表1参照)>
[実施例1]
ブレンド専用の容器(φ89×φ98×94mm、内容量470cc、ポリプロピレン製)に、以下の原材料(A)成分、(B)成分、及び(C)成分のうちのフュームドシリカを所定量加え、薬匙にて手攪拌した。得られた混合物に(D)成分を所定量を加え、同じく薬匙で予備混合し、更に(C)成分のうちの充填剤としての含水珪酸マグネシウム(タルク)を所定量加え、薬匙で混合後、専用の攪拌・脱泡装置(品番:泡取り錬太郎ARV−310、(株)シンキー社製)を用いて混合物にせん断を掛けて攪拌し、その後脱泡を行い、パターン印刷用レジスト組成物を得た。得られた導電性ペースト組成物に関して、上述した測定方法により、粘度、印刷性、耐アルカリエッチング液性、レジスト剥離性の特性を評価した。得られた結果を表1に示す。
<樹脂(A)成分>
・ NK−100PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製):48g
※樹脂物性
不揮発成分=50質量%、ガラス転移点=13℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=6Pa・s
・ NK−350(非水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製);10g
※樹脂物性
不揮発性成分=35質量%、ガラス転移点=40℃、質量平均分子量=100000、アミン価=0.8mmol/g(固形分換算)、トルエン/イソプロピルアルコール=45/20質量%、粘度=1Pa・s
・樹脂(A)成分全体のアミン価:2.29
<(B)成分>
・ EH−235R−2((株)ADEKA製):3g
(粘度=17mPa・s、アミン価=289mmol/g)
<増粘剤(C)成分>
・AEROSIL#300(親水性フュームドシリカ、エボニックジャパン(株)製)
:2g
・含水珪マグネシウム(和光純薬(株)製):27g
<希釈剤(D)成分>
・エチレングリコールモノエチルエーテル(和光純薬(株)製):10g
[実施例2]
表1に示すように実施例2の(A)成分をNK−100PMを38g、NK−350を20gとした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例2のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は1.98であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[実施例3]
表1に示すように実施例1の(B)成分のケチミン化合物の代わりに光塩基発生剤としてWPBG−266(1,2−ジイソプロピル−3−[ビス(ジメチルアミノ)メチレン]グアニジウム2−(3−ベンゾフェニル)プロピオネート、和光純薬工業(株)製)を用いた以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例3のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[実施例4]
実施例1のNK−100PMの代わりにNK−200PMを使用した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷レジスト組成物を作製した。なお、この実施例4のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は2.29であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ NK−200PM(水溶性アミン変性アクリル樹脂、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=55質量%、ガラス転移点=16℃、質量平均分子量=20000、アミン価=2.6mmol/g(固形分換算)、溶剤成分=プロピレングリコールモノメチルエーテル、粘度=30Pa・s
[実施例5]
(A)成分として、NK−200PMの量を40gとし、追加でエポミンSP−006 18gを配合した以外は、実施例4と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例5のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は8.0であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP−006(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=600、アミン価=20mmol/g(固形分換算)、粘度=1.5Pa・s
[実施例6]
実施例1の樹脂(A)成分のNK−100PMを23g、NK−350を23gとし、更に、エポミンSP−200を12g加えるように変更した以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この実施例6のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は5.28であった。得られたパターン印刷用レジスト組成物に関して実施例1と、同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
・ エポミンSP−200(ポリエチレンイミン、(株)日本触媒製)
※樹脂物性
不揮発成分=98%、分子量=10,000、アミン価=19mmol/g(固形分換算)、粘度=95Pa・s
[比較例1]
実施例1の(A)成分をNK−100PMをすべてNK−350にした以外は、実施例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製した。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。同様の特性評価を行った。得られた結果を表1に示す。
[比較例2]
比較例1のケチミン化合物(B)成分EH−235R−2を配合せず、(D)成分エチレングリコールモノエチルエーテルを13gにした以外は比較例1と同様の方法でパターン印刷用レジスト組成物を作製し、同様の特性評価を行った。なお、この比較例1のパターン印刷用レジスト組成物における、樹脂(A)成分全体のアミン価は0.8であった。得られた結果を表1に示す。
(印刷性)
表1に示す結果から明らかなように、実施例1〜6、比較例1、2のパターン印刷レジスト組成物はいずれも良好なスクリーン印刷を示した。
(耐アルカリエッチング液性)
表1に示す結果から明らかなように、太陽電池セルのアモルファス等のエッチング液である4質量%アルカリ水溶液に対する耐アルカリエッチング液性は、比較例1、2と実施例1〜6間で差は無く、非常に良好な結果であった。
(レジスト剥離性)
表1に示す結果から明らかなように、3質量%の塩酸に対する剥離性評価では、比較例1、2では10分間浸漬してもレジストが全く剥離していないのに対して、実施例1〜6では10分間の浸漬及びその後の純水によるリンスで痕跡を残すことなく剥離が完了しており、良好な結果であった。
Figure 2019244651
[総評]
いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)、増粘剤(C)成分、希釈剤(D)成分を含有する本発明のパターン印刷レジスト組成物に係る実施例1〜6は、比較例1〜2と比較して、レジストの基本性能である印刷性、耐エッチング液性は維持したまま、酸水溶液による剥離性が格段に改善している。

Claims (11)

  1. いずれもアミノ基を含有するが相互にアミン価が異なるアミノ基含有樹脂を少なくとも2種以上組み合わせてなり、かつその全体としてのアミン価が1.5〜10.0である樹脂(A)、水分及び/又は光によりアミンを発生する化合物(B)成分、増粘剤(C)成分、並びに希釈剤(D)成分を含有するパターン印刷用レジスト組成物。
  2. (A)成分がアミノ基含有アクリル樹脂及びポリエチレンイミンからなる群から選択されてなる少なくとも2種を含むものである請求項1記載のパターン印刷用レジスト組成物。
  3. (A)成分が水溶性樹脂と非水溶性樹脂とを含む請求項1又は2に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
  4. パターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して、(A)成分の含有量が10質量部以上50質量部以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
  5. (B)成分がケチミン構造を有する化合物及び光塩基発生剤からなる群から選択されてなる少なくとも1種であり、その含有量がパターン印刷レジスト組成物100質量部に対して0.1質量部以上10質量部以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物。
  6. (C)成分がフュームドシリカ、クレー、ベントナイト及びタルクからなる群から選択される少なくとも1つのものであり、(C)成分の含有量がパターン印刷用レジスト組成物100質量部に対して0.01質量部以上5質量部である請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン印刷レジスト組成物。
  7. (D)成分がエチレングリコールモノエチルエーテルである、請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターン印刷レジスト組成物。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液によりアモルファスシリコン層をエッチングする工程を有する回路パターンの形成方法。
  9. 請求項1〜7のいずれか1項に記載のパターン印刷用レジスト組成物を用いて、アルカリ水溶液により下地層をエッチングした後で、酸水溶液及び/又はアルコール含有水溶液を用いてレジストを剥離する工程を備える、回路パターンの形成方法。
  10. 請求項8又は9に記載の回路パターン形成方法により太陽電池アモルファス層上への回路パターン形成を含む回路パターン形成工程を有する太陽電池の製造方法。
  11. 請求項10の製造方法で製造されてなる、太陽電池。
JP2020525497A 2018-06-18 2019-06-06 パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法 Active JP7222995B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018115189 2018-06-18
JP2018115189 2018-06-18
PCT/JP2019/022491 WO2019244651A1 (ja) 2018-06-18 2019-06-06 パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019244651A1 true JPWO2019244651A1 (ja) 2021-07-08
JP7222995B2 JP7222995B2 (ja) 2023-02-15

Family

ID=68984003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020525497A Active JP7222995B2 (ja) 2018-06-18 2019-06-06 パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210103216A1 (ja)
EP (1) EP3806593A4 (ja)
JP (1) JP7222995B2 (ja)
WO (1) WO2019244651A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7495341B2 (ja) 2020-12-21 2024-06-04 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261385A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Ajinomoto Co Inc ソルダーレジストインキ組成物
JPH1064333A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法
JP2001133982A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Kansai Paint Co Ltd パターン形成用積層被膜、その積層被膜の製造方法及びその被膜を使用したパターン形成方法
WO2009099065A1 (ja) * 2008-02-04 2009-08-13 Sony Chemical & Information Device Corporation レジストインク及び多層プリント配線板の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02224295A (ja) 1988-10-28 1990-09-06 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 片面スルーホールプリント配線板の製造法
JPH0651516A (ja) 1992-06-04 1994-02-25 Tokuyama Soda Co Ltd 感光性組成物
JPH07242737A (ja) 1994-03-07 1995-09-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 硬化性樹脂組成物
JP3711198B2 (ja) 1998-04-23 2005-10-26 東京応化工業株式会社 レジストパターンの形成方法
JP6179900B2 (ja) * 2012-03-30 2017-08-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池及びその製造方法
WO2014155833A1 (ja) * 2013-03-28 2014-10-02 三洋電機株式会社 太陽電池
CN104752443B (zh) * 2015-04-20 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 衬底载板、柔性显示面板及相应的制作方法、柔性显示装置
JP6733280B2 (ja) * 2015-04-28 2020-07-29 Jsr株式会社 着色剤分散液及びその製造方法、着色組成物及びその製造方法、着色硬化膜、表示素子並びに固体撮像素子
JP6456792B2 (ja) * 2015-08-07 2019-01-23 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP2017066370A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 株式会社Adeka 組成物
KR102713657B1 (ko) * 2016-09-30 2024-10-04 엘지디스플레이 주식회사 착색제, 이를 포함하는 착색 수지 조성물 및 컬러필터

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07261385A (ja) * 1994-03-17 1995-10-13 Ajinomoto Co Inc ソルダーレジストインキ組成物
JPH1064333A (ja) * 1996-08-21 1998-03-06 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法
JP2001133982A (ja) * 1999-11-09 2001-05-18 Kansai Paint Co Ltd パターン形成用積層被膜、その積層被膜の製造方法及びその被膜を使用したパターン形成方法
WO2009099065A1 (ja) * 2008-02-04 2009-08-13 Sony Chemical & Information Device Corporation レジストインク及び多層プリント配線板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3806593A4 (en) 2021-07-21
US20210103216A1 (en) 2021-04-08
EP3806593A1 (en) 2021-04-14
JP7222995B2 (ja) 2023-02-15
WO2019244651A1 (ja) 2019-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI518123B (zh) Metal oxide microparticle dispersible paste
JP5511799B2 (ja) ウエハーダイシング用保護膜組成物
CN104140781B (zh) 导电性粘着剂
JP6244914B2 (ja) 導電体及び積層体
JP5945881B2 (ja) 帯電防止離型剤組成物及び離型フィルム
WO2012056906A1 (ja) 熱硬化型導電性コーティング用組成物、光学フィルム及びプロテクトフィルム
JP6489494B2 (ja) アルミニウムキレート系潜在性硬化剤、その製造方法及び熱硬化型エポキシ樹脂組成物
CZ20012031A3 (cs) Hydrofobní systém na bázi epoxidové pryskyřice
JPWO2017104244A1 (ja) アルミニウムキレート系潜在性硬化剤の製造方法及び熱硬化型エポキシ樹脂組成物
JPWO2019244651A1 (ja) パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法
KR20100076534A (ko) 전도성 고분자 조성물 및 이를 사용하여 제조된 대전방지 고분자 필름
JP2009158273A (ja) 導電性金属ペースト及びその製造方法、導電性パターンの形成方法並びに導電性金属ペースト用添加剤及びその製造方法
TWI585138B (zh) A thermosetting resin composition, a hardened product thereof, and a display member using the same
KR20150044387A (ko) 열경화성 수지 조성물, 그의 경화물 및 그것을 사용한 디스플레이용 부재
JP6737157B2 (ja) 銅ペースト組成物
KR101735915B1 (ko) 전도성 고분자 잉크 조성물
JP6491910B2 (ja) 透明導電性シート及びその製造方法
TW201516179A (zh) 銅薄膜形成組成物
JP2019102273A (ja) 導電性ペースト組成物
KR20110038339A (ko) 레이저 다이싱용 보호막 조성물
JP7348177B2 (ja) パターン印刷用レジスト組成物及びパターン形成方法
CN104231713A (zh) 一种脱漆剂及其脱漆方法
JP7385562B2 (ja) パターン印刷用レジスト組成物及びそれを用いた回路パターンの製造方法
JP6734476B2 (ja) 導電性ペースト組成物、それで形成した電極を含む装置、および、導電性ペースト組成物の製造方法
KR20140110571A (ko) Pvc 마스킹 페이스트 조성물 및 이로부터 형성되는 pvc 마스킹 보호필름

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220512

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7222995

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150