JPWO2019059050A1 - 圧電薄膜素子 - Google Patents
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Abstract
Description
Pd(1−x)Nix 化学式3A
[上記化学式3A中、0.03<x<0.46。]
Pd(1−x)Irx 化学式3B
[上記化学式3B中、0.20<x<1.0。]
Ir(1−x)Nix 化学式3C
[上記化学式3C中、0≦x≦0.35。]
Pt(1−x)Nix 化学式3D
[上記化学式3D中、0.11<x<0.50。]
Ag(1−y)Pdy 化学式4A
[上記化学式4A中、0.26<y<1.0。]
Ag(1−y)Niy 化学式4B
[上記化学式4B中、0.09<y<0.37。]
Au(1−y)Pdy 化学式4C
[上記化学式4C中、0.10<y<0.97。]
Au(1−y)Niy 化学式4D
[上記化学式4D中、0.04<y<0.33。]
Pt(1−y)Pdy 化学式4E
[上記化学式4E中、0<y<0.80。]
Pt(1−y)Niy 化学式4F
[上記化学式4F中、0<y<0.07。]
PdxNiyIrz 化学式6A
[上記化学式6A中、0<x<0.97、0<y<0.46、0<z<1.0。]
PdxNiyPtz 化学式6B
[上記化学式6B中、0<x<0.97、0.03<y<0.5、0<z<0.89。]
PdxNiyPtz 化学式7A
[上記化学式7A中、0<x<0.80、0<y<0.07、0.2<z<1.0。]
PdxNiyAgz 化学式7B
[上記化学式7B中、0<x<0.96、0<y<0.37、0.04<z<0.91。]
PdxNiyAuz 化学式7C
[上記化学式7C中、0<x<0.97、0<y<0.33、0.03<z<0.96。]
Pd(1−x)Nix 化学式3A
[上記化学式3A中、0.03<x<0.46。]
Pd(1−x)Irx 化学式3B
[上記化学式3B中、0.20<x<1.0。]
Ir(1−x)Nix 化学式3C
[上記化学式3C中、0≦x≦0.35。]
Pt(1−x)Nix 化学式3D
[上記化学式3D中、0.11<x<0.50。]
Ag(1−y)Pdy 化学式4A
[上記化学式4A中、0.26<y<1.0。]
Ag(1−y)Niy 化学式4B
[上記化学式4B中、0.09<y<0.37。]
Au(1−y)Pdy 化学式4C
[上記化学式4C中、0.10<y<0.97。]
Au(1−y)Niy 化学式4D
[上記化学式4D中、0.04<y<0.33。]
Pt(1−y)Pdy 化学式4E
[上記化学式4E中、0<y<0.80。]
Pt(1−y)Niy 化学式4F
[上記化学式4F中、0<y<0.07。]
PdxNiyIrz 化学式6A
[上記化学式6A中、0<x<0.97、0<y<0.46、0<z<1.0。]
PdxNiyPtz 化学式6B
[上記化学式6B中、0<x<0.97、0.03<y<0.5、0<z<0.89。]
PdxNiyPtz 化学式7A
[上記化学式7A中、0<x<0.80、0<y<0.07、0.2<z<1.0。]
PdxNiyAgz 化学式7B
[上記化学式7B中、0<x<0.96、0<y<0.37、0.04<z<0.91。]
PdxNiyAuz 化学式7C
[上記化学式7C中、0<x<0.97、0<y<0.33、0.03<z<0.96。]
真空チャンバー内でのDCマグネトロンスパッタリングにより、酸化チタンからなる密着層をシリコンの単結晶基板の(100)面全体に直接形成した。単結晶基板の厚みは、625μmであった。密着層の厚みは、5×10−3μmであった。
以下の方法で、実施例1の圧電薄膜素子を分析した。
第一電極層と圧電薄膜との間の格子不整合度Δa/aを算出した。実施例1のΔa/aは、下記表2に示される値であった。
実施例1の第一電極層を構成するPt‐Ni合金の酸化反応におけるギブスエネルギー変化ΔGを、公知のエリンガムダイアグラムから算出した。実施例1のΔGは、下記表2に示される値であった。
実施例1の圧電薄膜素子の作製に用いたシリコンの単結晶基板の(400)面のロッキングカーブを測定した。測定には、上述のX線回折装置を用いた。ロッキングカーブの測定範囲は、シリコンの(400)面に由来する回折ピークの最大値の回折角±0.5°であった。測定間隔は、0.01°であった。測定スピードは、2.0°/分であった。シリコンの単結晶基板の(400)面のロッキングカーブの半値全幅は、0.05°であった。したがって後述される圧電薄膜の(002)面のロッキングカーブの半値全幅が0.05°以上である場合、圧電薄膜のロッキングカーブの半値全幅は圧電薄膜の(002)面の配向性を示唆している、といえる。
以下の手順で、実施例1の圧電薄膜素子が備える圧電薄膜の残留応力σを算出した。まず、圧電薄膜が形成される前の基板(つまり、基板、密着層及び第一電極層からなる積層体)の曲率半径RBeforeを測定した。続いて、圧電薄膜が形成された後の基板(つまり、基板、密着層、第一電極層及び圧電薄膜からなる積層体)の曲率半径RAfterを測定した。RBefore及びRAfter其々の測定には、KLA‐Tencor社製の測定装置(P‐16プロファイラ)を用いた。そして、下記数式3(ストーニーの式)に基づき、実施例1の残留応力σを算出した。正の残留応力σは、引っ張り応力であり、負の残留応力σは、圧縮応力である。実施例1の残留応力σは、下記表1に示される値であった。
100mm×100mmの板状の実施例1の圧電薄膜素子を切断して、10mm角の100個のサンプルを作製した。100個のサンプルのうち、圧電薄膜にクラックが発生しているサンプルの数nを光学顕微鏡で数えた。実施例1のクラック率(つまりn%)は、下記表1に示される値であった。
実施例1の圧電薄膜素子の共振周波数fr及び反共振周波数faを測定した。共振周波数frは、圧電薄膜素子を用いた共振回路のインピーダンスが最小であるときの周波数である。反共振周波数faは、圧電薄膜素子を用いた共振回路のインピーダンスが最大であるときの周波数である。共振周波数fr及び反共振周波数faの測定の詳細は以下の通りであった。
測定装置: Agilent Technologies社製のネットワークアナライザ(N5244A)
プローブ: GS500μm(Cascade Microtech社製のACP40−W−GS−500)
パワー: −10dBm
測定ピッチ: 0.25MHz
電極面積: 200×200μm2
S11測定(反射測定)
実施例1の圧電薄膜の圧電定数d33(単位:pC/N)を測定した。圧電定数d33の測定の詳細は以下の通りであった。実施例1の圧電定数d33(3点測定点平均値)は下記表1に示される値であった。
測定装置:中国科学院製のd33メーター(ZJ−4B)
周波数: 110Hz
クランプ圧: 0.25N
実施例1の圧電薄膜の絶縁抵抗率IRを測定した。IRの測定には、ADVANTEST社製の測定装置(R8340A)を用いた。絶縁抵抗率IRを測定では、1V/μmの電界を圧電薄膜へ印加した。上述の通り、圧電薄膜の厚みは1.3μmであった。第一電極層及び第二電極層其々において電界が印加された部分の面積は、600×600μm2であった。実施例1の絶縁抵抗率IRは、下記表1に示される値であった。
実施例2〜9其々の第一電極層の作製では、下記表1に示されるように、金属元素EX、EY及びEZのうち少なくとも二種の金属単体のターゲットを用いた。各実施例の第一電極層は、一般的な化学式EXxEYyEZzで表される。xは、化学式EXxEYyEZzにおける金属元素EXのモル比である。yは、化学式EXxEYyEZzにおける金属元素EYのモル比である。zは、化学式EXxEYyEZzにおける金属元素EZのモル比である。実施例2〜9其々の第一電極層の組成は、下記表1に示される。実施例2〜9其々の第一電極層はいずれも、面心立方格子構造を有する合金からなっていた。実施例8及び9では、酸化雰囲気中において亜鉛単体のターゲットのスパッタリングを行い、ZnOからなる圧電薄膜を作製した。
比較例1〜4其々の第一電極層の作製では、下記表1に示されるように、金属元素EX、EY及びEZのうち一種の金属単体のターゲットのみを用いた。比較例1〜4其々の第一電極層の組成は、下記表1に示される通り、ターゲットと同様の金属単体であった。比較例1〜4其々の第一電極層の結晶構造はいずれも面心立方格子(FCC)構造であった。比較例4では、酸化雰囲気中において亜鉛単体のターゲットのスパッタリングを行い、ZnOからなる圧電薄膜を作製した。
Claims (10)
- 第一電極層と、
前記第一電極層に直接積層された圧電薄膜と、
を備え、
前記第一電極層が、二種以上の金属元素から構成される合金を含み、
前記第一電極層が、面心立方格子構造を有し、
前記圧電薄膜が、ウルツ鉱型構造を有する、
圧電薄膜素子。 - 前記合金が、Pt、Ir、Au、Rh、Pd、Ag、Ni、Cu及びAlからなる群より選ばれる二種以上の元素を含む、
請求項1に記載の圧電薄膜素子。 - 前記合金が、下記の化学式3A、化学式3B、化学式3C及び化学式3Dのうちいずれかで表され、
前記圧電薄膜が、窒化アルニミウムを含む、
請求項2に記載の圧電薄膜素子。
Pd(1−x)Nix 化学式3A
[前記化学式3A中、0.03<x<0.46。]
Pd(1−x)Irx 化学式3B
[前記化学式3B中、0.20<x<1.0。]
Ir(1−x)Nix 化学式3C
[前記化学式3C中、0≦x≦0.35。]
Pt(1−x)Nix 化学式3D
[前記化学式3D中、0.11<x<0.50。] - 前記合金が、下記の化学式4A、化学式4B、化学式4C、化学式4D、化学式4E及び化学式4Fのうちいずれかで表され、
前記圧電薄膜が、酸化亜鉛を含む、
請求項2に記載の圧電薄膜素子。
Ag(1−y)Pdy 化学式4A
[前記化学式4A中、0.26<y<1.0。]
Ag(1−y)Niy 化学式4B
[前記化学式4B中、0.09<y<0.37。]
Au(1−y)Pdy 化学式4C
[前記化学式4C中、0.10<y<0.97。]
Au(1−y)Niy 化学式4D
[前記化学式4D中、0.04<y<0.33。]
Pt(1−y)Pdy 化学式4E
[前記化学式4E中、0<y<0.80。]
Pt(1−y)Niy 化学式4F
[前記化学式4F中、0<y<0.07。] - 前記合金が、Pt、Ir、Au、Rh、Pd、Ag、Ni、Cu及びAlからなる群より選ばれる三種以上の元素を含む、
請求項1に記載の圧電薄膜素子。 - 前記合金が、下記の化学式6A及び化学式6Bのうちいずれか一方で表され、
前記圧電薄膜が、窒化アルミニウムを含む、
請求項5に記載の圧電薄膜素子。
PdxNiyIrz 化学式6A
[前記化学式6A中、0<x<0.97、0<y<0.46、0<z<1.0。]
PdxNiyPtz 化学式6B
[前記化学式6B中、0<x<0.97、0.03<y<0.5、0<z<0.89。] - 前記合金が、下記の化学式7A、化学式7B及び化学式7Cのうちいずれかで表され、
前記圧電薄膜が、酸化亜鉛を含む、
請求項5に記載の圧電薄膜素子。
PdxNiyPtz 化学式7A
[前記化学式7A中、0<x<0.80、0<y<0.07、0.2<z<1.0。]
PdxNiyAgz 化学式7B
[前記化学式7B中、0<x<0.96、0<y<0.37、0.04<z<0.91。]
PdxNiyAuz 化学式7C
[前記化学式7C中、0<x<0.97、0<y<0.33、0.03<z<0.96。] - 前記第一電極層の前記面心立方格子構造の(111)面が、前記第一電極層と前記圧電薄膜との間の界面の法線方向において配向している、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子。 - 前記第一電極層と前記圧電薄膜との間の格子不整合度が、0%以上2%以下である、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子。 - 前記第一電極層におけるAlの含有量が、0原子%以上90原子%未満である、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の圧電薄膜素子。
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