JP5643472B2 - 圧電薄膜素子 - Google Patents
圧電薄膜素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5643472B2 JP5643472B2 JP2007277941A JP2007277941A JP5643472B2 JP 5643472 B2 JP5643472 B2 JP 5643472B2 JP 2007277941 A JP2007277941 A JP 2007277941A JP 2007277941 A JP2007277941 A JP 2007277941A JP 5643472 B2 JP5643472 B2 JP 5643472B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric
- layer
- thin film
- piezoelectric layer
- piezoelectric thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018921 CoO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 99
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- MVDSPIQMADQKKM-UHFFFAOYSA-N lithium potassium sodium Chemical compound [Li+].[Na+].[K+] MVDSPIQMADQKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003916 acid precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 1
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003673 groundwater Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態1における圧電薄膜素子について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施の形態1における圧電薄膜素子の断面図である。図1において、1はMgO(100)からなる単結晶基板であり、20×20mm、厚み;0.5mmの基板形状のものを準備した。
以下、本発明の実施の形態2における圧電薄膜素子について、図面を参照しながら説明する。
図2は、本発明の実施の形態2における圧電薄膜素子の断面図である。図2において、1はシリコンからなる基板であり、この基板1の上に、RFマグネトロンスパッタリング法により、LaNi03よりなる下部電極層2を200nmの厚みで形成している。このような下部電極層2とすることによって、結晶性と配向性に優れた圧電薄膜層を形成することが可能となる。
2 下部電極層
3 圧電体層
4 圧電体層
5 上部電極層
Claims (7)
- 基板と、下部電極層、圧電体層および上部電極層からなる圧電薄膜素子において、
前記圧電体層は、第一の圧電体層と第二の圧電体層からなる積層圧電体層とし、第一の圧電体層をKyNbO3(y≧1.0)で示されるニオブ酸カリウム系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とし、第二の圧電体層をKxNbO3(x<1.0)で示されるニオブ酸カリウム系ペロブスカイト構造の圧電薄膜とした圧電薄膜素子。 - 下部電極層の上に第一の圧電体層を設け、この第一の圧電体層の上に第二の圧電体層を設けた積層圧電体層とした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 第一の圧電体層の上に第二の圧電体層を設け、前記第二の圧電体層の上にさらに第一の圧電体層を設けた積層圧電体層とした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 第一の圧電体層の厚みを0.5〜3.0μmとした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 第二の圧電体層の厚みを0.05〜0.5μmとした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 下部電極層の電極をPt、Ir、Ru、SrRuO3、LaNiO 3または(La、Sr)CoO3のいずれか一つを主成分とした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
- 上部電極層の電極をAu、Ag、AlまたはCuのいずれか一つを主成分とした請求項1に記載の圧電薄膜素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007277941A JP5643472B2 (ja) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | 圧電薄膜素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007277941A JP5643472B2 (ja) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | 圧電薄膜素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009105331A JP2009105331A (ja) | 2009-05-14 |
JP5643472B2 true JP5643472B2 (ja) | 2014-12-17 |
Family
ID=40706708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007277941A Expired - Fee Related JP5643472B2 (ja) | 2007-10-25 | 2007-10-25 | 圧電薄膜素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5643472B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013251355A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Hitachi Cable Ltd | 圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子、及び圧電体デバイス |
US11678581B2 (en) * | 2017-09-22 | 2023-06-13 | Tdk Corporation | Piezoelectric thin film element |
CN110832655B (zh) * | 2017-09-22 | 2023-07-28 | Tdk株式会社 | 压电薄膜元件 |
CN112403873B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-09-28 | 北京航空航天大学 | 一种堆叠式超声换能器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002151754A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 圧電体薄膜素子及びその製造方法 |
JP4156461B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2008-09-24 | 株式会社デンソー | 圧電磁器組成物及びその製造方法並びに圧電素子 |
JP2006321676A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Seiko Epson Corp | ニオブ酸カリウム堆積体の製造方法、ニオブ酸カリウム層、表面弾性波素子およびその製造方法、並びに、電子機器 |
JP5044902B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2012-10-10 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子 |
JP4735840B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体積層体、表面弾性波素子、薄膜圧電共振子および圧電アクチュエータ |
JP5056139B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-10-24 | 日立電線株式会社 | 圧電薄膜素子 |
-
2007
- 2007-10-25 JP JP2007277941A patent/JP5643472B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009105331A (ja) | 2009-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5071503B2 (ja) | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス | |
US8519602B2 (en) | Piezoelectric thin film element and piezoelectric thin film device using a piezoelectric thin film of alkali-niobium oxide series | |
JP5056914B2 (ja) | 圧電薄膜素子および圧電薄膜デバイス | |
JP5044902B2 (ja) | 圧電薄膜素子 | |
JP2011109037A (ja) | 圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイス | |
JP4258530B2 (ja) | 圧電薄膜素子 | |
JP2007019302A (ja) | 圧電薄膜素子及びそれを用いたアクチュエータ並びにセンサ | |
JP2013016776A (ja) | 圧電膜素子の製造方法、及び圧電体デバイスの製造方法 | |
WO2016152419A1 (ja) | 強誘電体薄膜積層基板、強誘電体薄膜素子、および強誘電体薄膜積層基板の製造方法 | |
JP5643472B2 (ja) | 圧電薄膜素子 | |
JP6196797B2 (ja) | 圧電体薄膜積層基板及び圧電体薄膜素子 | |
JP5103790B2 (ja) | 圧電薄膜、圧電薄膜を用いた素子及び圧電薄膜素子の製造方法 | |
JP2007294593A (ja) | 圧電薄膜を用いた素子 | |
JP5115161B2 (ja) | 圧電薄膜素子 | |
JP2008270379A (ja) | 圧電薄膜素子 | |
CN104628380A (zh) | 压电组合物和压电元件 | |
JP2010135669A (ja) | 薄膜圧電体付き基板、薄膜圧電体素子、薄膜圧電体デバイスおよび薄膜圧電体付き基板の製造方法 | |
JP2009049065A (ja) | 圧電薄膜素子 | |
WO2021177091A1 (ja) | 圧電膜、圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法 | |
CN104817320A (zh) | 压电组合物和压电元件 | |
JP7464360B2 (ja) | 圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法 | |
WO2016152421A1 (ja) | 強誘電体薄膜積層基板、強誘電体薄膜素子、および強誘電体薄膜積層基板の製造方法 | |
JP7022853B2 (ja) | スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材の製造方法、および圧電薄膜付き積層基板の製造方法 | |
WO2024195233A1 (ja) | 圧電積層体、圧電積層ウエハ、及び圧電積層体の製造方法 | |
WO2021002434A1 (ja) | 圧電膜、圧電積層体、圧電素子および圧電積層体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140729 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5643472 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |