JPWO2019054338A1 - チップ部品の製造方法 - Google Patents
チップ部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019054338A1 JPWO2019054338A1 JP2019542048A JP2019542048A JPWO2019054338A1 JP WO2019054338 A1 JPWO2019054338 A1 JP WO2019054338A1 JP 2019542048 A JP2019542048 A JP 2019542048A JP 2019542048 A JP2019542048 A JP 2019542048A JP WO2019054338 A1 JPWO2019054338 A1 JP WO2019054338A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- chip
- carrier sheet
- manufacturing
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 81
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 57
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/085—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining
- H10N30/088—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by machining by cutting or dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
(a)複数のチップ片をシートに貼着した状態でハンドリングすることができ、容易に次工程に投入することができる。
(b)複数のチップ片をシートに貼着した状態で少なくとも表面処理を行うことができる。
(a)複数のチップ片をシートに貼着した状態でハンドリングすることができ、容易に次工程に投入することができる。
(b)複数のチップ片をシートに貼着した状態で少なくとも表面処理を行うことができる。
実施例1は、キャリアシート10として、第1シート10A及び第2シート10Bの2層構造のシートを用いた。第1シート10Aとして、クールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5010C25)を用い、第2シート10Bとして、同じくクールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5040C08)を用いた。
実施例2は、キャリアシート10の第2シート10Bとして、クールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5010C05)を用いた点以外は、上述した実施例1と同様にして複数のチップ部品26を作製した。第2シート10Bは、第2粘着層18bの粘着力が1.2N/25mm、厚みが40μmである。
実施例3は、キャリアシート10の第2シート10Bとして、クールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5010C02)を用いた点以外は、上述した実施例1と同様にして複数のチップ部品26を作製した。第2シート10Bは、第2粘着層18bの粘着力が5.9N/25mm、厚みが40μmである。
実施例4は、キャリアシート10の第2粘着層18bの厚みtbを30μmに調整した点以外は、上述した実施例3と同様にして複数のチップ部品26を作製した。
実施例5は、キャリアシート10の第2粘着層18bの厚みtbを20μmに調整した点以外は、上述した実施例3と同様にして複数のチップ部品26を作製した。
実施例6は、キャリアシート10の第2粘着層18bの厚みtbを10μmに調整した点以外は、上述した実施例3と同様にして複数のチップ部品26を作製した。
実施例7は、キャリアシート10の第1シート10Aとして、クールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5010C80)を用いた点以外は、上述した実施例3と同様にして複数のチップ部品26を作製した。第1シート10Aは、第1粘着層18aの粘着力が0.05N/25mm、厚みが10μmである。
比較例は、キャリアシート10として、第1シート10Aのみの1層構造のシートを用いた。第1シート10Aとして、クールオフタイプの感温性粘着シート(ニッタ株式会社製:CS5010C25)を用いた。具体的には、第1シート10Aは、第1粘着層18aの粘着力が0.1N/25mm、厚みが10μmである。
不良率は、1枚のキャリアシート10上に貼着されたグリーンシート14又はグリーン積層体16から作製されるチップ部品26の予定個数をM、実際に作製されたチップ部品26の個数をAとしたとき、A/Mを算出することで求めた。
評価結果を図7の表1に示す。
Claims (11)
- セラミックスのグリーンシート(14)又はグリーン積層体(16)をキャリアシート(10)に保持する工程と、
前記キャリアシート(10)に保持された前記グリーンシート(14)又はグリーン積層体(16)を、前記キャリアシート(10)の一部と共に切断する工程と、
切断後の前記グリーンシート(14)又はグリーン積層体(16)のうち、少なくとも製品とならない部分(22)を前記キャリアシート(10)の一部と共に剥離して、前記キャリアシート(10)上に複数のチップ片(24)を残す工程と、
前記複数のチップ片(24)を前記キャリアシート(10)に保持した状態で、前記剥離によって露出した前記複数のチップ片(24)の側面部(24a)に少なくとも表面処理を施す工程とを有することを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項1記載のチップ部品の製造方法において、
さらに、前記複数のチップ片(24)を新しいキャリアシート(100)に保持した後、当初貼り付けてあったキャリアシート(10)から前記複数のチップ片(24)を剥離する工程と、
前記キャリアシート(100)に保持された前記チップ片(24)を、前記キャリアシート(100)の一部と共に切断する工程と、
切断後の前記チップ片(24)のうち、少なくとも製品とならない部分(22)を前記キャリアシート(100)の一部と共に剥離して、前記キャリアシート(100)上に複数のチップ片(24)を残す工程と、
前記複数のチップ片(24)を前記キャリアシート(100)に保持した状態で、前記剥離によって露出した前記複数のチップ片(24)の他方の側面部に少なくとも表面処理を施す工程とを有することを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項1又は2記載のチップ部品の製造方法において、
前記キャリアシート(10、100)は、基材層(12)と、該基材層(12)の一方の面に形成された粘着層(18)とを有するシートが2層以上積層されていることを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項3記載のチップ部品の製造方法において、
前記キャリアシート(10、100)の前記粘着層(18)は、温度変化や紫外線照射によって粘着力が変化することを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項3又は4記載のチップ部品の製造方法において、
各前記粘着層(18)の粘着力は任意に設定され、各層で同一又は異なる粘着力を有することを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項3〜5のいずれか1項に記載のチップ部品の製造方法において、
前記キャリアシート(10)は、第1シート(10A)と第2シート(10B)が積層されて構成され、
前記第1シート(10A)は、第1基材層(12a)と、前記グリーンシート(14)又はグリーン積層体(16)が貼着される第1粘着層(18a)とを有し、
前記第2シート(10B)は、第2基材層(12b)と、前記第1シート(10A)が貼着される第2粘着層(18b)とを有することを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項6記載のチップ部品の製造方法において、
前記第1粘着層(18a)の粘着力が前記第2粘着層(18b)の粘着力より低いことを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項7記載のチップ部品の製造方法において、
前記第2粘着層(18b)の粘着力は、前記第1粘着層(18a)の粘着力の4倍以上であることを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項6〜8のいずれか1項に記載のチップ部品の製造方法において、
前記第1粘着層(18a)の厚みが前記第2粘着層(18b)の厚みよりも薄いことを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項6〜9のいずれか1項に記載のチップ部品の製造方法において、
前記第1粘着層(18a)は、粘着力が0.05N/25mm以上で、且つ、厚みが10μm以下であることを特徴とするチップ部品の製造方法。 - 請求項6〜10のいずれか1項に記載のチップ部品の製造方法において、
前記第2粘着層(18b)は、粘着力が0.4N/25mm以上で、且つ、厚みが40μm以下であることを特徴とするチップ部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017174835 | 2017-09-12 | ||
JP2017174835 | 2017-09-12 | ||
PCT/JP2018/033487 WO2019054338A1 (ja) | 2017-09-12 | 2018-09-10 | チップ部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019054338A1 true JPWO2019054338A1 (ja) | 2020-08-27 |
JP7088942B2 JP7088942B2 (ja) | 2022-06-21 |
Family
ID=65723013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542048A Active JP7088942B2 (ja) | 2017-09-12 | 2018-09-10 | チップ部品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11538983B2 (ja) |
JP (1) | JP7088942B2 (ja) |
CN (1) | CN111095489B (ja) |
WO (1) | WO2019054338A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284163A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005259964A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tdk Corp | セラミック積層体の製造方法 |
JP2009246134A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2009246167A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2011066308A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
US20110090656A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Terminal structure, electronic device, and manufacturing method thereof |
JP2015066658A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法およびダイシング装置 |
US20180240593A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing monolithic ceramic electronic component |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0696990A (ja) * | 1992-09-16 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ形セラミック積層電子部品の製造方法 |
EP0942054A1 (en) * | 1998-03-11 | 1999-09-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multilayer adhesive construction |
US6261927B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-07-17 | International Business Machines Corporation | Method of forming defect-free ceramic structures using thermally depolymerizable surface layer |
JP3429490B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2003-07-22 | 有限会社イースト | ダイシング方法及び部品の製造方法 |
US6998159B2 (en) * | 2002-07-30 | 2006-02-14 | Agfa-Gevaert | Packed storage phosphor screens or panels |
JP4246543B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-04-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 積層電子部品の製造方法 |
JP4130167B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2008-08-06 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの剥離方法 |
US7064010B2 (en) * | 2003-10-20 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of coating and singulating wafers |
JP4359299B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2009-11-04 | Tdk株式会社 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
US7531432B2 (en) * | 2007-02-14 | 2009-05-12 | Texas Instruments Incorporated | Block-molded semiconductor device singulation methods and systems |
KR20090099275A (ko) * | 2008-03-17 | 2009-09-22 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자부품용 그린시트 및 이를 이용한 그린칩의제조방법 |
JP5556070B2 (ja) | 2008-08-20 | 2014-07-23 | 日立化成株式会社 | ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法 |
JP5535765B2 (ja) * | 2009-06-01 | 2014-07-02 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックコンデンサの製造方法 |
US8501590B2 (en) * | 2011-07-05 | 2013-08-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for dicing interposer assembly |
JP2013257420A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Sony Corp | 多層膜基板および多層膜基板の製造方法、並びに半導体装置の製造方法、表示装置の製造方法および電子機器の製造方法 |
JP2014116455A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP6082255B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2017-02-15 | 日本碍子株式会社 | セラミックス部品及びその製造方法 |
JP6043959B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-12-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体パッケージの製造方法、半導体チップ支持キャリア及びチップ搭載装置 |
-
2018
- 2018-09-10 JP JP2019542048A patent/JP7088942B2/ja active Active
- 2018-09-10 WO PCT/JP2018/033487 patent/WO2019054338A1/ja active Application Filing
- 2018-09-10 CN CN201880058972.2A patent/CN111095489B/zh active Active
-
2020
- 2020-03-09 US US16/812,742 patent/US11538983B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284163A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2005259964A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Tdk Corp | セラミック積層体の製造方法 |
JP2009246134A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2009246167A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
JP2011066308A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tdk Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
US20110090656A1 (en) * | 2009-10-21 | 2011-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Terminal structure, electronic device, and manufacturing method thereof |
JP2015066658A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法およびダイシング装置 |
US20180240593A1 (en) * | 2017-02-23 | 2018-08-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing monolithic ceramic electronic component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111095489A (zh) | 2020-05-01 |
WO2019054338A1 (ja) | 2019-03-21 |
US20200212289A1 (en) | 2020-07-02 |
CN111095489B (zh) | 2023-11-28 |
US11538983B2 (en) | 2022-12-27 |
JP7088942B2 (ja) | 2022-06-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10403538B2 (en) | Expansion method, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device | |
TWI639498B (zh) | 將一個固態物分離成多個固態層之組合製造方法 | |
JP2011035245A (ja) | 板状ワークの分割方法 | |
TWI251874B (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and its manufacturing method | |
CN111446162B (zh) | 一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法 | |
KR20140040613A (ko) | 적층 세라믹 기판의 분단 방법 및 홈 가공용 툴 | |
JPWO2019054338A1 (ja) | チップ部品の製造方法 | |
TW201715697A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
JP5356791B2 (ja) | 積層製品の製造方法 | |
CN106486396A (zh) | 膜扩展装置以及使用该膜扩展装置的电子部件的制造方法 | |
KR102035931B1 (ko) | SiC 플레이트 제조방법 | |
TWI644774B (zh) | a method for separating a brittle material substrate, a substrate holding member for breaking a brittle material substrate, and a frame for adhering the adhesive film used for breaking the brittle material substrate | |
TW200306247A (en) | Method for cutting thin film filter work pieces | |
US10636707B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
JP2013161944A (ja) | ダイシング方法 | |
JP2011249523A (ja) | ウエハ製造方法及びウエハ製造装置 | |
TWI583522B (zh) | Disassembly method of laminated ceramic substrate | |
JPS58181022A (ja) | フレキシブル表示素子の製造方法 | |
JP4911883B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
WO2024116802A1 (ja) | 積層デバイスの製造方法 | |
JP2014083808A (ja) | 積層セラミックス基板の分断方法 | |
JP2002170749A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2016127094A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004216881A (ja) | テープヘッド製作における列スライス方法の改良 | |
JP2023109359A (ja) | 積層体の固定治具、及び、窒化アルミニウム単結晶基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20200108 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7088942 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |