JP2016127094A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体ウエハを薄板化する方法であって、熱処理時に半導体ウエハにストレスが加わり難い技術を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法が提供される。この製造方法は、第1の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハと同じ材料により構成されている第2の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハの前記表面と前記第2の半導体ウエハの前記表面を貼り合わせる工程と、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを研磨して薄板化する工程と、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを加熱する工程を有する。
【選択図】図2
【解決手段】 半導体装置の製造方法が提供される。この製造方法は、第1の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハと同じ材料により構成されている第2の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハの前記表面と前記第2の半導体ウエハの前記表面を貼り合わせる工程と、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを研磨して薄板化する工程と、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを加熱する工程を有する。
【選択図】図2
Description
本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
特許文献1には、半導体ウエハをガラス等により構成された支持プレートに貼り付け、その後に半導体ウエハの表面を研磨することによって半導体ウエハを薄板化する技術が開示されている。
半導体ウエハを薄板化した後に、半導体ウエハと支持プレートからなる積層ウエハを熱処理する場合がある。特許文献1の技術では、半導体ウエハと支持プレートの熱膨張係数が異なるため、熱処理時に半導体ウエハにストレスが加わって半導体ウエハが割れる場合がある。例えば、熱膨張係数の差によって熱処理時に積層ウエハに反りが生じ、半導体ウエハが割れる場合がある。したがって、本明細書では、半導体ウエハを薄板化する方法であって、熱処理時に半導体ウエハにストレスが加わり難い技術を提供する。
本明細書では、半導体装置の製造方法を提供する。この製造方法は、第1の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハと同じ材料により構成されている第2の半導体ウエハの表面に半導体素子構造を形成する工程と、前記第1の半導体ウエハの前記表面と前記第2の半導体ウエハの前記表面を貼り合わせる工程と、前記第1の半導体ウエハの裏面と前記第2の半導体ウエハの裏面を研磨する工程と、前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを加熱する工程を有する。
この技術では、同じ材料により構成された第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハを貼り合わせる。これによって、第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハが互いに補強される。貼り合わせた状態で第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハが研磨され、これらの半導体ウエハが薄板化される。その後、第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハが熱処理される。第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハは、同じ材料によって構成されているので、略同じ熱膨張係数を有する。したがって、熱処理時に第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハが略同じ量だけ膨張する。このため、第1の半導体ウエハ及び第2の半導体ウエハにストレスが加わることが抑制される。したがって、この方法によれば、第1の半導体ウエハと第2の半導体ウエハの割れを抑制することができる。また、この方法によれば、半導体ウエハを支持するための支持プレートを別途用意する必要がないため、効率的に半導体装置を製造することができる。
本実施形態の製造方法では、約4インチの直径を有し、約350μmの厚みを有する4H−SiC基板を用いて半導体装置を製造する。この製造方法では、SiC基板のおもて面から裏面の間に電流を流す縦型の半導体装置を製造する。
まず、SiC基板の表面に対して、イオン注入、電極形成、絶縁膜形成等を行うことによって、SiC基板に半導体素子構造を形成する。ここでは、図1に示すように、少なくとも2つのSiC基板12、22のおもて面に、半導体素子構造を形成する。以下では、SiC基板12とその表面に形成された電極、絶縁膜等をまとめて、半導体ウエハ10と呼ぶ。また、SiC基板22とその表面に形成された電極、絶縁膜等をまとめて、半導体ウエハ20と呼ぶ。
なお、上記貼り合わせ工程において、半導体ウエハ10と半導体ウエハ20の相対位置が横方向にずれる場合がある。このようにずれが生じると、半導体ウエハ10、20の外周縁でチッピングが生じやすくなる。したがって、チッピングを防止するために、半導体ウエハ10、20の外周縁において、研磨技術等を用いてベベル面を加工してもよい。
次に、図2に示すように、半導体ウエハ10のおもて面10aと半導体ウエハ20のおもて面20aを接着剤30によって互いに貼り合わせる。これによって、積層ウエハ50を得る。
次に、半導体ウエハ10の裏面10bと半導体ウエハ20の裏面20bを研磨する。これによって、図3に示すように、半導体ウエハ10と半導体ウエハ20を薄板化する。ここでは、半導体ウエハ10の厚みが100μm程度となり、半導体ウエハ20の厚みが100μm程度となるまで研磨を行う。なお、半導体ウエハ10の研磨と半導体ウエハ20の研磨は、同時に行ってもよいし、別に行ってもよい。半導体ウエハ10と半導体ウエハ20が互いに接着されることで補強し合っているので、半導体ウエハ10、20を薄板化した後でも、積層ウエハ50は十分な強度を有している。
次に、図4に示すように、半導体ウエハ10の裏面10bと半導体ウエハ20の裏面20bに金属製の電極膜40を形成する。次に、積層ウエハ50を100℃以上の温度に加熱する。これによって、電極膜40(すなわち、金属)とSiC基板12、22(すなわち、SiC)とを反応させる。その結果、電極膜40がシリサイド化する。
積層ウエハ50を熱処理する際には、SiC基板12とSiC基板22が膨張する。SiC基板12とSiC基板22が同じ材料により構成されているので、これらは略同じ熱膨張係数を有する。したがって、SiC基板12とSiC基板22は略同じ量だけ膨張する。SiC基板12とSiC基板22の熱膨張量にほとんど差がないので、SiC基板12及びSiC基板22中に生じる応力や変形は小さい。これによって、SiC基板12、22が割れることが防止される。
シリサイドの電極膜40が形成されたら、接着剤30を除去して、半導体ウエハ10と半導体ウエハ20を互いから分離させる。その後、半導体ウエハ10、20をダイシングすることで、半導体装置が得られる。
このように、この製造方法では、SiC基板12、22の割れを防止することができる。これによって、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。また、この製造方法では、SiC基板12、22の厚みを薄くすることができる。これによって、半導体装置で生じる損失を低減することができる。また、この製造方法では、素子構造が形成された半導体ウエハを補強するために別の半導体ウエハ(素子構造が形成された半導体ウエハ)を使用する。半導体ウエハを補強するための専用の支持プレートを用意する必要がない。このため、半導体装置の製造コストを下げることができる。
なお、上述した実施形態では、半導体ウエハ10、20の貼り合わせに接着剤を用いたが、テープ等のような他の方法によって半導体ウエハ10、20を貼り合わせてもよい。
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
10:半導体ウエハ
10a:おもて面
10b:裏面
12:SiC基板
20:半導体ウエハ
20a:おもて面
20b:裏面
22:SiC基板
30:接着剤
40:電極膜
50:積層ウエハ
10a:おもて面
10b:裏面
12:SiC基板
20:半導体ウエハ
20a:おもて面
20b:裏面
22:SiC基板
30:接着剤
40:電極膜
50:積層ウエハ
Claims (1)
- 第1の半導体ウエハの表面に、半導体素子構造を形成する工程と、
前記第1の半導体ウエハと同じ材料により構成されている第2の半導体ウエハの表面に、半導体素子構造を形成する工程と、
前記第1の半導体ウエハの前記表面と前記第2の半導体ウエハの前記表面を貼り合わせる工程と、
前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを研磨して薄板化する工程と、
前記第1の半導体ウエハと前記第2の半導体ウエハを加熱する工程、
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265765A JP2016127094A (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014265765A JP2016127094A (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016127094A true JP2016127094A (ja) | 2016-07-11 |
Family
ID=56356826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014265765A Pending JP2016127094A (ja) | 2014-12-26 | 2014-12-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016127094A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114695643A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-07-01 | 天通控股股份有限公司 | 一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法 |
-
2014
- 2014-12-26 JP JP2014265765A patent/JP2016127094A/ja active Pending
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CN114695643A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-07-01 | 天通控股股份有限公司 | 一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法 |
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