JPWO2019039189A1 - 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 - Google Patents
13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019039189A1 JPWO2019039189A1 JP2019538017A JP2019538017A JPWO2019039189A1 JP WO2019039189 A1 JPWO2019039189 A1 JP WO2019039189A1 JP 2019538017 A JP2019538017 A JP 2019538017A JP 2019538017 A JP2019538017 A JP 2019538017A JP WO2019039189 A1 JPWO2019039189 A1 JP WO2019039189A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- light emitting
- atom
- layer
- element nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 122
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 75
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 177
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 54
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 9
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims abstract description 9
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 181
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 57
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 13
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101700004678 SLIT3 Proteins 0.000 description 2
- 102100027339 Slit homolog 3 protein Human genes 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003530 quantum well junction Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004645 scanning capacitance microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/34—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being on the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66204—Diodes
- H01L29/66212—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
Abstract
Description
前記高輝度発光部が前記13族元素窒化物結晶のm面に沿って延びている部分を含んでおり、
酸素原子の含有量が1×1018atom/cm3以下であり、珪素原子、マンガン原子、炭素原子、マグネシウム原子およびカルシウム原子の含有量がそれぞれ1×1017atom/cm3以下であり、クロム原子の含有量が1×1016atom/cm3以下であり、塩素原子の含有量が1×1015atom/cm3以下であることを特徴とする。
(13族元素窒化物結晶層)
本発明の13族元素窒化物結晶層は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する。例えば、図1(b)に示すように、13族元素窒化物結晶層13では上面13aと底面13bとが対向している。
CL観察には、CL検出器付きの走査型電子顕微鏡(SEM)を用いる。例えばGatan製MiniCLシステム付きの日立ハイテクノロジーズ製S−3400N走査電子顕微鏡を用いた場合、測定条件は、CL検出器を試料と対物レンズの間に挿入した状態で、加速電圧10kV、プローブ電流「90」、ワーキングディスタンス(W.D.)22.5mm、倍率50倍で観察するのが好ましい。
加速電圧10kV、プローブ電流「90」、ワーキングディスタンス(W.D.)22.5mm、倍率50倍でCL観察した画像の輝度に対して、画像解析ソフト(例えば、三谷商事(株)製WinROOF Ver6.1.3)を用いて、縦軸を度数、横軸を輝度(GRAY)として、256段階のグレースケールのヒストグラムを作成する。ヒストグラムには、図10のように、2つのピークが確認され、2つのピーク間で度数が最小値となる輝度を境界として、高い側を高輝度発光部、低い側を低輝度発光領域と定義する。
また、本発明の観点からは、上面において、高輝度発光部の面積の低輝度発光領域の面積に対する比率(高輝度発光部の面積/低輝度発光領域の面積)は、0.3以下であることが好ましく、0.1以下であることが更に好ましい。
13族元素窒化物結晶層に含まれる各原子の濃度測定はSIMS(二次イオン質量分析法)によって行う。
以下、13族元素窒化物結晶層の好適な製法を例示する。
本発明の13族元素窒化物結晶層は、下地基板上に種結晶層を形成し、その上に13族元素窒化物結晶から構成される層を形成することにより製造することができる。
例えば、MOCVD法による種結晶層の形成は、450〜550℃にて低温成長緩衝GaN層を20〜50nm堆積させた後に、1000〜1200℃にて厚さ2〜4μmのGaN膜を積層させることにより行うのが好ましい。
次いで、13族元素窒化物結晶層を単結晶基板から分離することによって、13族元素窒化物結晶層を含む自立基板を得ることができる。
ケミカルエッチングを行う際のエッチャントとしては、硫酸、塩酸等の強酸や硫酸とリン酸の混合液、もしくは水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等の強アルカリが好ましい。また、ケミカルエッチングを行う際の温度は、70℃以上が好ましい。
あるいは、13族元素窒化物結晶層を単結晶基板から研削によって剥離することができる。
あるいは、13族元素窒化物結晶層を単結晶基板からワイヤーソーで剥離することができる。
13族元素窒化物結晶層を単結晶基板から分離することで、自立基板を得ることができる。本発明において「自立基板」とは、取り扱う際に自重で変形又は破損せず、固形物として取り扱うことのできる基板を意味する。本発明の自立基板は発光素子等の各種半導体デバイスの基板として使用可能であるが、それ以外にも、電極(p型電極又はn型電極でありうる)、p型層、n型層等の基材以外の部材又は層として使用可能なものである。この自立基板には、一層以上の他の層が更に設けられていても良い。
単結晶基板上に13族元素窒化物結晶層を設けた状態で、13族元素窒化物結晶層を分離することなく、他の機能層を形成するためのテンプレート基板として用いることができる。
本発明の13族元素窒化物結晶層上に設けられた機能素子構造は特に限定されないが、発光機能、整流機能または電力制御機能を例示できる。
(窒化ガリウム自立基板の作製)
径φ6インチのサファイア基板1上に、0.3μmのアルミナ膜2をスパッタリング法で成膜した後、MOCVD法で厚さ2μmの窒化ガリウムからなる種結晶膜3を成膜し、種結晶基板を得た。
窒化ガリウム自立基板の上面を研磨加工して、CL検出器付きの操作型電子顕微鏡(SEM)でCL観察した。その結果、図3に示すように、CL写真では窒化ガリウム結晶意内部に、白く発光する高輝度発光部が確認された。しかし、同時に、図9に示すように、同一視野をSEM観察したところ、ボイド等が確認されず、均質な窒化ガリウム結晶が成長していることが確認された。
ついで、13族元素窒化物結晶層の上面について転位密度を測定した。CL観察を行い、転位箇所であるダークスポットの密度を計測する事により、転位密度が算出した。80μm×105μm視野を5視野観察した結果、1.2×104/cm2〜9.4×104/cm2の範囲でばらつき、平均3.3×104/cm2であった。
窒化ガリウム結晶層の上面におけるX線ロッキングカーブの(0002)面反射の半値幅を測定した結果、73秒であった。
窒化ガリウム結晶層の上面におけるX線ロッキングカーブの(1000)面反射の半値幅を測定したところ、85秒であった。
SIMSによって各原子の濃度を測定した。具体的には、CAMECA社製IMS−7f装置を使用し、一次イオン種としてO2 +またはCs+を用い、加速電圧5kV〜15kVにて、20×20μmあるいはφ30μmの領域における表面から深さ3μmまでのSIMS測定を行った。結果は以下のとおりである。
酸素原子: 5×1016atom/cm3
珪素原子: 3×1015atom/cm3
マンガン原子: 2×1015atom/cm3
炭素原子: 6×1015atom/cm3
マグネシウム原子: 3×1015atom/cm3
カルシウム原子: 9×1013atom/cm3
クロム原子: 8×1014atom/cm3
塩素原子: 2×1014atom/cm3
MOCVD法を用いて、窒化ガリウム自立基板の上面にn型層として1050℃でSi原子濃度が5×1018/cm3になるようにドーピングしたn−GaN層を1μm堆積した。次に発光層として750℃で多重量子井戸層を堆積した。具体的にはInGaNによる2.5nmの井戸層を5層、GaNによる10nmの障壁層を6層にて交互に積層した。次にp型層として950℃でMg原子濃度が1×1019/cm3になるようにドーピングしたp−GaNを200nm堆積した。その後、MOCVD装置から取り出し、p型層のMgイオンの活性化処理として、窒素雰囲気中で800℃の熱処理を10分間行った。
フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、窒化ガリウム自立基板のn−GaN層及びp−GaN層とは反対側の面にカソード電極としてのTi/Al/Ni/Au膜をそれぞれ15nm、70nm、12nm、60nmの厚みでパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために、窒素雰囲気中での700℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、p型層に透光性アノード電極としてNi/Au膜をそれぞれ6nm、12nmの厚みにパターニングした。その後、オーム性接触特性を良好なものとするために窒素雰囲気中で500℃の熱処理を30秒間行った。さらに、フォトリソグラフィープロセスと真空蒸着法とを用いて、透光性アノード電極としてのNi/Au膜の上面の一部領域に、アノード電極パッドとなるNi/Au膜をそれぞれ5nm、60nmの厚みにパターニングした。こうして得られた基板を切断してチップ化し、さらにリードフレームに実装して、縦型構造の発光素子を得た。
作製した素子から任意に選んだ100個の個体について、カソード電極とアノード電極間に通電し、I−V測定を行ったところ、90個について整流性が確認された。また、順方向の電流を流したところ、波長460nmの発光が確認された。
また、発光素子の発光面の全面にわたって均一な発光が確認された。
融液の条件を変更することによって、各原子比率を以下のように調節した。
酸素原子: 1×1012〜1×1017atom/cm3
珪素原子: 1×1012〜1×1016atom/cm3
マンガン原子: 1×1012〜1×1016atom/cm3
炭素原子: 1×1012〜1×1016atom/cm3
マグネシウム原子: 1×1012〜2×1016atom/cm3
カルシウム原子: 1×1012〜2×1016atom/cm3
クロム原子: 1×1012〜2×1015atom/cm3
塩素原子: 1×1012〜2×1014atom/cm3
そして、実施例1と同様にして発光素子を作製したが、発光面から均一な発光が確認された。
整流機能を有する機能素子を作製した。
すなわち、実施例で得られた前記自立基板の上面に、以下のようにして、ショットキーバリアダイオード構造を成膜し、電極を形成することで、ダイオードを得、特性を確認した。
MOCVD(有機金属化学的気相成長)法を用いて、自立基板上にn型層として1050℃でSi原子濃度が1×1016/cm3になるようにドーピングしたn−GaN層を5μm成膜した。
I−V測定を行ったところ、整流特性が確認された。
電力制御機能を有する機能素子を作製した。
前記実施例と同様に自立基板を作製した。ただし、実施例1と異なり、Naフラックス法によって窒化ガリウム結晶を成膜する際に、不純物のドーピングは行わなかった。このようにして得られた自立基板の上面に、以下のようにして、MOCVD法でAl0.25Ga0.75/GaN HEMT構造を成膜し、電極を形成し、トランジスタ特性を確認した。
I−V特性を測定したところ、良好なピンチオフ特性が確認され、最大ドレイン電流は710mA/mm、最大相互コンダクタンス210mS/mm特性を得た。
電力制御機能を有する機能素子を作製した。
前記実施例と同様に自立基板を作製した。ただし、実施例1と異なり、Naフラックス法によって窒化ガリウム結晶を成膜する際に、不純物のドーピングは行わなかった。このようにして得られた自立基板の上面に、以下のようにして、MOCVD法でAl0.25Ga0.75 N/GaN HEMT構造を成膜し、電極を形成し、トランジスタ特性を確認した。
Claims (15)
- 窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層であって、
前記上面をカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部と、前記高輝度発光部に隣接する低輝度発光領域とを有しており、
前記高輝度発光部が前記13族元素窒化物結晶のm面に沿って延びている部分を含んでおり、
酸素原子の含有量が1×1018atom/cm3以下であり、珪素原子、マンガン原子、炭素原子、マグネシウム原子およびカルシウム原子の含有量がそれぞれ1×1017atom/cm3以下であり、クロム原子の含有量が1×1016atom/cm3以下であり、塩素原子の含有量が1×1015atom/cm3以下であることを特徴とする、13族元素窒化物結晶層。 - 前記高輝度発光部が概ね前記13族元素窒化物結晶の前記m面に沿って延びていることを特徴とする、請求項1記載の13族元素窒化物結晶層。
- 前記上面におけるX線ロッキングカーブの(0002)面反射の半値幅が3000秒以下、20秒以上であることを特徴とする、請求項1または2記載の13族元素窒化物層。
- 前記13族元素窒化物結晶層の前記上面に略垂直な断面においてボイドが観測されないことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物結晶層。
- 前記13族元素窒化物結晶層の前記上面における転位密度が1×106/cm2以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物結晶層。
- 前記13族元素窒化物結晶層の前記上面における転位密度が1×102/cm2以上、1×106/cm2以下であることを特徴とする、請求項5記載の13族元素窒化物結晶層。
- 前記高輝度発光部が連続相を形成しており、前記低輝度発光領域が前記高輝度発光部によって区画された不連続相を形成していることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物結晶層。
- 前記上面におけるX線ロッキングカーブの(1000)面反射の半値幅が10000秒以下、20秒以上であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物層。
- 前記13族元素窒化物が窒化ガリウム系窒化物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の13族元素窒化物層。
- 請求項1〜9のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物層からなることを特徴とする、自立基板。
- 請求項10記載の自立基板および
前記13族元素窒化物層上に設けられた機能層を有することを特徴とする、機能素子。 - 前記機能層の機能が、発光機能、整流機能または電力制御機能であることを特徴とする、請求項11記載の機能素子。
- 支持基板、および
前記支持基板上に設けられた請求項1〜9のいずれか一つの請求項に記載の13族元素窒化物層
を備えていることを特徴とする、複合基板。 - 請求項13記載の複合基板、および
前記13族元素窒化物層上に設けられた機能層を有することを特徴とする、機能素子。 - 前記機能層の機能が、発光機能、整流機能または電力制御機能であることを特徴とする、請求項14記載の機能素子。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/030373 WO2019038892A1 (ja) | 2017-08-24 | 2017-08-24 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
JPPCT/JP2017/030373 | 2017-08-24 | ||
PCT/JP2017/034035 WO2019038933A1 (ja) | 2017-08-24 | 2017-09-21 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
JPPCT/JP2017/034035 | 2017-09-21 | ||
JP2018061580 | 2018-03-28 | ||
JP2018061580 | 2018-03-28 | ||
PCT/JP2018/028206 WO2019039189A1 (ja) | 2017-08-24 | 2018-07-27 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019039189A1 true JPWO2019039189A1 (ja) | 2020-10-08 |
JP6857247B2 JP6857247B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=65438746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019538017A Active JP6857247B2 (ja) | 2017-08-24 | 2018-07-27 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11611017B2 (ja) |
JP (1) | JP6857247B2 (ja) |
CN (1) | CN111052414B (ja) |
WO (1) | WO2019039189A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6639751B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2020-02-05 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
JP6899958B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2021-07-07 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板、機能素子および13族元素窒化物層の製造方法 |
JP2022015092A (ja) * | 2020-07-08 | 2022-01-21 | 株式会社サイオクス | Iii族窒化物積層物、半導体素子およびiii族窒化物積層物の製造方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000277803A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びそれを用いた素子 |
JP2001284736A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体基板 |
JP2005154254A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにiii族窒化物結晶の製造装置 |
JP2009147271A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Tohoku Univ | 基板製造方法およびiii族窒化物半導体結晶 |
JP2010180111A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 自立基板、およびその製造方法 |
WO2015068458A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 日本碍子株式会社 | GaNテンプレート基板およびデバイス基板 |
JP2016001650A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物結晶層および機能素子 |
US20160020284A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Soraa, Inc. | Reusable nitride wafer, method of making, and use thereof |
WO2016121853A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 日本碍子株式会社 | 自立基板、機能素子およびその製造方法 |
JP2016160151A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 |
JP2017052660A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置 |
WO2017077989A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203418A (ja) | 2004-01-13 | 2005-07-28 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物系化合物半導体基板及びその製造方法 |
JP4877712B2 (ja) * | 2005-08-04 | 2012-02-15 | 国立大学法人東北大学 | 窒化アルミニウム単結晶積層基板および窒化アルミニウム単結晶膜の製造方法 |
US7727874B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-06-01 | Kyma Technologies, Inc. | Non-polar and semi-polar GaN substrates, devices, and methods for making them |
KR20100138879A (ko) * | 2008-01-16 | 2010-12-31 | 고꾸리쯔 다이가꾸호우징 도쿄노우코우다이가쿠 | Al계 Ⅲ족 질화물 단결정층을 갖는 적층체의 제조 방법, 그 제법으로 제조되는 적층체, 그 적층체를 사용한 Al계 Ⅲ족 질화물 단결정 기판의 제조 방법, 및, 질화알루미늄 단결정 기판 |
JP5293591B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-09-18 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体の製造方法、およびテンプレート基板 |
US8680581B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-03-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing group III nitride semiconductor and template substrate |
WO2010084682A1 (ja) | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 日本碍子株式会社 | 3b族窒化物結晶 |
JP5039813B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2012-10-03 | 日本碍子株式会社 | Znがドープされた3B族窒化物結晶、その製法及び電子デバイス |
CN102575384B (zh) | 2009-10-16 | 2015-10-14 | 日本碍子株式会社 | 基底基板、第13族氮化物结晶及其制法 |
JP5897790B2 (ja) | 2009-10-22 | 2016-03-30 | 日本碍子株式会社 | 3b族窒化物単結晶及びその製法 |
JP2011256082A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶自立基板およびその製造方法 |
JP5842324B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-01-13 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物半導体素子、iii族窒化物半導体素子を作製する方法、及びエピタキシャル基板 |
CN103890980A (zh) * | 2011-08-10 | 2014-06-25 | 日本碍子株式会社 | 半导体发光元件以及包含该半导体发光元件的叠层体 |
WO2013147326A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物結晶の製造方法および融液組成物 |
JP6024335B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2016-11-16 | 三菱化学株式会社 | 周期表第13属金属窒化物半導体基板の製造方法 |
US9312446B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-04-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Gallium nitride self-supported substrate, light-emitting device and manufacturing method therefor |
WO2015083768A1 (ja) | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム基板および機能素子 |
JP5770905B1 (ja) | 2013-12-18 | 2015-08-26 | 日本碍子株式会社 | 窒化ガリウム自立基板、発光素子及びそれらの製造方法 |
EP3128562B1 (en) * | 2014-03-31 | 2023-01-25 | NGK Insulators, Ltd. | Polycrystalline gallium-nitride self-supporting substrate and light-emitting element using same |
JP6573154B2 (ja) | 2014-06-05 | 2019-09-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体構造、窒化物半導体構造を備えた電子デバイス、窒化物半導体構造を備えた発光デバイス、および窒化物半導体構造を製造する方法 |
US9614124B2 (en) | 2015-02-27 | 2017-04-04 | Tohoku University | Substrate having annealed aluminum nitride layer formed thereon and method for manufacturing the same |
JP6737800B2 (ja) | 2015-11-02 | 2020-08-12 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
JP6222292B2 (ja) | 2016-06-14 | 2017-11-01 | 株式会社リコー | 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶の製造方法および13族窒化物結晶基板 |
JP6639751B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2020-02-05 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
US11309455B2 (en) * | 2017-08-24 | 2022-04-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element |
WO2019039246A1 (ja) | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 |
-
2018
- 2018-07-27 CN CN201880052334.XA patent/CN111052414B/zh active Active
- 2018-07-27 WO PCT/JP2018/028206 patent/WO2019039189A1/ja active Application Filing
- 2018-07-27 JP JP2019538017A patent/JP6857247B2/ja active Active
-
2020
- 2020-02-21 US US16/797,685 patent/US11611017B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000277803A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びそれを用いた素子 |
JP2001284736A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体基板 |
JP2005154254A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにiii族窒化物結晶の製造装置 |
JP2009147271A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-02 | Tohoku Univ | 基板製造方法およびiii族窒化物半導体結晶 |
JP2010180111A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 自立基板、およびその製造方法 |
WO2015068458A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 日本碍子株式会社 | GaNテンプレート基板およびデバイス基板 |
JP2016001650A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物結晶層および機能素子 |
US20160020284A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Soraa, Inc. | Reusable nitride wafer, method of making, and use thereof |
WO2016121853A1 (ja) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 日本碍子株式会社 | 自立基板、機能素子およびその製造方法 |
JP2016160151A (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-05 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物半導体結晶基板の製造方法 |
JP2017052660A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | 株式会社豊田中央研究所 | 窒化ガリウム結晶及びその製造方法、並びに、結晶成長装置 |
WO2017077989A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | 日本碍子株式会社 | 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111052414B (zh) | 2023-07-21 |
US20200194621A1 (en) | 2020-06-18 |
WO2019039189A1 (ja) | 2019-02-28 |
US11611017B2 (en) | 2023-03-21 |
JP6857247B2 (ja) | 2021-04-14 |
CN111052414A (zh) | 2020-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11611017B2 (en) | Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element | |
US11011678B2 (en) | Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element | |
JP6854903B2 (ja) | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 | |
US11309455B2 (en) | Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element | |
JP6764035B2 (ja) | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 | |
JP6851485B2 (ja) | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 | |
JP6851486B2 (ja) | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 | |
JP6854902B2 (ja) | 13族元素窒化物層、自立基板および機能素子 | |
JP2020073438A (ja) | 13族元素窒化物結晶層、自立基板および機能素子 | |
JPWO2019039055A1 (ja) | 13族元素窒化物層の製造方法 | |
JPWO2019039342A1 (ja) | 窒化ガリウム基板、自立基板および機能素子 | |
WO2019039055A1 (ja) | 13族元素窒化物層の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201021 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201021 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20201021 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20201106 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210319 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6857247 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |