JPWO2019026836A1 - パワーモジュール - Google Patents
パワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019026836A1 JPWO2019026836A1 JP2019534496A JP2019534496A JPWO2019026836A1 JP WO2019026836 A1 JPWO2019026836 A1 JP WO2019026836A1 JP 2019534496 A JP2019534496 A JP 2019534496A JP 2019534496 A JP2019534496 A JP 2019534496A JP WO2019026836 A1 JPWO2019026836 A1 JP WO2019026836A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base plate
- insulating substrate
- power module
- ceramics
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group subclass H10D the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices the devices being of the types provided for in two or more different main groups of the same subclass of H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/42—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
実施例及び比較例では、表1に示すベース板1〜12を用いた。各ベース板は、市販の材料を研削加工により所定形状に加工した後、無電解Niめっきを施したものを用いた。表中の各物性値を測定するために、研削加工により熱伝導率測定用試験体(直径11mm×厚さ3mm)、線熱膨張係数測定用試験体(直径3mm×長さ10mm)、弾性率測定用試験体(3mm×4mm×長さ40mm)を作製した。それぞれの試験片を用いて、25℃での熱伝導率をレーザーフラッシュ法(理学電機社製;LF/TCM−8510B)により、温度150℃から25℃における降温時の線熱膨張係数を熱膨張計(セイコー電子工業社製;TMA300)により、ヤング率を3点曲げ法(島津製作所社製;オートグラフAG−X)で測定した。また、放熱面の反り量については、3次元輪郭形状測定機(東京精密社製;コンターレコード1600D−22)を用いて測定した。さらに平面度については、透明な樹脂ブロックに締め付けトルク10Nでネジ止めした後、レーザー変位計(キーエンス社製;LT9010M)で放熱面の形状を測定して求めた。
実施例及び比較例では、図3(a)に示す3層構造のセラミックス絶縁基板4A、又は図3(b)に示す5層構造のセラミックス絶縁基板4Bである絶縁基板1〜13を用いた。各絶縁基板の詳細を下記及び表2に示す。
・絶縁基板1〜5(3層構造)では、Ag(90%)−Cu(10%)−TiH2(3.5%)ろう材を用いて、温度800℃で金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板6(5層構造)は、絶縁基板1〜5と同様の手法で金属回路8a,9aを形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路8b,9bを積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板7(5層構造)では、絶縁基板1〜5と同様の手法で金属回路を形成した後、融点300℃の高温半田で回路金属を接合した後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板8(3層構造)は、Al−Cuクラッド箔をろう材とし用い温度630℃で回路金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板9(5層構造)は、絶縁基板8と同様の手法で金属回路を形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板10(3層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板11(5層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板12(3層構造)は、セラミックスの両面にアクリル系接着剤で回路金属を接着した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板13(3層構造)は、DBC(Direct Bonded Copper)法により作製された市販のセラミックス絶縁基板(MARUWA社製)を用いた。
セラミックス絶縁基板として表2の絶縁基板11を用い、Si半導体素子及び電極を高温半田で絶縁基板11に接合した後、表1のベース板3を、共晶半田を用いて絶縁基板11に更に接合した。次に、Al線をSi半導体素子とセラミックス絶縁基板に超音波接合して配線した後、樹脂筐体をベース板に接着剤で接着した後、樹脂筐体内にシリコーンゲルを充填してパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が26μmであった。
表3に示す絶縁基板とベース板を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの評価結果を表3に示す。なお、反り量又は反り変化量の符号がマイナスである場合は、放熱面が凹状の反りを有していた又は凹状となる方向に反りの形状が変化したことを意味する。
半導体素子としてSiC半導体素子を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が24μmであった。次に、このパワーモジュールを、8本のM6の取り付けボルトで140mm×190mm×50mmの透明樹脂ブロックに締め付け、トルク10Nで取り付けた。その後、レーザー変位計を用いて、樹脂ブロックの裏面よりパワーモジュールの放熱面のベース板の平面度を測定した結果、10μmであった。また、得られたパワーモジュールは、温度−40℃×30分と温度175℃×30分を1サイクルとする1000回のヒートサイクル試験を行った後、電気特性を評価した結果、初期特性を維持していることを確認した。この結果から、得られたパワーモジュールは、高耐圧、高出力等が要望される電車又は自動車の駆動インバータとして好適に用いることができる。
Claims (8)
- 前記セラミックス絶縁基板に接合された前記ベース板の前記反りの大きさと、前記セラミックス絶縁基板に接合される前の前記ベース板の反りの大きさとの差が、長さ10cmあたり20μm以下である、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記セラミックス絶縁基板は、セラミックス基材と、前記セラミックス基材の両面に設けられた金属層とを備え、
前記セラミックス基材は、AlN、Si3N4又はAl2O3で形成されており、
前記金属層は、Cu、Al、Mo、Cu及びMo含む合金、並びにCu及びWを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも1種で形成されており、
前記セラミックス絶縁基板の線熱膨張係数α2が5〜9(×10−6/K)である、請求項1又は2に記載のパワーモジュール。 - 前記ベース板は、Al又はMgを含む金属と、SiC、Si3N4、Al2O3、SiO2及びAlNからなる群より選ばれる少なくとも1種とからなる金属基複合体、Cu及びMo若しくはCu及びWを含む合金、又は、Cu及びMo若しくはCu及びWで形成された多層金属板からなり、
前記ベース板の前記線熱膨張係数α1が5〜9(×10−6/K)であり、熱伝導率が150W/mK以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のパワーモジュール。 - 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面が、機械加工又は研削加工されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面に放熱部品が取り付けられたときの当該面の平面度が30μm以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 前記半導体素子が、Si、SiC及びGaNのいずれかで形成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
- 電車又は自動車の駆動インバータとして用いられる、請求項1〜7のいずれか一項に記載のパワーモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151884 | 2017-08-04 | ||
JP2017151884 | 2017-08-04 | ||
PCT/JP2018/028425 WO2019026836A1 (ja) | 2017-08-04 | 2018-07-30 | パワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019026836A1 true JPWO2019026836A1 (ja) | 2020-07-16 |
JP7144419B2 JP7144419B2 (ja) | 2022-09-29 |
Family
ID=65232631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019534496A Active JP7144419B2 (ja) | 2017-08-04 | 2018-07-30 | パワーモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11094648B2 (ja) |
EP (1) | EP3664133B1 (ja) |
JP (1) | JP7144419B2 (ja) |
CN (1) | CN110998839B (ja) |
WO (1) | WO2019026836A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7116690B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
JP7116689B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
JP6591114B1 (ja) * | 2019-06-05 | 2019-10-16 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
JP6591113B1 (ja) * | 2019-06-05 | 2019-10-16 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
CN113994464A (zh) * | 2019-06-19 | 2022-01-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
WO2021174006A1 (en) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Neograf Solutions, Llc | Thermal management system |
JP6875588B1 (ja) * | 2020-09-18 | 2021-05-26 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
US20230307314A1 (en) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Direct bond copper substrate with metal filled ceramic substrate indentations |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
JP2008091959A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-04-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012138541A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール用回路基板 |
WO2013002249A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
JP2015170785A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 三菱電機株式会社 | 絶縁基板および電力用半導体装置 |
JP2015170825A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2016111171A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | デンカ株式会社 | セラミックス樹脂複合体回路基板及びそれを用いたパワー半導体モジュール |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5119864A (en) | 1988-11-10 | 1992-06-09 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of forming a metal matrix composite through the use of a gating means |
DE4338107C1 (de) | 1993-11-08 | 1995-03-09 | Eupec Gmbh & Co Kg | Halbleiter-Modul |
DE19609929B4 (de) * | 1996-03-14 | 2006-10-26 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
JP3085453B2 (ja) | 1996-09-06 | 2000-09-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体モジュール及びこれを用いたインバータ装置 |
JP3949270B2 (ja) | 1998-05-13 | 2007-07-25 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
WO2001020653A1 (en) | 1999-09-10 | 2001-03-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Arrangement and method for detecting the end of life of an aqueous bath utilized in semiconductor processing |
JP2001118987A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Nissan Motor Co Ltd | 電力用半導体モジュール |
JP2001330308A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 空気調和機 |
JP2006269996A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Aisin Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール及び電子デバイス |
DE102008048869A1 (de) * | 2008-09-25 | 2010-04-22 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden zweier Verbindungspartner |
US10104812B2 (en) * | 2011-09-01 | 2018-10-16 | Infineon Technologies Ag | Elastic mounting of power modules |
DE102012201172B4 (de) * | 2012-01-27 | 2019-08-29 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte |
JP6384112B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2018-09-05 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びヒートシンク付パワーモジュール用基板 |
JP6217884B2 (ja) * | 2015-09-29 | 2017-10-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US9929066B1 (en) * | 2016-12-13 | 2018-03-27 | Ixys Corporation | Power semiconductor device module baseplate having peripheral heels |
DE112017007117B4 (de) * | 2017-02-23 | 2022-01-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitereinrichtung |
-
2018
- 2018-07-30 CN CN201880050659.4A patent/CN110998839B/zh active Active
- 2018-07-30 EP EP18840765.4A patent/EP3664133B1/en active Active
- 2018-07-30 JP JP2019534496A patent/JP7144419B2/ja active Active
- 2018-07-30 US US16/636,184 patent/US11094648B2/en active Active
- 2018-07-30 WO PCT/JP2018/028425 patent/WO2019026836A1/ja unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005145746A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板一体型アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 |
JP2008091959A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-04-17 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012138541A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール用回路基板 |
WO2013002249A1 (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-03 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
JP2015170785A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 三菱電機株式会社 | 絶縁基板および電力用半導体装置 |
JP2015170825A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 放熱板付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2016111171A (ja) * | 2014-12-05 | 2016-06-20 | デンカ株式会社 | セラミックス樹脂複合体回路基板及びそれを用いたパワー半導体モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110998839B (zh) | 2023-07-04 |
WO2019026836A1 (ja) | 2019-02-07 |
EP3664133B1 (en) | 2024-07-24 |
US11094648B2 (en) | 2021-08-17 |
US20200373251A1 (en) | 2020-11-26 |
CN110998839A (zh) | 2020-04-10 |
EP3664133A4 (en) | 2020-08-05 |
EP3664133A1 (en) | 2020-06-10 |
JP7144419B2 (ja) | 2022-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7144419B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP4015023B2 (ja) | 電子回路用部材及びその製造方法並びに電子部品 | |
JP7405806B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP7027094B2 (ja) | 放熱部品付きパワーモジュール | |
JP6601512B2 (ja) | ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP2008041752A (ja) | 半導体モジュールおよび半導体モジュール用放熱板 | |
JP4893096B2 (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP2006100640A (ja) | セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール | |
JP5218621B2 (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP7211949B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP2005011922A (ja) | ヒートシンクを備えた両面銅貼り基板、およびこれを用いた半導体装置 | |
EP3888836A1 (en) | Bonded body, heat sink-attached insulated circuit board, and heat sink | |
JP7299672B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP7027095B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP7369508B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP7063559B2 (ja) | ベース板及びパワーモジュール | |
JP2004343035A (ja) | 放熱部品、回路基板および半導体装置 | |
JP7298988B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP7299671B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP2023040689A (ja) | 基板および半導体モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20191219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7144419 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |