JP7299671B2 - セラミックス回路基板 - Google Patents
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Description
セラミックス基材として、窒化アルミニウム(AlN)基材(サイズ:50mm×60mm×0.635mmt)を用いた。Al-Cu-Mgクラッド箔をろう材として用い、セラミックス基材の両面に温度630℃にてAl板(厚み0.2mm)を接合し、エッチングによりAl回路を形成した。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.4mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
実施例1と同様のセラミックス基材の両面に溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.2mmのAl回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.4mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.32mmt)を用いた。Ag-Cu-TiH2ろう材を用い、セラミックス基材の両面に温度800℃にてCu板(厚み0.1mm)を接合し、エッチングによりCu回路を形成した。続いて、溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.9mmのCu回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
実施例1と同様のセラミックス基材の両面に溶射法(コールドスプレー法)で厚み0.4mmのAl回路を形成し、温度500℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
実施例1と同様のセラミックス基材の両面にアクリル系接着剤で厚み0.3mmのCu金属を接着した後、エッチングによりCu回路を形成し、無電解Niめっきを施してセラミックス回路基板を作製した。
Ag-Cu-TiH2ろう材を用い、実施例1と同様のセラミックス基材の両面に温度800℃にて接Cu板(厚み0.3mm)を合し、エッチングによりCu回路を形成した後、無電解Niめっきを施し、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化アルミニウム(AlN)基材(サイズ:50mm×60mm×1.0mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.635mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
セラミックス基材として、窒化珪素(Si3N4)基材(サイズ:50mm×60mm×0.32mmt)を用いた以外は、比較例1と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
Cu板(厚み1.0mm)を用いた以外は、比較例4と同様の操作を行い、セラミックス回路基板を作製した。
Al-Cu-Mgクラッド箔をろう材として用い、実施例1と同様のセラミックス基材の両面に温度630℃にてAl板(厚み0.4mm)を接合し、エッチングによりAl回路を形成した後、無電解Niめっきを施してセラミックス回路基板を作製した。
各セラミックス回路基板の金属層の最外層における残留応力は、X線回折法を用いて金属層の中央部のX線回折パターンを測定し、その結果に基づき評価した。応力評価にはsin2ψ法(並傾法、ψ一定法)を用い、銅の331回折線を解析した。具体的には、多目的試料アタッチメントを取り付けたX線回折装置(リガク社製;Ultima IV型)の試料板にセラミックス絶縁基板を貼り付け、以下の測定条件で測定した。
・X線源:CuKα線(多層膜ミラーを使用した平行ビーム光学系)
・X線管の電圧および電流:40kVおよび40mA
・X線入射側スリット:発散スリットは1mm、縦制限スリットは10mm
・X線受光側スリット:散乱スリットおよび受光スリットは開放。平行スリットアナライザーは開口角度0.5°
・垂直発散制限ソーラースリット:X線入射側、受光側ともに開口角度5°
・検出器:シンチレーションカウンター
・測定範囲(2θ):134°~139.5°
・測定ステップ幅:0.02°
・計数時間:測定ステップあたり5秒
・試料面法線と回折面法線のなす角ψ:sin2ψが0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5となるように設定。なお、測定精度を上げる目的で±5°以内で搖動をかけることもある。
Al-SiC(65%)材をサイズが140×190×5mmとなるように加工した後、無電解Niめっきを施したベース板を用い、上記実施例及び比較例で得られたセラミックス回路基板とベース板を、共晶半田にて接合して測定用サンプルとした。
測定用サンプルにおけるベース板の放熱面の形状を3次元輪郭測定装置(株式会社東京精密製、商品名「コンターレコード1600D-22」)を用いて測定することで、長さ10cmに対するベース板の反り変化量を測定した。結果を表2に示す。
Claims (7)
- セラミックス基材と、前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられ、Al及び/又はCuを含む少なくとも一層の金属層と、を備えるセラミックス回路基板であって、
前記金属層のうちの少なくとも一方が金属回路を形成しており、
前記金属層が第一金属層及び第二金属層を有し、前記セラミックス基材、前記第一金属層及び前記第二金属層がこの順で積層されており、
前記第一金属層がコールドスプレー法により形成されており、
前記セラミックス回路基板は、ベース板に接合されて用いられ、
前記ベース板に接合される前の状態で、前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられた前記金属層の両方において、前記金属層の最外層である前記第二金属層には、40MPa以下の引張応力が残留している、セラミックス回路基板(ただし、前記第二金属層が、銅と、鉄ニッケル合金、チタン、クロム、タングステン、及びモリブデンのいずれかからなる添加材とを含む複合材により形成されている場合を除く)。 - 前記セラミックス基材が、AlN、Si3N4又はAl2O3で形成されている、請求項1に記載のセラミックス回路基板。
- 前記セラミックス基材の厚みが0.2~1.5mmである、請求項1又は2に記載のセラミックス回路基板。
- 前記第一金属層が、Cu、Al、Cu及びMoを含む合金、並びにCu及びWを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも1種で形成されている、請求項1~3のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記金属層の厚みが0.1~2.0mmである、請求項1~4のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記第二金属層がCuからなる、請求項1~5のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
- 前記第一金属層の端面と前記第二金属層の端面とが面一である、又は、前記第一金属層の端面が前記第二金属層の端面よりも外側にはみ出ている、請求項1~6のいずれか一項に記載のセラミックス回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151890A JP7299671B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017151890A JP7299671B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019033130A JP2019033130A (ja) | 2019-02-28 |
JP7299671B2 true JP7299671B2 (ja) | 2023-06-28 |
Family
ID=65523659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017151890A Active JP7299671B2 (ja) | 2017-08-04 | 2017-08-04 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7299671B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2016021561A1 (ja) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 日本発條株式会社 | 複合基板及びパワーモジュール |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019033130A (ja) | 2019-02-28 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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