JP7405806B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
実施例及び比較例では、表1に示すベース板1~11を用いた。各ベース板は、市販の材料を研削加工により所定形状に加工した後、無電解Niめっきを施したものを用いた。表中の各物性値を測定するために、研削加工により熱伝導率測定用試験体(直径11mm×厚さ3mm)、線熱膨張係数測定用試験体(直径3mm×長さ10mm)、弾性率測定用試験体(3mm×4mm×長さ40mm)を作製した。それぞれの試験片を用いて、25℃での熱伝導率をレーザーフラッシュ法(理学電機社製;LF/TCM-8510B)により、温度150℃から25℃における降温時の線熱膨張係数を熱膨張計(セイコー電子工業社製;TMA300)により、ヤング率を3点曲げ法(島津製作所社製;オートグラフAG-X)で測定した。また、放熱面の反り量については、3次元輪郭形状測定機(東京精密社製;コンターレコード1600D-22)を用いて測定した。さらに平面度については、透明な樹脂ブロックに締め付けトルク10Nでネジ止めした後、レーザー変位計(キーエンス社製;LT9010M)で放熱面の形状を測定して求めた。
実施例及び比較例では、図3(a)に示す3層構造のセラミックス絶縁基板4A、又は図3(b)に示す5層構造のセラミックス絶縁基板4Bである絶縁基板1~12を用いた。各絶縁基板の詳細を下記及び表2に示す。
・絶縁基板1~3(3層構造)では、Ag(90%)-Cu(10%)-TiH2(3.5%)ろう材を用いて、温度800℃で金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板4(5層構造)は、絶縁基板1~3と同様の手法で金属回路8a,9aを形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路8b,9bを積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板5(5層構造)では、絶縁基板1~3と同様の手法で金属回路を形成した後、融点300℃の高温半田で回路金属を接合した後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板6(3層構造)は、Al-Cuクラッド箔をろう材とし用い温度630℃で回路金属をセラミックス基材7に接合した後、エッチング法で金属回路を形成し、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板7(5層構造)は、絶縁基板6と同様の手法で金属回路を形成した後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板8(3層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板9~11(5層構造)は、溶射法(コールドスプレー法)でアルミニウム回路を積層し、温度500℃でアニール処理を行った後、溶射法(コールドスプレー法)で銅回路を積層し、温度300℃でアニール処理を行った後、無電解Niめっきを施した。
・絶縁基板12(5層構造)は、絶縁基板9と同様の手法で金属回路を形成した後、アニール処理を実施せずに無電解Niめっきを施した。
・X線源:CuKα線(多層膜ミラーを使用した平行ビーム光学系)
・X線管の電圧および電流:40kVおよび40mA
・X線入射側スリット:発散スリットは1mm、縦制限スリットは10mm
・X線受光側スリット:散乱スリットおよび受光スリットは開放。平行スリットアナライザーは開口角度0.5°
・垂直発散制限ソーラースリット:X線入射側、受光側ともに開口角度5°
・検出器:シンチレーションカウンター
・測定範囲(2θ):134°~139.5°
・測定ステップ幅:0.02°
・計数時間:測定ステップあたり5秒
・試料面法線と回折面法線のなす角ψ:sin2ψが0、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5となるように設定。なお、測定精度を上げる目的で±5°以内で搖動をかけることもある。
セラミックス絶縁基板として表2の絶縁基板9を用い、Si半導体素子及び電極を高温半田で絶縁基板11に接合した後、この絶縁基板4枚を表1のベース板3に共晶半田を用いて接合した。次に、Al線をSi半導体素子とセラミックス絶縁基板に超音波接合して配線した後、樹脂筐体をベース板に接着剤で接着した後、樹脂筐体内にシリコーンゲルを充填してパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が24μmであった。
表3に示す絶縁基板とベース板を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの評価結果を表3に示す。なお、反り量又は反り変化量の符号がマイナスである場合は、放熱面が凹状の反りを有していた又は凹状となる方向に反りの形状が変化したことを意味する。また、比較例8は、得られたパワーモジュールを樹脂ブロックに締め付けた際に、セラミックス基材の破損があり、電気特性に異常が発生した。
半導体素子としてSiC半導体素子を用いた以外は、実施例1と同様の手法でパワーモジュールを作製した。得られたパワーモジュールの放熱面の形状を3次元輪郭測定装置で測定した結果、長さ10cmに対する反り量が25μmであった。次に、このパワーモジュールを、6本のM6の取り付けボルトで130mm×140mm×50mmの透明樹脂ブロックに締め付け、トルク10Nで取り付けた。その後、レーザー変位計を用いて、樹脂ブロックの裏面よりパワーモジュールの放熱面のベース板の平面度を測定した結果、10μmであった。また、得られたパワーモジュールは、温度-40℃×30分と温度175℃×30分を1サイクルとする1000回のヒートサイクル試験を行った後、電気特性を評価した結果、初期特性を維持していることを確認した。
Claims (7)
- ベース板に、セラミックス基材と前記セラミックス基材の両面のそれぞれに設けられた少なくとも一層の金属層とを有するセラミックス絶縁基板を接合する工程と、
前記セラミックス絶縁基板上に半導体素子を接合する工程と、を備えるパワーモジュールの製造方法であって、
前記ベース板に接合される前の前記セラミックス絶縁基板の前記金属層の最外層には、圧縮応力又は40MPa以下の引張応力が残留しており、
前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面が凸状の反りを有し、
前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面に放熱部品が取り付けられたときの当該面の平面度が30μm以下である、パワーモジュールの製造方法。 - 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面の反り量が、長さ10cmあたり50μm以下である、請求項1に記載のパワーモジュールの製造方法。
- 前記セラミックス基材は、AlN、Si3N4又はAl2O3で形成された、厚み0.3~1.5mmのセラミックス基材であり、
前記金属層は、Cu、Al、Mo、Cu及びMo含む合金、並びにCu及びWを含む合金からなる群より選ばれる少なくとも1種で形成された、厚み0.1~2mmの金属層である、請求項1又は2に記載のパワーモジュールの製造方法。 - 前記ベース板は、Al又はMgを含む金属と、SiC、Si3N4、Al2O3、SiO2及びAlNからなる群より選ばれる少なくとも1種とからなる金属基複合体、Cu及びMo若しくはCu及びWを含む合金、又は、Cu及びMo若しくはCu及びWで形成された多層金属板からなり、
前記ベース板の線熱膨張係数が5×10-6~9×10-6/Kであり、熱伝導率が150W/mK以上である、請求項1~3のいずれか一項に記載のパワーモジュールの製造方法。 - 前記ベース板の前記セラミックス絶縁基板と反対側の面が、機械加工又は研削加工されている、請求項1~4のいずれか一項に記載のパワーモジュールの製造方法。
- 前記半導体素子が、Si、SiC及びGaNのいずれかで形成されている、請求項1~5のいずれか一項に記載のパワーモジュールの製造方法。
- 前記パワーモジュールが、電車又は自動車の駆動インバータとして用いられる、請求項1~6のいずれか一項に記載のパワーモジュールの製造方法。
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