JPWO2018229856A1 - 半導体素子の駆動回路 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施の形態1に係る半導体素子1の駆動回路100の構成を示す図である。半導体素子1は、IGBTであり、ゲート電極が駆動回路100に接続される。本実施の形態1では、半導体素子1のコレクタ電極は、周辺回路を介して正電圧を受け、正極となる。半導体素子1のエミッタ電極は、グランドに接続され、負極となる。なお、半導体素子1は、パワーMOSFETなどの他の電力用半導体素子であってもよい。
図9を参照して、実施の形態2に係る半導体素子の駆動回路について説明する。図9は、実施の形態2に係る駆動回路101の構成を示す図である。図9に示されるように、駆動回路101は、比較器6a,6bの両方に第1基準電圧値Vref1の電圧を入力する点で実施の形態1の駆動回路100と相違する。
図10を参照して、実施の形態3に係る半導体素子の駆動回路について説明する。図10は、実施の形態3に係る駆動回路102の構成を示す図である。図10に示されるように、駆動回路102は、信号生成回路50の代わりに信号生成回路50aを備える点で実施の形態1の駆動回路100(図1参照)と相違する。信号生成回路50aは、遅延回路3bをさらに備える点で実施の形態1の信号生成回路50と相違する。
図11を参照して、実施の形態4に係る半導体素子の駆動回路について説明する。図11は、実施の形態4に係る駆動回路103の構成を示す図である。図11に示されるように、駆動回路103は、信号生成回路50の代わりに信号生成回路50bを備える点で実施の形態1の駆動回路100(図1参照)と相違する。信号生成回路50bは、遅延回路3aおよび差動増幅回路4aの代わりに微分回路40を備える点で実施の形態1の信号生成回路50と相違する。
本実施の形態5に係る駆動回路は、実施の形態1の駆動回路100と比較して、ゲート電流検出部5の代わりに図14に示すゲート電流検出部5aを備える点で相違する。図14は、実施の形態5のゲート電流検出部5aの構成を示す回路図である。
本実施の形態6に係る駆動回路は、実施の形態5の駆動回路と比較して、ゲート電流検出部5aの代わりに図15に示すゲート電流検出部5bを備える点で相違する。図15は、実施の形態6のゲート電流検出部5bの構成を示す回路図である。図15に示されるように、ゲート電流検出部5bは、図14に示すゲート電流検出部5aと比較して、遅延回路(第3遅延回路)3cをさらに備える点で相違する。
本実施の形態7に係る駆動回路は、実施の形態5の駆動回路と比較して、ゲート電流検出部5aの代わりに図16に示すゲート電流検出部5cを備える点で相違する。図16は、本実施の形態7のゲート電流検出部5cの構成を示す回路図である。図16に示されるように、ゲート電流検出部5cは、ゲート電流検出部5aと比較して、遅延回路3d,3eをさらに備える点で相違する。
Claims (10)
- 外部から受ける指令に基づいて半導体素子の開閉状態を制御するための制御部と、
前記半導体素子のゲート電圧を検出し、検出したゲート電圧を示す電圧検出信号を生成するためのゲート電圧検出部と、
前記半導体素子のゲート電極に流入する電流を検出するためのゲート電流検出部と、
前記電圧検出信号と前記電圧検出信号の第1遅延信号との第1差動増幅信号、前記第1遅延信号と前記電圧検出信号の第2遅延信号との第2差動増幅信号、および前記電圧検出信号の微分信号のいずれかを出力信号として生成するための信号生成回路と、
前記出力信号の値と第1基準値とを比較するための第1比較器と、
前記ゲート電流検出部による電流検出値と第2基準値とを比較するための第2比較器と、
前記第1比較器の比較結果と前記第2比較器の比較結果とに基づいて、前記半導体素子が短絡状態か否かを判定し、判定結果を示す判定信号を生成するための短絡判定部とを備える、半導体素子の駆動回路。 - 前記信号生成回路は、
前記電圧検出信号を受け、前記第1遅延信号を生成する第1遅延回路と、
前記電圧検出信号と前記第1遅延信号とを受け、前記第1差動増幅信号を生成する第1差動増幅回路とを含む、請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記信号生成回路は、
前記電圧検出信号を受けて前記第1遅延信号を出力する第1遅延回路と、
前記電圧検出信号を受けて前記第2遅延信号を出力する第2遅延回路と、
前記第1遅延信号と前記第2遅延信号とを受け、前記第2差動増幅信号を生成する第1差動増幅回路とを含む、請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記信号生成回路は、前記電圧検出信号を受けて前記微分信号を生成する微分回路を含む、請求項1に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記ゲート電流検出部は、
前記制御部と前記ゲート電極との間に接続されたゲート抵抗と、
前記ゲート抵抗の両端間の電圧を増幅することにより第3差動増幅信号を生成する第2差動増幅回路とを含み、
前記電流検出値は第3差動増幅信号の値である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記ゲート電流検出部は、
前記制御部と前記半導体素子のゲート電極との間に接続されたゲート抵抗と、
前記ゲート抵抗の両端間の電圧を増幅することにより第3差動増幅信号を生成する第2差動増幅回路と、
前記第3差動増幅信号を受け、当該第3差動増幅信号を遅延させた第3遅延信号を生成する第3遅延回路とを含み、
前記電流検出値は前記第3遅延信号の値である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記ゲート電流検出部は、
前記制御部と前記半導体素子のゲート電極との間に接続されたゲート抵抗と、
前記ゲート抵抗における前記半導体素子側の一端の電圧信号を受け、当該電圧信号を遅延させた第4遅延信号を生成する第4遅延回路と、
前記ゲート抵抗における前記制御部側の他端の電圧信号を受け、当該電圧信号を遅延させた第5遅延信号を生成する第5遅延回路と、
前記第4遅延信号と前記第5遅延信号とを受け、前記第4遅延信号と前記第5遅延信号との差分を増幅することにより第3差動増幅信号を生成する第2差動増幅回路とを含み、
前記電流検出値は前記第3差動増幅信号の値である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。 - 前記半導体素子が短絡状態であると前記短絡判定部が判定したときに、前記判定信号を保持するための信号保持部をさらに備える、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記制御部は、前記半導体素子が短絡状態であることを前記判定信号が示している場合、前記半導体素子を開状態にする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。
- 前記第1基準値は、前記第2基準値と同一である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体素子の駆動回路。
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