JPWO2018159754A1 - 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/44—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by a measurable physical property of the alternating layer or system, e.g. thickness, density, hardness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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Abstract
Description
直接接合法では接合面の表面粗さを非常に小さくする必要があるところ、この発明では接合面を改質して非晶質層を形成することにより直接接合法で要求される接合面の表面粗さよりも表面粗さが大きな場合でも所望の接合強度が得られるとしている。しかしながら、この発明では基板表面にアルゴンの中性原子ビームを照射して表面から一定の深さまでの結晶構造を破壊して非晶質層を形成した後、貼り合わせた後に1000℃以上の熱処理を施して非晶質層に流動性を持たせて接触面間の空間を埋めるようにしており、特殊な処理が必要となっている。したがって、直接接合法によって簡便に多結晶炭化珪素基板に単結晶炭化珪素薄膜を貼り合わせた積層基板を作製することが可能な、接合面の表面粗さを非常に小さくした多結晶炭化珪素基板が望まれている。
特開2015−211047号公報(特許文献2)では、炭化珪素基板の研磨する面をギャップ形成材、砥粒、及び電解質を含む電解液を挟んで導電性定盤に対向配置し、前記炭化ケイ素基板の表面を陽極とし、前記導電性定盤を陰極として、前記炭化ケイ素基板の研磨する面の少なくとも一部を前記電解液に接触させながら電解研磨する、炭化ケイ素基板の研磨方法が提供されている。
また、特開2016−155697号公報(特許文献3)では、ポテンショスタットを用いて、二槽型溶液槽中の第一溶液槽中で作用極、対極を第二溶液槽中で参照極を配して、第一溶液槽と第二溶液槽を塩橋にて電位を制御する装置構成において、第一溶液槽中に浸漬し配置した炭化珪素基板の表面に対して、作用極に備えた回転可能な平坦触媒電極により、炭化珪素基板表面を研磨処理する炭化珪素基板の平坦化処理方法が提供されている。
しかしながら、加工工程が複雑になること、電気伝導度によって加工品質が変化すること、結晶欠陥の箇所においてピットが発生するなどの問題が懸念される。
例えば、特開2013−216514号公報(特許文献6)では、回転引き上げされる台座を囲みつつ加熱容器の内周壁面から突き出すように第3断熱材を備える炭化珪素単結晶製造装置が開示されている。これにより、炭化珪素単結晶の外縁部の温度が第3断熱材の温度に引っ張られるようにでき、炭化珪素単結晶の成長表面が凹形状になることを抑制できる。よって、炭化珪素単結晶の結晶内部に応力が発生することを抑制でき、結晶欠陥(転位)が発生するなどによって品質が劣化することを防止することが可能となる。しかしながら、炭化珪素結晶と断熱材の配置や温度等により発生する応力の影響を少なからず受けるため、応力低減のためには、精密な形状と温度の制御が必要となる。
また、特開平7−335562号公報(特許文献8)では、単結晶シリコン基板表面を炭素雰囲気中で炭化させて単結晶の炭化珪素からなる表面炭化層を形成する工程と、前記の表面炭化層をシリコン基板より分離する工程と、シリコン基板より分離された表面炭化層を基板としてシリコンの原料ガスと炭素の原料ガスより炭化珪素を析出させる工程とを含むことを特徴とする炭化珪素の成膜方法が提供されている。
しかしながら、非特許文献1(日本結晶成長学会誌、Vol.24、No.3(1997)p.270−286)に記載されているように、炭化珪素を堆積する高温環境においてはSiウエハの表面がエッチングやサーマルラフニング、あるいは炭化され、当初の平滑性が損なわれてしまい、結果としては多結晶炭化珪素の表面の平滑性も損なわれる。このため、図14に示すように、シリコン基板91上に炭化珪素膜92を堆積、形成する前に、シリコン基板91にはエッチピット91pが発生し、そのレプリカがフリースタンディングした炭化珪素基板(炭化珪素膜92)の表面92f上に転写されて突起93を形成し、期待される平滑な表面が得られなかった。
また、炭素層の酸化雰囲気に対する耐性が十分ではないため、CVD−炭化珪素層を形成する際にその表面が荒れてしまう可能性がある。
発明者らは以上の知見を基に鋭意検討を行い、本発明を成すに至った。
〔1〕 炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板の両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層を設け、その被覆層表面を平滑面とした支持基板を準備する工程と、
上記支持基板の両面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素の膜を形成する工程と、
上記支持基板のうち、少なくとも被覆層を化学的に除去して該支持基板から表面に被覆層表面の平滑性を反映させたままで多結晶炭化珪素の膜を分離し、この多結晶炭化珪素の膜を結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板として得る工程と
を有する炭化珪素基板の製造方法。
〔2〕 上記母材基板の両面を平滑化し、次いで該母材基板の両面に酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドからなる被覆層を成膜することにより該被覆層表面に母材基板の平滑面を反映させて上記支持基板を作製する〔1〕記載の炭化珪素基板の製造方法。
〔3〕 上記母材基板の両面にリン珪酸ガラス又はボロンリン珪酸ガラスからなる被覆層を形成した後、該被覆層をリフローさせてその表面を平滑化して上記支持基板を作製する〔1〕記載の炭化珪素基板の製造方法。
〔4〕 熱CVD法により上記多結晶炭化珪素の膜を形成する〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の炭化珪素基板の製造方法。
〔5〕 多結晶炭化珪素の気相成長膜又は液相成長膜からなる炭化珪素基板であって、その結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板。
〔6〕 立方晶及び六方晶の少なくとも1つから構成されており、基板主面の法線軸から1/3πステラジアン以内の立方角に最密面が配向している結晶粒の体積が全構成結晶粒の体積の半分以下である〔5〕記載の炭化珪素基板。
〔7〕 基板の反り量が基板の直径が6インチのときに−30μm以上30μm以下である〔5〕又は〔6〕記載の炭化珪素基板。
以下に、本発明に係る炭化珪素基板の製造方法について説明する。
本発明に係る炭化珪素基板の製造方法は、炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板の両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層を設け、その被覆層表面を平滑面とした支持基板を準備する工程と、上記支持基板の両面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素の膜を形成する工程と、上記支持基板全体を化学的に除去して取り出した多結晶炭化珪素の膜、又は上記支持基板のうち被覆層を化学的に除去し母材基板から分離した多結晶炭化珪素の膜を結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板として得る工程とを有する。
以下、本発明に係る炭化珪素基板の製造方法の実施形態について図1を参照しながら説明する。
炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板1aの両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む膜である被覆層1b,1bを設け、その被覆層1b、1b表面を平滑面とした支持基板1を準備する(図1(a))。
母材基板1aの主面の大きさは、最終的に得られる炭化珪素基板の大きさに対応するものであり、例えば直径3インチ、6インチなど適宜選択するとよい。また、母材基板1aの厚さは後述する炭化珪素膜を支持可能な程度の強度を確保できる程度に厚く、後述する除去が容易な程度に薄いことが好ましく、例えば100〜1000μmが好ましく、300〜700μmがより好ましい。
また、「窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層1b」についても、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドのみからなる被覆層1bだけではなく、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドと、それ以外の上記特性を阻害しない副成分材料とを含む材料からなる被覆層1bでもよい。
例えば、母材基板1aが単結晶シリコン基板の場合、該シリコン基板を熱酸化処理することにより基板表裏面に形成される熱酸化膜(酸化珪素膜)を被覆層1bとしてもよい。
また、母材基板1a表面にSOG(Spin on Glass)膜を形成し、これを被覆層1bとしてもよい。
あるいは、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法で形成されるリン珪酸ガラス(PSG)からなる膜(PSG膜)又はボロンリン珪酸ガラス(BPSG)からなる膜(BPSG膜)を被覆層1bとしてもよい。
また、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドからなる化学気相成長膜を被覆層1bとしてもよい。
また、シリコン基板上に金属膜を蒸着法などにより堆積させ、更に加熱して固相反応を引き起こすことにより任意の金属(例えば、ニッケル、コバルト、モリブデン、タングステンなど)のシリサイドを被覆層1bとして形成してもよい。
即ち、まず両面に研磨を施した単結晶Si基板を準備する。このとき、研磨後の表面の算術平均粗さ(Ra)は0.1nm以下とする。次いで、この単結晶Si基板を熱酸化装置に載置し、1100℃で300分の水蒸気酸化を施す。この酸化により熱酸化膜が被覆層1b,1bとしてSi基板の両面に形成される。酸化膜表面のRaは0.3nm以下とすることが望ましく、更に0.1nm以下がより望ましい。母材基板1aの平滑面を表面に反映させるためには酸化膜の厚さは0.5μm以下にとどめることが望ましい。なお、酸化膜表面の算術平均粗さRaが0.3nmを超える場合には、研磨やエッチングなどにより平滑化してもよい。
次に、支持基板1の全面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素膜10を形成する(図1(b))。
ここでは、単結晶Si基板の母材基板1a表面に熱酸化膜が被覆層1b,1bとして形成された支持基板1を用いた場合で説明する。
まず、上記のように表面が平滑化されたウエハである支持基板1を熱CVD装置に載置する。
載置に際しては、支持基板1の両面がガス雰囲気に均等に暴露されるよう、ウエハ周辺部の一か所のみをカーボン製又は炭化珪素製ロッドにナットで固定する。固定された場所が一箇所のみであるため、固定治具とウエハの間に熱膨張係数差が有っても応力が発生せず、熱CVD工程後においてもウエハの変形や残留応力が抑制される。
なお、上記工程において酸化膜(被覆層1b)が熱的にダメージを受けたりエッチングされてしまう場合には、意図的に低い温度で薄膜の多結晶炭化珪素を堆積したり、炭化水素雰囲気で酸化膜表面を炭化珪素膜に転換することで酸化膜の劣化を抑制することが可能であり、その後で高温で高速の多結晶炭化珪素の堆積を実施してもよい。
次に、炭化珪素膜10のうち、支持基板1端部に付着した炭化珪素膜を研削により除去して支持基板1の端面を露出させる(図1(c))。
このとき、支持基板1端部の炭化珪素膜をダイヤモンドホイールで切断したり、研磨砥粒で研削したりすることにより除去するとよい。この結果、支持基板1の端面が露出すると共に、支持基板1の表裏主面上に炭化珪素膜である炭化珪素基板10a、10bが存在する状態となる。
次に、上記支持基板1のうち、少なくとも被覆層1b、1bを化学的に除去して該支持基板1から表面に被覆層1b表面の平滑性を反映させたままで多結晶炭化珪素の膜を分離し、この多結晶炭化珪素の膜を炭化珪素基板10a、10bとして得る(図1(d))。
例えば、酸化珪素からなる被覆層1bを化学的にエッチング除去する場合、エッチング液としてフッ化水素溶液と硝酸溶液の混酸を用いるとよい。
また、窒化珪素からなる被覆層1bを化学的にエッチング除去する場合、エッチング液としてリン酸(液温150℃以上)を用いるとよい。
また、窒化炭化珪素からなる被覆層1bを化学的にエッチング除去する場合、エッチング液として溶融KOHや溶融NaOH(液温400℃以上)を用いるとよい。
また、シリサイドからなる被覆層1bを化学的にエッチング除去する場合、シリサイドを構成する金属によって、適宜、硫酸(H2SO4)、硝酸(HNO3)、リン酸(H3PO4)、ホスホン酸(H3PO3)、有機酸の混酸からエッチング液として選択して用いるとよい。
また、リン珪酸ガラス又はボロンリン珪酸ガラスからなる被覆層1bを化学的にエッチング除去する場合、エッチング液として48質量%程度の弗酸水溶液(弗化水素酸)を用いるとよい。
また、炭化珪素基板10a、10bを構成する結晶粒の粒径は10nm〜10μmの範囲となり、望ましくは100nm〜5μmの範囲となり、更に望ましくは100nm〜2μmの範囲となる。この結晶粒径範囲であれば、膜の電気抵抗の増加を抑制し、パワーデバイスの基板として用いる際の損失を小さくすることができる。また、結晶の配向性を抑制し、応力の局在化を抑えることができる。
図1に示す手順で炭化珪素基板を作製した。
まず、母材基板1aとして、直径3インチφ、厚さ400μmで表面を(100)面とした単結晶シリコン基板を用いた。シリコン基板の両面には研磨を施しており基板表面の算術平均粗さRaは0.1nmであった。
次いで、シリコン基板に対して1100℃の水蒸気酸化処理を施し、基板表裏面に0.5μmの厚さの熱酸化膜を被覆層1b,1bとして形成し、支持基板1を用意した。この場合、被覆層1b、1b(熱酸化膜)表面は母材基板1a(シリコン基板)の平滑面を反映しており、支持基板1の表面の算術平均粗さRaは0.3nm以下であった。
次に、支持基板1に対して以下の条件で熱CVD法を用いて炭化珪素膜の成膜を実施した。
(成膜条件)
成膜温度:1300℃、
圧力:11Pa、
導入したガス:ジクロルシラン200sccm、アセチレン50sccm、水素3slm。
6時間の成膜により厚さ300μmの立方晶炭化珪素膜10を形成した。
次いで、支持基板1端部に付着した炭化珪素膜を研削により除去して支持基板の端面を露出させた。その後、その試料を弗酸と硝酸の混酸に浸漬して支持基板1の全部を除去した。支持基板1の除去により、フリースタンディングの厚さ300μmの炭化珪素基板10a、10bを得た。
また、X線回折装置(株式会社リガク製、SuperLab、Cu管球)を用いてX線ロッキングカーブ法(ωスキャン)により、炭化珪素基板の表面の法線軸を基準とする該炭化珪素基板を構成する3C−SiC結晶の(111)面のロッキングカーブを取ったところ、顕著なピークは見出されず、基板の法線軸から1/3πステラジアンの立体角に最密面を配向させている結晶粒は全体の17%以下の多結晶であることが見出された。なお、炭化珪素基板の結晶粒の粒径は110〜600nmであった。
また、上記フリースタンディング化した炭化珪素基板10a、10bにオプティカルフラットを載置して、光学的干渉により形成されるニュートンリングの間隔から曲率半径を求めたところ、103mが得られ、口径6インチのウエハにおいては27μmの反り量まで低減されることが判明した。
図1に示す手順で炭化珪素基板を作製した。
まず、母材基板1aとして、直径3インチφ、厚さ400μmの高純度カーボン基板を用いた。カーボン基板表面の算術平均粗さRaは2.3nmであった。
次に、CVD法によりカーボン基板の表裏面に厚さ1μmのBPSG(Boro−phospho silicate glass)膜を被覆層1b,1bとして堆積させた。次いで、アルゴンガス雰囲気中で900℃に加熱してこの被覆層1b,1bをリフローさせることにより表面を平滑化させて、支持基板1とした。この支持基板1の表面の算術平均粗さRaは0.2nmであった。
次に、この支持基板1に対して実施例1と同じ条件で熱CVD法を用いて厚さ300μmの炭化珪素膜の成膜を実施した。
次いで、支持基板1端部に付着した炭化珪素膜を研削により除去して支持基板1の端面を露出させた。その後、その試料を大気中で900℃にて24時間加熱することによりカーボン基板の部分を除去し、更に被覆層1bのBPSG膜を弗酸溶液で除去した。支持基板1の除去により、フリースタンディングの厚さ300μmの炭化珪素基板10a、10bを得た。
また、実施例1と同様にして、炭化珪素基板の結晶のロッキングカーブを測定したところ、顕著なピークは見出されず、基板の法線軸から1/3πステラジアンの立体角に最密面を配向させている結晶粒は全体の17%以下の多結晶であることが見出された。なお、炭化珪素基板の結晶粒の粒径は160〜820nmであった。
また、上記フリースタンディング化した炭化珪素基板10a、10bにオプティカルフラットを載置して、光学的干渉により形成されるニュートンリングの間隔から曲率半径を求めたところ、95mが得られ、口径6インチのウエハにおいては30μmの反り量まで低減されることが判明した。
支持基板として、直径3インチφ、厚さ400μmで表面を(100)面とした単結晶シリコン基板を用いた。シリコン基板の両面には研磨を施しており基板表面の算術平均粗さRaは0.1nmであった。
この支持基板に対して実施例1と同じ条件で熱CVD法を用いて厚さ300μmの炭化珪素膜の成膜を実施した。
次いで、支持基板端部に付着した炭化珪素膜を研削により除去して支持基板の端面を露出させた。その後、その試料を弗酸と硝酸の混酸に浸漬してシリコン基板の部分を除去した。基板の除去により、フリースタンディングの厚さ300μmの炭化珪素基板を得た。
炭化珪素基板がシリコン基板に接していた面を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察したところ、図6に示す表面組織及び図7に示す表面プロファイルからなるモホロジーが見られ、その算術平均粗さRaは2.1nmであることが判明した。
また、実施例1と同様にして、炭化珪素基板の結晶のロッキングカーブを測定したところ、(111)面を極とした鋭いピークが観察され、表面の法線軸を中心として100arcsec以内に90%以上の最密面が配向した単結晶であることが見出された。
また、上記フリースタンディング化した基板にオプティカルフラットを載置して、光学的干渉により形成されるニュートンリングの間隔から曲率半径を求めたところ、8mが得られ、口径6インチのウエハにおいては350μmの反り量になることが判明した。
次いで、上記炭化珪素基板のシリコン基板に接していた面に対してコロイダルシリカを用いたCMP処理を3時間施し、その表面をAFMを用いて観察したところ、図8に示す表面組織及び図9に示す表面プロファイルからなるモホロジーが見られ、その算術平均粗さRaが8.3nmであることが判明した。
支持基板として、直径3インチφ、厚さ400μmで、基板表面の算術平均粗さRaが2.3nmの高純度カーボン基板を用いた。この基板に対して実施例1と同じ条件で熱CVD法を用いて厚さ300μmの炭化珪素膜の成膜を実施した。
次いで、支持基板端部に付着した炭化珪素膜を研削により除去して支持基板の端面を露出させた。その後、その試料を大気中で900℃にて24時間加熱することによりカーボン基板の部分を除去した。基板の除去により、フリースタンディングの厚さ300μmの炭化珪素基板を得た。
炭化珪素基板がカーボン基板に接していた面を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて観察したところ、図10に示す表面組織及び図11に示す表面プロファイルからなるモホロジーが見られ、その算術平均粗さRaは11.6nmであることが判明した。また、実施例1と同様にして炭化珪素基板の結晶のロッキングカーブを測定したところ、顕著なピークは見出されず、基板の法線軸から1/3πステラジアンの立体角に最密面を配向させている結晶粒は全体の17%以下の多結晶であることが見出された。なお、炭化珪素基板の結晶粒の粒径は210〜2040nmであった。
また、上記フリースタンディング化した炭化珪素基板にオプティカルフラットを載置して、光学的干渉により形成されるニュートンリングの間隔から曲率半径を求めたところ、98mが得られ、口径6インチのウエハにおいては29μmの反り量まで低減されることが判明した。
次いで、上記炭化珪素基板のカーボン基板に接していた面に対してコロイダルシリカを用いたCMP処理を3時間施し、その表面をAFMを用いて観察したところ、図12に示す表面組織及び図13に示す表面プロファイルからなるモホロジーが見られ、その算術平均粗さRaは2.8nmであることが判明した。
1a 母材基板
1b 被覆層
10、92 炭化珪素膜
10a、10b 炭化珪素基板
10af、10bf、92f 表面
10ar、10br、92r 裏面
91 シリコン基板
91p エッチピット
93 突起
Claims (7)
- 炭素、珪素又は炭化珪素からなる母材基板の両面に、酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドを含む被覆層を設け、その被覆層表面を平滑面とした支持基板を準備する工程と、
上記支持基板の両面に気相成長法又は液相成長法で多結晶炭化珪素の膜を形成する工程と、
上記支持基板のうち、少なくとも被覆層を化学的に除去して該支持基板から表面に被覆層表面の平滑性を反映させたままで多結晶炭化珪素の膜を分離し、この多結晶炭化珪素の膜を結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板として得る工程と
を有する炭化珪素基板の製造方法。 - 上記母材基板の両面を平滑化し、次いで該母材基板の両面に酸化珪素、窒化珪素、窒化炭化珪素又はシリサイドからなる被覆層を成膜することにより該被覆層表面に母材基板の平滑面を反映させて上記支持基板を作製する請求項1記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 上記母材基板の両面にリン珪酸ガラス又はボロンリン珪酸ガラスからなる被覆層を形成した後、該被覆層をリフローさせてその表面を平滑化して上記支持基板を作製する請求項1記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 熱CVD法により上記多結晶炭化珪素の膜を形成する請求項1〜3のいずれか1項記載の炭化珪素基板の製造方法。
- 多結晶炭化珪素の気相成長膜又は液相成長膜からなる炭化珪素基板であって、その結晶粒径が10nm以上10μm以下であり、少なくとも一方の主面の算術平均粗さRaが0.3nm以下である炭化珪素基板。
- 立方晶及び六方晶の少なくとも1つから構成されており、基板主面の法線軸から1/3πステラジアン以内の立方角に最密面が配向している結晶粒の体積が全構成結晶粒の体積の半分以下である請求項5記載の炭化珪素基板。
- 基板の反り量が基板の直径が6インチのときに−30μm以上30μm以下である請求項5又は6記載の炭化珪素基板。
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Families Citing this family (10)
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---|---|---|---|---|
CN109300787B (zh) * | 2018-09-21 | 2019-07-12 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 回收碳面极性碳化硅衬底的方法 |
JP7322371B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2023-08-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化珪素多結晶基板の製造方法 |
JP2020090420A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 黒鉛製またはセラミックス製の基板、基板の製造方法、炭化珪素の成膜方法および炭化珪素基板の製造方法 |
JP6564151B1 (ja) * | 2019-02-28 | 2019-08-21 | 株式会社アドマップ | SiC膜単体構造体 |
JP7155089B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2022-10-18 | 東海カーボン株式会社 | 多結晶SiC成形体 |
JP7367541B2 (ja) * | 2020-01-27 | 2023-10-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 |
JP7375580B2 (ja) * | 2020-01-28 | 2023-11-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜用支持基板、および、多結晶基板の製造方法 |
FR3127330B1 (fr) * | 2021-09-22 | 2023-09-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin |
CN114717651B (zh) * | 2022-05-18 | 2023-10-10 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置 |
CN116978783B (zh) * | 2023-09-25 | 2023-12-12 | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 | 一种碳化硅衬底的制备方法及碳化硅衬底 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0397691A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用治具 |
JPH10223870A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置製造用ウェーハ |
JP2003282664A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCパーティクルモニタウェハ |
JP2005255420A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素単結晶膜の製造方法および炭化珪素単結晶膜 |
JP2007273524A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 複層構造炭化シリコン基板の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH067594B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1994-01-26 | 富士通株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JPH01147766A (ja) | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Fuji Electric Co Ltd | マルチプロセッサシステム |
JPH07335562A (ja) | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Hoya Corp | 炭化珪素の成膜方法 |
JPH09221395A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-26 | Hoya Corp | 炭化珪素膜 |
JPH11147766A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Taiheiyo Cement Corp | 炭化珪素焼結体及びその製造方法 |
JP3990575B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2007-10-17 | 三井造船株式会社 | 膜厚測定用モニタウェハ |
JP5213095B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-06-19 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板 |
JP5272329B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2013-08-28 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
CN101521155B (zh) * | 2008-02-29 | 2012-09-12 | 信越化学工业株式会社 | 制备具有单晶薄膜的基板的方法 |
JP5404135B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-01-29 | 株式会社ブリヂストン | 支持基板、貼り合わせ基板、支持基板の製造方法、及び貼り合わせ基板の製造方法 |
JP5033168B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2012-09-26 | 忠弘 大見 | 炭化珪素製品、その製造方法、及び、炭化珪素製品の洗浄方法 |
JP5831339B2 (ja) | 2012-04-05 | 2015-12-09 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP6061251B2 (ja) | 2013-07-05 | 2017-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
JP2015211047A (ja) | 2014-04-23 | 2015-11-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 炭化ケイ素基板の研磨方法 |
JP6371142B2 (ja) | 2014-07-08 | 2018-08-08 | イビデン株式会社 | SiCウェハの製造方法、SiC半導体の製造方法及び炭化珪素複合基板 |
JP2016155697A (ja) | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 小林 光 | 炭化ケイ素基板、炭化ケイ素基板の平坦化処理方法及びその製造装置 |
CN107484431B (zh) * | 2015-03-04 | 2018-10-02 | 有限会社Mtec | 半导体基板的制造方法 |
-
2018
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0397691A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造用治具 |
JPH10223870A (ja) * | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体装置製造用ウェーハ |
JP2003282664A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | SiCパーティクルモニタウェハ |
JP2005255420A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 炭化珪素単結晶膜の製造方法および炭化珪素単結晶膜 |
JP2007273524A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 複層構造炭化シリコン基板の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CHICHIGNOUD, G ET AL.: "High temperature processing of poly-SiC substrates from the vapor phase for wafer-bonding", SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, vol. Vol.201, Issue 7, JPN6018015149, 2006, pages 4014 - 4020, ISSN: 0004295044 * |
Also Published As
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