JP2003282664A - ＳｉＣパーティクルモニタウェハ - Google Patents
ＳｉＣパーティクルモニタウェハInfo
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- JP2003282664A JP2003282664A JP2002088211A JP2002088211A JP2003282664A JP 2003282664 A JP2003282664 A JP 2003282664A JP 2002088211 A JP2002088211 A JP 2002088211A JP 2002088211 A JP2002088211 A JP 2002088211A JP 2003282664 A JP2003282664 A JP 2003282664A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反りのなく繰り返しパーティクルモニタとし
て使用可能なＳｉＣウェハとする。 【解決手段】 半導体製造工程で用いられるプロセス管
理用のモニタウェハであって、ＳｉＣにより形成された
ウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティングした二重構造
を持つ構造とした。ウェハ母材は焼結体ＳｉＣにより形
成することがよく、当該ウェハの表面粗さがＲａ＝０．
５ｎｍ以下とすることが望ましい。また、当該ウェハの
表面の不純物密度を１×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下
とすればよい。
て使用可能なＳｉＣウェハとする。 【解決手段】 半導体製造工程で用いられるプロセス管
理用のモニタウェハであって、ＳｉＣにより形成された
ウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティングした二重構造
を持つ構造とした。ウェハ母材は焼結体ＳｉＣにより形
成することがよく、当該ウェハの表面粗さがＲａ＝０．
５ｎｍ以下とすることが望ましい。また、当該ウェハの
表面の不純物密度を１×１０11ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下
とすればよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセス中
に発生するパーティクルの管理を行うために、装置内に
導入されるＳｉＣ製のモニタウェハに係り、特に、表面
に黒色層を持つ平坦なＳｉＣパーティクルモニタウェハ
の構造に関するものである。
に発生するパーティクルの管理を行うために、装置内に
導入されるＳｉＣ製のモニタウェハに係り、特に、表面
に黒色層を持つ平坦なＳｉＣパーティクルモニタウェハ
の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造工程においては、製品とな
るＳｉウェハに熱酸化処理やＣＶＤ成膜処理を行う場
合、製品Ｓｉウェハとともに、ダミーウェハやモニタウ
ェハをウェハボートに同時に搭載することが行われる。
ダミーウェハは製品ウェハの枚数が規定枚数に足りない
ときに補充し、あるいはＣＶＤ工程等において炉内温
度、ガスの流れを均一にするために挿入されるもので、
製品になり得ないものである。また、モニタウェハは、
製品Ｓｉウェハに形成されるＣＶＤ膜等の膜厚並びに炉
内パーティクル数をモニタするために製品Ｓｉウェハと
全く同じ工程で処理されるものである。したがって、特
に製品Ｓｉウェハとモニタウェハとは、ウェハボートに
同時収容され、所定の処理によって製品ウェハ及びモニ
タウェハの表面に熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形成
される。
るＳｉウェハに熱酸化処理やＣＶＤ成膜処理を行う場
合、製品Ｓｉウェハとともに、ダミーウェハやモニタウ
ェハをウェハボートに同時に搭載することが行われる。
ダミーウェハは製品ウェハの枚数が規定枚数に足りない
ときに補充し、あるいはＣＶＤ工程等において炉内温
度、ガスの流れを均一にするために挿入されるもので、
製品になり得ないものである。また、モニタウェハは、
製品Ｓｉウェハに形成されるＣＶＤ膜等の膜厚並びに炉
内パーティクル数をモニタするために製品Ｓｉウェハと
全く同じ工程で処理されるものである。したがって、特
に製品Ｓｉウェハとモニタウェハとは、ウェハボートに
同時収容され、所定の処理によって製品ウェハ及びモニ
タウェハの表面に熱酸化膜或いはＣＶＤ膜が同時に形成
される。
【０００３】形成薄膜の膜厚やパーティクルなどの管理
を行うためのモニタウェハには、従来から、表面粗さＲ
ａ＝０．１０ｎｍ程度のＳｉ単結晶ウェハが用いられて
いる。シリコン単結晶からなるモニタウェハでは、この
ように非常に平坦な表面が得られているが、ウェハ上に
形成したポリシリコン膜や窒化膜を酸洗浄した場合、ウ
ェハも同時にエッチングされてしまう問題を抱えてい
た。したがって、Ｓｉ製のモニタウェハでは、繰り返し
使用はできず、１回限りの使い捨てとなっており、不経
済であった。
を行うためのモニタウェハには、従来から、表面粗さＲ
ａ＝０．１０ｎｍ程度のＳｉ単結晶ウェハが用いられて
いる。シリコン単結晶からなるモニタウェハでは、この
ように非常に平坦な表面が得られているが、ウェハ上に
形成したポリシリコン膜や窒化膜を酸洗浄した場合、ウ
ェハも同時にエッチングされてしまう問題を抱えてい
た。したがって、Ｓｉ製のモニタウェハでは、繰り返し
使用はできず、１回限りの使い捨てとなっており、不経
済であった。
【０００４】一方、ダミーウェハなどに使用されている
ＳｉＣは酸に対する耐食性が高く、平坦な表面が得られ
れば繰り返し使用可能なモニタウェハとなる。ＳｉＣウ
ェハの製造はＣＶＤ法に依っており、これによって得ら
れたＣＶＤ−ＳｉＣウェハは、その純度が非常に高い特
徴を有している。
ＳｉＣは酸に対する耐食性が高く、平坦な表面が得られ
れば繰り返し使用可能なモニタウェハとなる。ＳｉＣウ
ェハの製造はＣＶＤ法に依っており、これによって得ら
れたＣＶＤ−ＳｉＣウェハは、その純度が非常に高い特
徴を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＶＤ
−ＳｉＣウェハは、通常、ＳｉＣとは異なる黒鉛等から
なる基板上に成長させる方式であるため、基板との熱膨
張係数の違いなどにより、蒸着したＳｉＣ内部に応力が
残留しやすく、反りなどの原因となっている。この反り
を考慮して、予め、基板形状を凹凸にすることにより、
ある程度反りを抑えることができるが、その制御は困難
である。
−ＳｉＣウェハは、通常、ＳｉＣとは異なる黒鉛等から
なる基板上に成長させる方式であるため、基板との熱膨
張係数の違いなどにより、蒸着したＳｉＣ内部に応力が
残留しやすく、反りなどの原因となっている。この反り
を考慮して、予め、基板形状を凹凸にすることにより、
ある程度反りを抑えることができるが、その制御は困難
である。
【０００６】ＳｉＣモニタウェハに反りがあると、パー
ティクルカウンタのレーザー光がウェハ表面に焦点が合
わなくなる。そのため、ＳｉＣウェハにもＳｉウェハと
同等の平坦性が要求される。しかし、上述したように従
来のＣＶＤ−ＳｉＣウェハは、反りが生じやすいので、
パーティクルモニタウェハとしては使用できなかった。
ティクルカウンタのレーザー光がウェハ表面に焦点が合
わなくなる。そのため、ＳｉＣウェハにもＳｉウェハと
同等の平坦性が要求される。しかし、上述したように従
来のＣＶＤ−ＳｉＣウェハは、反りが生じやすいので、
パーティクルモニタウェハとしては使用できなかった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点に着目し、反
りのないＳｉＣウェハを製造することができ、もって繰
り返し使用可能なパーティクルモニタとして実現できる
ＳｉＣウェハを提供することを目的とする。
りのないＳｉＣウェハを製造することができ、もって繰
り返し使用可能なパーティクルモニタとして実現できる
ＳｉＣウェハを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記従来の問題点を解決
するために、本発明に係るＳｉＣモニタウェハは、半導
体製造工程で用いられるプロセス管理用のモニタウェハ
であって、ＳｉＣにより形成されたウェハ母材に黒色Ｓ
ｉＣ膜をコーティングした二重構造を持つ構造とした。
上記ウェハ母材を焼結体ＳｉＣから構成することができ
る。
するために、本発明に係るＳｉＣモニタウェハは、半導
体製造工程で用いられるプロセス管理用のモニタウェハ
であって、ＳｉＣにより形成されたウェハ母材に黒色Ｓ
ｉＣ膜をコーティングした二重構造を持つ構造とした。
上記ウェハ母材を焼結体ＳｉＣから構成することができ
る。
【０００９】また、本発明は、焼結体ＳｉＣウェハ母材
の表面に黒色ＳｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造
ウェハであって、当該ウェハの表面粗さがＲａ＝０．５
ｎｍ以下としてなることを特徴とする。
の表面に黒色ＳｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造
ウェハであって、当該ウェハの表面粗さがＲａ＝０．５
ｎｍ以下としてなることを特徴とする。
【００１０】更に、本発明は、焼結体ＳｉＣウェハ母材
の表面に黒色ＳｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造
ウェハであって、当該ウェハの表面の不純物密度を１×
１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下としてなることを特徴と
するＳｉＣパーティクルモニタウェハである。
の表面に黒色ＳｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造
ウェハであって、当該ウェハの表面の不純物密度を１×
１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2以下としてなることを特徴と
するＳｉＣパーティクルモニタウェハである。
【００１１】本発明の如く、モニタウェハ母材に焼結体
ＳｉＣを採用し、これに緻密且つ黒色のＳｉＣをコーテ
ィングすることにより、反りのないＳｉＣウェハを製造
することができる。一般に、焼結体ＳｉＣの純度は低い
が、純度の高い黒色ＳｉＣを表面にコーティングするこ
とにより不純物の問題も解決できる。黒色ＳｉＣはＣＶ
Ｄ法、スパッタ法、レーザアプレーション法など、一般
的な乾式の膜形成プロセスにより作製できる。
ＳｉＣを採用し、これに緻密且つ黒色のＳｉＣをコーテ
ィングすることにより、反りのないＳｉＣウェハを製造
することができる。一般に、焼結体ＳｉＣの純度は低い
が、純度の高い黒色ＳｉＣを表面にコーティングするこ
とにより不純物の問題も解決できる。黒色ＳｉＣはＣＶ
Ｄ法、スパッタ法、レーザアプレーション法など、一般
的な乾式の膜形成プロセスにより作製できる。
【００１２】ＣＶＤ−ＳｉＣウェハは、その基板となる
材料の上にＳｉＣを蒸着し、基板材料を除去することに
より得られる。ＳｉＣとは異なる基材上に成長する限り
は、基板材料とＳｉＣとの線膨張係数の不整合のため、
蒸着したＳｉＣ内部に応力が発生し、反りが発生する。
材料の上にＳｉＣを蒸着し、基板材料を除去することに
より得られる。ＳｉＣとは異なる基材上に成長する限り
は、基板材料とＳｉＣとの線膨張係数の不整合のため、
蒸着したＳｉＣ内部に応力が発生し、反りが発生する。
【００１３】一方、焼結体は、上記ＣＶＤ品のように他
の部材との接合体から切り離されたものではなく、Ｓｉ
Ｃ内部の応力は基本的に小さい。したがって、ウェハ状
に加工した後にも、高い精度のウェハ形状が得られる。
の部材との接合体から切り離されたものではなく、Ｓｉ
Ｃ内部の応力は基本的に小さい。したがって、ウェハ状
に加工した後にも、高い精度のウェハ形状が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係るＳｉＣパーテ
ィクルモニタウェハの好ましい実施の形態を、８インチ
ウェハを例に取り、詳細に説明する。実施形態に係るＳ
ｉＣパーティクルモニタウェハの製造工程を図1、図２
に示す。図１は製造工程のフローチャートであり、図２
は図１の工程ごとに作製された材料の形態を示してい
る。図示のように、最初、ＳｉＣモニタウェハの母材と
して用いられるＳｉＣ焼結体１０を作製する（ステップ
１００）。このＳｉＣ焼結体１０は、予め微粒子化され
ているＳｉＣを用い、この微粒子を成形型枠に入れて成
形し、これを仮焼した後、高温・高圧下で圧縮焼結する
ことによって得ることができる。焼結方法については一
般的な反応焼結法を用いればよいが、任意の方法を選択
できる。このようにして得られたＳｉＣ焼結体１０は、
その寸法が、直径２００±０．１ｍｍ、厚さ６２５±２
０μｍ、反り５０μｍ以下となるように、研削加工され
る（ステップ１０２）。これによって焼結ウェハ母材１
２が得られる。
ィクルモニタウェハの好ましい実施の形態を、８インチ
ウェハを例に取り、詳細に説明する。実施形態に係るＳ
ｉＣパーティクルモニタウェハの製造工程を図1、図２
に示す。図１は製造工程のフローチャートであり、図２
は図１の工程ごとに作製された材料の形態を示してい
る。図示のように、最初、ＳｉＣモニタウェハの母材と
して用いられるＳｉＣ焼結体１０を作製する（ステップ
１００）。このＳｉＣ焼結体１０は、予め微粒子化され
ているＳｉＣを用い、この微粒子を成形型枠に入れて成
形し、これを仮焼した後、高温・高圧下で圧縮焼結する
ことによって得ることができる。焼結方法については一
般的な反応焼結法を用いればよいが、任意の方法を選択
できる。このようにして得られたＳｉＣ焼結体１０は、
その寸法が、直径２００±０．１ｍｍ、厚さ６２５±２
０μｍ、反り５０μｍ以下となるように、研削加工され
る（ステップ１０２）。これによって焼結ウェハ母材１
２が得られる。
【００１５】また、比較のために、ＣＶＤ−ＳｉＣも母
材に使用した。ＣＶＤ−ＳｉＣは、円盤状に形成した黒
鉛基材の表面にＳｉＣ層を形成して得る。ＣＶＤ装置に
ＳｉＣの原料となるＳｉＣｌ4とＣ3Ｈ8を水素ガスとと
もに供給し、ターゲットとして収容されている黒鉛基材
の表面にＳｉＣ層が０．１〜１ｍｍ程度になるまで成膜
する。その後、周囲を研削し、黒鉛を焼き飛ばすことで
得ることができる。このようなＣＶＤ−ＳｉＣ母材に対
し、ＳｉＣ焼結体１０と同じ研削条件で加工を施した。
材に使用した。ＣＶＤ−ＳｉＣは、円盤状に形成した黒
鉛基材の表面にＳｉＣ層を形成して得る。ＣＶＤ装置に
ＳｉＣの原料となるＳｉＣｌ4とＣ3Ｈ8を水素ガスとと
もに供給し、ターゲットとして収容されている黒鉛基材
の表面にＳｉＣ層が０．１〜１ｍｍ程度になるまで成膜
する。その後、周囲を研削し、黒鉛を焼き飛ばすことで
得ることができる。このようなＣＶＤ−ＳｉＣ母材に対
し、ＳｉＣ焼結体１０と同じ研削条件で加工を施した。
【００１６】加工後の両ウェハ母材の反りを測定した。
結果を表１に示す。計測方向は、図３に示すように、ウ
ェハ直径線方向に沿うラインで計測し、ラインは円周方
向に４５度の間隔をおいて設定される（図３中のライン
Ａ、ラインＢ）。測定値は、各ライン上で測定した１８
点の平均値を示す。
結果を表１に示す。計測方向は、図３に示すように、ウ
ェハ直径線方向に沿うラインで計測し、ラインは円周方
向に４５度の間隔をおいて設定される（図３中のライン
Ａ、ラインＢ）。測定値は、各ライン上で測定した１８
点の平均値を示す。
【表1】
【００１７】マイナス値はウェハ母材表面が凹面となっ
ていることを示す。焼結ウェハ母材１２の反り量はＣＶ
Ｄ品の１／３以下となっていることが判った。また、４
５度角度を変えたＡ，Ｂライン間に数値の違いはほとん
ど無かった。
ていることを示す。焼結ウェハ母材１２の反り量はＣＶ
Ｄ品の１／３以下となっていることが判った。また、４
５度角度を変えたＡ，Ｂライン間に数値の違いはほとん
ど無かった。
【００１８】次に、焼結ウェハ母材１２及びＣＶＤウェ
ハ母材に、厚さ約１００μｍの黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１
４をＣＶＤ法により成膜した（ステップ１０４）。黒色
ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１４は多結晶３Ｃ−ＳｉＣであり、そ
の結晶は（１１１）配向となっていた。
ハ母材に、厚さ約１００μｍの黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１
４をＣＶＤ法により成膜した（ステップ１０４）。黒色
ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１４は多結晶３Ｃ−ＳｉＣであり、そ
の結晶は（１１１）配向となっていた。
【００１９】黒色膜を研削加工した後の、ウェハ反りの
測定結果を以下の表３に示す。焼結体を母材としたほう
が、反りの値が小さくなっている。
測定結果を以下の表３に示す。焼結体を母材としたほう
が、反りの値が小さくなっている。
【表２】
【００２０】次に、焼結ウェハ母材１２上に成長させた
黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１４を、研削の後、ダイヤモンド
砥粒を用いてウェハ表面を研磨した（ステップ１０
６）。最終的には粒径０．５μｍのダイヤモンドで仕上
げた。ダイヤモンド研磨後のＳｉＣウェハ表面の１００
μｍ角領域を、３次元構造解析顕微鏡にて評価した。こ
の機械研磨ウェハ１６の表面粗さは、ＰＶ値：１０ｎｍ
以下、Ｒａ値：１ｎｍ以下であった。
黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜１４を、研削の後、ダイヤモンド
砥粒を用いてウェハ表面を研磨した（ステップ１０
６）。最終的には粒径０．５μｍのダイヤモンドで仕上
げた。ダイヤモンド研磨後のＳｉＣウェハ表面の１００
μｍ角領域を、３次元構造解析顕微鏡にて評価した。こ
の機械研磨ウェハ１６の表面粗さは、ＰＶ値：１０ｎｍ
以下、Ｒａ値：１ｎｍ以下であった。
【００２１】次に、このウェハ表面に、ＧＣＩＢ（ガス
クラスターイオンビーム）法によりＡｒクラスターを照
射し、表面をさらに鏡面化した（ステップ１０８）。照
射後の鏡面ウェハ１８の表面を原子間力顕微鏡にて１０
μｍ角領域の表面粗さを測定した。ＰＶ値：５ｎｍ以
下、Ｒａ値：０．３ｎｍ以下であった。
クラスターイオンビーム）法によりＡｒクラスターを照
射し、表面をさらに鏡面化した（ステップ１０８）。照
射後の鏡面ウェハ１８の表面を原子間力顕微鏡にて１０
μｍ角領域の表面粗さを測定した。ＰＶ値：５ｎｍ以
下、Ｒａ値：０．３ｎｍ以下であった。
【００２２】この鏡面ウェハ１８を洗浄することによ
り、ＳｉＣパーティクルモニタウェハ２０を完成させた
（ステップ１１０）。完成品のウェハの反りは、表２に
示した研削後の値と同等であった。このモニタウェハ２
０の表面の不純物密度を計測したところ、１×１０11ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ2以下であった。
り、ＳｉＣパーティクルモニタウェハ２０を完成させた
（ステップ１１０）。完成品のウェハの反りは、表２に
示した研削後の値と同等であった。このモニタウェハ２
０の表面の不純物密度を計測したところ、１×１０11ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ2以下であった。
【００２３】このように、実施形態では、ウェハ母材１
２に焼結体ＳｉＣを用いることにより、反り量の少な
い、Ｓｉウェハと同等の表面平坦度を持つ、パーティク
ルも似たウェハ２０を作製することができた。
２に焼結体ＳｉＣを用いることにより、反り量の少な
い、Ｓｉウェハと同等の表面平坦度を持つ、パーティク
ルも似たウェハ２０を作製することができた。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＳｉ
Ｃパーティクルモニタウェハは、半導体製造工程で用い
られるプロセス管理用のモニタウェハであって、ＳｉＣ
により形成されたウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティ
ングした二重構造を持つように構成したので、反りのな
いＳｉＣウェハを低コストで製造することができ、もっ
て繰り返し使用可能なパーティクルモニタとして実現で
きる効果が得られる。
Ｃパーティクルモニタウェハは、半導体製造工程で用い
られるプロセス管理用のモニタウェハであって、ＳｉＣ
により形成されたウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティ
ングした二重構造を持つように構成したので、反りのな
いＳｉＣウェハを低コストで製造することができ、もっ
て繰り返し使用可能なパーティクルモニタとして実現で
きる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係るＳｉＣパーティクルモニタウ
ェハの製造工程を示すフローチャートである。
ェハの製造工程を示すフローチャートである。
【図２】 同製造工程の説明図である。
【図３】 ウェハの粗さ計測方向を示す説明図である。
１０………ＳｉＣ焼結体、１２………焼結ウェハ母材、
１４………黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜、１６………機械研磨
ウェハ、１８………鏡面ウェハ、２０………ＳｉＣパー
ティクルモニタウェハ。
１４………黒色ＣＶＤ−ＳｉＣ膜、１６………機械研磨
ウェハ、１８………鏡面ウェハ、２０………ＳｉＣパー
ティクルモニタウェハ。
フロントページの続き
(72)発明者 江端 誠
岡山県玉野市玉原３−16−２ 株式会社ア
ドマップ内
Ｆターム(参考） 4K030 BA37 CA05 FA10 LA15
4M106 AA01 CA41
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体製造工程で用いられるプロセス管
理用のモニタウェハであって、ＳｉＣにより形成された
ウェハ母材に黒色ＳｉＣ膜をコーティングした二重構造
を持つことを特徴とするＳｉＣパーティクルモニタウェ
ハ。 - 【請求項２】 上記ウェハ母材が焼結体ＳｉＣからなる
ことを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣパーティクル
モニタウェハ。 - 【請求項３】 焼結体ＳｉＣウェハ母材の表面に黒色Ｓ
ｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造ウェハであっ
て、当該ウェハの表面粗さがＲａ＝０．５ｎｍ以下とし
てなることを特徴とするＳｉＣパーティクルモニタウェ
ハ。 - 【請求項４】 焼結体ＳｉＣウェハ母材の表面に黒色Ｓ
ｉＣ膜をコーティングしてなる二重構造ウェハであっ
て、当該ウェハの表面の不純物密度を１×１０ 11ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ2以下としてなることを特徴とするＳｉＣパ
ーティクルモニタウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002088211A JP2003282664A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | ＳｉＣパーティクルモニタウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002088211A JP2003282664A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | ＳｉＣパーティクルモニタウェハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282664A true JP2003282664A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29234140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002088211A Pending JP2003282664A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | ＳｉＣパーティクルモニタウェハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003282664A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005000765A2 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Bridgestone Corporation | ダミーウェハ及びその製造方法 |
| CN108231956A (zh) * | 2018-01-09 | 2018-06-29 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种黑硅电池片的清洗槽工艺 |
| CN108277529A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-07-13 | 江苏荣马新能源有限公司 | 一种湿法黑硅制备方法 |
| WO2018159754A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板 |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002088211A patent/JP2003282664A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005000765A2 (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Bridgestone Corporation | ダミーウェハ及びその製造方法 |
| JP2005039212A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-02-10 | Bridgestone Corp | ダミーウェハ及びその製造方法 |
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| WO2018159754A1 (ja) * | 2017-03-02 | 2018-09-07 | 信越化学工業株式会社 | 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板 |
| CN110366611A (zh) * | 2017-03-02 | 2019-10-22 | 信越化学工业株式会社 | 碳化硅基板的制造方法及碳化硅基板 |
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