JPWO2018159232A1 - 磁気記録媒体、含フッ素エーテル化合物および磁気記録媒体用潤滑剤 - Google Patents

Abstract

本発明の含フッ素エーテル化合物は、下記一般式（１）で表される。（一般式（１）中、Ｘは三価の原子または三価の原子団を表し、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂはパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基を表し、Ｄは極性基または末端に極性基を有する置換基を表す。）［化１］

Description

本発明は、磁気記録媒体、含フッ素エーテル化合物および磁気記録媒体用潤滑剤に関する。
本願は、２０１７年３月２日に、日本に出願された特願２０１７−０３９８１６号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。

特開２０１０−２４８４６３号公報 特開２０１２−１８４３３９号公報 国際公開第２０１３／０５４３９３号 国際公開第２０１０／０３８７５４号 特許第３８１１８８０号公報

磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層に隙間が形成されやすくなる。その結果、保護層の表面を被覆している潤滑層の被覆率が低下する。被覆率の低い潤滑層の隙間から潤滑層の下層に、汚染物質を生成させる環境物質が侵入すると、環境物質がイオン性不純物などの磁気記録媒体を汚染する汚染物質を生成する。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を用いた磁気記録媒体用潤滑剤およびこれを用いた磁気記録媒体を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
その結果、中央に配置された三価の原子または三価の原子団Ｘに、３つの含フッ素エーテル基が接続されたものであって、３つの含フッ素エーテル基が、三価の原子または三価の原子団Ｘ側から、少なくとも１つの極性基を含む連結基Ａと、パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂと、極性基または末端に極性基を有する置換基Ｄとが、この順で配置された含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

上記の含フッ素エーテル化合物では、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を磁気記録媒体の保護層上に塗布した場合に、三価の原子または三価の原子団Ｘから三方に延びるパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂが、保護層の表面を被覆するとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。また、連結基Ａおよび置換基Ｄの有する極性基が、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を磁気記録媒体の保護層上に塗布した場合に、潤滑剤と保護層とを密着させる。

このような含フッ素エーテル化合物では、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、中央に配置された三価の原子または三価の原子団Ｘは、三価の原子または三価の原子団Ｘの近傍に配置された３つの連結基Ａと保護層との結合によって、保護層上に密着される。また、三価の原子または三価の原子団Ｘに接続された３つの含フッ素エーテル基の末端は、それぞれ置換基Ｄと保護層との結合によって、保護層上に密着される。
その結果、パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂは、三価の原子または三価の原子団Ｘから三方に広がって延在した状態で、連結基Ａと置換基Ｄとによって両端が保護層上に結合される。

したがって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層では、連結基Ｂが保護層上の面方向に広がって配置されたものになりやすい。しかも、このような潤滑層では、連結基Ｂの両端が連結基Ａと置換基Ｄとによって保護層上に結合されているため、潤滑層と保護層とが強固に結合されたものとなる。これらのことから、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、厚みを薄くしても高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成できると推定される。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成することで、潤滑層の下層に侵入した環境物質が、磁気記録媒体を汚染することを防止できると推定される。

そこで、本発明者は、上記の含フッ素エーテル化合物からなる潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合を想定したシミュレーションを行い、潤滑層の膜厚と被覆率および磁気記録媒体の汚染（コンタミ）との関係を調べた。その結果、上記の含フッ素エーテル化合物からなる潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、磁気記録媒体のコンタミを抑制できることが示された。

さらに、本発明者は、実際に上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を製造し、これを用いて磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成し、潤滑層の膜厚と被覆率および磁気記録媒体の汚染（コンタミ）との関係を調べた。その結果、シミュレーションの結果と十分に相関していることを確認した。
以上の検討から、以下に示す本発明を完成するに至った。

［１］本発明の一態様に係る含フッ素エーテル化合物は、下記一般式（１）で表される。

（一般式（１）中、Ｘは三価の原子または三価の原子団を表し、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂはパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基を表し、Ｄは極性基または末端に極性基を有する置換基を表す。）

［２］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、炭化水素であることが好ましい。
［３］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、脂肪族環であることが好ましい。
［４］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、芳香環であることが好ましい。
［５］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、複素環であることが好ましい。
［６］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、中心に炭素原子を有する正四面体構造を含む三価の原子団または、中心に環状の平面構造を含む三価の原子団であることが好ましい。

［７］上記［１］〜［６］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＡが、少なくとも１つの水酸基を含む連結基であることが好ましい。

［８］上記［１］〜［７］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＡが、下記一般式（２）〜下記一般式（４）のいずれかで表される連結基であることが好ましい。

（一般式（４）中、ｐは１〜５の整数を表す。）

［９］上記［１］〜［８］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＢが、下記一般式（５）または下記一般式（６）で表される連結基であることが好ましい。

（一般式（５）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。）（一般式（６）中、ｑは１〜３０の整数を表す。）

［１０］上記［１］〜［９］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＤが、水酸基、下記一般式（７−１）〜（７−３）のいずれかを表すことが好ましい。

（一般式（７−１）中、ｒは０〜５の整数を表す。）
（一般式（７−２）中、ｓは０〜５の整数を表す。）
（一般式（７−３）中、ｔは１〜５の整数を表す。）

［１１］上記［１］に記載の含フッ素エーテル化合物において、前記一般式（１）中のＸが、下記一般式（８）〜下記一般式（２３）のいずれかを表すことが好ましい。

［１２］上記［１］〜［１１］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物において、数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内であることが好ましい。
［１３］本発明の一態様に係る磁気記録媒体用潤滑剤は、上記［１］〜［１２］のいずれか一つに記載の含フッ素エーテル化合物を含む。
［１４］本発明の一態様に係る磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］〜［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含む。
［１５］上記［１４］に記載の磁気記録媒体は、前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜３ｎｍであることが好ましい。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記一般式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体のコンタミを抑制できる。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。 図２は、シミュレーションに使用した保護層の構造を説明するための模式図である。 図３の（ａ）〜図３の（ｅ）は、潤滑剤の塗布シミュレーションを説明するための模式図である。 図４は、シロキサンコンタミ数の評価方法を説明するための模式図である。 連続ＬＵＬ動作の繰り返しを行う環境を説明するための図である。

以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体の好ましい実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。特に記載のない限り、数、位置、材料などを必要に応じて選択してよいものである。

［含フッ素エーテル化合物］
本実施形態の含フッ素エーテル化合物（フッ素を含有するエーテル化合物）は、上記一般式（１）で表される。
一般式（１）において、Ｘは三価の原子または三価の原子団である。三価の原子または三価の原子団Ｘは、三価の原子または三価の原子団Ｘ側から連結基Ａと連結基Ｂと置換基Ｄとがこの順で配置された３つの含フッ素エーテル基を連結する連結基として機能する。
三価の原子または三価の原子団Ｘは、特に限定されるものではなく、例えば、上記一般式（８）〜上記一般式（２３）で表されるいずれかを挙げることができる。三価の原子または三価の原子団Ｘは、本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜選択される。

三価の原子または三価の原子団Ｘは、炭化水素であることが好ましい。このような三価の原子または三価の原子団Ｘとしては、特に、一般式（１２）〜（１４）で表されるものであることが好ましい。
三価の原子または三価の原子団Ｘは、脂肪族環であることが好ましい。このような三価の原子または三価の原子団Ｘとしては、特に、一般式（１０）（１１）（１９）（２０）（２２）で表されるものであることが好ましい。

三価の原子または三価の原子団Ｘは、芳香環であることが好ましい。このような三価の原子または三価の原子団Ｘとしては、特に、一般式（２１）で表されるものであることが好ましい。
三価の原子または三価の原子団Ｘは、複素環であることが好ましい。このような三価の原子または三価の原子団Ｘとしては、特に、一般式（９）（１７）（２３）で表されるものであることが好ましい。

三価の原子または三価の原子団Ｘは、中心に炭素原子を有する正四面体構造（ＳＰ３構造）を含む三価の原子団または、中心に環状の平面構造を含む三価の原子団であることが好ましい。
中心に炭素原子を有する正四面体構造（ＳＰ３構造）を含む三価の原子団としては、特に、一般式（８）（１２）〜（１６）（１８）（１９）で表されるものであることが好ましい。
中心に環状の平面構造を含む三価の原子団としては、特に、一般式（１７）（２３）で表されるものであることが好ましい。

一般式（１）中の少なくとも１つの極性基を含む連結基Ａは、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。連結基Ａに含まれる極性基は、特に限定されるものではなく、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミノカルボキシル基などが挙げられる。連結基Ａは、少なくとも１つの水酸基を含む連結基であることが好ましい。連結基Ａに含まれる極性基が水酸基であると、潤滑剤の塗布される保護層が、炭素または窒素を含む炭素で形成されている場合に、保護層と含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤との密着性がより一層向上する。

少なくとも１つの水酸基を含む連結基としては、上記一般式（２）〜上記一般式（４）で表される連結基であることが好ましい。連結基Ａが一般式（２）〜一般式（４）で表される連結基である場合、潤滑剤の塗布される保護層と連結基Ａとの密着性がより一層向上する。また、連結基Ａが一般式（２）〜一般式（４）で表される連結基である場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。

一般式（４）中、ｐは１〜５の整数を表す。ｐが１〜５の整数である場合、三価の原子または三価の原子団Ｘと連結基Ａに含まれる水酸基とが離れすぎることがない。このため、三価の原子または三価の原子団Ｘが、連結基Ａと保護層との結合によって、保護層上により強固に密着され、好ましい。ｐは２〜４の整数であることがより好ましい。ｐは、本実施形態の潤滑剤に求められる性能に応じて適宜決定される。

一般式（１）中のパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂは、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。

パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂは、特に限定されるものではなく、例えば、上記一般式（５）または上記一般式（６）で表される連結基が挙げられる。パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂは、パーフルオロポリエーテル鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数が少ない程、硬い骨格を有するものとなる。

一般式（５）または一般式（６）で表される連結基は、パーフルオロポリエーテル鎖中に含まれる酸素原子数（エーテル結合（−Ｏ−）数）が適正である。このため、連結基Ｂが一般式（５）または一般式（６）で表される連結基であると、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物中の連結基Ｂが、保護層上で凝集しにくく、厚みの薄い潤滑層を形成できる。

一般式（５）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。一般式（５）において、繰り返し単位である（Ｏ−ＣＦ_２）と（Ｏ−ＣＦ_２−ＣＦ_２）との配列順序には、特に制限はない。一般式（５）において（Ｏ−ＣＦ_２）の数ｍと（Ｏ−ＣＦ_２−ＣＦ_２）の数ｎは同じであってもよいし、異なっていてもよい。すなわち、一般式（５）は、モノマー単位（Ｏ−ＣＦ_２）と（Ｏ−ＣＦ_２−ＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

一般式（５）において、ｍが１〜３０の整数であり、ｎが１〜３０の整数である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすく、好ましい。ｍは２〜２０の整数であることが好ましく、２〜１０の整数であることがより好ましく、さらに２〜５の整数であることが好ましい。ｎは２〜２０の整数であることが好ましく、２〜１０の整数であることがより好ましく、さらに２〜５の整数であることが好ましい。

一般式（６）において、ｑが１〜３０の整数である場合、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が好ましい範囲になりやすく、好ましい。ｑは２〜２０の整数であることがより好ましく、さらに３〜７の整数であることが好ましい。

一般式（１）中の極性基または末端に極性基を有する置換基Ｄは、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤の塗布される保護層と、潤滑剤を塗布して形成した潤滑層との密着性に寄与する。
置換基Ｄに含まれる極性基としては、特に限定されるものではなく、例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、アミノカルボキシル基などが挙げられる。置換基Ｄに含まれる極性基の数は、特に限定されるものではなく、１つであっても複数であってもよい。置換基Ｄに含まれる極性基の数は、置換基Ｄによる密着性向上効果を高めるために、２以上であることが好ましい。

置換基Ｄは、少なくとも１つの水酸基を含むことが好ましい。置換基Ｄに含まれる極性基が水酸基であると、潤滑剤の塗布される保護層が、炭素または炭化ケイ素で形成されている場合に、保護層と含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤との密着性がより一層向上する。

置換基Ｄは、特に限定されるものではなく、例えば、水酸基、上記一般式（７−１）〜（７−３）のいずれかが挙げられる。置換基Ｄが、水酸基、上記一般式（７−１）〜（７−３）のいずれかである場合、潤滑剤の塗布される保護層と置換基Ｄとの密着性がより一層良好となる。
一般式（７−１）において、ｒが０〜５の整数である場合、保護層と置換基Ｄとの密着性がより良好となり、かつ含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止でき、好ましい。ｒは０〜２の整数であることがより好ましい。
一般式（７−２）において、ｓが０〜５の整数である場合、保護層と置換基Ｄとの密着性がより良好となり、かつ含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止でき、好ましい。ｓは０〜２の整数であることがより好ましい。
一般式（７−３）において、ｔが１〜５の整数である場合、保護層と置換基Ｄとの密着性がより良好となり、かつ含フッ素エーテル化合物の数平均分子量が大きくなりすぎることを防止でき、好ましい。ｔは１〜２の整数であることがより好ましい。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が１０００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散し、蒸散した潤滑剤が磁気ヘッドに付着することを防止できる。また、数平均分子量が１０００以上であると、含フッ素エーテル化合物中に含まれるパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂの割合が十分に高いものとなるため、優れた潤滑性を有する潤滑層を形成でき、好ましい。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、２０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、４０００以下であることが好ましい。

数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により求めることができる。ＧＰＣの測定条件は、以下の通りである。
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ製 ＫＦ８０３
溶離液：フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）／アセトン＝４／１（ｖ／ｖ）
流速：１ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＥＬＳＤ（蒸発光散乱検出器）

本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではない。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、従来公知の製造方法を用いて製造でき、例えば、以下に示す製造方法を用いることができる。
まず、三価の原子または三価の原子団Ｘの連結基Ａが結合される位置の末端に、エポキシ基を有している三官能エポキシ化合物を合成する。次に、合成した三官能エポキシ化合物の有するエポキシ基の開環付加反応により、パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂおよび置換基Ｄに対応する構造を有する、フルオロポリエーテルを付加する方法などにより、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造することができる。

上記の製造方法において、三価の原子または三価の原子団Ｘの連結基Ａが結合される位置の末端に、エポキシ基を有している三官能エポキシ化合物は、合成してもよいし、市販されているものを用いてもよい。
上記の三官能エポキシ化合物は、例えば、三価の原子または三価の原子団Ｘが、上記一般式（８）〜上記一般式（２２）で表されるいずれかである場合、三価の原子または三価の原子団Ｘの連結基Ａが結合される位置に、水酸基が結合された化合物を原料として合成することが好ましい。具体的には、上記の水酸基が結合された化合物を原料として、従来公知の方法により、水酸基が結合されていた位置の末端にエポキシ基を有している三官能エポキシ化合物を合成する。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記一般式（１）で表される化合物である。
したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、中央に配置された三価の原子または三価の原子団Ｘは、三価の原子または三価の原子団Ｘの近傍に配置された３つの連結基Ａと保護層との結合によって、保護層上に密着される。また、三価の原子または三価の原子団Ｘに接続された３つの含フッ素エーテル基の末端は、それぞれ置換基Ｄと保護層との結合によって、保護層上に密着される。その結果、パーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基Ｂは、三価の原子または三価の原子団Ｘから三方向に広がって延在した状態で、連結基Ａと置換基Ｄとによって両端が保護層上に結合される。

したがって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層では、連結基Ｂが保護層上の面方向に広がって配置されたものになりやすい。しかも、このような潤滑層では、連結基Ｂの両端が連結基Ａと置換基Ｄとによって保護層上に結合されているため、潤滑層と保護層とが強固に結合されたものとなる。これらのことから、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成できる。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成することで、潤滑層の下層に侵入した環境物質が、磁気記録媒体を汚染することを防止できる。

これに対し、含フッ素エーテル化合物として、例えば、連結基Ａおよび／または置換基Ｄがないものを用いた場合、保護層上に形成する潤滑層の厚みを薄くすると、十分な被覆率が得られない。これは、連結基Ａおよび／または置換基Ｄがないと、連結基Ｂが保護層上で保護層の厚み方向に凝集しやすくなり、保護層上で面方向に広がりにくくなるためと推定される。また、連結基Ａおよび／または置換基Ｄがない場合、潤滑層の厚みを薄くすると保護層との密着性が不十分となるため、薄くすることは困難である。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記することもある。）は、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤として使用されている公知の他の含フッ素エーテル化合物が含まれていてもよい。
他の含フッ素エーテル化合物としては、例えば、末端に水酸基を有する含フッ素エーテル化合物、極性基の他の官能基を有する含フッ素エーテル化合物などが挙げられる。

本実施形態の潤滑剤は、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含まない他の潤滑剤を、必要に応じて混合して用いることができる。他の潤滑剤の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ−２００１（以上Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。他の潤滑剤としては、数平均分子量が１０００〜１００００であるものを用いることが好ましい。

本実施形態の潤滑剤が他の潤滑剤を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。

本実施形態の潤滑剤は、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体のコンタミを抑制できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、表面に存在する汚染物質が少ない磁気記録媒体を提供できる。

［磁気記録媒体］
図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８と、が順次設けられた構造をなしている。

「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とに接して配置した場合に、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。軟磁性層１３がＡＦＣ結合した構造を有していると、外部からの磁界に対しての耐性、並びに、垂直磁気記録特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ Ａｒｅａ Ｔａｃｋ Ｅｒａｓｕｒｅ）現象に対しての耐性を高めることができる。

第１軟磁性膜および第２軟磁性膜は、ＣｏＦｅ合金からなる膜であることが好ましい。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜がＣｏＦｅ合金からなる膜である場合、高い飽和磁束密度Ｂｓ（１．４（Ｔ）以上）を実現できる。
また、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、シード層の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。第１下地層１４は、磁気ヘッドから発生する磁束の基板面に対する垂直方向成分を大きくするとともに、磁性層１６の磁化の方向をより強固に基板１１と垂直な方向に固定するために設けられている。
第１下地層１４は、ＮｉＷ合金からなる層であることが好ましい。第１下地層１４がＮｉＷ合金からなる層である場合、必要に応じてＮｉＷ合金にＢ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａなどの他の元素を添加してもよい。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
上記元素を１種類以上含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性、熱揺らぎ特性を得ることができる。

第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。第３磁性層がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に上記元素を含むことにより、磁性粒子の微細化を促進、または結晶性や配向性を向上させることができ、より高密度記録に適した記録再生特性および熱揺らぎ特性が得られる。

磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。
隣接する磁性層間に非磁性層を適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができ、Ｓ／Ｎ比をより向上させることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録型の磁性層であることが好ましいが、面内磁気記録型の磁性層であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよいが、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護するための層である。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７は、窒素を含む炭素または炭化ケイ素からなる層であり、炭素からなる層であることが好ましい。
保護層１７の成膜方法としては、カーボンターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法，ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。

「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止するとともに、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる層である。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより、保護層１７上に接するように形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含むものである。

潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が炭素または炭化ケイ素で形成されている場合、この炭素または炭化ケイ素が、潤滑層１８に含まれる含フッ素エーテル化合物と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０となり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

特に、保護層１７が炭素で形成されている場合、保護層１７に含まれる炭素原子と、潤滑層１８に含まれる含フッ素エーテル化合物との結合力が、より一層高くなる。このため、保護層１７が炭素で形成されている場合、潤滑層１８の厚みをより薄くしても、十分に高い被覆率で保護層１７の表面を被覆できる。

潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜３ｎｍ（３０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）〜２ｎｍ（２０Å）であることがより好ましい。
潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状と網目状のいずれにもならずに、均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を３ｎｍ以下にすることで、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくして、磁気記録媒体１０の記録密度を高くすることができる。

保護層１７の表面が、潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスミアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。
このような潤滑層１８の隙間からの環境物質の侵入に起因する問題は、磁気記録媒体１０を高温条件下に保持した場合、より顕著に現れる。

汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）およびイオン性化合物（イオン性不純物）、あるいはオクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。

潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて溶媒で希釈し、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

潤滑層形成用溶液の塗布方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法やディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に収容された潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このようにして、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な厚さの潤滑層１８を形成できる。

本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。
よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することを防止し、表面上に存在する汚染物質が少ない状態を実現することができるものである。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
［シミュレーション］
上述した実施形態の含フッ素エーテル化合物からなる潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合を想定したシミュレーションを行い、潤滑層の膜厚と被覆率および磁気記録媒体の汚染（コンタミ）との関係を調べた。

１．計算モデル
シミュレーションに使用した保護層、潤滑剤、汚染物質の構造モデルは、以下のとおりである。
（保護層モデル）
保護層モデルは、潤滑剤との親和性の高い吸着サイトを含む炭素からなる層とした。以下、その構造を具体的に説明するが、シミュレーションにより導き出される結論はこれに限定されるものではない。
図２は、シミュレーションに使用した保護層の構造を説明するための模式図である。図２において、濃色の丸は窒素原子３０を示し、淡色の丸は炭素原子３１を示す。シミュレーションでは、図２に示すように、保護層として２層の窒素ドープグラフェンを使用した。図２においては、各窒素ドープグラフェンの単位構造のみを示している。シミュレーションでは、図２に示す各窒素ドープグラフェンの単位構造が矢印で示す方向に無限に繰り返される周期境界条件設定とした。各窒素ドープグラフェンは、グラフェンの炭素原子３１の一部を窒素原子３０により置換したものである。各窒素ドープグラフェン中の窒素原子３０の割合は図２に示すとおり１２．５％に設定した。
ここで、窒素ドープグラフェンをモデルとして用いた理由は、保護層は基本的には炭素または炭化ケイ素からなる層であるが、酸素や窒素等の吸着サイトとすることで、潤滑剤の極性基との結合を強くすることが一般に行われているからである（特許文献４参照）。また、２層のグラフェン構造を用いた理由は、グラファイトからなる保護層を利用する実例があるためである（特許文献５参照）。

（潤滑剤モデル）
潤滑剤として表１に示す構成を有する含フッ素エーテル化合物を用いた。表１に示すシミュレーション番号１〜シミュレーション番号１９で使用した潤滑剤は、一般式（１）で表される上述した実施形態の含フッ素エーテル化合物である。表１に示すように、シミュレーション番号１〜シミュレーション番号１９で使用した潤滑剤では、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘとして一般式（８）〜一般式（２３）のものを用い、連結基Ａとして一般式（２）または一般式（４）のものを用いた。また、表１に示すシミュレーション番号１〜シミュレーション番号１９で使用した潤滑剤では、連結基Ｂとして一般式（５）または（６）のものを用い、置換基Ｄとして水酸基または一般式（７−１）で表されるｒがゼロのものを用いた。表１に示すシミュレーション番号１〜シミュレーション番号１９で使用した潤滑剤は、全て分子量が２０００〜２４００程度になるように、一般式（１）における連結基Ｂの長さ（言い換えると、一般式（５）におけるｍおよびｎの数値）を調整した。
また、表１に示すシミュレーション番号２０で使用した潤滑剤としては、下記一般式（２４）で表される含フッ素エーテル化合物を用いた（一般式（２４）中、ｗは１０、ｘは１０である。）。

（汚染物質モデル）
汚染物質のモデルとして、オクタメチルシクロテトラシロキサン（環状シロキサン）を使用した。シロキサンは、ケイ素と酸素を骨格とする化合物であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）を持つものの総称である。低分子環状シロキサンは、特に揮発性が高いため、室温あるいは体温付近でも蒸気となって気中へ拡散し、コンタミの原因になることが知られている。そこで、今回は代表的な環状シロキサンであるオクタメチルシクロテトラシロキサンを用いて、シロキサンコンタミシミュレーションを行った。

２．計算手順
（電荷計算）
上述した保護層、潤滑剤、環状シロキサンの構造モデルのそれぞれについて、原子電荷を量子化学計算により求めた。各構造モデルの電荷の計算では、安定構造を計算する構造の最適化を実行した後、その構造における原子電荷を算出した。

潤滑剤と環状シロキサンの安定構造の計算には、Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を使用し、求めた安定構造における原子電荷をＭｉｎｉｍａｌ Ｂａｓｉｓ ｓｅｔ Ｍｕｌｌｉｋｅｎ ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ ａｎａｌｙｓｉｓにより求めた。保護層の安定構造の計算には、ＨＳＥＨ１ＰＢＥ／６−３１Ｇ＊を用い、原子電荷をＭｕｌｌｉｋｅｎ ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ ａｎａｌｙｓｉｓにより算出した。これらの量子化学計算には、Ｇａｕｓｓｉａｎ社のＧａｕｓｓｉａｎ０９プログラムパッケージを使用した。
上記のようにして算出した電荷データを用いて、以下に示す条件で分子動力学計算を実行し、潤滑剤の塗布シミュレーションとコンタミのシミュレーションとを行って、潤滑層の膜厚、被覆率、磁気記録媒体の汚染（コンタミ）を評価した。

（潤滑剤の塗布シミュレーション）
分子力場としてＤｒｅｉｄｉｎｇ力場を使用し、量子化学計算の結果と合致するように保護層と潤滑層の間のＬｅｎｎａｒｄ−Ｊｏｎｅｓポテンシャルの深さパラメータの値を１／２倍にスケールした（εのパラメータを元の１／２倍にした）。長距離クーロン相互作用の計算には、Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ−Ｍｅｓｈ Ｅｗａｌｄ法を使用した。また、Ｌｅｎｎａｒｄ−Ｊｏｎｅｓ相互作用には、カットオフ法を用いた。カットオフ距離は、相互作用が無視できると見なせる１２Åとした。温度制御法として、速度スケーリング法を用いて、粒子数（Ｎ）と体積（Ｖ）と温度（Ｔ）を一定にしたＮＶＴアンサンブルによるシミュレーションを行った。分子動力学計算は、株式会社ＪＳＯＬのＪ−ＯＣＴＡの分子動力学エンジンＶＳＯＰを用いて実行した。

潤滑剤の塗布シミュレーションは、４８Å×４２Å×７０Åの周期境界セル中に保護層の構造モデルを配置し、シミュレーション中に保護層を動かさないよう固定して行った。
そして、以下に示す潤滑剤の塗布シミュレーションを行うことで、室温において潤滑層が保護層を被覆した状態を再現した。図３（ａ）〜図３（ｅ）は、潤滑剤の塗布シミュレーションを説明するための模式図である。図３（ａ）〜図３（ｅ）において、符号１ａは潤滑剤を示し、符号１ｂは潤滑層を示し、符号２０は保護層を示している。

まず、図３（ａ）に示すように、保護層２０の表面上方にランダムに潤滑剤１ａを配置した。この際、潤滑剤１ａの分子数は室温における潤滑層１ｂの膜厚が９Å前後となるよう調整した。これは、１０Å以下の薄い膜厚の潤滑層における被覆率とシロキサンコンタミ耐性を、シミュレーション番号１〜２０の間で比較するためである。
次いで、潤滑剤１ａの末端に配置された水素原子に下向きの力を印加し、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、潤滑剤１ａを下降させて保護層２０の表面に潤滑層１ｂを形成した。ここで、図３（ｂ）は計算途中の構造であり、図３（ｃ）は２０ｐｓの計算後の潤滑層１ｂの構造である。

続いて、室温における熱平衡状態の潤滑層の構造を再現するために、潤滑剤１ａの末端に配置された水素原子への下向きの力を解除して、以下に示すシミュレーションを行った。短い時間で熱平衡状態に到達させるために、まずは３００Ｋ以上の高温で５ｎｓ間の分子動力学計算を実施し、図３（ｄ）に示す潤滑層１ｂの構造を得た。その後、室温における潤滑層１ｂの構造を再現するために、３００Ｋで５ｎｓ間の分子動力学計算を実施し、図３（ｅ）に示す潤滑層１ｂの構造を得た。なお、図３（ｄ）、図３（ｅ）それぞれのシミュレーションにおいて、３ｎｓで熱平衡状態に達することを確認している。
次に、以下に示す方法により、潤滑層の膜厚と被覆率を評価した。

（潤滑層の膜厚）
保護層表面から潤滑層表面までの高さを膜厚とする。しかし、一般に潤滑層の膜厚は均一ではないため、測定する位置によって膜厚の値にばらつきが生じてしまう。この問題を回避するために、今回は、周期境界セル内の全空間で膜厚を平均した値を潤滑層の膜厚として評価した。

（潤滑層の被覆率）
潤滑層１ｂの被覆率は、以下に示す式を用いて算出した。
被覆率＝（保護層表面被覆原子が占有する面積／保護層表面の全面積）×１００
上記式において「保護層表面被覆原子」とは、保護層２０上に存在する含フッ素エーテル化合物の原子のうち、保護層２０の表面から６Å以内に存在する含フッ素エーテル化合物の原子を意味する。「保護層表面被覆原子が占有する面積」とは、保護層表面被覆原子の中心から半径１．５Å（おおよそファンデルワールス半径）の円の集合が占める面積に対応する。

（シロキサンコンタミのシミュレーション）
潤滑層１ｂの温度を３００Ｋに緩和するシミュレーションを５ｎｓ実施した後、３ｎｓ〜５ｎｓの間で異なる時刻における潤滑層１ｂの構造を無作為に抜き出し、シロキサンコンタミのシミュレーションにおける潤滑層１ｂの初期構造として使用した。統計誤差を抑えて計算結果の信頼性を高めるために、３つの初期構造を用いて以下の計算を行い、統計平均をとった値を評価結果として使用した。

図３（ｅ）の潤滑層１ｂの表面上方にランダムに、環状シロキサンを５０分子配置し、温度３００Ｋで分子動力学計算を１０ｎｓ実行して、環状シロキサンが潤滑層の下層に侵入した状態を得た。そして、以下に示す方法にてシロキサンコンタミ数を評価した。
図４は、シロキサンコンタミ数の評価方法を説明するための模式図である。上記のシミュレーションの結果において、潤滑層１ｂ内に侵入して保護層２０の表面に吸着した環状シロキサン２１の分子数を、シロキサンコンタミ数として計測した。ここで、分子重心の高さが保護層の表面から５Å以内にある環状シロキサンを、コンタミした環状シロキサンとして定義した。
その後、表１に示すシミュレーション番号２０で形成した潤滑層のシロキサンコンタミ数の数値を基準（１．００）として、シミュレーション番号１〜１９で形成した潤滑層のシロキサンコンタミ数を換算し、規格化シロキサンコンタミ数を得た。

（シミュレーション結果）
計算した潤滑層の膜厚、被覆率、規格化シロキサンコンタミ数の結果を表１に示す。表１に示すように、潤滑剤１〜潤滑剤２０を用いた場合に得られた潤滑層の厚さは、８．０４〜９．８０Åの範囲内であった。
一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物である潤滑剤１〜潤滑剤１９は、いずれも潤滑剤２０と比較して被覆率が２．５％以上高い結果となった。また、潤滑剤１〜潤滑剤１９は、規格化シロキサンコンタミ数が０．６１以下であり、いずれも潤滑剤２０と比較して非常に少なかった。

以上のシミュレーション結果から、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を用いて潤滑層を形成することで、薄い膜厚で高い被覆率と優れたシロキサンコンタミ耐性を有する潤滑層を実現できた。したがって、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、厚みが薄くても高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、磁気記録媒体のコンタミを抑制できることが推定できる。

（実施例１）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例１においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２２）であり、連結基Ａが一般式（２）であり、連結基Ｂが一般式（５）であり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

＜合成例＞
５００ｍＬのナスフラスコにｔ−ブタノール３８０ｍＬを投入し、さらに、シクロヘキサントリオール１０ｇとエピクロロヒドリン１８０ｍＬを投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。
次いで、上記の混合物に水酸化ナトリウム１８ｇを加え、７０℃にて、１０時間撹拌した。その後、上記の混合物を２５℃まで冷却し、さらに、酢酸エチル１Ｌとイオン交換水２００ｍＬを加えて水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、カラム精製（酢酸エチル／ヘキサンを溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィー）を行い、下記一般式（２５）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ａ（１ｇ）を得た。

得られた化合物１−ａの^１Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝３．７６１（３Ｈ），３．４４０（３Ｈ），３．３１４（３Ｈ），３．１２６（３Ｈ），２．７９５（３Ｈ），２．６１１（３Ｈ），２．４０９（３Ｈ），１．２２７（３Ｈ）

（含フッ素エーテル化合物の合成）
窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物１−ａを１ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）ｎ（ＣＦ_２Ｏ）ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量８００、分子量分布１．０２）４０ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌し混合物を得た。

次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．４ｇを加え、７０℃にて、６時間撹拌した。その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１９ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（２６）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ｂ（４．５ｇ）を得た。

得られた化合物１−ｂの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝１．２２７（３Ｈ），２．５３０（３Ｈ），３．４６１（３Ｈ），３．５９８（３Ｈ），３．６４８（３Ｈ），３．７３５（３Ｈ），３．７９９〜３．９４８（１２Ｈ），４．０３７〜４．１１０（６Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝−９０．５７〜−８８．８８（３６Ｆ），−８３．２１〜−８１．２０（６Ｆ），−８０．６４〜−７８．６４（６Ｆ），−５３．３２〜−５１．９４（１８Ｆ）

（一般式（２６）中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）

このようにして得られた化合物１−ｂを、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解させた。そして、塗布時の膜厚が８Å〜１５Åになるように、化合物１−ｂの希釈液を調製した。

次に、図１に示すように、基板１１上に、付着層１２と軟磁性層１３と第１下地層１４と第２下地層１５と磁性層１６と保護層１７と潤滑層１８とが順次設けられた磁気記録媒体１０を用意した。保護層１７は、炭素からなるものとした。潤滑層１８は、以下に示す方法により形成した。

化合物１−ｂの希釈液をディップ法により、保護層１７までの各層の形成された直径６５ｍｍの磁気記録媒体の保護層上に塗布し、化合物１−ｂからなる潤滑層を形成した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
得られた潤滑層の膜厚を、ＦＴ−ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２に示す。

（シリコーンコンタミ耐性評価）
ＬＵＬ方式のハードディスクドライブを準備し、化合物１−ｂからなる潤滑層を形成した磁気記録媒体を搭載した。磁気ヘッドとしては、垂直磁気記録用ヘッドを用いた。このハードディスクドライブ内に、市販のシリコーンゴムゲルチップ（１ｃｍ×１ｃｍ×０．５ｃｍ）を入れ、以下に示す環境下で連続ＬＵＬ動作を繰り返した。
すなわち、Ｄｒｙ（相対湿度１０％以下）の環境下で、図５に示すように、２５℃（５時間）→６０℃（５時間）→２５℃（５時間）のサイクル運転（立ち上げ（昇温）、立ち下げ（降温）各１時間）を、以下の耐久時間に達するまで続けた。
耐久時間は、連続ＬＵＬ動作を開始してから（２５℃から６０℃への昇温を開始してから）、ハードディスクドライブのスピンドルモーターの駆動電流が、閾値を超えた時点までの時間とした。

潤滑層が隙間なく均一に形成されていると、シリコーンゴムゲルチップから気化した環状シロキサンの磁気記録媒体への付着が防止されると推定される。その結果、ハードディスクドライブのスピンドルモーターに負荷がかからず、耐久時間が長くなる。一方、潤滑層に隙間があると、気化した環状シロキサンが磁気記録媒体に付着し、ハードディスクドライブのスピンドルモーターに負荷がかかり、耐久時間が短くなる。

耐久時間が１５０時間以上の場合を「○」、耐久時間が１００時間以上、耐久時間が１００時間未満の場合を「×」と評価した。その結果を表２に示す。

（オクタコサン付着試験）
上述のシリコーンコンタミ耐性評価と同様にして、化合物１−ｂからなる潤滑層を形成した磁気記録媒体を作製した。
それとは別に、直径４．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍの凹部を形成した治具を準備し、その穴にオクタコサン（Ｃ_２８Ｈ_５８）５０ｐｐｍ溶液（溶媒ヘキサン）を１０μＬ滴下し、ヘキサンを完全に蒸発させた。

次に、オクタコサンが入っている治具に、潤滑層を形成した磁気記録媒体を、潤滑層と治具の凹部を形成した面とを対向させて被せた。
次いで、磁気記録媒体を治具とともにガラスシャーレに入れ、さらに、アルミホイルでくるんだ状態で、８０℃にて、２４時間加熱した後、室温で２４時間静置した。
その後、治具と向かい合った側の磁気記録媒体の表面全面（潤滑層表面）を、ＯＳＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎａｌｙｚｅｒ：Ｃａｎｄｅｌａ ６３００、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）で観察した。

ＯＳＡによる観察において、分割した微小エリアの散乱光強度が一定強度を超えた場合を１カウントとし、その散乱光の数を計測した。
潤滑層が隙間なく均一である（塗膜の被覆率が高い）場合には、気化したオクタコサンの磁気記録媒体への付着が妨げられるため、カウント数は少なくなる。一方、潤滑層に隙間があると、気化したオクタコサンが磁気記録媒体の表面に付着して結晶となり、光を強く散乱するため、散乱光のカウント数は多くなる。

散乱光の数が１００未満の場合を「○」、散乱光の数が１００個以上、５００個未満の場合を「△」、散乱光の数が５００個以上の場合を「×」と評価した。その結果を表２に示す。

（実施例２）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例２においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２２）であり、連結基Ａが一般式（２）であり、連結基Ｂが一般式（５）であり、置換基Ｄが一般式（７−１）で表されるｒがゼロのものを合成した。

窒素雰囲気下、５０ｍＬのナスフラスコに、ｔ−ブタノール３６ｍＬと、上記の化合物１−ｂを４ｇ投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．４ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドールを３００μＬ加え、５時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、実施例１と同様にして、６０℃、１９ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（２７）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ｃ（２ｇ）を得た。

得られた化合物１−ｃの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．２１１（３Ｈ），２．５２３（３Ｈ），３．４５２（３Ｈ），３．５７４（３Ｈ），３．６２５（３Ｈ），３．７４４（６Ｈ），３．７９７〜３．９０１（１２Ｈ），３．９２７〜４．１１６（１８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−９０．８７〜−８９．１９（３６Ｆ），−８１．４３〜−７８．９０（１２Ｆ），−５５．６３〜−５２．２９（１８Ｆ）

（一般式（２７）中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）

（実施例３）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例３においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２２）であり、連結基Ａが一般式（２）であり、連結基Ｂが一般式（６）であり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物１−ａを１ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｑは３〜７の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量８００、分子量分布１．０３）４０ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．４ｇを加え、７０℃にて、６時間撹拌した。

その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、実施例１と同様にして、６０℃、１９ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（２８）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ｄ（２．６ｇ）を得た。

得られた化合物１−ｄの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．１８６（３Ｈ），２．４９６（３Ｈ），３．４２７（３Ｈ），３．５５１（３Ｈ），３．６０５（３Ｈ），３．７７１（３Ｈ），３．８０６〜３．９３１（１２Ｈ），４．０３０〜４．０８１（６Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−８９．０７（６０Ｆ），−８１．３７（６Ｆ），−７８．８５（６Ｆ）

（一般式（２８）中、ｑは３〜７の整数を表す。）

（実施例４）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例４においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２２）であり、連結基Ａが一般式（２）であり、連結基Ｂが一般式（６）であり、置換基Ｄが一般式（７−１）で表されるｒがゼロのものを合成した。

窒素雰囲気下、５０ｍＬのナスフラスコに、ｔ−ブタノール３６ｍＬと、上記の化合物１−ｄを２ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．２ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドールを１５０μＬ加え、５時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、実施例１と同様に６０℃、１９ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（２９）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ｅ（１．６ｇ）を得た。

得られた化合物１−ｅの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．１８５（３Ｈ），２．４９９（３Ｈ），３．４２７（３Ｈ），３．５５４（３Ｈ），３．６００（３Ｈ），３．７０９（６Ｈ），３．７３５〜３．９１８（１２Ｈ），４．０２９〜４．０７８（１８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−８８．６７（６０Ｆ），−７８．４３（１２Ｆ）

（一般式（２９）中、ｑは３〜７の整数を表す。）

（実施例５）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例５においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２２）であり、連結基Ａが一般式（２）であり、連結基Ｂが一般式（６）で表されるｑが２のものであり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、上記の化合物１−ａを５.０ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表わされるフルオロポリエーテル１０１．４ｇとを投入し、７５℃に加熱しながら、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。
次いで、上記の混合物に炭酸カリウム６．８ｇを加え、７５℃に加熱しながら、８時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、ジクロロメタン（９０ｍＬ）とメタノール（４０ｍＬ）とを加えて分液ロートに移し、上記の混合物を水洗した。
次いで、分液ロートより有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、２４ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（３０）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物１−ｆ（１３．２ｇ）を得た。

得られた化合物１−ｆの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６＝４／１ｖ／ｖ）：δ（ｐｐｍ）＝４．０９（６Ｈ），３．９５（６Ｈ），３．９１〜３．８１（６Ｈ）、３．８０〜３．７２（３Ｈ）、３．７１〜３．６５（３Ｈ）、３．６５〜３．５７（３Ｈ）、３．５５〜３．４３（３Ｈ）、２．６０〜２．４７（３Ｈ）、１．３６〜１．１９（３Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ヘキサフルオロベンゼン／ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６＝４／１ｖ／ｖ）：δ（ｐｐｍ）＝−８９．５０〜−８９．２０（１２Ｆ），−８９．１７〜−８８．８６（１２Ｆ），−８１．０３（６Ｆ），−７８．６４（６Ｆ）

（実施例６）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例６においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２３）であり、連結基Ａが一般式（４）で表されるｐが３のものであり、連結基Ｂが一般式（５）であり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

（含フッ素エーテル化合物の合成）
窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、トリス（４，５−エポキシペンチル）イソシアヌレート（商品名：ＴＥＰＩＣ−ＶＬ、日産化学工業社製）１ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ（ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量８００、分子量分布１．０２）３１ｇとを投入して、これらが均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．４ｇを加え、７０℃にて、８．５時間撹拌した。

その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、６０℃、２０ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（３１）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２−ａ（３．６ｇ）を得た。

得られた化合物２−ａの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝１．３３５（３Ｈ），１．４４４（３Ｈ），１．５９８（３Ｈ），１．７２４（３Ｈ），３．４６〜３．５６（６Ｈ），３．６８〜３．８０（９Ｈ），３．８５〜４．０３（１２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ａｃｅｔｏｎｅ−Ｄ_６）：δ（ｐｐｍ）＝−９０．３８〜−８８．２４（３６Ｆ），−８２．２７〜−８０．１５（６Ｆ），−７９．７９〜−７７．５０（６Ｆ），−５４．８５〜−４９．７６（１８Ｆ）

（一般式（３１）中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）

（実施例７）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例７においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２３）であり、連結基Ａが一般式（４）で表されるｐが３のものであり、連結基Ｂが一般式（５）であり、置換基Ｄが一般式（７−１）で表されるｒがゼロのものを合成した。

窒素雰囲気下、５０ｍＬのナスフラスコに、ｔ−ブタノール３５ｍＬと、上記の化合物２−ａを３ｇ投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．４ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドールを２７０μＬ加え、５時間撹拌した。
その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、２３ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（３２）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２−ｂ（１．５ｇ）を得た。

得られた化合物２−ｂの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．４３４（３Ｈ），１．５３０（３Ｈ），１．６９４（３Ｈ），１．８５４（３Ｈ），３．５４〜３．７７（１２Ｈ），３．７７〜３．９０（１２Ｈ），４．０７〜４．１４（１８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−９０．１８〜−８８．２６（３６Ｆ），−７９．８９〜−７７．７５（１２Ｆ），−５４．６８〜−５１．０９（１８Ｆ）

（一般式（３２）中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）

（実施例８）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例８においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２３）であり、連結基Ａが一般式（４）で表されるｐが３のものであり、連結基Ｂが一般式（６）であり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、トリス（４，５−エポキシペンチル）イソシアヌレート（商品名：ＴＥＰＩＣ−ＶＬ、日産化学工業社製）１ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｑは３〜７の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量８００、分子量分布１．０３）３１ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．４ｇを加え、７０℃にて、７時間撹拌した。

その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、６０℃、２０ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（３３）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２−c（３．０ｇ）を得た。

得られた化合物２−ｃの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．３３７（３Ｈ），１．４４５（３Ｈ），１．５９８（３Ｈ），１．７２３（３Ｈ），３．４６〜３．５６（６Ｈ），３．６８〜３．８０（９Ｈ），３．８５〜４．０３（１２Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−８９．０７（６０Ｆ），−８２．２１〜−８０．１６（６Ｆ），−７９．７８〜−７７．５１（６Ｆ）

（一般式（３３）中、ｑは３〜７の整数を表わす。）

（実施例９）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例９においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２３）であり、連結基Ａが一般式（４）で表されるｐが３のものであり、連結基Ｂが一般式（６）であり、置換基Ｄが一般式（７−１）で表されるｒがゼロのものを合成した。

窒素雰囲気下、５０ｍＬのナスフラスコに、ｔ−ブタノール３５ｍＬと、上記の化合物２−ｃを３ｇ投入し、これらを均一になるまで撹拌し、混合物を得た。次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド０．４ｇを加え、７０℃に加熱しながら、グリシドールを２７０μＬ加え、６時間撹拌した。

その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した。その後、６０℃、２３ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記式（３４）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２−ｄ（１．３ｇ）を得た。

得られた化合物２−ｄの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝１．４３５（３Ｈ），１．５３３（３Ｈ），１．６９２（３Ｈ），１．８５３（３Ｈ），３．５４〜３．７７（１２Ｈ），３．７７〜３．９０（１２Ｈ），４．０７〜４．１４（１８Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−８８．６７（６０Ｆ），−７９．８８〜−７７．７７（１２Ｆ）

（一般式（３４）中、ｑは３〜７の整数を表わす。）

（実施例１０）
以下に示す方法により、一般式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を合成し、評価した。実施例１０においては、一般式（１）における三価の原子または三価の原子団Ｘが一般式（２３）であり、連結基Ａが一般式（４）で表されるｐが１のものであり、連結基Ｂが一般式（５）であり、置換基Ｄが水酸基であるものを合成した。

窒素雰囲気下、２００ｍＬのナスフラスコに、トリス（２，３−エポキプロピル）イソシアヌレート（商品名：ＴＥＰＩＣ−ＳＳ、日産化学工業社製）１ｇと、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）ｎ（ＣＦ_２Ｏ）ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）で表されるフルオロポリエーテル（数平均分子量８００、分子量分布１．０３）４１ｇとを投入し、これらを均一になるまで撹拌した。
次いで、上記の混合物にカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド１．８ｇを加え、７０℃にて、６時間撹拌した。

その後、上記の混合物を２５℃まで冷却して、塩酸で中和した後、フッ素系溶剤（商品名：アサヒクリン（登録商標）ＡＫ−２２５、旭硝子社製）を加えて、上記の混合物を水洗した。
次いで、ナスフラスコ内の有機相を回収し、その有機相に硫酸ナトリウムを加えて脱水し、フィルター濾過を行った。
次いで、エバポレーターを用いて、濾液から溶媒を留去した後、６０℃、１９ＭＰａの条件下で超臨界抽出を行い、下記一般式（３５）で表される化合物からなる無色透明な液状の化合物２−ｅ（２．６ｇ）を得た。

得られた化合物２−ｅの^１Ｈ−ＮＭＲ測定および^１９Ｆ−ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝３．６２〜３．８０（６Ｈ），３．８５〜４．２８（２１Ｈ）
^１９Ｆ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ｄ−ａｃｅｔｏｎｅ）：δ（ｐｐｍ）＝−８９．０５〜−８７．８０（３６Ｆ），−８２．３２〜−８０．６９（６Ｆ），−７９．８５〜−７７．６５（６Ｆ），−５４．８９〜−５０．１４（１８Ｆ）

（一般式（３５）中、ｍは２〜５の整数、ｎは２〜５の整数を表す。）

次に、実施例２〜実施例１０において合成した化合物１−ｃ、１−ｄ、１−ｅ、１−ｆ、２−ａ、２−ｂ、２−ｃ、２−ｄ、２−ｅを用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に潤滑層を形成し、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。その結果を表２に示す。

（比較例）
上記一般式（２４）に示す化合物（Ｓｏｌｖｅｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製のＦｏｍｂｌｉｎ Ｚ−ｔｅｔｒａｏｌ（分子量約２０００））を用いて、実施例１と同様にして、磁気記録媒体上に潤滑層を形成し、シリコーンコンタミ耐性評価と、オクタコサン付着試験とを行った。その結果を表２に示す。

表２に示す結果から、磁気記録媒体の保護層上に、実施例１〜１０の化合物を用いて潤滑層を形成した場合、比較例の化合物を用いて潤滑層を形成した場合よりも、高い被覆率で磁気記録媒体の表面を被覆でき、コンタミ耐性に優れることが分った。
また、実施例１における一般式（２６）で表される化合物１−ｂは、表１に示すシミュレーション番号１５で使用した潤滑剤に対応し、実施例２における一般式（２７）で表される化合物１−ｃは、表１に示すシミュレーション番号１６で使用した潤滑剤に対応し、実施例３における一般式（２８）で表される化合物１−ｄは、表１に示すシミュレーション番号１７で使用した潤滑剤に対応し、実施例７における一般式（３２）で表される化合物２−ｂは、表１に示すシミュレーション番号１９で使用した潤滑剤に対応し、比較例の化合物は、表１に示すシミュレーション番号２０で使用した潤滑剤に対応している。
実施例１、実施例２、実施例３、実施例７、比較例の結果と、シミュレーション番号１５、シミュレーション番号１６、シミュレーション番号１７、シミュレーション番号１９、シミュレーション番号２０の結果とはそれぞれ十分に相関しており、シミュレーションの結果の信頼性が高いことが確認できた。

本発明の磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みを薄くしても、高い被覆率で磁気記録媒体の保護層の表面を被覆できる潤滑層を形成できる。

１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、
１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、
１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層、２０・・・保護層、２１・・・環状シロキサン、３０・・・窒素原子、３１・・・炭素原子、１ａ・・・潤滑剤、１ｂ・・・潤滑層。

Claims (15)

1. 下記一般式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
   （一般式（１）中、Ｘは三価の原子または三価の原子団を表し、Ａは少なくとも１つの極性基を含む連結基を表し、Ｂはパーフルオロポリエーテル鎖を有する連結基を表し、Ｄは極性基または末端に極性基を有する置換基を表す。）
2. 前記一般式（１）中のＸが、炭化水素であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
3. 前記一般式（１）中のＸが、脂肪族環であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
4. 前記一般式（１）中のＸが、芳香環であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
5. 前記一般式（１）中のＸが、複素環であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
6. 前記一般式（１）中のＸが、中心に炭素原子を有する正四面体構造を含む三価の原子団または、中心に環状の平面構造を含む三価の原子団であることを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
7. 前記一般式（１）中のＡが、少なくとも１つの水酸基を含む連結基であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
8. 前記一般式（１）中のＡが、下記一般式（２）〜下記一般式（４）のいずれかで表される連結基であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   （一般式（４）中、ｐは１〜５の整数を表す。）
9. 前記一般式（１）中のＢが、下記一般式（５）または下記一般式（６）で表される連結基であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   （一般式（５）中、ｍは１〜３０の整数を表し、ｎは１〜３０の整数を表す。）（一般式（６）中、ｑは１〜３０の整数を表す。）
10. 前記一般式（１）中のＤが、水酸基、下記一般式（７−１）〜（７−３）のいずれかを表すことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
    （一般式（７−１）中、ｒは０〜５の整数を表す。）
    （一般式（７−２）中、ｓは０〜５の整数を表す。）
    （一般式（７−３）中、ｔは１〜５の整数を表す。）
11. 前記一般式（１）中のＸが、下記一般式（８）〜下記一般式（２３）のいずれかを表すことを特徴とする請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
    
12. 数平均分子量が１０００〜１００００の範囲内である請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
13. 請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
14. 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
    前記潤滑層が、請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
15. 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ〜３ｎｍである請求項１４に記載の磁気記録媒体。