WO2015093237A1 - フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク - Google Patents

フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク Download PDF

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WO2015093237A1
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    • C10N2040/18—Electric or magnetic purposes in connection with recordings on magnetic tape or disc

Definitions

  • the present invention relates to a fluoropolyether compound having an aromatic group and a hydroxyl group, a lubricant containing the compound, and a magnetic disk using the same.
  • a carbon protective film and a lubricant film are provided on the surface of the magnetic disk for the purpose of suppressing wear when contacting or sliding with the head and preventing contamination of the disk surface.
  • the carbon protective film is generally formed by sputtering or CVD.
  • the surface of the disk is protected by both the carbon protective film and the lubricant film located in the upper layer.
  • the lubricating layer used on the outermost surface is required to have various characteristics such as long-term stability, chemical substance resistance, friction characteristics, and heat resistance characteristics.
  • a fluoropolyether having a functional group such as a hydroxyl group or an amino group at the molecular end has been used as a lubricant for magnetic disks.
  • the fluoropolyether lubricant is low in durability to Lewis acid, and the main chain is cut by alumina (Al 2 O 3 ) contained in the magnetic head member due to contact with the magnetic head or the like. As a result, the lubricant film cannot be maintained in a system involving contact or sliding between the magnetic head and the magnetic disk.
  • Patent Documents 1 to 4 fluoropolyether lubricants having functional groups at the molecular ends and molecular chains have been proposed (for example, Patent Documents 1 to 4).
  • Patent Document 1 describes that by using a lubricant having a hydroxyl group in the molecular chain in addition to the molecular end, the film thickness for one molecule is reduced even if the molecular weight is increased.
  • Patent Document 2 a lubricant layer having a hydroxyl group at the molecular end and the center of the molecular chain and further containing an aromatic ring at the center of the molecular chain can be used to reduce the thickness of the lubricating layer with a high coverage. are listed.
  • Patent Document 3 describes that heat resistance can be improved by using a compound having an aromatic ring at the molecular end and the center of the molecular chain.
  • Patent Document 4 by using a lubricant having a hydroxyl group at the molecular end and a benzene ring at the center of the molecular chain, the film thickness per molecule is reduced to reduce the spacing between the head and the disk. It is described that it exhibits dynamic durability.
  • Patent Documents 1 to 4 do not describe lubricants that reduce the film thickness per molecule to reduce the spacing between the magnetic head and the magnetic disk and that are not decomposed by alumina even when in contact with the magnetic head. .
  • An object of the present invention is to provide a compound that can be hardly decomposed even when in contact with a magnetic head and can reduce the spacing between the magnetic head and the magnetic disk, a lubricant using the compound, and a magnetic disk.
  • the present inventor can achieve the above-mentioned problems by using a compound in which the benzene ring is di- or tri-substituted with a specific fluoropolyether chain having a functional group such as a hydroxyl group at the molecular end. As a result, the present invention has been completed.
  • the present invention relates to the following compounds, lubricants and magnetic disks.
  • R is — (CF 2 ) p O (CF 2 O) x (CF 2 CF 2 O) y (CF 2 CF 2 CF 2 O) z (CF 2 CF 2 CF 2 CF 2 O) w (CF 2 ) p -where x and y are each a real number from 0 to 30. z is a real number from 0 to 30. w is a real number from 0 to 20. p is an integer from 1 to 3. .) A compound represented by 2. A lubricant containing a compound represented by the formula (1). 3. A magnetic disk having at least a recording layer and a protective layer formed on a support and having a lubricating layer on the surface thereof, wherein the lubricating layer contains a compound represented by the formula (1).
  • the fluoropolyether compound having an aromatic group and a hydroxyl group of the present invention is a compound that can simultaneously solve the two problems of film thickness reduction and decomposition resistance per molecule.
  • the magnetic disk using the compound of the present invention as a lubricant can reduce the spacing between the magnetic head and the magnetic disk, and has excellent durability even in contact sliding between the magnetic head and the magnetic disk.
  • the fluoropolyether represented by the formula (1) of the present invention is a fluoropolyether compound having an aromatic group and a hydroxyl group.
  • the compound of the present invention represented by the formula (1) includes, for example, a linear fluoropolyether (a) having a hydroxyl group at one end and an ester group, a siloxy group or an alkoxy group at the other end; It can be obtained by reacting benzene (b) having two or three halogenated alkoxy groups. Specifically, it is synthesized by the following method.
  • the first step is a step of synthesizing a linear fluoropolyether (a) having a hydroxyl group at one end and having an ester group, a siloxy group or an alkoxy group at the other end.
  • the linear fluoropolyether (c) having a hydroxyl group at both ends is reacted with the compound (d) which reacts with the hydroxyl group to form an ester group, a siloxy group or an alkoxy group.
  • the reaction temperature is usually 10 to 60 ° C., preferably 20 to 40 ° C.
  • the reaction time is usually 2 to 20 hours, preferably 10 to 15 hours.
  • the amount of compound (d) used is preferably 0.5 to 1.5 equivalents relative to fluoropolyether (c). In carrying out this reaction, a reaction accelerator may be used.
  • a linear fluoropolyether (a) having a hydroxyl group at one end and an ester group, a siloxy group or an alkoxy group at the other end.
  • the reaction may be performed in a solvent.
  • the solvent dimethylformaldehyde, 1,4-dioxane, dimethyl sulfoxide, dimethylacetamide and the like can be used.
  • the reaction accelerator include imidazole, pyridine, sodium hydroxide and the like.
  • fluoropolyether (c) having a hydroxyl group at both ends for example, a compound represented by HOCH 2 CF 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) w CF 2 CF 2 CF 2 CH 2 OH (C-1), HOCH 2 CF 2 O (CF 2 O) x (CF 2 CF 2 O) y CF 2 CH 2 OH compound (c-2), HOCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 A compound (c-3) represented by CF 2 CF 2 O) z CF 2 CF 2 CH 2 OH can be given.
  • the number average molecular weight of these fluoropolyethers is usually 300 to 2000, preferably 400 to 1500, more preferably 500 to 800.
  • the number average molecular weight is a value measured by 19 F-NMR using JNM-ECX400 manufactured by JEOL.
  • NMR measurement the sample itself was used for measurement without diluting the sample into a solvent.
  • the standard for chemical shift was substituted with a known peak that is part of the skeleton structure of the fluoropolyether.
  • W is usually a real number of 0 to 20, preferably a real number of 0 to 10, and more preferably a real number of 0 to 5.
  • x is usually a real number of 0 to 30, preferably a real number of 1 to 20, and more preferably a real number of 5 to 10.
  • y is usually a real number of 0 to 30, preferably a real number of 1 to 20, and more preferably a real number of 5 to 10.
  • z is usually a real number of 0 to 20, preferably a real number of 1 to 15, and more preferably a real number of 3 to 10.
  • p is 3
  • p of compound (c-2) is 1
  • p of compound (c-3) is 2.
  • the fluoropolyether (c) is a compound having a molecular weight distribution, and the molecular weight distribution (PD) represented by weight average molecular weight / number average molecular weight is usually 1.0 to 1.5, preferably 1.0. To 1.3, and more preferably 1.0 to 1.1.
  • the molecular weight distribution was determined by using HPLC-8220GPC manufactured by Tosoh Corporation, a column manufactured by Polymer Laboratory (PLgel Mixed E), an HCFC-based chlorofluorocarbon as an eluent, and a non-functional fluoropolyether as a reference material. This is the characteristic value obtained.
  • Examples of the compound that reacts with a hydroxyl group to form an ester group, a siloxy group, or an alkoxy group include acid anhydrides, silyl halides, alkyl halides, and the like.
  • Examples of the acid anhydride include maleic anhydride, succinic anhydride, phthalic anhydride, R a OR b (R a and R b are the same or different, and CH 3 CO, PhCO, CH 3 SO 2 , PhSO 2 , CF 3 CH 2 CO, or CH 3 C 6 H 4 SO 2 , where Ph represents phenyl.)
  • Specific examples of the compound represented by R a OR b include trifluoromethylacetic anhydride, benzoic anhydride, p-toluenesulfonic anhydride, trifluoromethanesulfonic anhydride, acetic anhydride, acetic benzoic anhydride, methane Examples thereof include sulfonic acid anhydrides and benzenesulfonic acid anhydrides.
  • Examples of the silyl halide include (R c ) 3 SiY, R d (R e ) 2 SiY, R d R e R g SiY (R c represents alkyl having 1 to 4 carbon atoms or Ph, and R d represents 1 carbon atom.
  • R c represents alkyl having 1 to 4 carbon atoms or Ph
  • R d represents 1 carbon atom.
  • R e represents alkyl having 1 to 2 carbons or Ph
  • R g is a phenyl group A substituted alkyl having 1 to 4 carbon atoms
  • Y represents a halogen such as chlorine, bromine, iodine, etc.).
  • trimethylsilyl chloride triethylsilyl chloride, triisopropylsilyl chloride, t-butyldimethylsilyl chloride, t-butyldiphenylsilyl chloride, (3-cyanopropyl) dimethylchlorosilane, benzylchlorodimethylsilane, butyldimethylchlorosilane, chloro ( Decyl) dimethylsilane, chloro (dodecyl) dimethylsilane, chlorodimethyl (3-phenylpropyl) silane, chlorodimethylphenylsilane, chlorodimethylpropylsilane, chlorodimethylvinylsilane, diethylisopropylsilyl chloride, dimethyl-n-octylchlorosilane, dimethylethyl Silyl chloride, dimethylisopropylchlorosilane, dimethylocta
  • alkyl halide examples include compounds represented by AY (A represents alkyl having 1 to 5 carbon atoms, and Y represents halogen such as chlorine, bromine and iodine).
  • AY alkyl having 1 to 5 carbon atoms
  • Y represents halogen such as chlorine, bromine and iodine.
  • the second step is a step of synthesizing the compound of the present invention.
  • n is an integer of 2 to 6
  • i is an integer of 2 or 3
  • Y represents a halogen such as chlorine, bromine, iodine, etc.
  • n is preferably an integer of 2 to 4.
  • Specific examples of the compound in which i is 3 in the formula (2) include 1,3,5-tri (bromopropoxy) benzene, 1,2,3-tri (bromopropoxy) benzene, 1,2,4-tri ( Bromopropoxy) benzene, 1,3,5-tri (bromoethoxy) benzene, 1,2,3-tri (bromoethoxy) benzene, 1,2,4-tri (bromoethoxy) benzene and the like.
  • Specific examples of the compound in which i is 2 in the formula (2) include o-di (bromopropoxy) benzene, m-di (bromopropoxy) benzene, p-di (bromopropoxy) benzene, o-di (bromoethoxy) Examples thereof include benzene, m-di (bromoethoxy) benzene, p-di (bromoethoxy) benzene and the like.
  • the reaction temperature is usually 50 to 100 ° C., preferably 70 to 90 ° C.
  • the reaction time is usually 20 to 100 hours, preferably 50 to 80 hours.
  • the compound (b) is preferably used in an amount of 0.2 to 1.0 equivalent relative to the compound (a).
  • the catalyst is preferably used in an amount of 0.05 to 0.1 equivalents relative to compound (a), and the alkali metal is preferably used in an amount of 1.0 to 2.0 equivalents relative to compound (a).
  • alkali compounds such as t-butoxy sodium, t-butoxy potassium, sodium hydride and the like can be used. Sodium, potassium, etc. can be used as the alkali metal.
  • the reaction may be performed in a solvent.
  • t-butanol, toluene, xylene and the like can be used. Thereafter, for example, washing and dehydration are performed. Thereafter, the protecting group (ester group, siloxy group or alkoxy group) remaining at one terminal of the fluoropolyether is deprotected by hydrolysis or the like.
  • a deprotection accelerator such as tetrabutylammonium fluoride, potassium fluoride, or sodium fluoride may be used.
  • X —O (CH 2 ) m OH, —OCH 2 CH (OH) CH 2 OH, —OCH 2 CH (OH) CH 2 O—C 6 H 5 , or —OCH 2 CH (OH) CH 2 O—
  • the compound (1) of the present invention which is C 6 H 4 —OCH 3 can be produced, for example, as follows from the compound of X ⁇ —OH obtained by the above process.
  • the reaction temperature is usually 50 to 100 ° C., preferably 70 to 90 ° C.
  • the reaction time is usually 20 to 100 hours, preferably 50 to 80 hours.
  • the reaction may be performed in a solvent.
  • the compound of the present invention In order to apply the compound of the present invention to the magnetic disk surface, a method in which the compound is diluted with a solvent and applied is preferable.
  • the solvent include 3M PF-5060, PF-5080, HFE-7100, HFE-7200, and DuPont Vertrel-XF.
  • the concentration of the diluted compound is 1 wt% or less, preferably 0.001 to 0.1 wt%.
  • the compound of the present invention can also be used in combination with Solvinis Solexis Fomblin Zdol, Ztetraol, Zdol TX, AM, Daikin Industries Demnum, Dupont Krytox, etc. it can.
  • the compound of the present invention can be used as a lubricant for realizing low spacing between the magnetic disk and the head in the magnetic disk apparatus and further improving the sliding durability.
  • the compound of the present invention interacts with polar sites present in the carbon protective film due to hydroxyl groups at the molecular ends, and also with carbon unsaturated bonds present in the carbon protective film due to aromatic groups in the molecular chain. It is characterized by forming an action.
  • a magnetic head having a carbon protective film, a magneto-optical recording device, a magnetic tape, a surface protective film of an organic material such as plastic, and an inorganic material such as Si 3 N 4 , SiC, and SiO 2 It can also be used as a surface protective film for materials.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a cross section of a magnetic disk of the present invention.
  • the magnetic disk of the present invention has at least one recording layer 2 on a support 1, a protective layer 3 thereon, and a lubricating layer 4 containing the compound of the present invention as an outermost layer. is there.
  • the support include aluminum alloys, ceramics such as glass, polycarbonate, and the like.
  • the constituent material of the magnetic layer that is the recording layer of the magnetic disk is mainly an element capable of forming a ferromagnetic material such as iron, cobalt, nickel, etc., and an alloy obtained by adding chromium, platinum, tantalum, etc. to this, or oxidation thereof. Things. These are formed by plating or sputtering. Examples of the material for the protective layer include carbon, SiC, and SiO 2 . These are formed by sputtering or CVD.
  • the thickness of the lubricant layer currently in circulation is 30 mm or less, if a lubricant having a viscosity of about 100 mPa ⁇ s or more at 20 ° C. is applied as it is, the film thickness may be too large. Therefore, a solution dissolved in a solvent is used for coating. Whether the compound of the present invention is used alone as a lubricant or mixed with other lubricants, it is easier to control the required film thickness when dissolved in a solvent. However, the concentration varies depending on the application method, conditions, mixing ratio, and the like.
  • the film thickness of the lubricant of the present invention is preferably 5 to 15 mm.
  • the heat treatment temperature is usually 60 to 150 ° C., preferably 80 to 150 ° C.
  • ultraviolet treatment it is preferable to use ultraviolet rays having wavelengths of 185 nm and 254 nm as main wavelengths.
  • the magnetic disk of the present invention stores a disk and controls a magnetic disk drive equipped with a magnetic head for recording, reproducing or erasing information, a motor for rotating the magnetic disk, and the like. It can be applied to a magnetic disk device composed of a control system.
  • an external memory such as an electronic computer or a word processor
  • the present invention is also applicable to various devices such as navigation systems, games, mobile phones, PHS, building crime prevention, power plant management or control system internal / external recording devices, and the like.
  • Compound 1 was a colorless transparent liquid, and the density at 20 ° C. was 1.68 g / cm 3 .
  • the identification result of the compound 1 performed using NMR is shown.
  • This compound (a2) (82 g) was dissolved in t-butanol (74 g), the compound (7 g) represented by the above formula (b1) and sodium hydride (3 g) were added, and the mixture was stirred at 70 ° C. for 4 days. did. Thereafter, the mixture was washed with water, mixed with 1M tetrahydrofuran solution (52 ml) of tetrabutylammonium fluoride, and then purified by column chromatography to obtain 27 g of Compound 2.
  • Compound 2 was a colorless transparent liquid, and the density at 20 ° C. was 1.76 g / cm 3 .
  • the identification result of the compound 2 performed using NMR is shown.
  • Compound 3 was a colorless and transparent liquid, and the density at 20 ° C. was 1.77 g / cm 3 .
  • the identification result of the compound 3 performed using NMR is shown.
  • Fluoropolyether represented by dimethylformaldehyde (175 g), HOCH 2 CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) z CF 2 CF 2 CH 2 OH (z 7, number average molecular weight 1480) under an argon atmosphere , 350 g of molecular weight distribution 1.20), triisopropylsilyl chloride (45 g) and imidazole (18 g) were stirred at 30 ° C. for 12 hours. Thereafter, the mixture was washed with water and dehydrated, and purified by silica gel column chromatography to obtain 200 g of a compound (a3) having one hydroxyl group at one end and a triisopropylsilyl group at the other end. This compound (a3) (140 g) is dissolved in t-butanol (140 g) to obtain the formula (b2):
  • Compound 4 was a colorless and transparent liquid, and the density at 20 ° C. was 1.71 g / cm 3 .
  • the identification result of the compound 4 performed using NMR is shown.
  • Compound 5 was a colorless and transparent liquid, and the density at 20 ° C. was 1.69 g / cm 3 .
  • the identification result of the compound 5 performed using NMR is shown.
  • R 1 represents the following formula (a):
  • R 2 is —CF 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) z CF 2 CF 2 —.
  • Test Example 1 Evaluation of decomposition resistance against aluminum oxide
  • Samples for evaluation of degradation resistance were prepared by adding 20% by weight of Al 2 O 3 to each of the lubricants (compounds 1 to 6), shaking vigorously, and further mixing with ultrasonic waves. Evaluation of decomposition resistance was performed by measuring the weight reduction rate of the lubricant after heating at 250 ° C. for 100 minutes using a thermal analyzer (TG / TDA). The sample was 20 mg, and the measurement was performed in a nitrogen atmosphere. The obtained results are shown in Table 1.
  • Test Example 2 Evaluation of lubricant retention characteristics on a disk under high-speed rotation
  • Lubricants compounds 1, 2, 5 and 6
  • the concentration of lubricant in this solution was 0.05% by weight.
  • a 2.5 inch diameter magnetic disk was immersed in this solution for 1 minute and pulled up at a speed of 2 mm / s. Thereafter, the magnetic disk was irradiated with a low-pressure mercury lamp containing a wavelength of 185 nm for 20 seconds, and the average film thickness of the compound on the magnetic disk was measured by FT-IR. This film thickness is defined as h ⁇ .
  • Test Example 3 Measurement of monomolecular film thickness
  • the monomolecular film thickness (film thickness per molecule) of the lubricant applied on the magnetic disk is determined by the lubricant on the disk as described in JOURNAL of TRIBLOGY, OCTOBER 2004, VOL.126, PAGE751. This is confirmed by observing the diffusion behavior of sapphire with an ellipsometer.
  • the monomolecular film thickness is obtained as the film thickness of the terrace portion of the lubricant film.
  • compounds 1, 2, 3, 5 and 6 were each dissolved in Vertrel-XF manufactured by DuPont.
  • the concentrations of compounds 1, 2, 3, 5 and 6 in this solution were all 0.1% by weight.
  • a portion (about 1/4) of a 2.5-inch diameter magnetic disk is immersed in this solution and pulled up at a speed of 4 mm / s, whereby a portion where compound 1, 2, 3, 5 or 6 is applied as a lubricating layer And a disk made of a portion not coated.
  • the average film thickness of the applied part was 32 mm.
  • the fluoropolyether compound having an aromatic group and a hydroxyl group of the present invention is superior to the compound 6 in which a benzene ring and three fluoropolyether chains are linked by CH 2 , which is superior in alumina decomposition resistance. It has been confirmed that the film has good properties and lubricant retention characteristics and exhibits a low monomolecular film thickness.

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Abstract

本発明は、式（１）： Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－Ｘ］ｉ （１） （式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは－ＯＨ、－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、または－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１～６の整数である。Ｒは、－（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ－である。ｘ及びｙは、それぞれ０～３０の実数である。ｚは０～３０の実数である。ｗは０～２０の実数である。ｐは１～３の整数である。）で表される化合物、この化合物を含有する潤滑剤及び磁気ディスクに関する。

Description

フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク
　本発明は、芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
　磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録及び再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触又は摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜及び潤滑剤被膜が設けられている。炭素保護膜は、一般にスパッタ法又はＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜、及びこの上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになる。特に最表面に用いられる潤滑層は、長期安定性、化学物質耐性、摩擦特性、耐熱特性等の様々な特性が求められる。
　従来は磁気ディスク用潤滑剤として、分子末端に水酸基、アミノ基等の官能基を有するフルオロポリエーテルが多く用いられてきた。しかし、フルオロポリエーテル系潤滑剤は、ルイス酸への耐久性が低く、磁気ヘッドとの接触等により、主鎖が磁気ヘッド部材中に含まれるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）によって切断されて潤滑剤の低分子化が起こり、最終的に磁気ディスク上から消失してしまうため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触又は摺動を伴う系では潤滑剤被膜を維持できなくなるという問題がある。
　また、近年の磁気ディスクの急速な情報記録密度の向上に伴い、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との間の磁気スペーシングの低減が求められており、磁気ヘッドと磁気ディスクの記録層との間に存在する潤滑層の膜厚をより一層薄くすることが重要となってきている。
　このような要求に対し、分子末端及び分子鎖中に官能基を有するフルオロポリエーテル系潤滑剤が提案されている（例えば、特許文献１～４）。特許文献１には、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤を用いることにより、高分子化しても一分子分の膜厚が薄くなることが記載されている。特許文献２には、分子末端及び分子鎖中央に水酸基を有し、さらに分子鎖中央に芳香環を含む場合もある潤滑剤を用いることにより、高被覆率で潤滑層膜厚を薄膜化できることが記載されている。特許文献３には、分子末端及び分子鎖中央に芳香環を有する化合物を用いることにより、耐熱性が改善できることが記載されている。特許文献４には、分子末端に水酸基を有し、分子鎖中央にベンゼン環を有する潤滑剤を用いることにより、一分子あたりの膜厚を低減してヘッドとディスクのスペーシングを低減し、摺動耐久性を発現することが記載されている。
　しかしながら、一分子あたりの膜厚を低減して磁気ヘッドと磁気ディスクのスペーシングを低減し、かつ磁気ヘッドと接触してもアルミナにより分解されない潤滑剤は特許文献１～４には記載されていない。
特開２００６－０７０１７３号公報 国際公開第ＷＯ２００８／０３８７９９号 米国特許出願公開第２０１０／０１９７８６９号明細書 特許第５３２７８５５号
　本発明の課題は、磁気ヘッドと接触しても分解し難く、かつ磁気ヘッドと磁気ディスクのスペーシングを低減することができる化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
　本発明者は、鋭意研究を重ねた結果、ベンゼン環が、分子末端に水酸基等の官能基を有する特定のフルオロポリエーテル鎖で二または三置換された化合物を用いることにより、上記課題を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明は、以下の化合物、潤滑剤及び磁気ディスクに係る。
１．式（１）：
Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－Ｘ］ｉ　（１）
（式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは－ＯＨ、－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、または－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１～６の整数である。Ｒは、－（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ－である。ｘ及びｙは、それぞれ０～３０の実数である。ｚは０～３０の実数である。ｗは０～２０の実数である。ｐは１～３の整数である。）
で表される化合物。
２．式（１）で表される化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層及び保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
　本発明の芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と耐分解性という２つの課題を同時に解決することができる化合物である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、磁気ヘッドと磁気ディスクとのスペーシングを低減でき、かつ磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
　本発明の式（１）で表されるフルオロポリエーテルは、芳香族基及び水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物である。
　式（１）で表される本発明の化合物は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）と、２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基を有するベンゼン（ｂ）を反応させることにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。
　第１工程は、片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を合成する工程である。
　両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ｃ）と、水酸基と反応してエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を形成する化合物（ｄ）を反応させる。反応温度は通常１０～６０℃、好ましくは２０～４０℃である。反応時間は、通常２～２０時間、好ましくは１０～１５時間である。化合物（ｄ）の使用量は、フルオロポリエーテル（ｃ）に対して０.５～１.５当量であることが好ましい。この反応を行う際には反応促進剤を使用しても良い。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有し、かつ他方の末端にエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を有する直鎖フルオロポリエーテル（ａ）を得る。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてジメチルホルムアルデヒド、１，４－ジオキサン、ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどを用いることができる。反応促進剤としてイミダゾール、ピリジン、水酸化ナトリウムなどを挙げることができる。
　両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル（ｃ）としては、例えばＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ－１）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ－２）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで示される化合物（ｃ－３）等を挙げることができる。これらのフルオロポリエーテルの数平均分子量は通常３００～２０００、好ましくは４００～１５００、より好ましくは５００～８００である。ここで数平均分子量は日本電子製ＪＮＭ－ＥＣＸ４００による１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
　ｗは通常０～２０の実数であり、好ましくは０～１０の実数であり、さらに好ましくは０～５の実数である。ｘは、通常０～３０の実数であり、好ましくは１～２０の実数であり、さらに好ましくは５～１０の実数である。ｙは、通常０～３０の実数であり、好ましくは１～２０の実数であり、さらに好ましくは５～１０の実数である。ｚは、通常０～２０の実数であり、好ましくは１～１５の実数であり、さらに好ましくは３～１０の実数である。なお、上記の化合物（ｃ－１）のｐは３であり、化合物（ｃ－２）のｐは１であり、化合物（ｃ－３）のｐは２である。
　上記フルオロポリエーテル（ｃ）は、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量／数平均分子量で示される分子量分布（ＰＤ）として、通常１.０～１.５であり、好ましくは１.０～１.３であり、より好ましくは１.０～１.１である。なお、当該分子量分布は、東ソー製ＨＰＬＣ－８２２０ＧＰＣを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム（ＰＬｇｅｌ　Ｍｉｘｅｄ　Ｅ）、溶離液はＨＣＦＣ系代替フロン、基準物資としては、無官能のフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
　水酸基と反応してエステル基、シロキシ基またはアルコキシ基を形成する化合物としては、例えば酸無水物、シリルハライド、アルキルハライドなどを挙げることができる。
　酸無水物としては、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水フタル酸、ＲａＯＲｂ（Ｒａ及びＲｂは同一又は異なって、ＣＨ３ＣＯ、ＰｈＣＯ、ＣＨ３ＳＯ２、ＰｈＳＯ２、ＣＦ３ＣＨ２ＣＯ、又はＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ２を示す。なお、Ｐｈはフェニルを示す。）で表される化合物を挙げることができる。ＲａＯＲｂで表される化合物の具体例としては、無水トリフルオロメチル酢酸、無水安息香酸、ｐ－トルエンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、無水酢酸、酢酸安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物などを挙げることができる。
　シリルハライドとしては、（Ｒｃ）３ＳｉＹ、Ｒｄ（Ｒｅ）２ＳｉＹ、ＲｄＲｅＲｇＳｉＹ（Ｒｃは炭素数１～４のアルキル又はＰｈを示し、Ｒｄは炭素数１～１８のアルキル、炭素数１～４のアルコキシ、Ｐｈ、ＰｈＣＨ２、ペンタフルオロフェニル、シアノプロピル又はビニルを示し、Ｒｅは炭素数１～２のアルキル又はＰｈを示し、Ｒｇはフェニル基で置換した炭素数１～４のアルキルを示し、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される化合物を挙げることができる。具体的にはトリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリド、ｔ－ブチルジメチルシリルクロリド、ｔ－ブチルジフェニルシリルクロリド、（３－シアノプロピル）ジメチルクロロシラン、ベンジルクロロジメチルシラン、ブチルジメチルクロロシラン、クロロ（デシル）ジメチルシラン、クロロ（ドデシル）ジメチルシラン、クロロジメチル（３－フェニルプロピル）シラン、クロロジメチルフェニルシラン、クロロジメチルプロピルシラン、クロロジメチルビニルシラン、ジエチルイソプロピルシリルクロリド、ジメチル－ｎ－オクチルクロロシラン、ジメチルエチルシリルクロリド、ジメチルイソプロピルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルオクタデシル（３－フェニルプロピル）クロロシラン、ペンタフルオロフェニルジメチルクロロシラン、ｔ－ブトキシジフェニルクロロシラン、ｔ－ブチルジフェニルクロロシラン、トリフェニルクロロシランなどを挙げることができる。
　アルキルハライドとしてはＡＹ（Ａは炭素数１～５のアルキルを示し、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される化合物を挙げることができる。具体的にはクロロメタン、ブロモメタン、ヨードメタン、クロロエタン、ブロモエタン、ヨードエタン、１－ブロモプロパン、２－ブロモプロパン、１－ヨードプロパン、２－ヨードプロパン、１－ブロモ－２－メチルプロパン、１－ブロモブタン、２－ブロモ－２－メチルプロパン、２－ブロモブタン、１－ヨード－２－メチルプロパン、１－ヨードブタン、２－ヨード－２－メチルプロパン、２－ヨードブタン、１－ヨード－２－メチルブタン、１－ヨード－３－メチルブタン、１－ブロモ－３－メチルブタン、１－ブロモペンタン、２－ブロモ－２－メチルブタン、３－ブロモペンタンなどを挙げることができる。
　例えば、化合物（ｃ）としてＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを用い、化合物（ｄ）として無水酢酸を用いた場合、両者の反応により、ＣＨ３ＣＯＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨとＣＨ３ＣＯＯＨ及びＣＨ３ＣＯＯＨが生成し、この前者の化合物が化合物（ａ）である。また、化合物（ｄ）としてトリメチルシリルクロリドを用いた場合、化合物（ａ）として（ＣＨ３）３ＳｉＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨが生成する。
　第２工程は、本発明の化合物を合成する工程である。
　上記第１工程で得られたフルオロポリエーテル（ａ）と、式（２）：
Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｙ］ｉ　（２）
（式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示す。）で表される２つまたは３つのハロゲン化アルコキシ基を有するベンゼン（ｂ）とを、触媒又はアルカリ金属の存在下で反応させる。
　式（２）において、ｎは２～４の整数であることが好ましい。式（２）においてｉが３である化合物の具体例として、１，３，５－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，３－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，２，４－トリ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、１，３，５－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，３－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン、１，２，４－トリ（ブロモエトキシ）ベンゼン等を挙げることができる。式（２）においてｉが２である化合物の具体例として、ｏ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｍ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｐ－ジ（ブロモプロポキシ）ベンゼン、ｏ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｍ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン、ｐ－ジ（ブロモエトキシ）ベンゼン等を挙げることができる。
　反応温度は通常５０～１００℃、好ましくは７０～９０℃である。反応時間は、通常２０～１００時間、好ましくは５０～８０時間である。化合物（ｂ）は、化合物（ａ）に対して０．２～１.０当量使用することが好ましい。触媒は、化合物（ａ）に対して０．０５～０．１当量使用することが好ましく、アルカリ金属は化合物（ａ）に対して１．０～２．０当量使用するのが好ましい。触媒としてｔ－ブトキシナトリウム、ｔ－ブトキシカリウム、水素化ナトリウムなどのアルカリ化合物などを用いることができる。アルカリ金属としてナトリウム、カリウムなどを用いることができる。反応は溶剤中で行ってもよい。溶剤としてｔ－ブタノール、トルエン、キシレンなどを用いることができる。その後、例えば水洗及び脱水する。その後、フルオロポリエーテルの片方の末端に残存している保護基（エステル基、シロキシ基またはアルコキシ基）を加水分解などにより脱保護する。これによりＸ＝－ＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。脱保護を行う際には、テトラブチルアンモニウムフルオリド、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム等の脱保護促進剤を用いてもよい。
　Ｘ＝－Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、又は－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３である本発明の化合物（１）は、上記工程により得られたＸ＝－ＯＨの化合物から、例えば、以下のようにして製造することができる。
　Ｘ＝－ＯＨの化合物にアルカリ金属、Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ（Ｙは塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲンを示し、ｍは１～６の整数である。）で表されるハロアルコールを反応させることにより、Ｘ＝－Ｏ（ＣＨ２）ｍＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。ｍは１～４が好ましく、２～４がさらに好ましい。アルカリ金属として、ナトリウム、カリウムなどを用いることができる。
　Ｘ＝－ＯＨの化合物にグリシドールを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨである本発明の化合物（１）が得られる。
　Ｘ＝－ＯＨの化合物にグリシジルフェニルエーテルを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５である本発明の化合物（１）が得られる。
　Ｘ＝－ＯＨの化合物にグリシジル４－メトキシフェニルエーテルを触媒の存在下で反応させることにより、Ｘ＝－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３である本発明の化合物（１）が得られる。
　これらの反応において、反応温度は通常５０～１００℃、好ましくは７０～９０℃である。反応時間は、通常２０～１００時間、好ましくは５０～８０時間である。反応は溶剤中で行ってもよい。アルカリ化合物は、Ｘ＝－ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、１．０～２.０当量使用することが好ましい。触媒は、Ｘ＝－ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、０．０５～０.１当量使用することが好ましい。Ｙ（ＣＨ２）ｍＯＨ、グリシドール、グリシジルフェニルエーテルまたはグリシジル４－メトキシフェニルエーテルは、それぞれＸ＝－ＯＨである本発明の化合物（１）の水酸基に対して、１．０～２.０当量使用することが好ましい。その後、例えば水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、目的とする化合物がフラクションとして得られる。
　本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ－５０６０、ＰＦ－５０８０、ＨＦＥ－７１００，ＨＦＥ－７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ－ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１～０.１ｗｔ％である。
　本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばＳｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ　ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
　本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
　図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
　磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
　現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５～１５Åが好ましい。
　下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理及び／又は紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、通常６０～１５０℃、好ましくは８０～１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
　本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録、再生又は消去を行うための磁気ヘッド、磁気ディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系とからなる磁気ディスク装置に応用できる。
　本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理又は制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
　以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ－ＮＭＲは溶媒；なし、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをケミカルシフトの基準として、１Ｈ－ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。
実施例１
Ｃ６Ｈ３－［Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－ＯＨ］３（化合物１）の合成
　Ｒは－ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２－である。
　アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（５０ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｗ＝１.５、数平均分子量７００、分子量分布１.１５）１００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（１１ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ１）を５６ｇ得た。この化合物（ａ１）（５６ｇ）をｔ－ブタノール（２８ｇ）に溶解させ、式（ｂ１）：　
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001

で表される化合物（７ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物１を２０ｇ得た。
　化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６８ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ2ＣＦ 2ＣＦ 2ＣＦ2Ｏを－１２５.８ｐｐｍとする。）
δ＝－８３.５ｐｐｍ
〔３０Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ ２ Ｏ－、－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、（－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝－１２０.３ｐｐｍ
〔６Ｆ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，〔６Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝－１２３.１ｐｐｍ
〔６Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝－１２５.８ｐｐｍ
〔１８Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ ２ ＣＦ２Ｏ－〕，
δ＝－１２７.４ｐｐｍ
〔１２Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
ｗ＝１.５
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝１．９ｐｐｍ
〔６Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ ２ ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，δ＝３.２～３.８ｐｐｍ
〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ ２ ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－、（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ ２ ＯＣＨ ２ ＣＨ２ＣＨ ２ Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝６.１ｐｐｍ
〔３Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６ Ｈ ３ 〕
実施例２
Ｃ６Ｈ３－［Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－ＯＨ］３（化合物２）の合成
　Ｒは－ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２－である。
　アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１００ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｘ＝６、ｙ＝６、数平均分子量１３００、分子量分布１.２０）２００ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（２５ｇ）およびイミダゾール（９ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ２）を１００ｇ得た。この化合物（ａ２）（８２ｇ）をｔ－ブタノール（７４ｇ）に溶解させ、上記の式（ｂ１）で表される化合物（７ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物２を２７ｇ得た。
　化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７６ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ 2Ｏを－５３．７ｐｐｍとする。）
δ＝－５２.１ｐｐｍ、－５３.７ｐｐｍ、－５５.４ｐｐｍ
〔３２Ｆ，－ＯＣＦ ２Ｏ－〕，
δ＝－７８．０ｐｐｍ、－８０．０ｐｐｍ
〔６Ｆ，（－ＯＣＦ ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝－８１．０，－８３．０ｐｐｍ
〔６Ｆ，－ＣＦ ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝－８９.１ｐｐｍ、－９０.７ｐｐｍ
〔６７Ｆ，－ＯＣＦ ２ＣＦ ２Ｏ－〕
ｘ＝５.４
ｙ＝５.６
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝１．９ｐｐｍ
〔６Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ ２ ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝３.０～４．０ｐｐｍ
〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ ２ ＣＦ２Ｏ－、（－ＯＣＦ２ＣＨ ２ ＯＣＨ ２ ＣＨ２ＣＨ ２ Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝６.１ｐｐｍ
〔３Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６ Ｈ ３ 〕
実施例３
Ｃ６Ｈ３－［Ｏ－（ＣＨ２）３－Ｏ－ＣＨ２－Ｒ－ＣＨ２－ＯＨ］３（化合物３）の合成
　Ｒは－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２－である。
　アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１７５ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｚ＝７、数平均分子量１４８０、分子量分布１.２０）３５０ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（４５ｇ）およびイミダゾール（１８ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、水洗、脱水、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ３）を２００ｇ得た。この化合物（ａ３）（１４０ｇ）をｔ－ブタノール（１４０ｇ）に溶解させ、上記の式（ｂ１）で表される化合物（１２ｇ）と水素化ナトリウム（４ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（１００ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物３を３０ｇ得た。
　化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ 2ＣＦ２Ｏを－１２９．７ｐｐｍとする。）
δ＝－８３.７ｐｐｍ
〔８８Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ ２ Ｏ－〕
δ＝－８６．４ｐｐｍ
〔１２Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕
δ＝－１２４．３ｐｐｍ
〔６Ｆ，（－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕
δ＝－１２７．５ｐｐｍ
〔６Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝－１２９．７ｐｐｍ
〔４４Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ２Ｏ－〕
ｚ＝７．３
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝１．９ｐｐｍ
〔６Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ ２ ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝２．８～４．２ｐｐｍ
〔２７Ｈ，ＨＯＣＨ ２ ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－、（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ ２ ＯＣＨ ２ ＣＨ２ＣＨ ２ Ｏ）３－Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝６.１ｐｐｍ
〔３Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）３－Ｃ６ Ｈ ３ 〕
実施例４
Ｃ６Ｈ４－［Ｏ－（ＣＨ２）２－Ｏ－ＣＨ２－Ｒ－ＣＨ２－ＯＨ］２（化合物４）の合成
　Ｒは－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２－である。
　アルゴン雰囲気下、ジメチルホルムアルデヒド（１７５ｇ）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨで表されるフルオロポリエーテル（ｚ＝７、数平均分子量１４８０、分子量分布１.２０）３５０ｇ、トリイソプロピルシリルクロリド（４５ｇ）およびイミダゾール（１８ｇ）を３０℃で１２時間攪拌した。その後、混合物を水洗及び脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端にトリイソプロピルシリル基を有した化合物（ａ３）を２００ｇ得た。この化合物（ａ３）（１４０ｇ）をｔ－ブタノール（１４０ｇ）に溶解させ、式（ｂ２）：　
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002

で表される化合物（１０ｇ）と水素化ナトリウム（３ｇ）を加えて、７０℃で４日間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、テトラブチルアンモニウムフルオリドの１Ｍテトラヒドロフラン溶液（５２ｍｌ）を混合させた後、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物４を３２ｇ得た。
　化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７１ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ 2ＣＦ２Ｏを－１２９．７ｐｐｍとする。）
δ＝－８３.７ｐｐｍ
〔５７Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ ２ Ｏ－〕
δ＝－８６．４ｐｐｍ
〔８Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ，（－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕
δ＝－１２４．３ｐｐｍ
〔４Ｆ，（－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕
δ＝－１２７．５ｐｐｍ
〔４Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝－１２９．７ｐｐｍ
〔２８Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ２Ｏ－〕
ｚ＝７．１
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３．２～３．８ｐｐｍ
〔１８Ｈ，ＨＯＣＨ ２ ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－、（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ ２ ＯＣＨ ２ ＣＨ ２ Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕，
δ＝６．８ｐｐｍ
〔４Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６ Ｈ ４ 〕
実施例５
Ｃ６Ｈ４－［Ｏ－（ＣＨ２）２－Ｏ－ＣＨ２－Ｒ－ＣＨ２－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ］２（化合物５）の合成
　Ｒは－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２－である。
　実施例４で得られた化合物４（３０ｇ）をｔ－ブタノール（１５ｇ）に溶解させ、グリシドール（１．５ｇ）とｔ－ブトキシカリウム（０．２ｇ）を加えて、７０℃で８０時間攪拌した。その後、混合物を水で洗浄し、カラムクロマトグラフィーにより精製することにより、化合物５を１３ｇ得た。
　化合物５は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６９ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。
１９Ｆ－ＮＭＲ（溶媒；なし、基準物質：生成物中のＯＣＦ２ＣＦ 2ＣＦ２Ｏを－１２９．７ｐｐｍとする。）
δ＝－８３.７ｐｐｍ
〔５５Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＦ ２ Ｏ－〕
δ＝－８６．４ｐｐｍ
〔８Ｆ，－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ，（－ＯＣＦ ２ ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕
δ＝－１２４．３ｐｐｍ
〔８Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ，（－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕
δ＝－１２９．７ｐｐｍ
〔２８Ｆ，－ＯＣＦ２ＣＦ ２ ＣＦ２Ｏ－〕
ｚ＝６．９
１Ｈ－ＮＭＲ（溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏ）
δ＝３．２～３．８ｐｐｍ
〔２６Ｈ，ＨＯＣＨ ２ ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ ２ ＣＦ２ＣＦ２Ｏ－、（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ ２ ＯＣＨ ２ ＣＨ ２ Ｏ）２－Ｃ６Ｈ４〕，
δ＝６．８ｐｐｍ
〔４Ｈ，（－ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２－Ｃ６ Ｈ ４ 〕
　比較のために、特許文献４の実施例２に従って合成した化合物６を使用した。
（化合物６）
（ＨＯ－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２Ｏ－ＣＨ２）３－Ｒ１
　ここでＲ１は下記式（ａ）：　
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
で表される基であり、Ｒ２は－ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２－である。
試験例１（酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価）
　潤滑剤（化合物１～６）に、それぞれ２０重量％のＡｌ２Ｏ３を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製した。耐分解性の評価は、熱分析装置（ＴＧ／ＴＤＡ）を用いて、２５０℃で１００分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行った。試料は２０ｍｇ、測定は窒素雰囲気下で行った。得られた結果を表１に示す。　
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
試験例２（高速回転下ディスク上での潤滑剤保持特性の評価）
　潤滑剤（化合物１、２、５及び６）をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ－ＸＦに溶解した。この溶液中の潤滑剤の濃度は０.０５重量％であった。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。この後、磁気ディスクを１８５ｎｍの波長を含む低圧水銀ランプに２０秒照射し、ＦＴ－ＩＲで磁気ディスク上の化合物の平均膜厚を測定した。この膜厚をｈÅとする。次に、温度３０～４０℃、湿度８０～９０ＲＨ％の環境下、５４００ｒｐｍで潤滑剤を塗布した磁気ディスクを４週間高速回転させた。この後、磁気ディスク上に残った化合物の平均膜厚をＦＴ－ＩＲで測定した。この膜厚をｃÅとする。高速回転下での磁気ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、潤滑剤保持率を下記式より算出した。
潤滑剤保持率（％）＝１００×ｃ／ｈ　
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005

試験例３（単分子膜厚の測定）
　磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）は、ＪＯＵＲＮＡＬ　ｏｆ　ＴＲＩＢＯＬＯＧＹ，ＯＣＴＯＢＥＲ　２００４，ＶＯＬ.１２６，ＰＡＧＥ７５１に記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。
　具体的には、化合物１、２、３、５及び６を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ－ＸＦに溶解した。この溶液の化合物１、２、３、５及び６の濃度はいずれも０.１重量％であった。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１、２、３、５又は６が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。
　上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。結果を表３に示す。　
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物は、ベンゼン環と３本のフルオロポリエーテル鎖とがＣＨ２で連結された化合物６に比べて、優れたアルミナ耐分解性及び潤滑剤保持特性を有しており、かつ低い単分子膜厚を示すことが確認された。
１　　支持体
２　　記録層
３　　保護層
４　　潤滑層

Claims (3)

  1. 　式（１）：
    Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－Ｘ］ｉ　（１）
    （式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは－ＯＨ、－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、または－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１～６の整数である。Ｒは、－（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ－である。ｘ及びｙは、それぞれ０～３０の実数である。ｚは０～３０の実数である。ｗは０～２０の実数である。ｐは１～３の整数である。）
    で表される化合物。
  2. 　式（１）：
    Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－Ｘ］ｉ　（１）
    （式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは－ＯＨ、－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、または－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１～６の整数である。Ｒは、－（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ－である。ｘ及びｙは、それぞれ０～３０の実数である。ｚは０～３０の実数である。ｗは０～２０の実数である。ｐは１～３の整数である。）
    で表される化合物を含有する潤滑剤。
  3. 　支持体上に少なくとも記録層及び保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）：
    Ｃ６Ｈ６－ｉ－［Ｏ－（ＣＨ２）ｎ－Ｏ－ＣＨ２―Ｒ－ＣＨ２－Ｘ］ｉ　（１）
    （式中、ｎは２～６の整数であり、ｉは２または３の整数であり、Ｘは－ＯＨ、－Ｏ－（ＣＨ２）ｍ－ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ、－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ５、または－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－Ｃ６Ｈ４－ＯＣＨ３で表される基である。ｍは１～６の整数である。Ｒは、－（ＣＦ２）ｐＯ（ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｙ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｗ（ＣＦ２）ｐ－である。ｘ及びｙは、それぞれ０～３０の実数である。ｚは０～３０の実数である。ｗは０～２０の実数である。ｐは１～３の整数である。）
    で表される化合物を含有する磁気ディスク。
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