JP5771826B2 - シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク - Google Patents
シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP5771826B2 JP5771826B2 JP2012512931A JP2012512931A JP5771826B2 JP 5771826 B2 JP5771826 B2 JP 5771826B2 JP 2012512931 A JP2012512931 A JP 2012512931A JP 2012512931 A JP2012512931 A JP 2012512931A JP 5771826 B2 JP5771826 B2 JP 5771826B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lubricant
- group
- molecular weight
- ether
- ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 title claims description 75
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 42
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- -1 phosphazene compound Chemical class 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 11
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 239000012925 reference material Substances 0.000 description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 8
- 125000004036 acetal group Chemical group 0.000 description 7
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 6
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoropentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)C(F)(F)C(F)(F)F RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- GCUOLJOTJRUDIZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-bromoethoxy)oxane Chemical compound BrCCOC1CCCCO1 GCUOLJOTJRUDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Natural products CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- DFXFQWZHKKEJDM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromobutoxy)oxane Chemical compound BrCCCCOC1CCCCO1 DFXFQWZHKKEJDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N Benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical group CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- FGTJJHCZWOVVNH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C(C)(C)C FGTJJHCZWOVVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKAGYSDHEJITFV-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoro-3-methoxy-4-(trifluoromethyl)pentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(OC)C(F)(C(F)(F)F)C(F)(F)F QKAGYSDHEJITFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPHSEBHPKKKYKD-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-(ethoxymethoxy)ethane Chemical compound CCOCOCCBr FPHSEBHPKKKYKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRKGXDSPQAOGBB-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2-(methoxymethoxy)ethane Chemical compound COCOCCBr HRKGXDSPQAOGBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDEBAEBBSRRFNY-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-6-(methoxymethoxy)hexane Chemical compound COCOCCCCCCBr RDEBAEBBSRRFNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUURWYLLAJQLFA-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-8-(ethoxymethoxy)octane Chemical compound CCOCOCCCCCCCCBr BUURWYLLAJQLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQFIGRIPJAKXJM-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-8-(methoxymethoxy)octane Chemical compound COCOCCCCCCCCBr AQFIGRIPJAKXJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNTMMQANMQURBP-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-(ethoxymethoxy)ethane Chemical compound CCOCOCCCl SNTMMQANMQURBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PSBSSJLIQVROKY-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-(methoxymethoxy)ethane Chemical compound COCOCCCl PSBSSJLIQVROKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIDIWXFDZWRPFB-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-6-(methoxymethoxy)hexane Chemical compound COCOCCCCCCCl SIDIWXFDZWRPFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPPBKPSSLPVZGR-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-8-(ethoxymethoxy)octane Chemical compound CCOCOCCCCCCCCCl IPPBKPSSLPVZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUDXKUJRYXLOCR-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-8-(methoxymethoxy)octane Chemical compound COCOCCCCCCCCCl TUDXKUJRYXLOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane Chemical compound CCOC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DFUYAWQUODQGFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYBRJZOQHOPJIW-UHFFFAOYSA-N 2-(12-chlorododecoxy)oxane Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCOC1CCCCO1 UYBRJZOQHOPJIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVVQFPGYDBUGQB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chloroethoxy)oxane Chemical compound ClCCOC1CCCCO1 ZVVQFPGYDBUGQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZZINZURZKQZLG-UHFFFAOYSA-N 2-(4-chlorobutoxy)oxane Chemical compound ClCCCCOC1CCCCO1 SZZINZURZKQZLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CWSSIUJITPYGLK-UHFFFAOYSA-N 2-(6-bromohexoxy)oxane Chemical compound BrCCCCCCOC1CCCCO1 CWSSIUJITPYGLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLOZSPDGPUSFV-UHFFFAOYSA-N 2-(6-chlorohexoxy)oxane Chemical compound ClCCCCCCOC1CCCCO1 XOLOZSPDGPUSFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRBYQZIJFWGOO-UHFFFAOYSA-N 2-(8-bromooctoxy)oxane Chemical compound BrCCCCCCCCOC1CCCCO1 JCRBYQZIJFWGOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTZCUNASYOHWBD-UHFFFAOYSA-N 2-(8-chlorooctoxy)oxane Chemical compound ClCCCCCCCCOC1CCCCO1 KTZCUNASYOHWBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKSJDOOUAJHQRY-UHFFFAOYSA-N 2-bromoethoxy(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)OCCBr QKSJDOOUAJHQRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBKINHFZTVLNEM-UHFFFAOYSA-N 2-bromoethoxy-tert-butyl-dimethylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)OCCBr JBKINHFZTVLNEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHQKFQZGLKBCF-UHFFFAOYSA-N 2-bromoethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCBr RGHQKFQZGLKBCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNBBDZULQFKSIE-UHFFFAOYSA-N 2-bromoethyl benzoate Chemical compound BrCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 KNBBDZULQFKSIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIRWKAJWTKAIMA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCl VIRWKAJWTKAIMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANPPGQUFDXLAGY-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl benzoate Chemical compound ClCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 ANPPGQUFDXLAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTHLKLUTMYTDFM-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyoxane Chemical group CCOC1CCCCO1 BTHLKLUTMYTDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OILWIZSTLQQEBD-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-[3-chloropropyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound ClCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCl OILWIZSTLQQEBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNUGOZGEYWNKDA-UHFFFAOYSA-N 4-bromobutoxy-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCCCBr VNUGOZGEYWNKDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYSDMATZBUXJMW-UHFFFAOYSA-N 4-bromobutyl benzoate Chemical compound BrCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 QYSDMATZBUXJMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFFQVVCNZAYQSJ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorobutyl benzoate Chemical compound ClCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XFFQVVCNZAYQSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRFZPIJRLUHQBH-UHFFFAOYSA-N 5-bromopentyl-[5-bromopentyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound BrCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCBr XRFZPIJRLUHQBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLWBDXUQAIOALX-UHFFFAOYSA-N 5-chloropentyl-[5-chloropentyl(dimethyl)silyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound ClCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCl VLWBDXUQAIOALX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYAVEJWZFJIHEE-UHFFFAOYSA-N 6-bromohexoxy(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)OCCCCCCBr YYAVEJWZFJIHEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZYNEJMLLNCFHX-UHFFFAOYSA-N 6-bromohexoxy-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCCCCCBr CZYNEJMLLNCFHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMSPZLCTPSXORJ-UHFFFAOYSA-N 6-bromohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCCBr IMSPZLCTPSXORJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZMYOYRXUKYCOC-UHFFFAOYSA-N 6-bromohexyl benzoate Chemical compound BrCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 PZMYOYRXUKYCOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJZFWIANWGTBBQ-UHFFFAOYSA-N 6-chlorohexoxy(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)OCCCCCCCl DJZFWIANWGTBBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDOCMHNKMQCNPR-UHFFFAOYSA-N 6-chlorohexoxy-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCCCCCCl SDOCMHNKMQCNPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHEBJCQIQYFSGF-UHFFFAOYSA-N 6-chlorohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCCCl AHEBJCQIQYFSGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFFNIPCGTBVYED-UHFFFAOYSA-N 6-chlorohexyl benzoate Chemical compound ClCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 OFFNIPCGTBVYED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBVSNLOAMZZZMZ-UHFFFAOYSA-N 8-bromooctyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCCCCCCCBr IBVSNLOAMZZZMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFHLXMRZODEIDC-UHFFFAOYSA-N 8-bromooctyl benzoate Chemical compound BrCCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 HFHLXMRZODEIDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRKHAMQZTBNMEV-UHFFFAOYSA-N 8-chlorooctyl benzoate Chemical compound ClCCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 VRKHAMQZTBNMEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VJKLCHMPYSZNTJ-UHFFFAOYSA-N BrCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCBr Chemical compound BrCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCBr VJKLCHMPYSZNTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVDSRJYMGNYJFP-UHFFFAOYSA-N BrCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCBr)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound BrCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCBr)OCC1=CC=CC=C1 OVDSRJYMGNYJFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPZVTMGFRCOPTQ-UHFFFAOYSA-N BrCCCCC(OC)OC(CCCCBr)OC Chemical compound BrCCCCC(OC)OC(CCCCBr)OC ZPZVTMGFRCOPTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDLPOKPCPMHFRP-UHFFFAOYSA-N BrCCCCC(OCC)OC(CCCCBr)OCC Chemical compound BrCCCCC(OCC)OC(CCCCBr)OCC UDLPOKPCPMHFRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYPTZIUCVYBSIW-UHFFFAOYSA-N BrCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound BrCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 MYPTZIUCVYBSIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHSQXYUBDIQZBW-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCBr)OCC Chemical compound BrCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCBr)OCC MHSQXYUBDIQZBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGWUQWHTMCNKNL-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound BrCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 CGWUQWHTMCNKNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYCGDTCZIHDLSC-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCBr Chemical compound BrCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCBr PYCGDTCZIHDLSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULPTUDIPLGBSIH-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound BrCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 ULPTUDIPLGBSIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHXOROQMXPMLR-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCCCCBr Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCCCCBr WEHXOROQMXPMLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTOIAMRRSMQRBH-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCCCCCC(OC)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OC Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCC(OC)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OC GTOIAMRRSMQRBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZBYKUJRSKFERE-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OCC Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OCC YZBYKUJRSKFERE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMSFSGRJPAMRLB-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCCCCBr)OCC1=CC=CC=C1 RMSFSGRJPAMRLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMRGDCPAQQYLJA-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCCCCBr Chemical compound BrCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCCCCBr NMRGDCPAQQYLJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJSNPSRTQJXBDM-UHFFFAOYSA-N BrCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCBr Chemical compound BrCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCBr NJSNPSRTQJXBDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUZWIKBIEMZXRS-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OCCCCBr.C(C)(=O)OCCCCCl Chemical compound C(C)(=O)OCCCCBr.C(C)(=O)OCCCCCl AUZWIKBIEMZXRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWFMVVDDISSJOM-UHFFFAOYSA-N ClCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCl Chemical compound ClCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCl HWFMVVDDISSJOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZOOUENEDSQLQC-UHFFFAOYSA-N ClCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCl)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCl)OCC1=CC=CC=C1 ZZOOUENEDSQLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPADKFVLMPHISM-UHFFFAOYSA-N ClCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCl Chemical compound ClCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCl JPADKFVLMPHISM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPODVPQVFBCIEK-UHFFFAOYSA-N ClCCCCC(OC)OC(CCCCCl)OC Chemical compound ClCCCCC(OC)OC(CCCCCl)OC XPODVPQVFBCIEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALWDHKGVTQYRAS-UHFFFAOYSA-N ClCCCCC(OCC)OC(CCCCCl)OCC Chemical compound ClCCCCC(OCC)OC(CCCCCl)OCC ALWDHKGVTQYRAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZXOFTFKUNUZDN-UHFFFAOYSA-N ClCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 HZXOFTFKUNUZDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIPQUFQMIOMKFM-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 HIPQUFQMIOMKFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCUKTRXQDBBGDH-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCl Chemical compound ClCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCl DCUKTRXQDBBGDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGETYXVZENQSNH-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 YGETYXVZENQSNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSSIKUCVFAZXEJ-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCCCCCl Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCC(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)(C)CCCCCCCCCCCCCl XSSIKUCVFAZXEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRGQHEVEAPUHOW-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCCCCCC(OC)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OC Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCC(OC)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OC SRGQHEVEAPUHOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQRMGQONBLYMFA-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OCC Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCC(OCC)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OCC XQRMGQONBLYMFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUJIGFJQMFEVNN-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCC(OCC1=CC=CC=C1)OC(CCCCCCCCCCCCCl)OCC1=CC=CC=C1 OUJIGFJQMFEVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHMIUYWHWRITM-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCl Chemical compound ClCCCCCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCl JZHMIUYWHWRITM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQLZQHPRMXQWNL-UHFFFAOYSA-N ClCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCl Chemical compound ClCCCCCCCCC[Si](C)(C)O[Si](C)(C)CCCCCCCCCCl MQLZQHPRMXQWNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000005194 fractionation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000194 supercritical-fluid extraction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTQPZXNVDIKRAK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-(4-chlorobutoxy)-dimethylsilane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)OCCCCCl MTQPZXNVDIKRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/547—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom
- C07F9/6564—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms
- C07F9/6581—Heterocyclic compounds, e.g. containing phosphorus as a ring hetero atom having phosphorus atoms, with or without nitrogen, oxygen, sulfur, selenium or tellurium atoms, as ring hetero atoms having phosphorus and nitrogen atoms with or without oxygen or sulfur atoms, as ring hetero atoms
- C07F9/65812—Cyclic phosphazenes [P=N-]n, n>=3
- C07F9/65815—Cyclic phosphazenes [P=N-]n, n>=3 n = 3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G65/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule
- C08G65/002—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds
- C08G65/005—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds containing halogens
- C08G65/007—Macromolecular compounds obtained by reactions forming an ether link in the main chain of the macromolecule from unsaturated compounds containing halogens containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
- C10M105/00—Lubricating compositions characterised by the base-material being a non-macromolecular organic compound
- C10M105/74—Lubricating compositions characterised by the base-material being a non-macromolecular organic compound containing phosphorus
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
- G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
- C10M2213/00—Organic macromolecular compounds containing halogen as ingredients in lubricant compositions
- C10M2213/04—Organic macromolecular compounds containing halogen as ingredients in lubricant compositions obtained from monomers containing carbon, hydrogen, halogen and oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10M—LUBRICATING COMPOSITIONS; USE OF CHEMICAL SUBSTANCES EITHER ALONE OR AS LUBRICATING INGREDIENTS IN A LUBRICATING COMPOSITION
- C10M2223/00—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions
- C10M2223/08—Organic non-macromolecular compounds containing phosphorus as ingredients in lubricant compositions having phosphorus-to-nitrogen bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
- C10N2020/00—Specified physical or chemical properties or characteristics, i.e. function, of component of lubricating compositions
- C10N2020/01—Physico-chemical properties
- C10N2020/04—Molecular weight; Molecular weight distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
- C10N2030/00—Specified physical or chemical properties which is improved by the additive characterising the lubricating composition, e.g. multifunctional additives
- C10N2030/06—Oiliness; Film-strength; Anti-wear; Resistance to extreme pressure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
- C10N2040/00—Specified use or application for which the lubricating composition is intended
- C10N2040/14—Electric or magnetic purposes
- C10N2040/18—Electric or magnetic purposes in connection with recordings on magnetic tape or disc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
- C10N2050/00—Form in which the lubricant is applied to the material being lubricated
- C10N2050/015—Dispersions of solid lubricants
- C10N2050/02—Dispersions of solid lubricants dissolved or suspended in a carrier which subsequently evaporates to leave a lubricant coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
- C10N—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS C10M RELATING TO LUBRICATING COMPOSITIONS
- C10N2050/00—Form in which the lubricant is applied to the material being lubricated
- C10N2050/023—Multi-layer lubricant coatings
- C10N2050/025—Multi-layer lubricant coatings in the form of films or sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12229—Intermediate article [e.g., blank, etc.]
- Y10T428/12264—Intermediate article [e.g., blank, etc.] having outward flange, gripping means or interlocking feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/3154—Of fluorinated addition polymer from unsaturated monomers
- Y10T428/31544—Addition polymer is perhalogenated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やCVD法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになるため、炭素保護膜と潤滑剤との相互作用が重要である。
潤滑剤としては一般に官能基を有するフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、下記式(II)において、n=3であり、Rfは、−CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2−で示される松村石油研究所製のPHOS FAROL A20H−TSなどがある(特許文献1)。
とくにホスファゼン基を有する潤滑剤は耐分解性に優れた材料であり、磁気ディスクの耐久性を向上させる材料として知られている(例えば特許文献2,3)。しかし特許文献2の潤滑剤はその請求項1の化合物において、nは1から5の整数とあるが、当該特許の製造方法では混合物しか得られず、潤滑性能は不十分である。また特許文献3の潤滑剤はシクロホスファゼン環におけるフルオロポリエーテル主鎖の置換数が1であるもので、後記の表1のとおりボンド率が悪い。
ディスクとヘッドとの距離が殆ど接触する条件において、耐分解性に優れるホスファゼン基を有する潤滑剤を利用する場合には、ヘッドへの移着を防止することが課題となる。これまで、この課題を解決する手段として、シクロホスファゼン基に複数のパーフルオロポリーテルを導入し、その末端に水酸基を付与することにより、炭素保護膜との吸着性を向上させる技術が提案されてきた(特許文献1)。しかし、特許文献1の潤滑剤は、水酸基に隣接するフッ素原子の立体的影響により潤滑剤の下地層である炭素保護膜の極性部位と強固な結合を形成できず、高速回転時に飛散してしまう可能性がある。
また、潤滑性能、保護層との密着性を改善するためにフルオロポリエーテルを有するホスファゼン化合物のフルオロポリエーテルの分子量分布(PD、重量平均分子量/数平均分子量)を調節することも有効である。
本発明の課題は、優れた潤滑性能を有し、ヘッドと接触しても分解しない安定した化合物で、かつ炭素保護膜との良好な吸着性を示す化合物およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスクを提供することにある。
発明の開示
本発明は以下の発明に係る。
1.式(I)で表されるシクロホスファゼン化合物
式中nは2、3または4であり、mは1〜12の整数であり、RはC1〜4のフルオロアルキル基である。Rfは、−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−又は−CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2−である。x、y、zはそれぞれ、上記Rfを含むHOCH2−Rf−CH2OHで示されるフルオロポリエーテルの数平均分子量が500〜4000となる0または正の実数であり、該フルオロポリエーテルの分子量分布(PD)は1.0〜1.5である。
2.式(I)で表される化合物を含有する潤滑剤。
3.支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式(I)で表される化合物を含有する磁気ディスク。
本発明の分子主鎖中にシクロホスファゼン基と分子末端にアルキルアルコール基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、優れた吸着性と潤滑剤分解抑制という2つの課題を同時に解決する潤滑剤を提供する。
発明を実施するための形態
潤滑剤の合成方法
式(I)で表される本発明の潤滑剤は、例えば片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にアルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を有する直鎖フルオロポリエーテルと、フェノキシ基の置換したハロゲン化シクロホスファゼン化合物を反応させ、次いで加水分解することにより得られる。具体的には以下の方法により合成される。
(a)片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にアルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を有する直鎖フルオロポリエーテルの合成
両末端に水酸基を有する直鎖フルオロポリエーテルと、水酸基と反応してアルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を形成する化合物を金属ナトリウムとともに混合して、加熱攪拌する。反応温度は20〜90℃、好ましくは50〜70℃である。反応時間は、20〜200時間、好ましくは110〜130時間である。パーフルオロポリエーテルに対して、アルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を形成する化合物を0.5〜2.0当量、金属ナトリウムを0.5〜4.0当量使用することが好ましい。その後、例えばカラムクロマトグラフィーによる精製を行い、片方の末端に水酸基を有しており、かつ他方の末端にアルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を有する直鎖フルオロポリエーテルを得る。
両末端に水酸基を有するフルオロポリエーテルとしては、例えばHOCH2−Rf−CH2OH、Rfは、−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−又は−CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2−で示される化合物を例示できる。このフルオロポリエーテルの数平均分子量は500〜4000、好ましくは1000〜3000、より好ましくは1800〜2200である。ここで数平均分子量は日本電子製JNM−ECX400による19F−NMRによって測定された値である。NMRの測定において、試料を溶媒へは希釈せず、試料そのものを測定に使用した。ケミカルシフトの基準は、フルオロポリエーテルの骨格構造の一部である既知のピークをもって代用した。
xは1〜33の実数であり、好ましくは1〜25であり、さらに好ましくは1〜18である。yは0〜60の実数であり、好ましくは0〜43であり、さらに好ましくは0〜31である。zは1〜23の実数であり、好ましくは4〜17、より好ましくは9〜12である。
上記HOCH2−Rf−CH2OHで示されるフルオロポリエーテルは、分子量分布を有する化合物であり、重量平均分子量/数平均分子量で示される分子量分布(PD)として、1.0〜1.5であり、好ましくは1.0〜1.4であり、より好ましくは1.0〜1.3であり、特に好ましくは1.05〜1.2である。なお、当該分子量分布は、東ソー製HPLC−8220GPCを用いて、ポリマーラボラトリー製のカラム(PLgel Mixed E)、溶離液はHCFC系代替フロン、基準物資としては、無官能のパーフルオロポリエーテルを使用して得られる特性値である。
水酸基と反応してアルキルアセタール基またはアルキルエステル基またはアルキルシリル基を形成する化合物としては、
YCmH2mOCH2ORa
(Yはハロゲン原子、mは1〜12の整数、Raは炭素数1〜10のアルキル、ピリル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアラルキル基である)で示されるエーテル化合物、
YCmH2mOCORb
(Yはハロゲン原子、mは1〜12の整数、Rbは、炭素数1〜10のアルキル、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアラルキル基である)で示されるエステル化合物、
YCmH2mOSi(Rc)(Rd)(Re)
(Yはハロゲン原子、mは1〜12の整数、Rc、Rd、Reは、同一又は異なって炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数6〜10のアラルキル基である)で示されるシラン化合物などを挙げることができる。
炭素数1〜10のアルキルとしては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オクチル基等を挙げることができる。
炭素数6〜10のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、イソプロピルフェニル基等を挙げることができる。
炭素数6〜10のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェニルエチル基、トリルメチル基、イソプロピルフェニルエチル基等を挙げることができる。
具体的には例えば、2−クロロエチルメトキシメチルエーテル、2−ブロモエチルメトキシメチルエーテル、2−クロロエチルエトキシメチルエーテル、2−ブロモエチルエトキシメチルエーテル、2−(2−クロロエトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−(2−ブロモエトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−クロロエチルベンジルオキシメチルエーテル、2−ブロモエチルベンジルオキシメチルエーテル、酢酸2−クロロエチル、酢酸2−ブロモエチル、安息香酸2−クロロエチル、安息香酸2−ブロモエチル、2−クロロエチルトリメチルシリルエーテル、2−ブロモエチルトリメチルシリルエーテル、2−クロロエチルトリイソプロピルシリルエーテル、2−ブロモエチルトリイソプロピルシリルエーテル、2−クロロエチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、2−ブロモエチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、4−クロロブチルメトキシメチルエーテル、4−ブロモブチルメトキシメチルエーテル、4−クロロブチルエトキシメチルエーテル、4−ブロモブチルエトキシメチルエーテル、2−(4−クロロブトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−(4−ブロモブトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、4−クロロブチルベンジルオキシメチルエーテル、4−ブロモブチルベンジルオキシメチルエーテル、酢酸4−クロロブチル、酢酸4−ブロモブチル、安息香酸4−クロロブチル、安息香酸4−ブロモブチル、4−クロロブチルトリメチルシリルエーテル、4−ブロモブチルトリメチルシリルエーテル、4−クロロブチルトリイソプロピルシリルエーテル、4−ブロモブチルトリイソプロピルシリルエーテル、4−クロロブチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、4−ブロモブチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、6−クロロヘキシルメトキシメチルエーテル、6−ブロモヘキシルメトキシメチルエーテル、6−クロロヘキシルエトキシメチルエーテル、6−ブロモヘキシルエトキシメチルエーテル、2−(6−クロロヘキシルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−(6−ブロモヘキシルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、6−クロロヘキシルベンジルオキシメチルエーテル、6−ブロモヘキシルベンジルオキシメチルエーテル、酢酸6−クロロヘキシル、酢酸6−ブロモヘキシル、安息香酸6−クロロヘキシル、安息香酸6−ブロモヘキシル、6−クロロヘキシルトリメチルシリルエーテル、6−ブロモヘキシルトリメチルシリルエーテル、6−クロロヘキシルトリイソプロピルシリルエーテル、6−ブロモヘキシルトリイソプロピルシリルエーテル、6−クロロヘキシルt−ブチルジメチルシリルエーテル、6−ブロモヘキシルt−ブチルジメチルシリルエーテル、8−クロロオクチルメトキシメチルエーテル、8−ブロモオクチルメトキシメチルエーテル、8−クロロオクチルエトキシメチルエーテル、8−ブロモオクチルエトキシメチルエーテル、2−(8−クロロオクチルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−(8−ブロモオクチルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、8−クロロオクチルベンジルオキシメチルエーテル、8−ブロモオクチルベンジルオキシメチルエーテル、酢酸8−クロロオクチル、酢酸8−ブロモオクチル、安息香酸8−クロロオクチル、安息香酸8−ブロモオクチル、8−クロロオクチルトリメチルシリルエーテル、8−ブロモオクチルトリメチルシリルエーテル、8−クロロオクチルトリイソプロピルシリルエーテル、8−ブロモオクチルトリイソプロピルシリルエーテル、8−クロロオクチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、8−ブロモオクチルt−ブチルジメチルシリルエーテル、12−クロロドデシルメトキシメチルエーテル、12−ブロモドデシルメトキシメチルエーテル、12−クロロドデシルエトキシメチルエーテル、12−ブロモドデシルエトキシメチルエーテル、2−(12−クロロドデシルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、2−(12−ブロモドデシルオキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン、12−クロロドデシルベンジルオキシメチルエーテル、12−ブロモドデシルベンジルオキシメチルエーテル、酢酸12−クロロドデシル、酢酸12−ブロモドデシル、安息香酸12−クロロドデシル、安息香酸12−ブロモドデシル、12−クロロドデシルトリメチルシリルエーテル、12−ブロモドデシルトリメチルシリルエーテル、12−クロロドデシルトリイソプロピルシリルエーテル、12−ブロモドデシルトリイソプロピルシリルエーテル、12−クロロドデシルt−ブチルジメチルシリルエーテル、12−ブロモドデシルt−ブチルジメチルシリルエーテルなどを挙げることができる。
(b)本発明の潤滑剤の合成
上記(a)で得られるフルオロポリエーテルと、(RC6H4O)6−n−(P3N3)−Xnで表されるハロゲン原子をn個有するシクロホスファゼンを、ナトリウムなどのアルカリ金属とともに加熱攪拌する。nは2または3または4であり、それぞれシクロホスファゼン材料の純度は80%以上であり、好ましくは90%以上である。反応温度は30〜100℃、好ましくは50〜80℃である。反応時間は、20〜100時間、好ましくは50〜80時間である。ハロゲン原子に対して、上記(a)で得られるパーフルオロポリエーテルを0.5〜3.0当量、アルカリ金属を0.5〜3.0当量使用するのが好ましい。反応は溶剤中で行ってもよい。その後、例えば脱水する。さらにその後、パーフルオロポリエーテルの片方の末端に残存しているアセタール基またはエステル基またはシリル基を加水分解反応などにより脱保護(アセタール基またはエステル基またはシリル基の脱離反応)した後に、カラムクロマトグラフィー、超臨界抽出法などにより分画し、目的とする単独の化合物がフラクションとして得られる。
(RC6H4O)6−n−(P3N3)−Xnで表されるシクロホスファゼンの置換基におけるRは、炭素数1〜4のフルオロアルキル基であり、例えば、炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基、1,1,2,2−テトラフルオロエチル基、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオロブチル基等を例示できる。Rの置換位置については、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでも良い。
(RC6H4O)6−n−(P3N3)−Xnで表されるハロゲン原子をn個有するシクロホスファゼンにおいて、Xは、例えば塩素、臭素、沃素を例示できる。
本発明の潤滑剤を磁気ディスクに用いる場合には、nは2、または3、または4が好ましく、より好ましくはnは3または4であり、さらに好ましくはnは3であり、mは1〜12が好ましく、より好ましくは2〜6、さらに好ましくは2〜4である。
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば3M製PF−5060、PF−5080、HFE−7100,HFE−7200、HFE−7300、DuPont製Vertrel−XF等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は1wt%以下、好ましくは0.001〜0.1wt%である。
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えばSolvay Solexis製のFomblin ZdolやZtetraol、Zdol TX、AM、ダイキン工業製のDemnum、Dupont製のKrytoxなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはSi3N4、SiC、SiO2などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
図1に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。本発明の磁気ディスクは、まず支持体1上に少なくとも1層以上の記録層2、その上に保護層3、更にその上に本発明の潤滑剤を含有する潤滑層4を最外層として有する構成である。支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。保護層の材料はカーボン、SiC、SiO2等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはCVD法で形成される。
現在、流通している潤滑層の厚さは30Å以下であるため、粘性が20℃で100mPa・s程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、5〜15Åが好ましい。
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、60〜150℃、好ましくは80〜150℃である。紫外線処理では、185nmと254nmの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。磁気ディスク装置の記録方式としては、面内磁気記録、垂直磁気記録、熱アシスト磁気記録等が挙げられる。ディスクリートトラック型磁気ディスクやビットパターンド型磁気ディスクにも適用できる。
発明を実施するための最良の形態
以下、実施例および試験例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。
(m−CF3−C6H4O)3−(P3N3)−(O−CH2−Rf−CH2OCH2CH2OH)3(潤滑剤1)の合成
Rfは−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−である。
アルゴン雰囲気下、ジトリフルオロメチルベンゼン(180g)、HO−CH2CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2CH2−OHで表わされるフルオロポリエーテル(数平均分子量1995、分子量分布1.09)90g、2−(2−ブロモエトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン(18g)、金属ナトリウム(4g)を60℃で120時間攪拌した。その後、水洗、脱水し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、一方の末端に一つの水酸基を有し、もう一方の末端に2−(エトキシ)テトラヒドロ−2H−ピラン基を有するパーフルオロポリエーテル(平均分子量2000)を30g得た。この化合物(30g)をジトリフルオロメチルベンゼン(60g)に溶解させ、金属ナトリウム(0.5g)と(m−CF3C6H4O) 3−(P3N3)−Cl3で表される塩素原子を3個有するシクロホスファゼンを8g加えて、70℃で70時間攪拌した。その後、p−トルエンスルホン酸(20g)でアセタール基を室温で加水分解し、水洗、脱水した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的潤滑剤1を12g得た。
潤滑剤1は、無色透明液体であり、20℃での密度は、1.75g/cm3であった。NMRを用いて行った潤滑剤1の同定結果を示す。
19F−NMR(溶媒;なし、基準物質:生成物中のOCF2CF 2CF 2CF2Oを−125.8ppmとする。)
δ=−52.1ppm、−53.7ppm、−55.4ppm
〔56F,−OCF 2O−〕,
δ=−64.1ppm
〔9F,(CF 3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF2−)3〕,
δ=−78.0ppm、−80.0ppm
〔6F,−CF 2CH2OCH2CH2H〕,
δ=−78.7ppm、−80.7ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF 2−)3〕,
δ=−89.1ppm、−90.7ppm
〔118F,−OCF 2CF 2O−〕
x=9.8 y=9.4
1H−NMR(溶媒:なし、基準物質:D2O)
δ=3.53〜3.82ppm
〔24H,−CF2CH 2OCH 2CH 2OH,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH 2CF2−)3〕,
δ=4.61ppm
〔3H,−CF2CH2OCH2CH2OH〕,
δ=6.78〜7.35ppm
〔12H,(CF3C6 H 4O)3−P3N3−(OCH2CF2−)3〕
実施例2
(m−CF3−C6H4O)3−(P3N3)−(O−CH2−Rf−CH2OCH2CH2OH)3(潤滑剤2)の合成
Rfは−CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2−である。
実施例1において用いたフルオロポリエーテルの代わりに、HO−CH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2CH2−OHで表わされるフルオロポリエーテル(数平均分子量1836、分子量分布1.17)を用いた以外は実施例1と同様にして、目的潤滑剤2を10g得た。
潤滑剤2は、無色透明液体であり、20℃での密度は、1.79g/cm3であった。NMRを用いて行った潤滑剤2の同定結果を示す。
19F−NMR(溶媒;なし、基準物質:生成物中のOCF2CF 2CF2Oを−129.7ppmとする。)
δ=−83.7ppm
〔118F,−CF 2CF2CF 2O−〕,
δ=−86.3ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF2CF 2−)3〕,
δ=−86.7ppm
〔6F,−CF 2CF2CH2OCH2OCH2CH2OH〕,
δ=−124.4ppm
〔6F,−CF2CF 2CH2OCH2OCH2CH2OH〕,
δ=−124.8ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF 2CF2−)3〕,
δ=−129.7ppm
〔59F,−CF2CF 2CF2O−〕,
z=9.8
1H−NMR(溶媒:なし、基準物質:D2O)
δ=3.72〜4.19ppm
〔24H,−CF2CF2CH 2OCH 2CH 2OH,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH 2CF2CF2−)3〕,
δ=4.34ppm
〔3H,−CF2CF2CH2OCH2CH2OH〕,
δ=6.83〜7.31ppm
〔12H,(CF3C6 H 4O)3−P3N3−(OCH2CF2CF2−)3〕
実施例3
(m−CF3−C6H4O)3−(P3N3)−(O−CH2−Rf−CH2OCH2CH2CH2CH2OH)3(潤滑剤3)の合成
Rfは−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−である。
実施例1において用いた2−(2−ブロモエトキシ)テトラヒドロ−2H−ピランの代わりに、2−(4−ブロモブトキシ)テトラヒドロ−2H−ピランを用いた以外は実施例1と同様にして、目的潤滑剤3を11g得た。
潤滑剤3は、無色透明液体であり、20℃での密度は、1.80g/cm3であった。NMRを用いて行った潤滑剤3の同定結果を示す。
19F−NMR(溶媒;なし、基準物質:生成物中のOCF2CF 2CF 2CF2Oを−125.8ppmとする。)
δ=−52.1ppm、−53.7ppm、−55.4ppm
〔58F,−OCF 2O−〕,
δ=−64.1ppm
〔9F,(CF 3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF2−)3〕,
δ=−78.0ppm、−80.0ppm
〔6F,−CF 2CH2OCH2CH2CH2CH2OH〕,
δ=−78.7ppm、−80.7ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF 2−)3〕,
δ=−89.1ppm、−90.7ppm
〔113F,−OCF 2CF 2O−〕
x=9.4 y=9.6
1H−NMR(溶媒:なし、基準物質:D2O)
δ=1.53〜2.07ppm
〔12H,−CF2CH2OCH2CH 2CH 2CH2OH〕
δ=3.53〜3.82ppm
〔24H,−CF2CH 2OCH 2CH2CH2CH 2OH,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH 2CF2−)3〕,
δ=5.04ppm
〔3H,−CF2CH2OCH2CH2CH2CH2OH〕,
δ=6.78〜7.35ppm
〔12H,(CF3C6 H 4O)3−P3N3−(OCH2CF2−)3〕
実施例4
(m−CF3−C6H4O)3−(P3N3)−(O−CH2−Rf−CH2OCH2CH2CH2CH2OH)3(潤滑剤4)の合成
Rfは−CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2−である。
実施例1において用いたフルオロポリエーテルの代わりに、HO−CH2CF2CF2O(CF2CF2CF2O)zCF2CF2CH2−OHで表わされるフルオロポリエーテル(数平均分子量1836、分子量分布1.17)を用い、且つ2−(2−ブロモエトキシ)テトラヒドロ−2H−ピランの代わりに、2−(4−ブロモブトキシ)テトラヒドロ−2H−ピランを用いた以外は実施例1と同様にして、目的潤滑剤4を9g得た。
潤滑剤4は、無色透明液体であり、20℃での密度は、1.82g/cm3であった。NMRを用いて行った潤滑剤4の同定結果を示す。
19F−NMR(溶媒;なし、基準物質:生成物中のOCF2CF 2CF2Oを−129.7ppmとする。)
δ=−83.7ppm
〔114F,−CF 2CF2CF 2O−〕,
δ=−86.3ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF2CF 2−)3〕,
δ=−86.7ppm
〔6F,−CF 2CF2CH2OCH2CH2CH2CH2OH〕,
δ=−124.4ppm
〔6F,−CF2CF 2CH2OCH2CH2CH2CH2OH〕,
δ=−124.8ppm
〔6F,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH2CF 2CF2−)3〕,
δ=−129.7ppm
〔57F,−CF2CF 2CF2O−〕,
z=9.5
1H−NMR(溶媒:なし、基準物質:D2O)
δ=1.34〜1.70ppm
〔12H,−CF2CF2CH2OCH2CH 2CH 2CH2OH〕
δ=3.72〜4.19ppm
〔24H,−CF2CF2CH 2OCH 2CH2CH2CH 2OH,(CF3C6H4O)3−P3N3−(OCH 2CF2CF2−)3〕,
δ=4.34ppm
〔3H,−CF2CF2CH2OCH2CH2CH2CH2OH〕,
δ=6.83〜7.31ppm
〔12H,(CF3C6 H 4O)3−P3N3−(OCH2CF2CF2−)3〕
試験例1 ボンド率の測定
実施例1〜4で合成した潤滑剤1〜4を、それぞれDuPont製Vertrel−XFに溶解する。この溶液中の潤滑剤の濃度は0.05重量%である。直径3.5インチの磁気ディスクをこの溶液に1分間浸漬し、速度2mm/sで引き上げた。その後150℃の恒温槽に10分間この磁気ディスクを入れ、ディスク表面に対する潤滑剤の吸着を促進させる。この後、Fourier Transform Infrared Spectrometer(FT−IR)でディスク上の化合物の平均膜厚を測定する。この膜厚をfÅとする。次に、このディスクをVertrel−XF中に10分間浸漬し、速度10mm/sで引き上げた後、室温下で静置して溶媒を揮発させる。この後、ディスク上に残った化合物の平均膜厚をFT−IRで測定する。この膜厚をbÅとする。ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、一般に用いられているボンド率を採用した。ボンド率は、下記式で表される。
ボンド率(%)=100×b/f
試験例2 高速回転下ディスク上での潤滑剤保持特性の評価
実施例1〜4で合成した潤滑剤1〜4を、それぞれDuPont製Vertrel−XFに溶解する。この溶液中の潤滑剤の濃度は0.05重量%である。直径3.5インチの磁気ディスクをこの溶液に1分間浸漬し、速度2mm/sで引き上げた。この後、FT−IRでディスク上の化合物の平均膜厚を測定する。この膜厚hÅとする。次に、温度60〜70℃、湿度60〜70RH%の環境下、15000rpmで潤滑剤を塗布した磁気ディスクを2週間高速回転させる。この後、磁気ディスク上に残った化合物の平均膜厚をFT−IRで測定する。この膜厚をcÅとする。高速回転下での磁気ディスクとの吸着性の強弱を示す指標として、潤滑剤保持率を下記式より算出した。
潤滑剤保持率(%)=100×c/h
試験例3 酸化アルミニウムに対する耐分解性の評価
潤滑剤1〜4に、それぞれ20重量%のAl2O3を入れ、強く振とうしたのち超音波でさらに良く混合することにより、耐分解性評価用の試料を調製する。耐分解性の評価は、熱分析装置(TG/TDA)を用いて、250℃で100分間加熱した後の潤滑剤の重量減少率を測定することにより行なった。試料は20mg、測定は窒素雰囲気下で行なった。また比較のため、Al2O3を添加せず、潤滑剤そのものを20mg使用し、同様の熱分析を行った。
また比較のため、下記式(II)において、n=1である潤滑剤5、n=3である潤滑剤6を使用した。さらに HOCH2CH(OH)CH2O−Rf−OCH2CH(OH)CH2OHで示されるパーフルオロポリエーテルの両末端にそれぞれ2つの水酸基を有する潤滑剤7を使用した。
潤滑剤5において、Rはm−CF3であり、Rfは、−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−である。xは9.1、yは8.9である。分子量分布は1.05である。潤滑剤6において、Rはm−CF3であり、Rfは、−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−である。xは9.4、yは9.1である。分子量分布は1.18である。潤滑剤7において、Rfは、−CF2O(CF2CF2O)x(CF2O)yCF2−である。xは9.8、yは9.7である。分子量分布は1.20である。
試験例1〜3の結果を表1に示す。これらの結果から、本発明の潤滑剤1〜4は潤滑剤5〜7に比べて磁気ディスクと強い吸着力で結合することを確認できた。高速回転下においては、本発明の潤滑剤1〜4は潤滑剤5〜6に比べてディスク上での保持率が高く、潤滑剤7に対しては同等の保持率であることを確認できた。また、酸化アルミニウムに対する耐分解性においては、分子中にシクロホスファゼン基を含む本発明の潤滑剤1〜4とともに潤滑剤5〜6が良好な耐分解性を有していることがわかった。以上の結果より、本発明の分子中にシクロホスファゼン基とアルキルアルコール基を有するフルオロポリエーテル潤滑剤は、耐分解性と高吸着性を両立できることを確認できた。
潤滑剤1〜4を、それぞれDuPont製Vertrel−XFに溶解する。この溶液の濃度は0.05重量%である。直径3.5インチの磁気ディスクをこの溶液に1分間浸漬し、速度2mm/sで引き上げた。その後150℃で10分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をFT−IRで測定した。
結果を表2に示す。これらの結果から、高い吸着性と耐分解性を両立する本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
Claims (9)
- nが3または4であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1000〜3000となる0または正の実数である請求項1に記載の化合物。
- nが3であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1800〜2200となる0または正の実数である請求項1に記載の化合物。
- nが3または4であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1000〜3000となる0または正の実数である請求項4に記載の潤滑剤。
- nが3であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1800〜2200となる0または正の実数である請求項4に記載の潤滑剤。
- nが3または4であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1000〜3000となる0または正の実数である請求項7に記載の磁気ディスク。
- nが3であり、x、y、zはそれぞれ、上記数平均分子量が1800〜2200となる0または正の実数である請求項7に記載の磁気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012512931A JP5771826B2 (ja) | 2010-04-26 | 2011-04-20 | シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010101122 | 2010-04-26 | ||
JP2010101122 | 2010-04-26 | ||
PCT/JP2011/060493 WO2011136379A1 (ja) | 2010-04-26 | 2011-04-20 | シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
JP2012512931A JP5771826B2 (ja) | 2010-04-26 | 2011-04-20 | シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011136379A1 JPWO2011136379A1 (ja) | 2013-07-22 |
JP5771826B2 true JP5771826B2 (ja) | 2015-09-02 |
Family
ID=44861671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012512931A Expired - Fee Related JP5771826B2 (ja) | 2010-04-26 | 2011-04-20 | シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8936859B2 (ja) |
EP (1) | EP2565198B1 (ja) |
JP (1) | JP5771826B2 (ja) |
WO (1) | WO2011136379A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9023922B2 (en) | 2012-05-24 | 2015-05-05 | Sabic Global Technologies B.V. | Flame retardant compositions, articles comprising the same and methods of manufacture thereof |
US9018286B2 (en) | 2012-05-24 | 2015-04-28 | Sabic Global Technologies B.V. | Flame retardant polycarbonate compositions, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
JP2014047190A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Moresco Corp | シクロホスファゼン化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク |
JP6142915B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-06-07 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素エーテル組成物、表面改質剤、界面活性剤、液状組成物、物品 |
JP2016514762A (ja) * | 2013-04-15 | 2016-05-23 | ソルベイ スペシャルティ ポリマーズ イタリー エス.ピー.エー. | 変性水素系潤滑剤 |
CN105452333B (zh) * | 2013-08-13 | 2017-08-08 | 旭硝子株式会社 | 含氟聚醚化合物、润滑剂、液状组合物以及物品 |
JP5975368B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2016-08-23 | 株式会社Moresco | フルオロポリエーテル化合物、およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
WO2015173374A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Solvay Specialty Polymers Italy S.P.A. | Aromatic compounds bearing hydroxyl-substituted (per)fluoropolyether chains |
JP2023553379A (ja) | 2020-12-07 | 2023-12-21 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核形成抑制被膜及び下地金属被膜を用いた導電性堆積層のパターニング |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014509677A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-04-21 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 潤滑性組成物 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6080486A (en) * | 1998-04-06 | 2000-06-27 | Seagate Technology, Inc. | Fluoropolyether topcoat lubricants |
JP4326097B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2009-09-02 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 磁気記録媒体および該磁気記録媒体の製造方法 |
US6730403B1 (en) | 1999-01-07 | 2004-05-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for manufacturing the same |
JP2002275484A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-25 | Matsumura Sekiyu Kenkyusho:Kk | ホスファゼン化合物を含有する潤滑剤 |
US7510999B2 (en) * | 2004-05-28 | 2009-03-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lubricant composition for magnetic recording media |
CN1989228A (zh) * | 2004-07-23 | 2007-06-27 | 株式会社松村石油研究所 | 记录介质用润滑剂及磁盘 |
JP2004352999A (ja) | 2004-09-17 | 2004-12-16 | Matsumura Sekiyu Kenkyusho:Kk | ホスファゼン化合物を含有する潤滑剤 |
JP2009542805A (ja) * | 2006-07-13 | 2009-12-03 | エージェンシー フォー サイエンス, テクノロジー アンド リサーチ | ホスファゼン化合物、このような化合物を有する潤滑剤および磁気記録媒体、調製方法、ならびに潤滑化方法 |
JP5358837B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-12-04 | 株式会社Moresco | パーフルオロポリエーテル化合物、およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク |
JP5544520B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-07-09 | 株式会社Moresco | 潤滑剤及び磁気ディスク |
JP5606710B2 (ja) | 2008-10-03 | 2014-10-15 | ショウワデンコウ エイチディ シンガポール ピーティイー リミテッド | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
-
2011
- 2011-04-20 WO PCT/JP2011/060493 patent/WO2011136379A1/ja active Application Filing
- 2011-04-20 EP EP20110775160 patent/EP2565198B1/en not_active Not-in-force
- 2011-04-20 US US13/641,508 patent/US8936859B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-04-20 JP JP2012512931A patent/JP5771826B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014509677A (ja) * | 2011-03-31 | 2014-04-21 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 潤滑性組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8936859B2 (en) | 2015-01-20 |
JPWO2011136379A1 (ja) | 2013-07-22 |
EP2565198A1 (en) | 2013-03-06 |
US20130034749A1 (en) | 2013-02-07 |
WO2011136379A1 (ja) | 2011-11-03 |
EP2565198B1 (en) | 2014-09-10 |
EP2565198A4 (en) | 2013-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5771826B2 (ja) | シクロホスファゼン化合物、及びこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5544520B2 (ja) | 潤滑剤及び磁気ディスク | |
JP5909837B2 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5613916B2 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、その製造方法、該化合物を含有する潤滑剤、および磁気ディスク | |
JP6040455B2 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5358837B2 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5816919B2 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5327855B2 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5034027B2 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
WO2011099131A1 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、その製造方法、該化合物を含有する潤滑剤、および磁気ディスク | |
US8668995B2 (en) | Fluoropolyether compound, lubricant and magnetic disk each containing the same | |
JP6198848B2 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
WO2015199037A1 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5382876B2 (ja) | パーフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP2002275484A (ja) | ホスファゼン化合物を含有する潤滑剤 | |
JP5975368B2 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、およびこれを用いた潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP5397963B2 (ja) | 潤滑膜並びに磁気ディスク及び磁気ヘッド | |
JP2014047190A (ja) | シクロホスファゼン化合物、これを含有する潤滑剤ならびに磁気ディスク | |
JP2004352999A (ja) | ホスファゼン化合物を含有する潤滑剤 | |
WO2020116620A1 (ja) | フルオロポリエーテル化合物、潤滑剤および磁気ディスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5771826 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |