WO2021131993A1

WO2021131993A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

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Publication number: WO2021131993A1
Application number: PCT/JP2020/047070
Authority: WO
Inventors: 直也福本; 加藤　剛; 室伏　克己; 大輔柳生; 俊也鈴木; 綾乃浅野
Original assignee: 昭和電工株式会社
Priority date: 2019-12-23
Filing date: 2020-12-17
Publication date: 2021-07-01
Also published as: CN114867707A; JPWO2021131993A1; US20230099918A1; US11820742B2; CN114867707B

Abstract

下記式で表される含フッ素エーテル化合物とする。Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ－ＣＨ２－Ｒ３－ＣＨ２－Ｒ４－Ｒ５（式中、Ｒ３は、パーフルオロポリエーテル鎖；Ｒ２およびＲ４は、極性基を有する２価の連結基；Ｒ１およびＲ５は、Ｒ２またはＲ４の有する酸素原子に結合された末端基；Ｒ１およびＲ５のうち少なくとも一方は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。）

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０１９年１２月２３日に、日本に出願された特願２０１９－２３２０４０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基、アミノ基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。
　例えば、特許文献１および特許文献２には、分子の中央部に存在する水酸基を有する脂肪族炭化水素鎖の両側に、パーフルオロポリエーテルがそれぞれ結合している化合物が開示されている。

　特許文献３には、パーフルオロポリエーテル鎖の両端に、極性基を有する２価の連結基を介して、芳香環を有する末端基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。
　特許文献４には、パーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、極性基を有する２価の連結基を介して、アルケニル基またはアルキニル基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。
　特許文献５には、パーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、極性基を有する２価の連結基を介して複素環を有する基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。

米国特許第９８０５７５５号明細書国際公開第２０１６／０８４７８１号特開２０１０－１４３８５５号公報国際公開第２０１８／１３９０５８号国際公開第２０１８／１３９１７４号

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の密着性が低下して、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含み、優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられ、優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。

　本発明は以下の第一の態様を含む。
［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　　（１）
（式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５は、Ｒ^２またはＲ^４の有する酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。）

　本発明の第一の態様の化合物は、以下の[２]～［１５］に述べる特徴を好ましく含む。これらの特徴は２つ以上を組み合わせることも好ましい。
［２］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれ炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数３～５のアルキニル基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれアリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基、プロパルギル基から選ばれるいずれかである［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が、芳香族複素環を含む基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［５］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれチオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかである［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［６］　前記極性基が水酸基である［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［７］　前記式（１）におけるＲ^２に含まれる水酸基と、Ｒ^４に含まれる水酸基との合計数が２～５である［６］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［８］　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、下記式（２）で表される連結基を１～３個含む［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－　（２）
［９］　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、下記式（２－１）で表される連結基である［８］に記載の含フッ素エーテル化合物。
－Ｏ－Ｘ－（Ｙ^１Ｘ）_ａ－Ｙ^２－　（２－１）
（式（２－１）中のａは０～２の整数を表す；Ｘは式（２）である；Ｙ^１は－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－から選ばれるいずれかを表す；Ｙ^２は－Ｏ－または－ＣＨ_２Ｏ－を表す。）
［１０］　前記式（２－１）におけるＹ^１およびＹ^２が－Ｏ－である［９］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１１］　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（３）～（５）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である［１］～［１０］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_b－（ＯＣＦ_２）_c－ＯＣＦ_２－　（３）
（式（３）中、ｂおよびｃは平均重合度を示し、ｂは１～２０を表し、ｃは０～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_d－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（４）
（式（４）中、ｄは平均重合度を示し、１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_e－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中、ｅは平均重合度を示し、１～１０を表す。）

［１２］　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^５が同じである［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［１３］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５の両方が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかであって、Ｒ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方が、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基から選ばれるいずれかである［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１４］　下記式（Ａ）～（Ｐ）で表されるいずれかの化合物である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ａ）中、ｍａ１、ｍａ２、ｎａ１、ｎａ２は平均重合度を示し、ｍａ１、ｍａ２は１～２０を表し、ｎａ１、ｎａ２は０～２０を表す。）
（式（Ｂ）中、ｍｂ１、ｍｂ２、ｎｂ１、ｎｂ２は平均重合度を示し、ｍｂ１、ｍｂ２は１～２０を表し、ｎｂ１、ｎｂ２は０～２０を表す。）
（式（Ｃ）中、ｍｃ１、ｍｃ２、ｎｃ１、ｎｃ２は平均重合度を示し、ｍｃ１、ｍｃ２は１～２０を表し、ｎｃ１、ｎｃ２は０～２０を表す。）
（式（Ｄ）中、ｍｄ１、ｍｄ２、ｎｄ１、ｎｄ２は平均重合度を示し、ｍｄ１、ｍｄ２は１～２０を表し、ｎｄ１、ｎｄ２は０～２０を表す。）

（式（Ｅ）中、ｍｅ１、ｍｅ２、ｎｅ１、ｎｅ２は平均重合度を示し、ｍｅ１、ｍｅ２は１～２０を表し、ｎｅ１、ｎｅ２は０～２０を表す。）
（式（Ｆ）中、ｍｆ１、ｍｆ２、ｎｆ１、ｎｆ２は平均重合度を示し、ｍｆ１、ｍｆ２は１～２０を表し、ｎｆ１、ｎｆ２は０～２０を表す。）
（式（Ｇ）中、ｍｇ１、ｍｇ２、ｎｇ１、ｎｇ２は平均重合度を示し、ｍｇ１、ｍｇ２は１～２０を表し、ｎｇ１、ｎｇ２は０～２０を表す。）
（式（Ｈ）中、ｍｈ１、ｍｈ２、ｎｈ１、ｎｈ２は平均重合度を示し、ｍｈ１、ｍｈ２は１～２０を表し、ｎｈ１、ｎｈ２は０～２０を表す。）

（式（Ｉ）中、ｍｉ１、ｍｉ２、ｎｉ１、ｎｉ２は平均重合度を示し、ｍｉ１、ｍｉ２は１～２０を表し、ｎｉ１、ｎｉ２は０～２０を表す。）
（式（Ｊ）中、ｍｊ１、ｍｊ２、ｎｊ１、ｎｊ２は平均重合度を示し、ｍｊ１、ｍｊ２は１～２０を表し、ｎｊ１、ｎｊ２は０～２０を表す。）
（式（Ｋ）中、ｍｋ１、ｍｋ２、ｎｋ１、ｎｋ２は平均重合度を示し、ｍｋ１、ｍｋ２は１～２０を表し、ｎｋ１、ｎｋ２は０～２０を表す。）
（式（Ｌ）中、ｍｌ１、ｍｌ２、ｎｌ１、ｎｌ２は平均重合度を示し、ｍｌ１、ｍｌ２は１～２０を表し、ｎｌ１、ｎｌ２は０～２０を表す。）

（式（Ｍ）中、ｍｍ１、ｍｍ２、ｎｍ１、ｎｍ２は平均重合度を示し、ｍｍ１、ｍｍ２は１～２０を表し、ｎｍ１、ｎｍ２は０～２０を表す。）
（式（Ｎ）中、ｍｎ１、ｍｎ２、ｎｎ１、ｎｎ２は平均重合度を示し、ｍｎ１、ｍｎ２は１～２０を表し、ｎｎ１、ｎｎ２は０～２０を表す。）
（式（Ｏ）中、ｐｏ１、ｐｏ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～２０を表す。）
（式（Ｐ）中、ｑｐ１、ｑｐ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～１０を表す。）

［１５］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［１４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

　本発明の第二の態様は、以下の潤滑剤である。
［１６］　［１］～［１５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体である。
［１７］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［１５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　上記磁気記録媒体は、以下に述べる特徴を好ましく含む。
［１８］　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである［１７］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むことにより、優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層が設けられているため、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の好ましい一実施形態を示した概略断面図である。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、潤滑剤および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。
　なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、例えば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、種類、組成、位置、量、比率、材料、構成などについて、付加、省略、置換、変更などが可能である。
　従来、保護層の表面に塗布される磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）の材料として、鎖状構造の末端に水酸基などの極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、好ましく用いられている。含フッ素エーテル化合物中の極性基は、保護層上の活性点と結合して、潤滑層の保護層に対する付着性（密着性）を向上させる。このことから、潤滑剤の材料として、鎖状構造の末端だけでなく、鎖状構造中にも極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、特に好ましく用いられている。

　しかしながら、従来の潤滑剤を用いて保護層上に厚みの薄い潤滑層を形成した場合、以下に示すように、優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を実現することは困難であった。
　すなわち、潤滑剤の保護層に対する付着性（潤滑層の密着性）が不足していると、保護層上に塗布された潤滑剤の状態が嵩高いものとなる。このため、保護層に対する潤滑層の被覆状態が不均一になりやすい。潤滑層の被覆状態が不均一であると、潤滑層の化学物質耐性および耐摩耗性が不十分となる。したがって、潤滑層の密着性が不十分である場合、膜厚を厚くして、保護層に対する潤滑層の被覆状態を均一にしないと、十分な化学物質耐性および耐摩耗性が得られない。

　保護層に対する潤滑剤の付着性（潤滑層の密着性）を向上させる方法としては、潤滑剤の材料として、鎖状構造の最末端の炭素原子と、最末端の炭素原子に結合した炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している含フッ素エーテル化合物を用いることが考えられる。
　しかし、このような含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層では、保護層との密着性が強すぎることにより潤滑性が損なわれ、耐摩耗性が不足する場合があった。

　潤滑剤の保護層に対する密着性は、例えば、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布した後に必要に応じて行われる熱処理において、熱処理温度を変化させることによって調整できる。具体的には、潤滑剤の保護層に対する密着性は、上記熱処理温度を高くすると強くなり、上記熱処理温度を低くすると弱くなる。
　したがって、潤滑剤の保護層に対する密着性が強すぎる場合には、上記熱処理温度を低くする方法などを用いて潤滑層と保護層との密着性を弱め、潤滑層と保護層との密着性を適正な強さにすることで、潤滑層の耐摩耗性を改善できる。

　しかしながら、鎖状構造の最末端の炭素原子と、最末端の炭素原子に結合した炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層において、上記の方法などを用いて保護層との密着性を弱くすると、潤滑層の化学物質耐性が悪化する。これは、含フッ素エーテル化合物中の極性基のうち、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の割合が多くなるためであると推定される。すなわち、保護層上の活性点との結合に関与していない含フッ素エーテル化合物中の極性基が、汚染物質を生成させる環境物質を潤滑層に誘引し、潤滑層の化学物質耐性を悪化させるものと推定される。

　そこで、本発明者は、含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基と、保護層上の活性点との結合に着目し、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が生じにくく、保護層に対する被覆状態が均一で良好な密着性を有し、化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物を実現すべく、鋭意検討を重ねた。
　その結果、鎖状構造の中央にグリセリン構造を配置し、その両側に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介してパーフルオロポリエーテル鎖と、メチレン基と、極性基を有する２価の連結基と、末端基とがこの順にそれぞれ結合され、少なくとも一方の末端基が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

　このような含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端基に不飽和結合が含まれる。少なくとも一方の末端基に含まれる不飽和結合のπ結合は、保護膜と相互作用を形成して吸着する。このことにより、グリセリン構造の有する水酸基、および２価の連結基の有する極性基と、保護膜との相互作用が促進される。そして、グリセリン構造の有する水酸基、および２価の連結基の有する極性基と、保護層上に多数存在する官能基（活性点）とが結合する。その結果、上記含フッ素エーテル化合物では、保護層に対して良好な密着性を有する潤滑層を形成できるものと推定される。

　しかも、このような含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端基が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。このため、鎖状構造の最末端の炭素原子と、最末端の炭素原子に結合した炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している含フッ素エーテル化合物と比較して、保護層との相互作用（親和性）が弱い。したがって、上記含フッ素エーテル化合物からなる潤滑層は、保護層との密着性が強すぎることによる耐摩耗性の不足が生じにくい。

　また、上記の含フッ素エーテル化合物では、鎖状構造の中央に配置されたグリセリン構造と、２つの２価の連結基との間に、それぞれパーフルオロポリエーテル鎖が配置されている。このため、グリセリン構造の有する水酸基（－ＯＨ）と、２価の連結基の有する極性基との距離が適正である。しかも、少なくとも一方の末端基が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。これらのことから、グリセリン構造の有する水酸基、および２価の連結基の有する極性基は、保護層上の活性点との結合を、隣接する極性基によって阻害されにくい。したがって、グリセリン構造の有する水酸基、および２価の連結基の有する極性基は、いずれも保護層上の活性点との結合に関与しやすく、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基となりにくい。よって、上記含フッ素エーテル化合物では、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の数を抑制でき、化学物質耐性の悪化およびピックアップの発生を抑制できる。

　また、上記の含フッ素エーテル化合物では、グリセリン構造の有する水酸基と、２価の連結基の有する極性基との距離が適正であるため、グリセリン構造の有する水酸基が、２価の連結基の有する極性基と凝集しにくい。しかも、各パーフルオロポリエーテル鎖の両端部がそれぞれ、グリセリン構造の有する水酸基と、２価の連結基の有する極性基とによって保護層に密着される。このため、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくく、含フッ素エーテル化合物が保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有する潤滑層が得られやすい。よって、上記の含フッ素エーテル化合物は、化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できる。

　さらに、本発明者は、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できることを確認し、本発明を想到した。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　　（１）
（式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５は、Ｒ^２またはＲ^４の有する酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。）

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で示されるように、鎖状構造の中央にグリセリン構造が配置され、その両側に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介してＲ^３で示されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）と、メチレン基と、Ｒ^２およびＲ^４で示される極性基を有する２価の連結基と、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基とがこの順にそれぞれ結合された構造を有する。式（１）において、Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方の末端基は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。

（グリセリン構造）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、鎖状構造の中央に配置されたグリセリン構造（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）の水酸基（－ＯＨ）は、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させ、厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成する。
　また、グリセリン構造の両端部に配置された酸素原子は、その両側に配置されるメチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。この２つのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、グリセリン構造の有する水酸基と保護層との親和性を増大させる。

（Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。ＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。
　ＰＦＰＥ鎖としては、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体からなるものなどが挙げられる。パーフルオロアルキレンオキシドとしては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド、パーフルオロエチレンオキシド、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド、パーフルオロブチレンオキシドなどが挙げられる。

　具体的には、式（１）におけるＲ^３は、下記式（３）～（５）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であることが好ましい。Ｒ^３が式（３）～（５）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。Ｒ^３が式（３）～（５）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、ＰＦＰＥ鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。式（１）におけるＲ^３は、適度な柔軟性を有することにより、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるため、特に式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。

－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_b－（ＯＣＦ_２）_c－ＯＣＦ_２－　（３）
（式（３）中、ｂおよびｃは平均重合度を示し、ｂは１～２０を表し、ｃは０～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_d－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（４）
（式（４）中、ｄは平均重合度を示し、１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_e－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中、ｅは平均重合度を示し、１～１０を表す。）

　式（３）において、繰り返し単位である（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）との配列順序に、特に制限はない。式（３）において、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の数ｂと（ＯＣＦ_２）の数ｃは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の重合体であってもよい。また、式（３）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかであってもよい。

　式（４）～（５）においては、平均重合度を示すｄが１～２０であり、ｅが１～１０である（または式（３）においては、ｂが１～２０であって、ｃが０～２０である）ので、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（３）～（５）においては、平均重合度を示すｂ、ｃ、ｄが２０以下であり、ｅが１０以下であるので、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｂ、ｃ、ｄ、ｅは、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、２～１０であることが好ましく、３～７であることがより好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖は、同じであってもよいし、異なっていても良い。

（Ｒ^２およびＲ^４で示される極性基を有する２価の連結基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を有する２価の連結基である。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^２およびＲ^４が極性基を有するため、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。Ｒ^２およびＲ^４を構成する極性基を有する２価の連結基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

　Ｒ^２およびＲ^４で示される極性基を有する２価の連結基の有する極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、アルデヒド基（－ＣＯＨ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルフォン酸基（－ＳＯ_３Ｈ）などが挙げられる。これらの中でも特に、極性基が水酸基であることが好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。したがって、Ｒ^２および／またはＲ^４の有する極性基が水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、保護層との付着性（密着性）が高いものとなる。

　Ｒ^２および／またはＲ^４の有する極性基が水酸基を含む場合、式（１）におけるＲ^２に含まれる水酸基とＲ^４に含まれる水酸基との合計数は、２～６であることが好ましく、２～５であることがより好ましく、３～４であることがさらに好ましい。上記の水酸基の合計数が２以上であると、Ｒ^２およびＲ^４の有する水酸基と保護層との相互作用が、より効果的に得られる。その結果、より一層、保護層との付着性（密着性）が高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。また、上記の水酸基の合計数が６以下であると、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない極性基が、汚染物質を生成させる環境物質を潤滑層に誘引することを防止できるため、ピックアップが抑制される。

　Ｒ^２および／またはＲ^４は、下記式（２）で表される連結基を１～３個含むことが好ましく、Ｒ^２およびＲ^４が下記式（２）で表される連結基を１～３個含むことがより好ましい。
－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－　（２）

　式（２）で表される連結基は、極性基の中でも特に保護層との相互作用が大きい基である、水酸基を有する連結基である。また、式（２）で表される連結基では、水酸基の結合している炭素原子の両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）が配置されている。このため、Ｒ^２および／またはＲ^４が式（２）で表される連結基を１～３個含む場合、以下に示す理由により、保護層との付着性（密着性）がより一層高い潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。

　すなわち、式（２）で表される連結基の水酸基の結合している炭素原子と、Ｒ^１またはＲ^５との間には、メチレン基とＲ^２またはＲ^４の有する酸素原子（－Ｏ－）とが少なくとも配置される。このため、式（２）で表される連結基に含まれる水酸基と、Ｒ^１および／またはＲ^５の有する炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかとの距離が適正となる。よって、式（２）で表される連結基の有する水酸基と、Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基とが、それぞれ独立して保護層との良好な相互作用を示し、それぞれ独立して保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合されやすいものとなる。

　また、式（２）で表される連結基では、水酸基の結合している炭素原子の両側にメチレン基が配置されているため、Ｒ^２および／またはＲ^４が式（２）で表される連結基を２～３個含む場合に、式（２）で表される連結基に含まれる水酸基同士の距離が適正となる。その結果、式（２）で表される連結基に含まれる水酸基の数が複数であっても、式（２）で表される連結基に含まれる水酸基が、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとなる。

　また、Ｒ^２および／またはＲ^４が式（２）で表される連結基を１～３個含む場合、Ｒ^２および／またはＲ^４が水酸基を１～３個含むものとなる。このため、Ｒ^２および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数が適正となりやすく、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、ピックアップが発生することを防止できる。

　式（２）で表される連結基の数は、より一層保護層との密着性が良好な潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となるため、式（１）におけるＲ^２に含まれる水酸基とＲ^４に含まれる水酸基との合計数が、２～５となるように調節されることが好ましく、３～４となるように調節されることがより好ましい。

　Ｒ^２および／またはＲ^４は、下記式（２－１）で表される連結基であることが好ましく、Ｒ^２およびＲ^４が下記式（２－１）で表される連結基であることがより好ましい。式（２－１）中、左側の酸素原子が、Ｒ^１またはＲ^５に結合される酸素原子である。
－Ｏ－Ｘ－（Ｙ^１Ｘ）_ａ－Ｙ^２－　　（２－１）
（式（２－１）中のａは０～２の整数を表す；Ｘは式（２）である；Ｙ^１は－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－から選ばれるいずれかを表す；Ｙ^２は－Ｏ－または－ＣＨ_２Ｏ－を表す。）

　Ｒ^２および／またはＲ^４が、式（２－１）で表される連結基である場合、合成が容易な含フッ素エーテル化合物となるため、好ましい。

　式（２－１）で表される連結基において、式（２－１）中のａは０～２の整数である。式（２－１）で示される連結基におけるａが０以上であるので、Ｒ^２および／またはＲ^４が式（２－１）で示される連結基である場合、極性基として特に保護層との相互作用が大きい水酸基を１以上含むものとなる。その結果、より一層保護層との密着性が良好な潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（２－１）で示される連結基は、式（２－１）中におけるａが２以下であるので、式（２－１）で示される連結基中の水酸基が多いことにより含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、これを含む潤滑剤が異物（スメア）として付着するピックアップが発生することを防止できる。

　また、式（２－１）で表される連結基では、式（２－１）中のａが１または２である場合、式（２－１）で表される連結基に含まれる水酸基同士の距離が適正となる。その結果、Ｒ^２および／またはＲ^４に含まれる水酸基の数が複数であっても、Ｒ^２および／またはＲ^４に含まれる水酸基が、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとなる。

　式（２－１）で表される連結基において、式（２－１）中のＸは式（２）であり、Ｙ^１は－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－から選ばれるいずれかを表し、Ｙ^２は－Ｏ－または－ＣＨ_２Ｏ－を表す。Ｙ^１とＹ^２は同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
　Ｒ^２および／またはＲ^４が式（２－１）で表される連結基である場合、Ｒ^２とＲ^１、および／またはＲ^４とＲ^５とがエーテル結合しているとともに、Ｒ^２とＲ^３との間、および／またはＲ^４とＲ^３との間にエーテル結合が配置されたものとなる。その結果、適度な柔軟性を有する含フッ素エーテル化合物となり、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できるものとなる。

　式（２－１）で表される連結基において、Ｙ^１はエーテル結合（－Ｏ－）、またはエーテル結合を含む基であることが好ましく、Ｙ^１およびＹ^２が－Ｏ－であることがより好ましい。この場合、Ｙ^１がＣＨ_２である場合と比較して、適度な柔軟性を有する含フッ素エーテル化合物となる。このため、式（２－１）で表される連結基に含まれる水酸基と保護層との相互作用が強くなる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２とＲ^４とは、同じであってもよいし、異なっていても良い。

（Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５は、Ｒ^２またはＲ^４の有する酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基のうち、少なくとも一方は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかからなる末端基の有する不飽和結合のπ結合は、保護層と適度な相互作用を示す。このため、上記末端基は、潤滑層と保護層との密着性を向上させて、化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成する機能を有する。
　特に、芳香族複素環を含む基からなる末端基は、芳香族複素環の有する不飽和結合のπ結合およびヘテロ原子が、保護層と相互作用を形成することにより強固に吸着する。したがって、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１および／またはＲ^５を構成する炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基の種類は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としてのアルケニル基は、炭素原子数が２～８であるので、末端基が立体障害となることがない。したがって、Ｒ^１および／またはＲ^５が炭素原子数２～８のアルケニル基である含フッ素エーテル化合物は、保護層と良好な親和性を示すものとなる。
　炭素原子数２～８のアルケニル基としては、特に限定されるものではなく、例えば、ビニル基、アリル基、クロチル基、ブテニル基、ベータメタリル基、メチルブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基等が挙げられる。これらの中でも、磁気記録媒体の保護層との良好な親和性を示す点から、炭素原子数２～５のアルケニル基であるビニル基、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基が好ましく、特にアリル基が好ましい。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としてのアルケニル基が、炭素原子数３以上のアルケニル基である場合、含フッ素エーテル化合物の最末端に二重結合が配置されていることが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物の最末端でない位置に二重結合が配置されている場合と比較して、Ｒ^１および／またはＲ^５であるアルケニル基と、保護層との相互作用が得られやすくなる。その結果、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との親和性がより良好となる。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としてのアルキニル基は、炭素原子数が３～８であるので、末端基が立体障害となることがない。したがって、Ｒ^１および／またはＲ^５が炭素原子数３～８のアルキニル基である含フッ素エーテル化合物は、保護層と良好な親和性を示すものとなる。
　炭素原子数３～８のアルキニル基としては、特に限定されるものではなく、例えば、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、メチルヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基等が挙げられる。これらの中でも、磁気記録媒体の保護層との良好な親和性を示す点から、炭素原子数３～５のアルキニル基である１－プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、ペンチニル基が好ましく、特にプロパルギル基が好ましい。また、アルキニル基は、ビニルペンチニル基のように分子中にアルケニル基を含む形態であってもよい。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としてのアルキニル基が、炭素原子数３以上のアルキニル基である場合、含フッ素エーテル化合物の最末端に三重結合が配置されていることが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物の最末端でない位置に三重結合が配置されている場合と比較して、Ｒ^１および／またはＲ^５であるアルキニル基と、保護層との相互作用が得られやすくなる。その結果、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との親和性がより良好となる。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としての芳香族炭化水素を含む基としては、例えば、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基などが挙げられる。
　これらの芳香族炭化水素を含む基は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基などの置換基を有していても良い。置換基としては、水酸基の数が多すぎることによって潤滑層の耐摩耗性が損なわれることを防止するため、水酸基を含まないことが好ましい。

　上記の芳香族炭化水素を含む基の中でも、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基から選ばれるいずれかであることが好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^５が、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基から選ばれるいずれかである場合、保護層との親和性が高く、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　Ｒ^１および／またはＲ^５で示される末端基としての芳香族複素環を含む基としては、例えば、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、メチルチアゾールエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基などが挙げられる。
　これらの芳香族複素環を含む基は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基などの置換基を有していても良い。置換基としては、水酸基の数が多すぎることによって潤滑層の耐摩耗性が損なわれることを防止するため、水酸基を含まないことが好ましい。

　上記の芳香族複素環を含む基の中でも、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかであることが好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^５が、チオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかであると、保護層との親和性が高く、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基の両方が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである場合、Ｒ^１とＲ^５とは、同じであってもよいし、異なっていても良い。
　Ｒ^１とＲ^５が同じである場合、両端部の構造が同じとなるため、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有する潤滑層が得られやすく、好ましい。

　また、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基の両方が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかであって、Ｒ^１とＲ^５とが異なる場合、保護層と良好な親和性を示す含フッ素エーテル化合物となるため、Ｒ^１およびＲ^５のうち一方が、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基から選ばれるいずれかであることが好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基のうち一方（例えば、Ｒ^１）のみが、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである場合、他方の末端基（例えば、Ｒ^５）は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基を除く如何なる基であってもよく、特に限定されない。
　この場合の他方の末端基（例えば、Ｒ^５）は、水酸基の数が多すぎることによって潤滑層の耐摩耗性が損なわれることを防止するため、水酸基を含まないことが好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、Ｒ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^２とＲ^４も同じで、Ｒ^１とＲ^５も同じである場合、容易に効率よく製造できるため、好ましい。また、このような含フッ素エーテル化合物は、グリセリン構造を中心とした対称構造であるため、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有する潤滑層が得られやすく、好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｐ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）～（Ｐ）中のｍａ１～ｍｎ１、ｍａ２～ｍｎ２、ｎａ１～ｎｎ１、ｎａ２～ｎｎ２、ｐｏ１、ｐｏ２、ｑｐ１、ｑｐ２は、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。
　式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｐ）で表されるいずれかの化合物である場合、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても優れた密着性を有し、より一層優れた化学物質耐性および耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため好ましい。

　下記式（Ａ）～（Ｐ）で表される化合物は、いずれも式（１）においてＲ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである。下記式（Ａ）～（Ｐ）で表される化合物は、いずれもＲ^２およびＲ^４が上記式（２－１）で表される連結基であり、上記式（２－１）におけるＹ^２が－Ｏ－である。

　下記式（Ａ）～（Ｄ）で表される化合物は、いずれもＲ^１およびＲ^５がアリル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。
　式（Ａ）～（Ｃ）で表される化合物は、いずれもＲ^２の上記式（２－１）におけるａが０である。式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが０であり、式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－であり、式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが２、Ｙ^１が－Ｏ－である。
　式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－である。

　下記式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５が３－ブテニル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－ＯＣＨ_２－である。
　下記式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５が４－ペンテニル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－である。

　下記式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５がプロパルギル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－である。
　下記式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５がチエニルエチル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。

　下記式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５がメチルピラゾリルメチル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。
　下記式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^５がメチルチアゾールエチル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。

　下記式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１がアリル基であり、Ｒ^５が３－ブテニル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^２の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－であり、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－ＯＣＨ_２－である。
　下記式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１がアリル基であり、Ｒ^５がフェニル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^２の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－であり、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。

　下記式（Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１がアリル基であり、Ｒ^５がチエニルエチル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^２の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－であり、Ｒ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。
　下記式（Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１がフェニル基であり、Ｒ^５がチエニルエチル基であり、Ｒ^３が式（３）で表される。式（Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが０である。

　下記式（Ｏ）、（Ｐ）で表される化合物は、いずれもＲ^１およびＲ^５がアリル基であり、Ｒ^２およびＲ^４の上記式（２－１）におけるａが１、Ｙ^１が－Ｏ－である。式（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^３が式（４）で表される。式（Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^３が式（５）で表される。

（式（Ｍ）中、ｍｍ１、ｍｍ２、ｎｍ１、ｎｍ２は平均重合度を示し、ｍｍ１、ｍｍ２は１～２０を表し、ｎｍ１、ｎｍ２は０～２０を表す。）
（式（Ｎ）中、ｍｎ１、ｍｎ２、ｎｎ１、ｎｎ２は平均重合度を示し、ｍｎ１、ｍｎ２は１～２０を表し、ｎｎ１、ｎｎ２は０～２０を表す。）
（式（Ｏ）中、ｐｏ１、ｐｏ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～２０を表す。）
（式（Ｐ）中、ｑｐ１、ｑｐ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～１０を表す。）
　式（Ａ）～（Ｐ）において、ｍａ１～ｍｎ１、ｍａ２～ｍｎ２、ｎａ１～ｎｎ１、ｎａ２～ｎｎ２、ｐｏ１、ｐｏ２、ｑｐ１、ｑｐ２は、それぞれ上述された上記各範囲内の中から、任意に選択される範囲を有してよい。例えば、ｍａ１～ｍｎ１、ｍａ２～ｍｎ２、ｐｏ１、ｐｏ２は、１～１５や、１～１０や、１～８や、１～５や、２～３などであってもよい。ｎａ１～ｎｎ１、ｎａ２～ｎｎ２は、０～１５や、０～１０や、０～８や、０～５や、１～６や、２～３などであってもよい。ｑｐ１、ｑｐ２は、１～８や、１～５や、２～３などであってもよい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、１０００～５０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、５０００以下であることが好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって、具体的にはブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって、測定された値である。より具体的には、^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求める。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定においては、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈して測定する。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとする。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
　本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法などによる分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

（Ｒ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^５－Ｒ^４－とが同じである場合）
　式（１）においてＲ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^５－Ｒ^４－とが同じ（すなわち、Ｒ^１とＲ^５とが同じでＲ^２とＲ^４とが同じ）である化合物を製造するには、まず、式（１）におけるＲ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。

　次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^５－Ｒ^４－となる基）を有するエポキシ化合物のエポキシ基とを反応させる。このことにより、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物が得られる。

　式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^５－Ｒ^４－となる基）を有するエポキシ化合物としては、例えば、下記式（６ａ）～（６ｃ）、（７ａ）～（７ｂ－２）、（８ａ）、（８ｂ）、（９ａ）、（９ｂ）、（１０ａ）、（１１ａ）、（１２ａ）で表される化合物などを用いることができる。
　上記フッ素系化合物と上記エポキシ化合物とを反応させて、上記中間体化合物を合成する場合、上記エポキシ化合物の有する水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^５－Ｒ^４－となる基）を有するエポキシ化合物は、例えば、下記式（１３）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、エピブロモヒドリンとを反応させる方法を用いて製造できる。

　また、上記エポキシ化合物は、例えば、下記式（１４）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、アリルグリシジルエーテルとを付加反応した後、付加反応により得られた化合物を酸化する方法を用いて製造してもよい。
　また、上記エポキシ化合物は、例えば、下記式（１５）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、グリセリンジグリシジルエーテルとを反応させる方法を用いて製造してもよい。
　上記エポキシ化合物は、市販品を購入して使用してもよい。

　その後、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物と、エピブロモヒドリンとを反応させる。
　以上の工程を行うことにより、鎖状構造の中央にグリセリン構造を有し、式（１）においてＲ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^５－Ｒ^４－とが同じである化合物が得られる。

（Ｒ^１とＲ^５、Ｒ^２とＲ^４、Ｒ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖のうちいずれか１つ以上が異なる場合）
　この場合にも、上述した式（１）においてＲ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^５－Ｒ^４－とが同じである化合物を製造する場合と同様にして、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物を製造する。

　次に、一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物と、エピブロモヒドリンとを反応させて、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有し、他方の末端にエポキシ基を有する第１中間体化合物を製造する。

　次に、一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物と同様にして、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^５－Ｒ^４－に対応する基を有する第２中間体化合物を製造する。
　その後、第１中間体化合物と第２中間体化合物とを反応させる。
　以上の工程を行うことにより、鎖状構造の中央にグリセリン構造を有し、式（１）においてＲ^１とＲ^５、Ｒ^２とＲ^４、Ｒ^３で示される２つのＰＦＰＥ鎖のうちいずれか１つ以上が異なる化合物を製造できる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であり、鎖状構造の中央にグリセリン構造が配置され、その両側に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介してＲ^３で示されるＰＦＰＥ鎖と、メチレン基と、Ｒ^２およびＲ^４で示される極性基を有する２価の連結基と、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基とがこの順にそれぞれ結合され、Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方の末端基は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層は、厚みが薄くても保護層に対して優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好なものとなる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。　本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。上限は任意に選択でき、例えば、９９質量％以下や、９５質量％以下や、９０質量％以下や、８０質量％以下であってもよい。

　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、膜厚を薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金等の金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂等の非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

　ガラス基板は剛性があり、平滑性に優れるため、高記録密度化に好適である。ガラス基板としては、例えば、アルミノシリケートガラス基板が挙げられ、特に化学強化されたアルミノシリケートガラス基板が好適である。
　基板１１の主表面の粗さは、Ｒｍａｘが６ｎｍ以下、Ｒａが０．６ｎｍ以下の超平滑であることが好ましい。なお、ここでいう表面粗さＲｍａｘ、Ｒａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１の規定に基づくものである。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金等が挙げられる。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂのいずれかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層等が挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも１層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。これらの中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。これらの中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、ＲｕおよびＲｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、ＲｅおよびＭｎからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＺｒおよびＢからなる群から選択される少なくとも１種の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．２ｎｍ（１２Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００℃～１８０℃とすることが好ましく、１００℃～１６０℃とすることがより好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、熱処理温度に応じて適宜調整でき、１０分～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、優れた密着性を有し、かつ良好な化学物質耐性および耐摩耗性を有する。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、特にシリコンコンタミネーションの抑制、耐久性に優れる。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気ヘッド浮上量が低く（例えば、１０ｎｍ以下）、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（Ｌｏａｄ　Ｕｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物を得た。
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、上記式（６ａ）で表されるアリルグリシジルエーテル２．２８ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．９０ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（１６）で示される化合物８．８４ｇを得た。

（式（１６）中、平均重合度を示すｍは４．５を表し、平均重合度を示すｎは４．５を表す。）

　次に、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（１６）で示される化合物５．００ｇと、エピブロモヒドリン０．３１ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．６０ｇ加え、７０℃で２３時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）５ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を食塩水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ａ）（式（Ａ）中、平均重合度を示すｍａ１、ｍａ２、ｎａ１、ｎａ２は４．５である。）を４．１７ｇ得た。

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（１７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物を得た。
　上記式（１６）で示される化合物と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより、中間体として下記式（１７）で示される化合物を得た。

（式（１７）中、平均重合度を示すｍは４．５を表し、平均重合度を示すｎは４．５を表す。）

　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、下記式（６ｂａ）で表される化合物５．４５ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．９０ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

（式（６ｂａ）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　なお、式（６ｂａ）で表される化合物は、以下に示す方法を用いて合成した。グリセリンジアリルエーテルの２級水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護し、二重結合を酸化することにより、式（６ｂａ）で表されるアリル基を有するエポキシ化合物を得た。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（１８）で示される化合物１６．５ｇを得た。

（式（１８）中、平均重合度を示すｍは４．５を表し、平均重合度を示すｎは４．５を表す。ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　次に、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記式（１７）で表される化合物１０．０ｇと、上記式（１８）で表される化合物１０．２ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．３６ｇ加え、７０℃で２２時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）２０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。反応液を食塩水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｂ）（式（Ｂ）中、平均重合度を示すｍｂ１、ｍｂ２、ｎｂ１、ｎｂ２は４．５である。）を１４．４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２２Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物を得た。
　式（６ｂａ）で表される化合物の代わりに、下記式（６ｃａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）（式（Ｃ）中、平均重合度を示すｍｃ１、ｍｃ２、ｎｃ１、ｎｃ２は４．５である。）を８．５ｇ得た。

（式（６ｃａ）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　なお、式（６ｃａ）で示される化合物は、グリセリンジグリシジルエーテルの２級水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護した後、アリルアルコールのモノ付加反応を行うことにより合成した。

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物を得た。
　式（１７）で示される化合物の代わりに、エピブロモヒドリンを用いたこと以外は実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｍｄ１、ｍｄ２、ｎｄ１、ｎｄ２は４．５である。）を５．８ｇ得た。

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、下記式（７ｂ－２ａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）（式（Ｅ）中、平均重合度を示すｍｅ１、ｍｅ２、ｎｅ１、ｎｅ２は４．５である。）を６．１ｇ得た。

（式（７ｂ－２ａ）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　なお、式（７ｂ－２ａ）で示される化合物は、以下に示す方法を用いて合成した。エピブロモヒドリンに３－ブテン－１－オールを２分子付加することにより、２つのブテニル基と水酸基とを有する化合物を合成した。そして、合成した２つのブテニル基と水酸基とを有する化合物の２級水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護し、ブテニル基をモノ酸化することにより、式（７ｂ－２ａ）で表されるブテニル基を有するエポキシ化合物を得た。

　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６０～１．８０（４Ｈ）、２．４０（４Ｈ）、３．４０～４．２０（３７Ｈ）、５．１０～５．３０（４Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、下記式（８ｂａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）（式（Ｆ）中、平均重合度を示すｍｆ１、ｍｆ２、ｎｆ１、ｎｆ２は４．５である。）を５．９ｇ得た。

（式（８ｂａ）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　なお、式（８ｂａ）で示される化合物は、以下に示す方法を用いて合成した。４－ペンテン－１－オールとエピブロモヒドリンとを１分子ずつ反応させて化合物を合成し、得られた化合物を加水分解した。得られた加水分解物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護し、２級水酸基を、ジヒドロピランを用いてテトラヒドロピラニル基で保護した。得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を脱保護し、生成した１級水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させて式（８ｂａ）で表されるペンテニル基を有するエポキシ化合物を得た。

　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０～１．４０（４Ｈ）、２．４０（４Ｈ）、３．４０～４．２０（３７Ｈ）、５．１０～５．３０（４Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、下記式（９ｂａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）（式（Ｇ）中、平均重合度を示すｍｇ１、ｍｇ２、ｎｇ１、ｎｇ２は４．５である。）を５．５ｇ得た。

（式（９ｂａ）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を示す。）

　なお、式（９ｂａ）で示される化合物は、以下に示す方法を用いて合成した。２－プロピン－１－オールとエピブロモヒドリンとを１分子ずつ反応させて化合物を合成し、得られた化合物を加水分解した。得られた加水分解物の１級水酸基をｔ－ブチルジメチルシリル基で保護し、２級水酸基を、ジヒドロピランを用いてテトラヒドロピラニル基で保護した。得られた化合物からｔ－ブチルジメチルシリル基を脱保護し、生成した１級水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させて式（９ｂａ）で表されるプロパルギル基を有するエポキシ化合物を得た。

　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．４５（２Ｈ）、３．４０～４．２０（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例８］
　以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、式（１０ａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）（式（Ｈ）中、平均重合度を示すｍｈ１、ｍｈ２、ｎｈ１、ｎｈ２は４．５である。）を６．２ｇ得た。

　なお、式（１０ａ）で示される化合物は、２－チオフェンエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて合成した。

　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．１０～３．１５（４Ｈ）、３．４０～４．２０（２７Ｈ）、６．８０～６．８５（４Ｈ）、７．０５～７．１０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例９］
　以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、式（１１ａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）（式（Ｉ）中、平均重合度を示すｍｉ１、ｍｉ２、ｎｉ１、ｎｉ２は４．５である。）を６．３ｇ得た。

　なお、式（１１ａ）で示される化合物は、１－メチルピラゾール－５－メタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて合成した。

　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．００（６Ｈ)、３．４０～４．６０（２７Ｈ）、６．６０（２Ｈ）、７．３０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１０］
　以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに、式（１２ａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）（式（Ｊ）中、平均重合度を示すｍｊ１、ｍｊ２、ｎｊ１、ｎｊ２は４．５である。）を６．３ｇ得た。

　なお、式（１２ａ）で示される化合物は、メチルチアゾールエタノールとエピブロモヒドリンとを反応させて合成した。

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．３５～２．４０（６Ｈ）、３．００～３．１０（４Ｈ)、３．４０～４．６０（２７Ｈ）、８．４５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１１］
　以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物を得た。
　式（１６）で示される化合物の代わりに式（１８）で示される化合物を用いて、式（１７）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１７）で示される化合物の代わりに用いたことと、式（６ｂａ）で示される化合物の代わりに式（７ｂ－２ａ）で示される化合物を用いて、式（１８）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１８）で示される化合物の代わりに用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｋ）（式（Ｋ）中、平均重合度を示すｍｋ１、ｍｋ２、ｎｋ１、ｎｋ２は４．５である。）を５．８ｇ得た。

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６０～１．８０（２Ｈ）、２．４０（２Ｈ）、３．４０～４．２０（３７Ｈ）、５．１０～５．３０（４Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物を得た。
　式（１６）で示される化合物の代わりに式（１８）で示される化合物を用いて、式（１７）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１７）で示される化合物の代わりに用いたことと、式（６ｂａ）で示される化合物の代わりに下記式（１９）で示される化合物を用いて、式（１８）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１８）で示される化合物の代わりに用いたこと以外は実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｌ）（式（Ｌ）中、平均重合度を示すｍｌ１、ｍｌ２、ｎｌ１、ｎｌ２は４．５である。）を６．１ｇ得た。

　なお、式（１９）で表される化合物は、フェノールにエピブロモヒドリンを付加反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～４．６０（３０Ｈ）、５．１０～５．１５（１Ｈ）、５．２５～５．３０（１Ｈ）、５．８５～５．９５（１Ｈ）、６．９０（５Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｍ）で表される化合物を得た。
　式（１６）で示される化合物の代わりに式（１８）で示される化合物を用いて、式（１７）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１７）で示される化合物の代わりに用いたことと、式（６ｂａ）で示される化合物の代わりに式（１０ａ）で示される化合物を用いて、式（１８）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１８）で示される化合物の代わりに用いたこと以外は実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）（式（Ｍ）中、平均重合度を示すｍｍ１、ｍｍ２、ｎｍ１、ｎｍ２は４．５である。）を７．１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．１０～３．１５（２Ｈ）、３．４０～４．６０（３２Ｈ）、５．１０～５．１５（１Ｈ）、５．２５～５．３０（１Ｈ）、５．８５～５．９５（１Ｈ）、６．８０～６．８５（２Ｈ）、７．０５～７．１０（１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｎ）で表される化合物を得た。
　式（６ａ）で示される化合物の代わりに式（１９）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１における式（１６）で示される化合物と同様な操作を行い、中間体として下記式（２０）で示される化合物を得た。

（式（２０）中、平均重合度を示すｍは４．５を表し、平均重合度を示すｎは４．５を表す。）

　式（１６）で示される化合物の代わりに式（２０）で示される化合物を用いて、式（１７）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１７）で示される化合物の代わりに用いたことと、式（６ｂａ）で示される化合物の代わりに式（１０ａ）で示される化合物を用いて、式（１８）で示される化合物と同様にして合成した中間体を、式（１８）で示される化合物の代わりに用いたこと以外は実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）（式（Ｎ）中、平均重合度を示すｍｎ１、ｍｎ２、ｎｎ１、ｎｎ２は４．５である。）を５．４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．１０～３．１５（２Ｈ）、３．４０～４．６０（２５Ｈ）、６．８０～７．００（７Ｈ）、７．０５～７．１０（１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１８Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物を得た。
　実施例１のＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍｄ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎｄＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍｄは７．０であり、平均重合度を示すｎｄは０である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（６ａ）で表される化合物の代わりに上記式（６ｂａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｍｄ１、ｍｄ２は７．０である。平均重合度を示すｎｄ１、ｎｄ２は０である。）を８．４ｇ得た。

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．５（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５６Ｆ）

［実施例１６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｏ）で表される化合物を得た。
　実施例１のＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｐＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｐは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（６ａ）で表される化合物の代わりに上記式（６ｂａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）（式（Ｏ）中、平均重合度を示すｐｏ１、ｐｏ２は４．５である。）を７．５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３６Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１８Ｆ）

［実施例１７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｐ）で表される化合物を得た。
　実施例１のＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｍは４．５であり、平均重合度を示すｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは３．０である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（６ａ）で表される化合物の代わりに上記式（６ｂａ）で示される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｐ）（式（Ｐ）中、平均重合度を示すｑｐ１、ｑｐ２は３．０である。）を５．３ｇ得た。

　得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０～３．５５（４Ｈ）、３．６５～３．７５（２Ｈ）、３．７５～３．８５（４Ｈ）、４．００～４．１５（２７Ｈ）、５．１０～５．１５（２Ｈ）、５．２５～５．３０（２Ｈ）、５．８５～５．９５（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３２Ｆ）、－１２２．５（８Ｆ）、－１２６．０（２４Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（８Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～１７の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ^１の構造、Ｒ^２の構造（式（２－１）中のａおよびＹ^１）、Ｒ^３の構造（式（３）中のｂ、ｃ、式（４）中のｄ、式（５）中のｅ）、Ｒ^４の構造（式（２－１）中のａおよびＹ^１）、Ｒ^５の構造を表１に示す。いずれの化合物も、Ｒ^２およびＲ^４を表す上記式（２－１）におけるＹ^２は－Ｏ－である。

［比較例１］［比較例２］
　下記式（Ｔ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（Ｔ）中、平均重合度を示すｍｔ１、ｍｔ２は７．０である。）

［比較例３］［比較例４］
　下記式（Ｕ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。
［比較例５］［比較例６］
　下記式（Ｖ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

［比較例７］
　下記式（Ｗ）で表される化合物を、特許文献３に記載の方法で合成した。
［比較例８］
　下記式（Ｘ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（Ｕ）中、平均重合度を示すｍｕ１、ｍｕ２、ｎｕ１、ｎｕ２は４．５である。）
（式（Ｖ）中、平均重合度を示すｐｖ１、ｐｖ２は４．５である。）
（式（Ｗ）中、平均重合度を示すｍｗ、ｎｗは１０．０である。）
（式（Ｘ）中、平均重合度を示すｍｘ、ｎｘは１０．０である。）

［比較例９］
　下記式（Ｙ）で表される化合物を、特許文献５に記載の方法で合成した。

（式（Ｙ）中、平均重合度を示すｍｙ、ｎｙは１０．０である。）

［比較例１０］
　下記式（Ｚ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（Ｚ）中、平均重合度を示すｍｚ、ｎｚは１０．０である。）

　次に、以下に示す方法により、実施例１～１７および比較例１～１０で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～１７および比較例１～１０の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～１７および比較例１～１０で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９．０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１７および比較例１～１０の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を恒温槽に入れ、保護層と潤滑層との密着性を向上させる熱処理を、表２および表３に示す恒温槽温度（熱処理温度）で１０分間行うことにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

　このようにして得られた実施例１～１７および比較例１～１０の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２および表３に示す。
　また、実施例１～１７および比較例１～１０の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を表２および表３に示す。

（潤滑層と保護層との密着性（ボンド率）測定）
　潤滑層の形成された磁気記録媒体を、溶媒であるバートレルＸＦ中に１０分間浸漬して、引き上げる方法により洗浄した。磁気記録媒体を溶媒中に浸漬する速度は１０ｍｍ／ｓｅｃとし、引き上げる速度は１．２ｍｍ／ｓｅｃとした。
　その後、洗浄前に行った潤滑層の膜厚の測定と同じ方法で、潤滑層の膜厚を測定した。

　そして、洗浄前の潤滑層の膜厚をＡ、洗浄後（溶媒浸漬後）の潤滑層の膜厚をＢとし、ＡとＢとの比（（Ｂ／Ａ）×１００（％））から潤滑剤の結合率（ボンド率）を算出した。その結果を表２および表３に示す。

　また、実施例１～１７および比較例１～１０の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験および化学物質耐性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
　ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。

　実施例１～１７の化合物および比較例１～１０の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を、それぞれ表２および表３に示す。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間による耐摩耗性の評価は、以下のとおりとした。
◎（優）：６５０ｓｅｃ以上
○（良）：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△（可）：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×（不可）：４５０ｓｅｃ未満

　なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。

（化学物質耐性試験）
　以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

　具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用いて評価した。その結果を表２および表３に示す。

　そして、実施例１～１７および比較例１～１０の磁気記録媒体について、以下に示す基準に基づいて総合評価を行った。その結果を表２および表３に示す。
◎（優）：摩擦係数が急激に増大するまでの時間が６５０ｓｅｃ以上、かつＳｉ吸着量が０．９０未満
〇（良）：摩擦係数が急激に増大するまでの時間が５５０ｓｅｃ以上６５０ｓｅｃ未満、かつＳｉ吸着量が０．９０以上１．００未満
△（可）：摩擦係数が急激に増大するまでの時間が４５０ｓｅｃ以上６５０ｓｅｃ未満、かつＳｉ吸着量が１．００以上１．４０未満
×（不可）：摩擦係数が急激に増大するまでの時間が４５０ｓｅｃ未満、かつＳｉ吸着量が１．４０以上

　表２に示すように、実施例１～１７の磁気記録媒体は、いずれもボンド率が６０％以上であり、総合評価が「◎（優）」であった。このことから、実施例１～１７の磁気記録媒体の潤滑層は、厚みが薄くても優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性が良好であることが確認できた。

　また、実施例１～３の結果から、式（１）におけるＲ^２およびＲ^４の構造に含まれる水酸基の合計数が多い化合物を用いるほど、ボンド率が高く密着性が良好になるとともに、Ｓｉ吸着量が少なく化学物質耐性が良好になることが確認できた。

　これに対し、表３に示すように、鎖状構造の中央にグリセリン構造を配置し、その両側に、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物を用いた比較例１、３では、ボンド率が８０％であり、実施例１～１７よりも密着性が高かった。しかし、比較例１、３では、密着性が強すぎるため潤滑層の潤滑性が損なわれ、耐摩耗性試験の結果が「△（可）」となった。

　また、比較例１、３と同じ化合物をそれぞれ用い、熱処理温度（恒温槽温度）を低くすることにより密着性を弱くした比較例２、４では、耐摩耗性試験の結果が「○（良）」であったが、Ｓｉ吸着量が多かった。これは、保護層上の活性点との結合に関与していない化合物中の水酸基が、汚染物質を生成させる環境物質を潤滑層に誘引したためであると推定される。

　鎖状構造の中央に２つの水酸基を有するアルキル鎖を配置し、その両側に、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物を用いた比較例５では、ボンド率が８０％であり、実施例１～１７よりも密着性が高かった。しかし、比較例５では、密着性が強すぎるため潤滑層の潤滑性が損なわれ、耐摩耗性試験の結果が「△（可）」となり、Ｓｉ吸着量が多かった。これは、中央に配置された２つの水酸基がアルキル鎖で連結されているため、分子全体の柔軟性が不足したことによるものと推定される。それに加えて、比較例５では、保護層上の活性点との結合に関与していない化合物中の水酸基が、汚染物質を生成させる環境物質を潤滑層に誘引したためであると推定される。

　また、比較例５と同じ化合物を、熱処理温度（恒温槽温度）を低くすることにより密着性を弱くした比較例６では、耐摩耗性試験の結果が「△（可）」であり、Ｓｉ吸着量が多かった。これは、含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基が６つであるため、熱処理温度（恒温槽温度）を下げてもボンド率が十分に低くならず、７５％と高いことによるものと推定される。

　また、鎖状構造の中央にパーフルオロポリエーテル鎖を配置し、両端部に芳香族炭化水素が配置された化合物を用いた比較例７では、ボンド率が６０％であり、耐摩耗性試験の結果が「△（可）」であり、実施例１～１７よりも、Ｓｉ吸着量が多かった。

　また、鎖状構造の中央にパーフルオロポリエーテル鎖を配置し、両端部に水酸基を有する２つの連結基を介してアリル基が配置された化合物を用いた比較例８では、ボンド率が６５％であり、耐摩耗性試験の結果が「△（可）」であり、実施例１～１７よりもＳｉ吸着量が多かった。

　また、鎖状構造の中央にパーフルオロポリエーテル鎖を配置し、両端部に芳香族複素環が配置された化合物を用いた比較例９では、ボンド率が６５％であり、耐摩耗性試験の結果が「〇（良）」であり、実施例１～１７よりもＳｉ吸着量が多かった。

　これは、比較例７～９で使用した化合物が、鎖状構造の中央にグリセリン構造を有していないため、鎖状構造の中央に配置された水酸基と保護層との結合による密着性向上効果が得られなかったことによるものであると推定される。

　また、鎖状構造の中央にパーフルオロポリエーテル鎖を配置し、その両側に、２つの水酸基を有する末端基が結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物を用いた比較例１０では、耐摩耗性試験の結果が「×（不可）」であり、実施例１～１７よりも、Ｓｉ吸着量が多かった。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても優れた密着性を有し、かつ化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成できる。

　１０・・・磁気記録媒体
　１１・・・基板
　１２・・・付着層
　１３・・・軟磁性層
　１４・・・第１下地層
　１５・・・第２下地層
　１６・・・磁性層
　１７・・・保護層
　１８・・・潤滑層

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　　（１）
（式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５は、Ｒ^２またはＲ^４の有する酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかである。）
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれ炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数３～５のアルキニル基である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれアリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基、プロパルギル基から選ばれるいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が、芳香族複素環を含む基である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５は、それぞれチオフェン環を含む基、チアゾール環を含む基、ピラゾール環を含む基から選ばれるいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記極性基が水酸基である請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２に含まれる水酸基と、Ｒ^４に含まれる水酸基との合計数が２～５である請求項６に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、下記式（２）で表される連結基を１～３個含む請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－　（２）
　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、下記式（２－１）で表される連結基である請求項８に記載の含フッ素エーテル化合物。
－Ｏ－Ｘ－（Ｙ^１Ｘ）_ａ－Ｙ^２－　　（２－１）
（式（２－１）中のａは０～２の整数を表す；Ｘは式（２）である；Ｙ^１は－Ｏ－、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－から選ばれるいずれかを表す；Ｙ^２は－Ｏ－または－ＣＨ_２Ｏ－を表す。）
　前記式（２－１）におけるＹ^１およびＹ^２が－Ｏ－である請求項９に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（３）～（５）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である請求項１～請求項１０のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_b－（ＯＣＦ_２）_c－ＯＣＦ_２－　（３）
（式（３）中、ｂおよびｃは平均重合度を示し、ｂは１～２０を表し、ｃは０～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_d－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（４）
（式（４）中、ｄは平均重合度を示し、１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_e－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中、ｅは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^５が同じである請求項１～請求項１１のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５の両方が、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数３～８のアルキニル基、芳香族炭化水素を含む基、芳香族複素環を含む基から選ばれるいずれかであって、Ｒ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方が、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基から選ばれるいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　下記式（Ａ）～（Ｐ）で表されるいずれかの化合物である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（Ａ）中、ｍａ１、ｍａ２、ｎａ１、ｎａ２は平均重合度を示し、ｍａ１、ｍａ２は１～２０を表し、ｎａ１、ｎａ２は０～２０を表す。）
（式（Ｂ）中、ｍｂ１、ｍｂ２、ｎｂ１、ｎｂ２は平均重合度を示し、ｍｂ１、ｍｂ２は１～２０を表し、ｎｂ１、ｎｂ２は０～２０を表す。）
（式（Ｃ）中、ｍｃ１、ｍｃ２、ｎｃ１、ｎｃ２は平均重合度を示し、ｍｃ１、ｍｃ２は１～２０を表し、ｎｃ１、ｎｃ２は０～２０を表す。）
（式（Ｄ）中、ｍｄ１、ｍｄ２、ｎｄ１、ｎｄ２は平均重合度を示し、ｍｄ１、ｍｄ２は１～２０を表し、ｎｄ１、ｎｄ２は０～２０を表す。）

（式（Ｅ）中、ｍｅ１、ｍｅ２、ｎｅ１、ｎｅ２は平均重合度を示し、ｍｅ１、ｍｅ２は１～２０を表し、ｎｅ１、ｎｅ２は０～２０を表す。）
（式（Ｆ）中、ｍｆ１、ｍｆ２、ｎｆ１、ｎｆ２は平均重合度を示し、ｍｆ１、ｍｆ２は１～２０を表し、ｎｆ１、ｎｆ２は０～２０を表す。）
（式（Ｇ）中、ｍｇ１、ｍｇ２、ｎｇ１、ｎｇ２は平均重合度を示し、ｍｇ１、ｍｇ２は１～２０を表し、ｎｇ１、ｎｇ２は０～２０を表す。）
（式（Ｈ）中、ｍｈ１、ｍｈ２、ｎｈ１、ｎｈ２は平均重合度を示し、ｍｈ１、ｍｈ２は１～２０を表し、ｎｈ１、ｎｈ２は０～２０を表す。）

（式（Ｉ）中、ｍｉ１、ｍｉ２、ｎｉ１、ｎｉ２は平均重合度を示し、ｍｉ１、ｍｉ２は１～２０を表し、ｎｉ１、ｎｉ２は０～２０を表す。）
（式（Ｊ）中、ｍｊ１、ｍｊ２、ｎｊ１、ｎｊ２は平均重合度を示し、ｍｊ１、ｍｊ２は１～２０を表し、ｎｊ１、ｎｊ２は０～２０を表す。）
（式（Ｋ）中、ｍｋ１、ｍｋ２、ｎｋ１、ｎｋ２は平均重合度を示し、ｍｋ１、ｍｋ２は１～２０を表し、ｎｋ１、ｎｋ２は０～２０を表す。）
（式（Ｌ）中、ｍｌ１、ｍｌ２、ｎｌ１、ｎｌ２は平均重合度を示し、ｍｌ１、ｍｌ２は１～２０を表し、ｎｌ１、ｎｌ２は０～２０を表す。）

（式（Ｍ）中、ｍｍ１、ｍｍ２、ｎｍ１、ｎｍ２は平均重合度を示し、ｍｍ１、ｍｍ２は１～２０を表し、ｎｍ１、ｎｍ２は０～２０を表す。）
（式（Ｎ）中、ｍｎ１、ｍｎ２、ｎｎ１、ｎｎ２は平均重合度を示し、ｍｎ１、ｍｎ２は１～２０を表し、ｎｎ１、ｎｎ２は０～２０を表す。）
（式（Ｏ）中、ｐｏ１、ｐｏ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～２０を表す。）
（式（Ｐ）中、ｑｐ１、ｑｐ２は、平均重合度を示し、それぞれ１～１０を表す。）
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項１４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである請求項１７に記載の磁気記録媒体。