JPWO2017086320A1 - 有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明の課題は、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することである。また、本発明の課題は、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。本発明の有機半導体組成物は、分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、式（２）で表される低分子化合物Ｙと、を含有する。

Description

本発明は、有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法に関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイおよび有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）およびメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ（thin film transistor））が利用されている。
このような有機半導体膜を形成するための化合物として、例えば特許文献１および２には、キャリア輸送性を有する高分子化合物と、低分子化合物と、を含有する有機半導体組成物が開示されている。

特開２００９−２６７３７２号公報 特開２０１２−３９１０３号公報

近年、有機薄膜トランジスタのさらなる性能の向上が求められていることから、キャリア移動度の低下を抑制しつつ、優れたヒステリシス特性（電圧制御性）をもつ有機薄膜トランジスタが求められている。
このような中、本発明者らが上記特許文献１および２に記載の有機半導体組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、特にヒステリシス特性が低下することを見出した。

そこで、本発明は、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造の化合物Ｘと、所定の構造の化合物Ｙと、を併用する有機半導体組成物を用いることで、所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］
分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、
後述する式（２）で表される化合物Ｙと、
を含有する、有機半導体組成物。
後述する式（１）中のＡは、後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基であり、
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。
後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
後述する式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。
Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、他の構造との結合部位を表す。
後述する式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
ｎは、２〜８の整数を示す。複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環を示す。
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｂ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｃ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
［２］
後述する式（１）中のＤが、後述する式（Ｄ−１）で表される構造である、上記［１］に記載の有機半導体組成物。
後述する式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
［３］
後述する式（１）で表される繰り返し単位が、後述する式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位である、上記［１］または［２］に記載の有機半導体組成物。
後述する式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、ＮまたはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子または後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
［４］
後述する式（１）で表される繰り返し単位が、式（６）で表される繰り返し単位である、上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（６）中、Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
［５］
上記化合物Ｙが、後述する式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有する、上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（２Ａ）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
ただし、Ｒ^２１〜Ｒ^２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。
［６］
上記化合物Ｙが、後述する式（２Ｂ）で表される化合物である、上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。なお、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｂ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｃ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
［７］
後述する式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である、上記［６］に記載の有機半導体組成物。
［８］
上記化合物Ｙの含有量が、上記化合物Ｘ１００質量部に対して、１００質量部以下である、上記［１］〜［７］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
［９］
上記［１］〜［８］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物を用いて作製された、有機半導体膜。
［１０］
上記［９］に記載の有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
［１１］
上記［１］〜［８］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。

本発明によれば、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することができる。また、本発明によれば、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。

本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。 本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。

以下に、本発明について詳述する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。

本明細書において、化合物の表示については、その化合物そのものの他、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。

本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、または、複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。
また、特に断らない限り、複数の置換基等が近接（特に隣接）するときには、それらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい意味である。
さらに、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

［有機半導体組成物］
本発明の有機半導体組成物は、分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、後述する式（２）で表される化合物Ｙと、を含有する。
このように、分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘ（以下、「特定高分子化合物」ともいう。）と、後述する式（２）で表される化合物Ｙ（以下、「特定低分子化合物」ともいう。）と、を用いることで、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを作製できる。
この理由の詳細は未だ明らかになっていない部分もあるが、およそ以下の理由によるものと推測される。

特定高分子化合物は、電子ドナーユニットと電子アクセプターユニットとから形成される主鎖骨格を有する、いわゆるＤ−Ａ型ポリマーの一種である。このようなＤ−Ａ型ポリマーは結晶化させた際に良好な配向性を示すが、特定低分子化合物と併用することで、配向性を一層向上できたものと考えられる。すなわち、特定高分子化合物と特定低分子化合物とを用いることで、特定高分子化合物の隙間に特定低分子化合物が入り込みやすくなり、特定高分子化合物の結晶性や配列性が向上したものと考えられる。
これにより、有機半導体膜（有機半導体層）と、ソース電極およびドレイン電極との界面での電荷注入がスムーズに行われるようになり、高い移動度を維持しつつ、ヒステリシス（電圧制御性）に優れたものとなったと推測される。

また、本発明の有機半導体組成物を用いて形成された有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタは、上記理由により、閾値電圧に関しても優れた特性を示すものになったと推測される。
さらに、低分子化合物のみを用いた場合には、有機半導体層の結晶構造が崩れやすい傾向にあるが、特定高分子化合物を併用することで、加熱することで生じる欠陥による影響を受けにくくなる。そのため、本発明の有機半導体組成物を用いて形成された有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタは、加熱前後におけるキャリア移動度の低下を抑制でき、良好な耐熱性を示すものとなったと推測される。

以下、本発明の有機半導体組成物に含まれる成分および含まれ得る成分について説明する。

＜特定高分子化合物（化合物Ｘ）＞
本発明の有機半導体組成物は、特定高分子化合物を含有する。特定高分子化合物は、上述した通り、分子量２０００以上で、かつ、下記式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘである。
特定高分子化合物は、有機半導体化合物の一種であり、キャリア輸送性を有する。

式（１）中、Ａは、電子アクセプターユニットを表し、後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基である。
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。

（電子アクセプターユニット（式（１）の「Ａ」））
上記式（１）中、Ａは、下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、Ａが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）よりなる群から選ばれた少なくとも１つにより表される構造であることがより好ましい。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。Ｚ_aはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
なお、式（Ａ−３）および式（Ａ−７）においては、Ｚａを含む２つの環構造中のそれぞれにおいて、１つのＺａがＣＲ^Ａ２であり、かつ、Ｒ^Ａ２が他の構造との結合部位を表す。この他の構造との結合部位が、式中の＊に該当する。より具体的には、他の構造との結合位置を表す＊が先端に位置する結合手（以後、単に「結合手」と称する）は、各式中のいずれかのＺａから伸びるものであり、この結合手が伸びるＺａは、ＣＲ^Ａ２であり、かつ、Ｒ^Ａ２が他の構造との結合部位を表す態様に該当する。
また、式（Ａ−８）においては、２つのＺａがＣＲ^Ａ２であり、かつ、Ｒ^Ａ２が他の構造との結合部位を表す。この他の構造との結合部位が、式中の＊に該当する。
また、式（Ａ−４）において、Ｗを含む２つの環構造中のそれぞれにおいて、１つのＷが以下の３つの態様のうちいずれか一つを表す。
態様１：ＷがＣＲ^Ａ２であり、かつ、Ｒ^Ａ２が他の構造との結合部位を表す。
態様２：ＷがＮＲ^Ａ１であり、かつ、Ｒ^Ａ１が他の構造との結合部位を表す。
態様３：ＷがＣ（Ｒ^Ａ２）_２であり、かつ、Ｒ^Ａ２のうち一方が他の構造との結合部位を表す。

式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。＊は、他の構造との結合部位を表す。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表し、Ｓ原子またはＮＲ^Ａ１が好ましい。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｏ原子が好ましい。
Ｚ_aはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表し、ＣＲ^Ａ２が好ましい。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表し、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＣＲ^Ａ２、または、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基が好ましい。
Ｒ^Ａ１が−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
なお、Ｒ^Ａ１における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表し、水素原子または他の構造との結合部位が好ましい。
Ｒ^Ａ２が−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
Ｒ^Ａ２がハロゲン原子を表す場合、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、または、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子がより好ましい。
なお、Ｒ^Ａ２における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。Ｒ^Ａ３における置換基は、後述するＲ^１ＳおよびＲ^２Ｓにおける置換基と同義である。

式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ａｒにおける炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環基、ビフェニル基、ナフタレン環基、または、３環が縮合した芳香族炭化水素（例えば、フルオレン環）から２以上の水素原子を取り除いた基が挙げられる。これらの中でも、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から、ベンゼン環基、ビフェニル基、または、ナフタレン環基であることが好ましく、ベンゼン環基であることが好ましい。
Ａｒにおける芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよいが、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から単環であることが好ましい。Ａｒにおける芳香族複素環基は、５〜７員環であることが好ましい。また、芳香族複素環基に含まれるヘテロ原子としては、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。ここで、アルキレン基が−Ｏ−を含むとは、アルキレン基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキレン基の一端または両端に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキレン基に−Ｓ−や−ＮＲ^１Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌ_ａを表すアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であることが好ましい。
Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数は、１〜２０であるが、キャリア移動度がより優れたものとなるという観点から、１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。
なお、Ｌ_ａを表すアルキレン基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌ_ａが−ＮＲ^１Ｓ−を含み、かつ、このＲ^１Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ^１Ｓの炭素数は、Ｌ_ａを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。ここで、アルキル基が−Ｏ−を含むとは、アルキル基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキル基の一端（すなわち、上記「Ａｒ」との接続部分）に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキル基に−Ｓ−や−ＮＲ^２Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌ_ｂを表すアルキル基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、キャリア移動度および高温高湿下での経時安定性がより優れたものになるという観点から、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であることが好ましく、分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。また、Ｌ_ｂを表すアルキル基は、置換基としてハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子、より好ましくは、Ｆ原子）を有するハロゲン化アルキル基であってもよい。
Ｌ_ｂを表すアルキル基の炭素数は、１〜１００であり、９〜１００であることが好ましい。
また、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から、上記式（１−１）中の−（Ｌ_ｂ)_ｌにおいて、少なくとも１つのＬ_ｂの炭素数が、９〜１００であることが好ましく、２０〜１００であることがより好ましく、２０〜４０であることがさらに好ましい。
なお、Ｌ_ｂを表すアルキル基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌ_ｂを表すアルキル基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌ_ｂが−ＮＲ^２Ｓ−を含み、かつ、このＲ^２Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ^２Ｓの炭素数は、Ｌ_ｂを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、アルキル基（好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖状のアルキル基）、ハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２０のアリール基）を表す。これらの中でも、Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
ｌは、１〜５の整数を表すが、１または２であることが好ましい。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、他の構造との結合部位を表す。

特定高分子化合物は、式（１）中のＡが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有し、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−３）、式（Ａ−４）および式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−３）および式（Ａ−４）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することがより好ましく、式（Ａ−１）で表される構造を部分構造として有することが特に好ましい。
また、特定高分子化合物は、上記それぞれの態様において、式（１）中のＡが各式により表される構造を部分構造として有する態様よりも、式（１）中のＡが各式により表される構造である態様の方が好ましい。

式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、Ｒ^Ａ１は式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中のＲ^Ａ１と同義であり、好ましい態様も同様である。
また、＊は他の構造との結合部位を表す。

（電子ドナーユニット（式（１）の「Ｄ」））
Ｄは少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットである。

少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基としては、少なくとも１つのＳ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基が好ましい。
また、上記２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよく、単環の２価の芳香族複素環基を２以上組み合わせた構造であるか、２以上の単環の２価の芳香族複素環基と、１以上の２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基を組み合わせた構造であることが好ましい。
上記２価の芳香族複素環基は更に置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

上記２価の芳香族複素環基の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、又は、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、Ｒ^Ｄ１は後述する式（Ｄ−１）中のＲ^Ｄ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

２環以上の縮環構造からなる芳香族炭化水素基としては、炭素数１０〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、３環又は４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、又はピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
上記芳香族炭化水素基はさらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、ハロゲン原子、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基及びハロゲン原子の好ましい例は、上記の２価の芳香族複素環基で説明したものと同様である。Ｒ^Ｄ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

また、式（１）において、Ｄは式（Ｄ−１）で表される構造であることが好ましい。

上記式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
なお、上記式（Ｄ−１）において、各繰り返し単位および上記Ｍは、結合軸において回転可能に結合している。

式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ｄ１を表し、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲ^Ｄ２を表し、ＣＲ^Ｄ２であることがより好ましい。
Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、または、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、アルキル基、ハロゲン原子、または上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子または１価の有機基を表し、水素原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、または、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、又はこれらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。
上記Ｍにおける２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよい。本発明に好ましく用いられる２価の芳香族複素環基の例は、上述した２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基の例と同様である。
Ｍにおける２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン基、ナフチレン基、または、３環若しくは４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、若しくはピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
Ｍにおける２価の芳香族複素環基、または、２価の芳香族炭化水素基、は、さらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
Ｍにおけるアルケニレン基としては、炭素数２〜１０のアルケニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルケニレン基がより好ましく、エテニレン基がさらに好ましい。
Ｍにおけるアルキニレン基としては、炭素数２〜１０のアルキニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルキニレン基がより好ましく、エチニレン基がさらに好ましい。
Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。Ｒ^Ｄ３における置換基は、上記Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓにおける置換基と同義である。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数であり、１〜３の整数であることが好ましく、１〜２の整数であることがより好ましい。ｐとｑは同じ値であることが好ましい。また、ｐ＋ｑが２〜４であることが好ましい。
ただし、ｐ＋ｑが０の場合には、Ｍは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含むことが好ましい。

Ｄの構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、Ｒ^Ｄ１は上記式（Ｄ−１）中のＲ^Ｄ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数８〜３０のアルキル基がより好ましい。Ｒ^Ｄ３は上記式（Ｄ−１）におけるＲ^Ｄ３と同義であり、好ましい態様も同様である。

（式（３）〜式（５）で表される繰り返し単位）
上記式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましく、下記式（３）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。

上記式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。
Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子または上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。

式（３）〜式（５）中、Ｘ、Ｙ、Ｚ_ａ、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、および、Ｒ^Ａ３は、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）におけるＸ、Ｙ、Ｚ_ａ、Ｒ^Ａ１、Ｒ^Ａ２、および、Ｒ^Ａ３とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式（３）〜式（５）中、Ｘ’、Ｚ_ｄ、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^Ｄ３、Ｍ、ｐ、および、ｑは上記式（Ｄ−１）におけるＸ’、Ｚ_ｄ、Ｒ^Ｄ１、Ｒ^Ｄ２、Ｒ^Ｄ３、Ｍ、ｐ、および、ｑとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

上記式（１）で表される繰り返し単位は、式（６）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

式（６）中、Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。

式（６）中、Ｒ^Ａ１およびＲ^Ａ３は、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）におけるＲ^Ａ１およびＲ^Ａ３とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式（６）中、Ｘ’、Ｒ^Ｄ１、Ｍ、Ｒ^Ｄ３、ｐ、および、ｑは、上記式（Ｄ−１）におけるＸ’、Ｒ^Ｄ１、Ｍ、Ｒ^Ｄ３、ｐ、および、ｑとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

特定高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位を１種単独で含んでもよいし、２種以上含んでもよい。

特定高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位を２以上有する化合物であり、繰り返し単位数ｎが２〜９のオリゴマーであってもよく、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子（ポリマー）であってもよい。これらの中でも、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子であることが、キャリア移動度および得られる有機半導体層の物性の観点から好ましい。

式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物の分子量は、キャリア移動度の観点から、２，０００以上であり、５，０００以上であることが好ましく、１０，０００以上であることがより好ましく、２０，０００以上であることが更に好ましく、３０，０００以上であることが特に好ましい。また、溶解度の観点から、１，０００，０００以下であることが好ましく、３００，０００以下であることがより好ましく、１５０，０００以下であることが更に好ましく、１００，０００以下であることが特に好ましい。

本発明において、特定高分子化合物が分子量分布を有する場合、その化合物の分子量とは重量平均分子量を意味する。
本発明において、特定高分子化合物の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ法（ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography））法にて測定され、標準ポリスチレンで換算して求められる。具体的には、例えば、ＧＰＣは、ＨＬＣ−８１２１ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＧＭＨ_ＨＲ−Ｈ（２０） ＨＴ（東ソー（株）製、７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ）を２本用い、溶離液として１，２，４−トリクロロベンゼンを用いる。また、条件としては、試料濃度を０．０２質量％、流速を１．０ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を３００μｌ、測定温度を１６０℃とし、ＩＲ（infrared）検出器を用いて行う。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−１２８」、「Ｆ−８０」、「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−１０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−２」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「Ａ−５００」の１２サンプルから作製する。

特定高分子化合物の末端の構造は、特に制限はなく、他の構成単位の有無や、合成時に使用した基質の種類、合成時のクエンチ剤（反応停止剤）の種類にもよるが、例えば、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、エチレン性不飽和基、アルキル基等、芳香族複素環基（チオフェン環が好ましい。）、および、芳香族炭化水素基（ベンゼン環が好ましい。）が挙げられる。

特定高分子化合物の合成方法は、特に限定されず、公知の方法を参照して合成すればよい。例えば、特表２０１０−５２７３２７号、特表２００７−５１６３１５号、特表２０１４−５１５０４３号、特表２０１４−５０７４８８号、特表２０１１−５０１４５１号、特開２０１０−１８７９０号、ＷＯ２０１２／１７４５６１号、特表２０１１−５１４３９９号、特表２０１１−５１４９１３号等の文献を参考に、電子アクセプターユニットの前駆体と電子ドナーユニットの前駆体を合成して、それぞれの前駆体を鈴木カップリングやＳｔｉｌｌｅカップリング等のクロスカップリング反応させることにより合成することができる。

以下に、式（１）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。

＜特定低分子化合物（化合物Ｙ）＞
本発明の有機半導体組成物は、特定低分子化合物を含有する。特定低分子化合物は、上述した通り、下記式（２）で表される化合物Ｙである。
特定低分子化合物は、有機半導体化合物の一種であり、キャリア輸送性を有する。

式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
ここで、隣接する環同士が互いに縮環しているとは、環構造を形成している一部の結合が、隣にある他方の環構造の一部を形成している状態にあることを意味する。上記式（２）においては、隣接するＡとＢとが互いに縮環しており、隣接するＡ同士が互いに縮環しており、隣接するＡとＣとが互いに縮環している。
上記５員の複素環および６員の複素環に含まれるヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｓ原子Ｓｅ原子、Ｎ原子、Ｐ原子、Ｂ原子、および、Ｓｉ原子などが挙げられる。環内に含まれるヘテロ原子数としては、１以上であれば特に限定されるものではない。

ｎは、２〜８の整数を示すが、２〜６の整数であることが好ましく、２〜４の整数であることがより好ましく、２〜３の整数であることがさらに好ましく、３であることが特に好ましい。特に、ｎが３であることで、有機薄膜トランジスタの耐熱性がより向上する傾向にある。
複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環である。
Ａを構成する環としては、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましい。これらの各環は置換基を有していてもよい。
複数のＡから構成される縮合環は、少なくとも１つのベンゼン環と、少なくとも１つの５員環（好ましくは、チオフェン環）と、を含むことが好ましい。これにより、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。

複数のＡを表す環構造は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。この置換基としては、後述するＲ^１およびＲ^２と同様である。

Ｂを構成する環としては、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましく、チオフェン環であることが特に好ましい。Ｂを構成する環がチオフェン環であることで、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。

Ｃを構成する環としては、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましく、チオフェン環であることが特に好ましい。Ｃを構成する環がチオフェン環であることで、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。

Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｂ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｃ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。
Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^ＢおよびＲ^Ｃにおける置換基は、上述のＲ^１ＳおよびＲ^２Ｓにおける置換基と同義である。
これらの１価の基は、さらに置換基によって置換されていてもよく、この置換基としては、Ｒ^１およびＲ^２で表される基が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２における飽和炭化水素基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。また、この飽和炭化水素基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよい。このような飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノナニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、および、ｎ−エイコサニル基等が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２における不飽和炭化水素基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。この不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。このような不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、プロパルギル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、および、２−ブテニル基等が挙げられる。化学的安定性の観点からは、不飽和炭化水素基として、その鎖中に、２重結合または３重結合のユニット数が１つであるものが好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２におけるアルコキシ基としては、アルコキシ基の炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。アルコキシ基は、直鎖状、または、分岐鎖状のいずれであってもよい。

Ｒ^１およびＲ^２におけるアリール基としては、炭素数が６〜６０である芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数が６〜２０である芳香族炭化水素基がより好ましい。芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、および、アントラセン環等が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２におけるヘテロアリール基としては、炭素数４〜６０の芳香族複素環基が好ましく、炭素数４〜２０の芳香族複素環基がより好ましい。ここで、芳香族複素環基を構成する複素環とは、炭素からなる環状構造のうちの少なくとも１つの炭素原子が、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、または、ケイ素原子等のヘテロ原子によって置換されており、かつこの環状構造が芳香族性を有している構造を有するものである。この複素環としては、例えば、チオフェン環、セレノフェン環、フラン環等が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２におけるアリールアルキル基またはアリールオキシ基としては、アリール部分が芳香族炭化水素基によって構成され、この部分の炭素数が６〜６０であるものが好ましく、６〜２０であるものがより好ましい。また、アリールアルキル基におけるアルキル部分は、その部分の炭素数が１〜２０であると好ましく、１〜１０であるとより好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２におけるヘテロアリールアルキル基またはヘテロアリールオキシ基としては、そのヘテロアリール部分が芳香族複素環基によって構成され、その部分の炭素数が４〜６０であるものが好ましく、４〜２０であるものがより好ましい。また、ヘテロアリールアルキル基におけるアルキル部分は、その部分の炭素数が１〜２０であると好ましく、１〜１０であるとより好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

Ｒ^１およびＲ^２におけるアミノ基としては、−ＮＨ_２、アルキルアミノ基（モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基）などが挙げられる。アルキルアミノ基である場合の炭素数としては、２〜２０であることが好ましく、２〜１６であることがより好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２におけるアルキルシリル基としては、例えば、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、および、トリアルキルシリル基が挙げられる。アルキルシリル基である場合の炭素数としては、３〜２０であることが好ましく、３〜１６であることがより好ましい。

Ｒ^１およびＲ^２を表す１価の基の中でも、キャリア移動度がより向上するという観点から、飽和炭化水素基であることが好ましい。

ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示すが、１〜３であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
ｓまたはｔが２以上である場合には、複数のＲ^１または複数のＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。

（特定低分子化合物の好適態様Ａ）
特定低分子化合物は、式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有することが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
ただし、Ｒ^２１〜Ｒ^２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６における置換基としては、上述した式（２）のＲ^１およびＲ^２を表す１価の基と同様であり、好ましい態様も同様であるので、その説明を省略する。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士が互いに結合して形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環などが挙げられる。
Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士が互いに結合して形成する芳香族複素環としては、チオフェン環、セレノフェン環などが挙げられる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するとは、具体的には、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３、Ｒ^２３とＲ^２４、Ｒ^２４とＲ^２５、Ｒ^２５とＲ^２６のうち、少なくとも１組が芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成している状態のことをいう。
また、Ｒ^２１〜Ｒ^２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するとは、Ｒ^２１とＲ^２２、Ｒ^２２とＲ^２３、Ｒ^２３とＲ^２４のうち、少なくとも１組が芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成している状態のことをいう。
Ｒ^２１〜Ｒ^２４のうち、Ｒ^２２とＲ^２３が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成することが好ましい。
Ｒ^２４〜Ｒ^２６においては、Ｒ^２５とＲ^２６が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成することが好ましい。
より好ましくは、Ｒ^２２とＲ^２３が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成し、かつ、Ｒ^２５とＲ^２６が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する態様である。このとき、Ｒ^２１およびＲ^２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。

Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する場合には、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環（好ましくは芳香族複素環）で縮環されていてもよい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２６において形成された環と縮環する環（すなわち、芳香族炭化水素環または芳香族複素環）は、置換基を有していてもよく、この場合の置換基としては、Ｒ^１およびＲ^２を表す１価の基と同様であり、好ましい態様も同様である。

（特定低分子化合物の好適態様Ｂ）
特定低分子化合物は、式（２Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。

式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。ただし、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
ここで、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において隣接する基同士が互いに縮環しているとは、Ｂ１とＡ１、Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３、Ａ３とＣ１のそれぞれが縮環していることを指す。

Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、チオフェン環の数は２〜４つであるが、３〜４つであることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、チオフェン環同士の連結数が２つ以下であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。
ここで、チオフェン環同士の連結数とは、縮合して連結しているチオフェン環の環数のことをいう。具体的には、下記式（２Ｂ−１）で表される化合物はチオフェン環同士の連結数が２つであり（式（２Ｂ−１）における丸印内）、下記式（２Ｂ−２）で表される化合物はチオフェン環同士の連結数が３つである（式（２Ｂ−２）における丸印内）。
式（２Ｂ）で表される化合物のより好適な態様としては、式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより一層優れたものとなる。

式（２Ｂ）中のＲ^１およびＲ^２は、上述した式（２）中のＲ^１およびＲ^２と同義であり、好ましい態様も同様である。
式（２Ｂ）中のｓおよびｔは、上述した式（２）中のｓおよびｔと同義であり、好ましい態様も同様である。

上述した特定低分子化合物の具体例を以下に示す。

−式Ｏ−４で表される化合物−

式Ｏ−４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子またはＮＲ⁴ⁿを表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^4a〜Ｒ^4k、Ｒ^4m及びＲ⁴ⁿはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、後述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ^4a及びＸ^4bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。

式Ｏ−４中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。

式Ｏ−４で表される化合物中、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、後述の式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式Ｏ−４中、Ｒ^4a、Ｒ^4d〜Ｒ^4g、Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ^4a、Ｒ^4c〜Ｒ^4h及びＲ^4jがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式Ｏ−４において、２以上のＲ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述の式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）₂）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、ならびに、スルファト基（−ＯＳＯ₃Ｈ）が挙げられる。上記置換基Ｘはさらに置換基を有してもよい。
置換基は、後述の式Ｗで表される置換基であることが好ましい。

−Ｌ^W−Ｒ^W （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’およびはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Nは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基を表す。

−式Ｏ−６で表される化合物−

式Ｏ−６中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^6gを表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^6a〜Ｘ^6dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^6a〜Ｘ^6dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^6a〜Ｘ^6dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが最も好ましい。
Ｒ^6gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。

式Ｏ−６中、Ｒ^6a〜Ｒ^6fがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。

本発明において、連結基鎖長とは、Ｃ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ^*、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

式Ｏ−６で表される化合物中、Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^6c〜Ｒ^6fであることが好ましく、Ｒ^6e又はＲ^6fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

式Ｏ−６で表される化合物は、下記式Ｏ−６Ａ又は式Ｏ−６Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−６Ａで表される化合物であることが特に好ましい。

式Ｏ−６Ａ中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6c、Ｒ^6A及びＲ^6eはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6c、Ｒ^6A及びＲ^6eは、式Ｗで表される基ではなく、Ｒ^Wは炭素数５〜１９のアルキル基を表し、Ｌ^Wは上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
式Ｏ−６Ｂ中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^6B及びＲ^6Cはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Wはそれぞれ独立に、炭素数５〜１９のアルキル基を表し、Ｌ^Wはそれぞれ独立に、上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
なお、上記置換基としては、上述した置換基が挙げられる。

−式Ｏ−７で表される化合物−

式Ｏ−７中、Ｘ^7a〜Ｘ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^7a〜Ｘ^7dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^7a〜Ｘ^7dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^7a〜Ｘ^7dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^7a〜Ｘ^7dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式Ｏ−７中、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ⁷ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ⁷ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式Ｏ−７で表される化合物中、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^7d又はＲ^7hであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^7d及びＲ^7hがより好ましい。
式Ｏ−７のＲ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

式Ｏ−７で表される化合物は、下記式Ｏ−７Ａ又は式Ｏ−７Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−７Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。

式Ｏ−７Ａ中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ９を表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a〜Ｒ^7g及びＲ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ^7dは式Ｗで表される基ではない。式Ｏ−７ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。
式Ｏ−７Ｂ中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a〜Ｒ^7c、Ｒ^7e〜Ｒ^7g及びＲ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｏ−７ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式Ｏ−７Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

−式Ｏ−８で表される化合物−

式Ｏ−８中、Ｘ^8a〜Ｘ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^8a〜Ｘ^8dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^8a〜Ｘ^8dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^8a〜Ｘ^8dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^8a〜Ｘ^8dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式Ｏ−８中、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ⁸ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ⁸ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式Ｏ−８で表される化合物中、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^8c又はＲ^8gであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^8c及びＲ^8gがより好ましい。
また、式Ｏ−８のＲ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

式Ｏ−８で表される化合物は、下記式Ｏ−８Ａ又は式Ｏ−８Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−８Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。

式Ｏ−８Ａ中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a〜Ｒ^8f及びＲ^8hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ^8cは式Ｗで表される基ではない。式Ｏ−８ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。
式Ｏ−８Ｂ中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^8d〜Ｒ^8f及びＲ^8hはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、式Ｏ−８ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式Ｏ−８Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

−式Ｏ−９で表される化合物−

式Ｏ−９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^9kを表し、Ｒ^9c〜Ｒ^9kはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^9a及びＸ^9bは移動度の観点からＳ原子が好ましい。
式Ｏ−９中、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。中でも、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jは、水素原子がより好ましい。
なお、Ｌ^Wとしては、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９及び式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４が好ましく、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７及び式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることがより好ましい。
Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。

式Ｏ−９で表される化合物中、Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^9b又はＲ^9fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^9b及びＲ^9fがより好ましい。
また、式Ｏ−９のＲ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

−式Ｏ−１０で表される化合物−

式Ｏ−１０中、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ^10a〜Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ^10a及びＸ^10bは移動度の観点からＳ原子であることが好ましい。
式Ｏ−１０中、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式Ｏ−１０のＲ^10a〜Ｒ^10hは、Ｒ^10b及びＲ^10fのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ^10b及びＲ^10fのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又はヘテロアリールチオ基であることが特に好ましい。

アルキル基としては、炭素数５〜２０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａが特に好ましい。

群Ａ中、Ｒ”及びＲ”^Nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”^Nは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。

アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。

アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。

アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

−式Ｏ−１１で表される化合物−

式Ｏ−１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１１のＲ^11a〜Ｒ^11k及びＲ^11mは、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式Ｏ−１２で表される化合物−

式Ｏ−１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１２のＲ^12a〜Ｒ^12k及びＲ^12mは、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式Ｏ−１３で表される化合物−

式Ｏ−１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１３のＲ^13a〜Ｒ^13k及びＲ^13mは、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式Ｏ−１４で表される化合物−

式Ｏ−１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^14a〜Ｘ^14cは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^14a〜Ｘ^14cはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１４のＲ^14a〜Ｒ^14hは、Ｒ^14b及びＲ^14gのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^14b及びＲ^14gのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式Ｏ−１５で表される化合物−

式Ｏ−１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^15a〜Ｘ^15dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^15a〜Ｘ^15dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１５のＲ^15a〜Ｒ^15fは、Ｒ^15b及びＲ^15eのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^15b及びＲ^15eのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式Ｏ−１６で表される化合物−

式Ｏ−１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。

式Ｏ−１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^16a〜Ｘ^16dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^16a〜Ｘ^16dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１６のＲ^16a〜Ｒ^16fは、Ｒ^16a及びＲ^16dのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^16a及びＲ^16dのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ^16c及びＲ^16fは、水素原子であることが好ましい。

式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数３〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
また、式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６， ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， ２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、および、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。
なお、有機半導体における移動度、閾値電圧、ヒステリシス、および、耐熱性の観点から、式Ｏ−１０、式Ｏ−１４および式Ｏ−１６のいずれかで表される化合物が好ましく、式Ｏ−１４および式Ｏ−１６で表される化合物がより好ましく、式Ｏ−１６で表される化合物がより好ましい。

以下に式（２）の好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。

上記特定低分子化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。

特定低分子化合物の含有量は、上記特定高分子化合物１００質量部に対して、１００質量部以下であることが好ましく、５０質量部以下であることがより好ましく、２５質量部以下であることがさらに好ましく、１０質量部以下であることが特に好ましい。また、下限値は、１質量部以上であることが好ましく、２量部以上であることがより好ましく、３質量部以上であることがさらに好ましい。
特定低分子化合物の含有量が５０質量部以下であることで、得られる有機薄膜トランジスタの移動度がより向上する。また、特定低分子化合物の含有量が１質量部以上であることで、特定低分子化合物による効果が良好に発揮される。

特定低分子化合物の分子量は、２，０００未満であることが好ましく、１５０〜１５００であることがより好ましく、２００〜６００であることがさらに好ましい。

＜有機溶媒＞
本発明の有機半導体組成物は、有機溶媒を含有してもよい。
有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、ヘキサン、オクタン、デカンなどの炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１−メチルナフタレン、テトラリン、および、アニソールなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、および、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチルなどのエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、および、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ブトキシベンゼン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、および、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１−メチル−２−ピロリドン、および、１−メチル−２−イミダゾリジノン等のイミド系溶媒、ジメチルスルホキサイドなどのスルホキシド系溶媒、ならびに、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒などが挙げられる。
上記有機溶媒は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
有機溶媒を含有する場合の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、９０〜９９.９９質量％であることが好ましく、９５〜９９．９９質量％であることがより好ましく、９６〜９９．９５質量％であることがさらに好ましい。

＜バインダーポリマー＞
本発明の有機半導体組成物は、バインダーポリマーを含有してもよい。バインダーポリマーの種類は特に制限されず、公知のバインダーポリマーを用いることができる。
上記バインダーポリマーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルフェニル）、ポリ（４−メチルスチレン）、ゴム、熱可塑性エラストマーなどが挙げられる。
バインダーポリマーの重量平均分子量は、特に制限されないが、１，０００〜１，０００万が好ましく、３，０００〜５００万がより好ましく、５，０００〜３００万がさらに好ましい。
バインダーポリマーを含有する場合の含有量は、特定高分子化合物および特定低分子化合物の含有量の合計１００質量部に対し、１〜２００質量部であることが好ましく、１０〜１５０質量部であることがより好ましく、２０〜１２０質量部であることがさらに好ましい。上記範囲であると、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度および耐熱性がより向上する傾向にある。

＜その他の成分＞
本発明の有機半導体組成物には、上記以外のその他の成分が含まれていてもよい。
その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
その他の成分の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度および耐熱性がより向上する傾向にある。

＜調製方法＞
有機半導体組成物の調製方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒中に所定量の特定高分子化合物および特定低分子化合物などを添加して、適宜攪拌処理を施すことにより、本発明の有機半導体組成物を得ることができる。

[有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法］
本発明の有機半導体膜は、上述した有機半導体組成物から構成される。すなわち、本発明の有機半導体膜は、上述した特定高分子化合物および特定低分子化合物を含有する膜（層）である。
本発明の有機半導体膜は、有機薄膜トランジスタに好適に使用されるが、その他の用途にも用いることができる。その他の用途としては、例えば、非発光性有機半導体デバイスが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスとは、発光することを目的としないデバイスを意味する。このような非発光性有機半導体デバイスとしては、上述した有機薄膜トランジスタの他に、有機光電変換素子（光センサ用途の個体撮像素子、および、エネルギー変換用途の太陽電池など）、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、ならびに、情報記録素子などが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスは、有機半導体膜をエレクトロニクス要素として機能させることが好ましい。
以下、本発明の有機半導体膜の好適態様の一つとして、有機薄膜トランジスタに適用された場合について説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した有機半導体膜（有機半導体層）を有し、さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタは、その構造は特に限定されるものでなく、例えばボトムコンタクト型（ボトムコンタクト−ボトムゲート型およびボトムコンタクト−トップゲート型）、および、トップコンタクト型（トップコンタクト−ボトムゲート型およびトップコンタクト−トップゲート型）など、いずれの構造であってもよい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの一例について、図面を参照しながら説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１００の断面模式図である。
図１の例では、有機薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０と、を有する。ここで、有機半導体膜５０は、上述した有機半導体組成物を使用して作製されたものである。
以下、基板（基材）、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜（有機半導体層）および封止層ならびにそれぞれの作製方法について詳述する。

（基板）
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。

（ゲート電極）
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、ゲート電極は基板としても機能してもよく、その場合、上記基板はなくてもよい。

ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合のパターニング方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。

ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。

（ソース電極、ドレイン電極）
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。

（有機半導体膜）
有機半導体膜は、上述した有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程により得られる。より具体的には、上述した有機半導体組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成することができる。
なお、有機半導体組成物を基板上に塗布するとは、有機半導体組成物を基板に直接付与する態様のみならず、基板上に設けられた別の層を介して基板の上方に有機半導体組成物を付与する態様も含むものとする。
有機半導体組成物の塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、および、スクリーン印刷法が挙げられる。さらに、有機半導体組成物の塗布方法としては、特開２０１３−２０７０８５号公報に記載の有機半導体膜の形成方法（いわゆるギャップキャスト法）、国際公開第２０１４／１７５３５１号公報に記載の有機半導体薄膜の製造方法（いわゆるエッジキャスト法や連続エッジキャスト法）などが好適に用いられる。
乾燥（乾燥処理）は、有機半導体組成物に含まれる各成分の種類により適宜最適な条件が選択され、自然乾燥であってもよいが、生産性を向上させる観点から加熱処理を行うことが好ましい。例えば、加熱温度としては３０〜２５０℃が好ましく、４０〜２００℃がより好ましく、５０〜１５０℃がさらに好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、２０〜１８０分がより好ましい。
作製される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０〜５００ｎｍが好ましく、２０〜２００ｎｍがより好ましい。

（封止層）
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤（封止層形成用組成物）を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。

（その他の有機薄膜トランジスタ）
図２は、本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ２００を表す断面模式図である。
図２の例では、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０を有する。ここで、有機半導体膜５０は、本発明の有機半導体組成物を用いて形成されたものである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層については上述の通りであるので、その説明を省略する。

（有機薄膜トランジスタの用途）
上述した有機薄膜トランジスタは、例えば、電子ペーパーおよびディスプレイデバイスの画像を表示する表示部に適用することができる。電子ペーパーおよびディプレイデバイスは、公知の構造を有することができるので、その説明を省略する。

以下、実施例を用いて、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。

＜有機半導体化合物＞
有機半導体組成物に含まれる有機半導体化合物（特定高分子化合物、特定低分子化合物、比較高分子化合物、比較低分子化合物）を以下に示す。なお、以下において、特定高分子化合物および比較高分子化合物を「高分子化合物」、特定低分子化合物および比較低分子化合物を「低分子化合物」、として略記する場合がある。
特定高分子化合物（１）〜（４）、および、（７）〜（８）は、公知のＤ-Ａ型π共役ポリマーの合成方法に準じて合成した。また、特定高分子化合物（５）および（６）は、以下の合成法にしたがって合成した。
比較高分子化合物（１）はシグマアルドリッチジャパン社から購入した。比較高分子化合物（２）および（３）は特開２０１２−３９１０３号公報、比較高分子化合物（４）はMacromolecules,2013,46,3887に記載の化合物である。
また、高分子化合物の分子量について、上述した方法にしたがって測定した。
特定低分子化合物（１）は特開２００９−２６７３７２号公報、特定低分子化合物（３）は特開２０１２−３９１０３号公報、比較低分子化合物（１）は特表２０１５−５０７８４０に記載の化合物である。また、特定低分子化合物（２）は、特表２０１１−５２６５８８に記載の方法を参考に合成した。ＴＩＰＳ−ＰＥＮは、比較低分子化合物であり、シグマアルドリッチジャパン社製のＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン）を表す。

＜特定高分子化合物（５）の合成＞
特定高分子化合物（５）について以下のスキームで合成した。

モノマーである中間体Ｘは、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２０１０，６６，３１７３．及びＯｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１１，１２，９９３．を参考に合成した。
中間体Ｘ（２４４ｍｇ、２００ｍｍｏｌ）、５，５’−ビス（トリメチルスタンニル）−２，２’−ビチオフェン（９８．４ｍｇ、２００ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（９．８ｍｇ、３２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（３．７ｍｇ、４ｍｍｏｌ）、および、脱水クロロベンゼン（１７ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１３０℃で２４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール（２４０ｍＬ）と濃塩酸（１０ｍＬ）との混合液に注ぎ、２時間撹拌した。析出物をろ過、メタノール洗浄した後、メタノール、アセトン、酢酸エチルで順次ソックスレー抽出し、可溶性の不純物を取り除いた。続いて、クロロホルムでソックスレー抽出し、得られた溶液を減圧濃縮した後、メタノールを添加し、析出した固形分をろ過、メタノール洗浄し８０℃で１２時間真空乾燥することで特定高分子化合物（５）を２０１ｍｇ得た（収率８２％）。
ポリスチレン換算の数平均分子量は２．４×１０^４であり、重量平均分子量は７．５×１０^４であった。

＜特定高分子化合物（６）の合成＞
特定高分子化合物（６）について以下のスキームで合成した。

（中間体１の合成）
４−ブロモフェノール（４１．６ｇ、２４０ｍｍｏｌ）、２−オクチル−１−ドデシルブロミド（１７４ｇ、４８０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１００ｇ、７２０ｍｍｏｌ）、および、メチルエチルケトン（４８０ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で７２時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、セライトろ過し、ヘキサンでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン）に供することで精製し、中間体１（８０ｇ）を得た。

（中間体２の合成）
中間体１（３０ｇ、６６ｍｍｏｌ）、４−ペンチン−１−オール（１８．３ｍＬ、１９８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（６３０ｍｇ、３．３ｍｍｏｌ）、ジエチルアミン（９０ｍＬ）、および、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１．９ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を混合し、窒素雰囲気下、７０℃で４時間攪拌した。反応溶液に酢酸エチル（２００ｍＬ）を加え、セライトろ過し、不溶物を除去した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝４：１〜１：１）に供することで精製し、中間体２（１７．５ｇ）を得た。

（中間体３の合成）
オートクレーブ容器中に、中間体２（５．０ｇ、１１ｍｍｏｌ）、１０ｗｔ％Ｐｄ／Ｃ（３．６ｇ）、および、エタノール（２５ｍＬ）を混合した。水素を０．９ＭＰａ充填し、３０℃で４時間攪拌した。反応容器を大気下に戻し、反応溶液をセライト濾過し、テトラヒドロフランでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝４：１〜２：１）に供することで精製し、中間体３（４．２ｇ）を得た。

（中間体４の合成）
中間体３（８．５ｇ、１８ｍｍｍｏｌ）、イミダゾール（１．５ｇ、２２ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（５．８ｇ、２２ｍｏｌ）、および、ジクロロメタン（５４ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、０℃に冷却した。次いで、ヨウ素（５．６ｇ、２２ｍｏｌ）を少量ずつ加えた。反応溶液を室温まで上昇させ、１時間攪拌した。亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、分液し、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、ろ過し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン）に供することで精製し、中間体４（８．７ｇ）を得た。

（中間体５の合成）
３，６−ジ(２−チエニル)−２,５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（１．５３ｇ，５．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．１ｇ、１５．３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７５ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で１時間攪拌した。その後、中間体４（８．７ｇ，１５ｍｍｏｌ）を加え、１００℃でさらに６時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、セライトろ過し、酢酸エチルでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１９：１〜９：１）に供することで精製し、中間体５（３．２ｇ）を得た。

（中間体６の合成）
１）リチオ化剤（ＴＭＰＬｉ）の調製
窒素雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（２．４ｍＬ、１４ｍｍｏｌ）、および、脱水テトラヒドロフラン（１３ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。２．６Ｍのノルマルブチルリチウム ヘキサン溶液（５．２ｍＬ、１３ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃まで昇温し、リチオ化剤（ＴＭＰＬｉ）を調製した。
２）中間体６の調製
窒素雰囲気下、中間体５（８００ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、および、脱水テトラヒドロフラン（３．６ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。上記で調製したリチオ化剤（４．１ｍＬ，４．２ｍｍｏｌ相当）を滴下した。−７８℃で１時間攪拌した後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラクロロエタン（４３９ｍｇ、１．３ｍｍｏｌ）を加えた。その後、反応溶液を室温まで昇温し、１時間攪拌した後、水を加えて、反応を停止させた。反応溶液をヘキサンで抽出した後、有機層を１Ｍの塩酸、ついで飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、ろ過し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１９：１〜９：１）に供することで精製し、中間体６（３９０ｍｇ）を得た。

（特定高分子化合物（６）の合成）
中間体６（１３０ｍｇ、９７μｍｏｌ）、５，５’−ビス（トリメチルスタンニル）−２，２’−ビチオフェン（４８ｍｇ、９７μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．４ｍｇ、７．７μｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．８ｍｇ、１．９μｍｏｌ）、および、脱水クロロベンゼン（３ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１３０℃で２４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）／濃塩酸（２ｍＬ）混合液に注ぎ、２時間撹拌し、析出物をろ過、メタノール洗浄した。得られた粗生成物をメタノール、アセトン、および、ヘキサンで順次ソックスレー抽出し、可溶性の不純物を取り除いた。続いて、クロロベンゼンでソックスレー抽出し、得られた溶液を減圧濃縮した後、メタノールを添加し、析出した固形分をろ過、メタノール洗浄し８０℃で１２時間真空乾燥することで特定高分子化合物（６）（１３０ｍｇ）を得た（重量平均分子量 Ｍｗ＝５００００）。

＜有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の作製＞
図１に示すボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。基板１０として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極２０を兼ねる）を用い、その上にゲート絶縁膜３０を形成した。
ゲート絶縁膜３０は以下のように形成した。
ポリ（４−ビニルフェノール）（日本曹達社製、商品名：ＶＰ−８０００、Ｍｎ１１０００、分散度１．１）を６．３ｇと、架橋剤として２，２−ビス（３，５−ジヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ）プロパン２．７ｇとを、９１ｇの１−ブタノール／エタノール＝１／１の混合溶媒に室温で完全に溶解した。この溶解液をφ０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製メンブランフィルタでろ過した。得られたろ液に酸触媒としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート塩０．１８ｇを加え、基板１０上に塗布し、乾燥して成膜した。その後、１００℃に加熱して架橋構造を形成させ、厚さ０．７μｍのゲート絶縁膜３０を形成した。
次いで、図１に示すようにソース電極４０及びドレイン電極４２として、くし型に配置されたクロム／金からなる電極（ゲート幅Ｗ＝１ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。

続いて、下記第１表の組み合わせになるように高分子化合物４ｍｇと低分子化合物４ｍｇとをクロロベンゼン２ｍＬに溶解した各有機半導体組成物を、ソース電極及びドレイン電極を覆うようにスピンコートして成膜し、窒素雰囲気下で１７５℃１時間アニール処理を行い、図１に示される構造の有機薄膜トランジスタを作製した。なお、図１における封止層は設けなかった。
有機半導体層の厚さは２０ｎｍ〜５０ｎｍであった。

＜ＯＴＦＴの性能評価＞
得られた各ＯＴＦＴについて、キャリア移動度、閾値電圧の絶対値、ヒステリシスの絶対値、耐熱性を下記方法により評価することで、ＯＴＦＴの性能を調べた。

（キャリア移動度の評価）
ソース電極−ドレイン電極間に−４０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を４０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表わす下記式を用いてキャリア移動度μを算出した。評価基準は以下の通りである。
Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔｈ）^２
（式中、Ｌはゲート長、ｗはゲート幅、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧）
「Ｓ」：０．４ｃｍ^２／Ｖｓ以上
「ＡＡ」：０．３ｃｍ^２／Ｖｓ以上０．４ｃｍ^２／Ｖｓ未満
「Ａ」：０．２ｃｍ^２／Ｖｓ以上０．３ｃｍ^２／Ｖｓ未満
「Ｂ」：０．２ｃｍ^２／Ｖｓ未満

（閾値電圧の評価）
ソース電極−ドレイン電極間にかかる電圧を−４０Ｖに固定し、Ｖｇを４０Ｖから−４０Ｖの範囲で変化させ、閾値電圧Ｖｔｈ＋を求め、閾値電圧の絶対値を求めた。この値の絶対値が０に近いほど、閾値電圧に優れる。
「Ｓ」：０Ｖ以上７．５Ｖ未満
「Ａ」：７．５Ｖ以上１５Ｖ未満
「Ｂ」：１５Ｖ以上

（ヒステリシス）
上記と同様にソース電極−ドレイン電極間にかかる電圧を−４０Ｖに固定し、Ｖｇを−４０Ｖから４０Ｖへ変化させたときの閾値電圧Ｖｔｈ−を求め、上記の閾値電圧の評価で求めたＶｔｈ＋と、Ｖｔｈ−と、の差分の絶対値をヒステリシスの指標に用いた。絶対値が０に近いほど、ヒステリシスに優れる。
「Ｓ」：０Ｖ以上３Ｖ未満
「Ａ」：３Ｖ以上７Ｖ未満
「Ｂ」：７Ｖ以上

（耐熱性試験）
製造例１で得られたＯＴＦＴについて、窒素雰囲気下、２２０℃１時間加熱した後、上記と同様の方法で、キャリア移動度を評価した。
耐熱性試験におけるキャリア移動度の評価は、耐熱試験前のキャリア移動度の値に対する耐熱試験後のキャリア移動度の値［１００×（耐熱試験後のキャリア移動度）／（耐熱試験前のキャリア移動度）］（％）を求め、この値に基づいて以下の基準により評価した。以下の評価基準において、ＳまたはＡであることが好ましく、Ｓであることがより好ましい。
「Ｓ」：７５％以上
「Ａ」：２５％以上７５％未満
「Ｂ」：２５％未満

＜評価結果＞
上記評価試験の結果を第１表に示す。

第１表に示すように、実施例のＯＴＦＴは、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつことが示された。また、実施例のＯＴＦＴは、閾値電圧および耐熱性にも優れていることが示された。
実施例１〜８の対比から、上記式（３）〜（５）に該当する特定高分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例３〜８）は、キャリア移動度がより優れたものになることが示された。特に、上記式（３）（より詳細には上記式（６））に該当する特定高分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例３〜６）は、キャリア移動度がより一層優れたものになることが示された。
また、実施例９〜１６の対比、実施例１７〜２４の対比についても、実施例１〜８の対比と同様の傾向がみられた。
実施例１〜８と、実施例９〜１６と、実施例１７〜２４と、の対比から、上記式（２Ｂ）に該当する特定低分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例９〜１６：特定低分子化合物（２）、実施例１７〜２４：特定低分子化合物（３））は、耐熱性がより優れたものになることが示された。さらに、上記式（２Ｂ）のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つである特定低分子化合物（実施例９−１６：特定低分子化合物（２））を用いることで、閾値電圧およびヒステリシスがより一層優れたものになることが示された。
また、実施例１〜８と、実施例９〜１６と、実施例１７〜２４と、の対比から、上記式（２Ａ）で表される部分構造を有する特定低分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例９〜１６：特定低分子化合物（２））は、閾値電圧およびヒステリシスがより優れたものになることが示された。

一方、比較例のＯＴＦＴは、特定低分子化合物または特定高分子化合物を用いて作製されなかったため、所望の性能が得られないことが示された。

＜実施例２５〜２７＞
第２表に示した量の高分子化合物（５）と低分子化合物（２）とを、クロロベンゼン２ｍＬに溶解した有機半導体組成物を用いた以外は、実施例１３と同様にしてＯＴＦＴを作製し（実施例２５〜２７）、上述した方法でキャリア移動度を算出した。
そして、実施例１３のＯＴＦＴのキャリア移動度に対する、実施例２５〜実施例２７の各キャリア移動度の比率（（実施例２５〜２７におけるキャリア移動度）／（実施例１３のキャリア移動度））を求めた。
評価結果を第２表に示す。

第２表に示すように、特定低分子化合物の含有量が特定高分子化合物１００質量部に対して５０質量部以下であることで（実施例２５〜２８）、移動度がより優れたものになることが示された。
なお、実施例２５〜２８のＯＴＦＴについて、上述した閾値電圧、ヒステリシスおよび耐熱性に関する評価を行ったところ、実施例１３と同様の結果であった。

１０ 基板
２０ ゲート電極
３０ ゲート絶縁膜
４０ ソース電極
４２ ドレイン電極
５０有機半導体膜
６０ 封止層
１００、２００ 有機薄膜トランジスタ

Claims (11)

1. 分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、
   式（２）で表される化合物Ｙと、
   を含有する、有機半導体組成物。
   式（１）中のＡは、式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基であり、
   Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。
   式（Ａ−１）〜（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。
   Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
   Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。
   Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（Ｒ^Ａ２）_２、ＮＲ^Ａ１、Ｎ原子、ＣＲ^Ａ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。
   Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
   Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
   Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
   式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
   Ｌ_ａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
   Ｌ_ｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。
   Ｒ^１ＳおよびＲ^２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬ_ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
   ＊は、他の構造との結合部位を表す。
   式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
   ｎは、２〜８の整数を示す。複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環を示す。
   Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｂ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｃ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
2. 前記式（１）中のＤが、式（Ｄ−１）で表される構造である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
   式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
   Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
   Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
   ＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
3. 前記式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
   
   式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲ^Ａ１を表す。
   Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、前記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
   Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
   Ｚ_ａはそれぞれ独立に、ＣＲ^Ａ２またはＮ原子を表す。Ｒ^Ａ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
   Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
   Ｚ_ｄはそれぞれ独立に、ＮまたはＣＲ^Ｄ２を表す。Ｒ^Ｄ２はそれぞれ独立に、水素原子または前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
   Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
4. 前記式（１）で表される繰り返し単位が、式（６）で表される繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
   式（６）中、Ｒ^Ａ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ａ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、前記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。Ｒ^Ａ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲ^Ｄ１を表す。Ｒ^Ｄ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
   Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｄ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。Ｒ^Ｄ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
5. 前記化合物Ｙが、式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
   式（２Ａ）中、Ｒ^２１〜Ｒ^２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^２１〜Ｒ^２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
   ただし、Ｒ^２１〜Ｒ^２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。
6. 前記化合物Ｙが、式（２Ｂ）で表される化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
   式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。なお、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
   Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｂ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ^Ｃ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。Ｒ^Ｂはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ^Ｃはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
   ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
7. 前記式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である、請求項６に記載の有機半導体組成物。
8. 前記化合物Ｙの含有量が、前記化合物Ｘ１００質量部に対して、１００質量部以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を用いて作製された、有機半導体膜。
10. 請求項９に記載の有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
11. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。