JPWO2017057376A1 - マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017057376A1 JPWO2017057376A1 JP2017505664A JP2017505664A JPWO2017057376A1 JP WO2017057376 A1 JPWO2017057376 A1 JP WO2017057376A1 JP 2017505664 A JP2017505664 A JP 2017505664A JP 2017505664 A JP2017505664 A JP 2017505664A JP WO2017057376 A1 JPWO2017057376 A1 JP WO2017057376A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- film
- layer
- upper layer
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 470
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 126
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims abstract description 76
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 75
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 402
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 148
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 61
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 46
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 23
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 16
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 520
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 88
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 34
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 32
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 15
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 12
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 10
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004158 TaO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
(構成1)
透光性基板上に、位相シフト膜および遮光膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有し、クロムを実質的に含有しない材料で形成され、前記透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、
前記下層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、
前記上層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが大きく、
前記下層は、前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きく、
前記遮光膜は、前記位相シフト膜に接する層を含み、
前記位相シフト膜に接する層は、クロムを含有する材料からなり、前記上層よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、かつ前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きい
ことを特徴とするマスクブランク。
前記上層は、前記下層よりも厚さが厚いことを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
(構成3)
前記下層は、厚さが10nm未満であることを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランク。
前記下層の屈折率nは、1.5以下であることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成5)
前記上層の屈折率nは、2.0よりも大きいことを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
前記位相シフト膜に接する層の屈折率nは、2.0以下であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成7)
前記下層の消衰係数kは、2.0以上であることを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
前記上層の消衰係数kは、0.8以下であることを特徴とする構成1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成9)
前記位相シフト膜に接する層の消衰係数kは、1.0以上であることを特徴とする構成1から8のいずれかに記載のマスクブランク。
前記下層は、前記透光性基板の表面に接して形成されていることを特徴とする構成1から9のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成11)
前記上層は、表層にその表層を除いた部分の上層よりも酸素含有量が多い層を有することを特徴とする構成1から10のいずれかに記載のマスクブランク。
前記透光性基板側から入射する前記露光光に対する裏面反射率が30%以上であることを特徴とする構成1から11のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成13)
透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜と、遮光パターンが形成された遮光膜がこの順に積層した構造を備える位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有し、クロムを実質的に含有しない材料で形成され、前記透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、
前記下層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、
前記上層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが大きく、
前記下層は、前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きく、
前記遮光膜は、前記位相シフト膜に接する層を含み、
前記位相シフト膜に接する層は、クロムを含有する材料からなり、前記上層よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、かつ前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きい
ことを特徴とする位相シフトマスク。
前記上層は、前記下層よりも厚さが厚いことを特徴とする構成13記載の位相シフトマスク。
(構成15)
前記下層は、厚さが10nm未満であることを特徴とする構成13または14に記載の位相シフトマスク。
前記下層の屈折率nは、1.5以下であることを特徴とする構成13から15のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成17)
前記上層の屈折率nは、2.0よりも大きいことを特徴とする構成13から16のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記位相シフト膜に接する層の屈折率nは、2.0以下であることを特徴とする構成13から17のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成19)
前記下層の消衰係数kは、2.0以上であることを特徴とする構成13から18のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記上層の消衰係数kは、0.8以下であることを特徴とする構成13から19のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成21)
前記位相シフト膜に接する層の消衰係数kは、1.0以上であることを特徴とする構成13から20のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記下層は、前記透光性基板の表面に接して形成されていることを特徴とする構成13から21のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成23)
前記上層は、表層にその表層を除いた部分の上層よりも酸素含有量が多い層を有することを特徴とする構成13から22のいずれかに記載の位相シフトマスク。
前記透光性基板側から入射する前記露光光に対する裏面反射率が30%以上であることを特徴とする構成13から23のいずれかに記載の位相シフトマスク。
(構成25)
構成13から24のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板1を準備した。この透光性基板1は、端面及び主表面を所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理および乾燥処理を施されたものである。この透光性基板1の光学特性を測定したところ、屈折率nが1.56、消衰係数kが0.00であった。
次に、この実施例1のマスクブランク100を用い、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク200を作製した。最初に、ハードマスク膜4の表面にHMDS処理を施した。続いて、スピン塗布法によって、ハードマスク膜4の表面に接して、電子線描画用化学増幅型レジストからなるレジスト膜を膜厚80nmで形成した。次に、このレジスト膜に対して、位相シフト膜2に形成すべき位相シフトパターンである第1のパターンを電子線描画し、所定の現像処理および洗浄処理を行い、第1のパターンを有する第1のレジストパターン5aを形成した(図2(a)参照)。
[マスクブランクの製造]
実施例2のマスクブランク100は、位相シフト膜2以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この実施例2の位相シフト膜2は、下層21と上層22を形成する材料と膜厚をそれぞれ変更している。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に透光性基板1を設置し、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)との混合ターゲット(Mo:Si=11原子%:89原子%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、透光性基板1上に、モリブデン、ケイ素および窒素からなる位相シフト膜2の下層21(MoSiN膜)を7nmの厚さで形成した。
次に、この実施例2のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例2の位相シフトマスク200を作製した。
[マスクブランクの製造]
実施例3のマスクブランク100は、遮光膜3以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この実施例3の遮光膜3は、位相シフト膜2側から最下層(位相シフト膜2に接する層)と上層が積層した構造からなる。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に位相シフト膜2が形成された透光性基板1を設置し、クロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)、二酸化炭素(CO2)およびヘリウム(He)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、位相シフト膜2上に、クロム、酸素、窒素および炭素からなる遮光膜3の最下層(CrOCN膜 Cr:O:C:N=49原子%:24原子%:13原子%:14原子%)を47nmの厚さで形成した。続いて、同じくクロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、最下層の上に、クロムおよび窒素からなる遮光膜3の上層(CrN膜 Cr:N=76原子%:24原子%)を5nmの厚さで形成した。
次に、この実施例3のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例3の位相シフトマスク200を作製した。
[マスクブランクの製造]
実施例4のマスクブランク100は、遮光膜3以外については、実施例2と同様の手順で製造した。この実施例4の遮光膜3は、実施例3の遮光膜3と同じものを用いた。以上の手順により、透光性基板上に、MoSiNの下層21とMoSiONの上層22とからなる位相シフト膜2、CrOCNの最下層とCrNの上層とからなる遮光膜3およびハードマスク膜4が積層した構造を備える実施例4のマスクブランク100を製造した。このマスクブランク100は、透光性基板1上に位相シフト膜2と遮光膜3が積層した状態における波長193nmの光に対する裏面反射率(透光性基板1側の反射率)は34.9%であった。この位相シフト膜2と遮光膜3の積層構造における波長193nmの光に対する光学濃度(OD)を測定したところ、3.0以上であった。
次に、この実施例4のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例4の位相シフトマスク200を作製した。
[マスクブランクの製造]
実施例5のマスクブランク100は、位相シフト膜2以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この実施例5の位相シフト膜2は、下層21と上層22を形成する材料と膜厚をそれぞれ変更している。具体的には、枚葉式RFスパッタ装置内に透光性基板1を設置し、ケイ素(Si)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)ガスをスパッタリングガスとするRFスパッタリングにより、透光性基板1の表面に接してケイ素からなる位相シフト膜2の下層21(Si膜)を8nmの厚さで形成した。続いて、ケイ素(Si)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)および窒素(N2)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(RFスパッタリング)により、下層21上に、ケイ素および窒素からなる位相シフト膜2の上層22(SiN膜 Si:N=43原子%:57原子%)を63nmの厚さで形成した。以上の手順により、透光性基板1の表面に接して下層21と上層22が積層した位相シフト膜2を71nmの厚さで形成した。
[位相シフトマスクの製造]
次に、この実施例5のマスクブランク100を用い、実施例1と同様の手順で、実施例5の位相シフトマスク200を作製した。
[マスクブランクの製造]
この比較例1のマスクブランクは、位相シフト膜2以外については、実施例1と同様の手順で製造した。この比較例1の位相シフト膜は、モリブデン、ケイ素および窒素からなる単層構造の膜を適用した。具体的には、枚葉式DCスパッタ装置内に透光性基板1を設置し、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)との混合焼結ターゲット(Mo:Si=11原子%:89原子%)を用い、アルゴン(Ar)、窒素(N2)およびヘリウム(He)の混合ガスをスパッタリングガスとする反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、モリブデン、ケイ素および窒素からなる位相シフト膜2を69nmの厚さで形成した。
次に、この比較例1のマスクブランクを用い、実施例1と同様の手順で、比較例1の位相シフトマスクを作製した。
2 位相シフト膜
21 下層
22 上層
2a 位相シフトパターン
3 遮光膜
3a,3b 遮光パターン
4 ハードマスク膜
4a ハードマスクパターン
5a 第1のレジストパターン
6b 第2のレジストパターン
100 マスクブランク
200 位相シフトマスク
Claims (25)
- 透光性基板上に、位相シフト膜および遮光膜がこの順に積層した構造を備えるマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有し、クロムを実質的に含有しない材料で形成され、前記透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、
前記下層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、
前記上層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが大きく、
前記下層は、前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きく、
前記遮光膜は、前記位相シフト膜に接する層を含み、
前記位相シフト膜に接する層は、クロムを含有する材料からなり、前記上層よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、かつ前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きい
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記上層は、前記下層よりも厚さが厚いことを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記下層は、厚さが10nm未満であることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク。
- 前記下層の屈折率nは、1.5以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層の屈折率nは、2.0よりも大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜に接する層の屈折率nは、2.0以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層の消衰係数kは、2.0以上であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層の消衰係数kは、0.8以下であることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜に接する層の消衰係数kは、1.0以上であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層は、前記透光性基板の表面に接して形成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記上層は、表層にその表層を除いた部分の上層よりも酸素含有量が多い層を有することを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記透光性基板側から入射する前記露光光に対する裏面反射率が30%以上であることを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載のマスクブランク。
- 透光性基板上に、転写パターンが形成された位相シフト膜と、遮光パターンが形成された遮光膜がこの順に積層した構造を備える位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上30%以下の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した前記露光光との間で150度以上200度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、ケイ素を含有し、クロムを実質的に含有しない材料で形成され、前記透光性基板側から下層と上層が積層した構造を含み、
前記下層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、
前記上層は、前記透光性基板よりも前記露光光の波長における屈折率nが大きく、
前記下層は、前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きく、
前記遮光膜は、前記位相シフト膜に接する層を含み、
前記位相シフト膜に接する層は、クロムを含有する材料からなり、前記上層よりも前記露光光の波長における屈折率nが小さく、かつ前記上層よりも前記露光光の波長における消衰係数kが大きい
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記上層は、前記下層よりも厚さが厚いことを特徴とする請求項13記載の位相シフトマスク。
- 前記下層は、厚さが10nm未満であることを特徴とする請求項13または14に記載の位相シフトマスク。
- 前記下層の屈折率nは、1.5以下であることを特徴とする請求項13から15のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記上層の屈折率nは、2.0よりも大きいことを特徴とする請求項13から16のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜に接する層の屈折率nは、2.0以下であることを特徴とする請求項13から17のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記下層の消衰係数kは、2.0以上であることを特徴とする請求項13から18のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記上層の消衰係数kは、0.8以下であることを特徴とする請求項13から19のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜に接する層の消衰係数kは、1.0以上であることを特徴とする請求項13から20のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記下層は、前記透光性基板の表面に接して形成されていることを特徴とする請求項13から21のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記上層は、表層にその表層を除いた部分の上層よりも酸素含有量が多い層を有することを特徴とする請求項13から22のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記透光性基板側から入射する前記露光光に対する裏面反射率が30%以上であることを特徴とする請求項13から23のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 請求項13から24のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に転写パターンを露光転写する工程を備えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015193314 | 2015-09-30 | ||
JP2015193314 | 2015-09-30 | ||
PCT/JP2016/078483 WO2017057376A1 (ja) | 2015-09-30 | 2016-09-27 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017082821A Division JP6297734B2 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-19 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6133530B1 JP6133530B1 (ja) | 2017-05-24 |
JPWO2017057376A1 true JPWO2017057376A1 (ja) | 2017-10-05 |
Family
ID=58427511
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017505664A Active JP6133530B1 (ja) | 2015-09-30 | 2016-09-27 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2017082821A Active JP6297734B2 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-19 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017082821A Active JP6297734B2 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-19 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10481486B2 (ja) |
JP (2) | JP6133530B1 (ja) |
KR (2) | KR20230167149A (ja) |
TW (2) | TWI684822B (ja) |
WO (1) | WO2017057376A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6058757B1 (ja) * | 2015-07-15 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP6400763B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
US11048160B2 (en) * | 2017-06-14 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device |
CN111133379B (zh) * | 2017-09-21 | 2024-03-22 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 |
WO2019167622A1 (ja) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
KR20200128021A (ko) * | 2018-03-14 | 2020-11-11 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
JP6557381B1 (ja) * | 2018-05-08 | 2019-08-07 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク |
JP6938428B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2021-09-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP7109996B2 (ja) | 2018-05-30 | 2022-08-01 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
US11131018B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-09-28 | Viavi Solutions Inc. | Coating material sputtered in presence of argon-helium based coating |
CN113383271B (zh) * | 2019-02-13 | 2024-01-30 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 |
JP7313166B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-07-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
TWI743766B (zh) * | 2019-05-31 | 2021-10-21 | 南韓商S&S技術股份有限公司 | 空白罩幕和光罩 |
EP4106618A4 (en) | 2020-02-19 | 2024-04-24 | Thermo Electron Scientific Instruments LLC | PHASE MASK FOR STRUCTURED LIGHTING |
CN113363217B (zh) * | 2020-03-04 | 2024-02-06 | 华邦电子股份有限公司 | 半导体存储器结构及其形成方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001201842A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-07-27 | Ulvac Seimaku Kk | 位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
JP4737483B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-08-03 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
DE112004000591B4 (de) | 2003-04-09 | 2020-09-10 | Hoya Corp. | Herstellungsverfahren für Photomaske |
JP4535241B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
WO2009157506A1 (ja) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
JP2010217514A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
JP5317310B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-10-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
KR101822801B1 (ko) * | 2009-06-18 | 2018-01-29 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 전사용 마스크와 전사용 마스크의 제조 방법 |
KR101921759B1 (ko) * | 2011-09-21 | 2018-11-23 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용 마스크의 제조 방법 |
JP5474129B2 (ja) * | 2012-05-24 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | 半透明積層膜の設計方法およびフォトマスクブランクの製造方法 |
JP5906143B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-04-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
KR102068952B1 (ko) * | 2012-07-13 | 2020-01-21 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
JP5596111B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-09-24 | Hoya株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP6005530B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2016-10-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
JP6185721B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2017-08-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP6389375B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2018-09-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 |
JP6264238B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 |
JP6544943B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2019-07-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
JP5779290B1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-09-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
KR101810805B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2017-12-19 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
-
2016
- 2016-09-26 TW TW105131102A patent/TWI684822B/zh active
- 2016-09-26 TW TW108146856A patent/TWI720752B/zh active
- 2016-09-27 KR KR1020237040997A patent/KR20230167149A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-09-27 US US15/576,937 patent/US10481486B2/en active Active
- 2016-09-27 WO PCT/JP2016/078483 patent/WO2017057376A1/ja active Application Filing
- 2016-09-27 JP JP2017505664A patent/JP6133530B1/ja active Active
- 2016-09-27 KR KR1020177032663A patent/KR102608711B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-19 JP JP2017082821A patent/JP6297734B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-08 US US16/596,008 patent/US10942441B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10481486B2 (en) | 2019-11-19 |
TWI684822B (zh) | 2020-02-11 |
US10942441B2 (en) | 2021-03-09 |
US20180149961A1 (en) | 2018-05-31 |
US20200033718A1 (en) | 2020-01-30 |
KR20230167149A (ko) | 2023-12-07 |
KR102608711B1 (ko) | 2023-12-04 |
JP6133530B1 (ja) | 2017-05-24 |
KR20180059393A (ko) | 2018-06-04 |
JP2017134424A (ja) | 2017-08-03 |
TW201721279A (zh) | 2017-06-16 |
WO2017057376A1 (ja) | 2017-04-06 |
TW202018407A (zh) | 2020-05-16 |
TWI720752B (zh) | 2021-03-01 |
JP6297734B2 (ja) | 2018-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6297734B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6599281B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP6087401B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
TWI683174B (zh) | 遮罩基底、相位轉移遮罩、相位轉移遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法 | |
JP6271780B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6104852B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP6526938B1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
WO2019188397A1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP6490786B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
KR20210056343A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP6295352B2 (ja) | マスクブランクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2019207359A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
JP6896694B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2018132686A (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170209 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6133530 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |