JPWO2017026363A1 - 光電変換素子、および、光学モジュール - Google Patents

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圭司 岩田
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Abstract

光電変換素子である面発光素子(10)は、基材部(100)、第1、第2電極パターン(11,12)、および、第1、第2電極構造体(13,14)を備える。基材部(100)は、対向する第1面(101)と第2面(102)とを有する。基材部(100)は、第1面(101)から光を出射する。第1電極パターン(11)および第2電極パターン(12)は、基材部(100)に形成されており、光電変換に利用される。第1電極構造体(13)は、第1電極パターン(11)に接続され、第2電極構造体(14)は、第2電極パターン(12)に接続されている。第1、第2電極構造体(13,14)は、基材部(100)における第1面(101)および第2面(102)に直交する第1側面(103)に、該第1側面(103)から突出する形状で形成されている。

Description

この発明は、面発光素子、または、受光面を有する受光素子等の光電変換素子、および、当該光電変換素子を備える光学モジュールに関する。
現在、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER)等の面発光素子が多く実用化されている。面発光素子は、例えば、特許文献1に示すように、光伝送モジュールに利用されている。
特許文献1に記載の光伝送モジュールは、面発光素子、光ファイバ、および、支持基板を備える。面発光素子および光ファイバは、支持基板に実装されている。面発光素子の発光面は、支持基板の表面に直交している。光ファイバは面発光素子の発光面に近接して配置されている。
特許文献1に記載の構成では、面発光素子の支持基板への位置決めのため、面発光素子の本体に凹凸の形状が設けられている。支持基板には、この凹凸の形状が嵌合する溝が設けられている。
特開2010−78806号公報
しかしながら、特許文献1に記載の構成では、位置決めの精度を向上させるために、面発光素子の本体および支持基板に複雑な凹凸の形状を設ける必要がある。このため、工法が複雑になり、工程数が増加してしまう。また、このような工法の複雑化および工程数の増加によって、各工程および工法の製造誤差の積み重ね等から寸法精度が低下してしまうおそれがある。
したがって、本発明の目的は、簡素な構成且つ簡素な工程で高い配置精度を得られる光電変換素子を提供することにある。
この発明の光電変換素子は、基材部、第1、第2電極パターン、および、第1、第2電極構造体を備える。基材部は、主面から光を出射または受光する光学素子部を有する。第1電極パターンおよび第2電極パターンは、基材部に形成されており、光学素子部に接続されている。第1電極構造体は、第1電極パターンに接続され、第2電極構造体は、第2電極パターンに接続されている。第1、第2電極構造体は、基材部における第1面および第2面に直交する第1側面に、該第1側面から突出する形状で形成されている。
この構成では、第1電極構造体および第2電極構造体を、光電変換素子の固定用の端子として利用することが可能になる。第1電極構造体および第2電極構造体は、第1側面から突出する形状であればよく、簡素な構造が可能になる。また、電極構造体であるため、寸法精度を高くすることが可能になる。これにより、光電変換素子の配置時の姿勢精度が向上する。
また、この発明の光電変換素子では、第1電極パターンが第1電極構造体を兼ねており、第2電極パターンが第2電極構造体を兼ねていてもよい。この構成では、光電変換素子の製造工程が簡素化される。
また、この発明の光電変換素子では、第1電極構造体および第2電極構造体の少なくとも一方は、第1側面と反対側の端部がテーパ状であることが好ましい。
この構成では、電極構造体の装着精度が低くても、確実に装着しやすくなる。
また、この発明の光電変換素子では、第1電極構造体および第2電極構造体は、主面に直交する方向において異なる位置に配置されていてもよい。
この構成では、基材部の第1側面に平行な直交する二方向に対する光電変換素子の配置の安定性が向上する。
また、この発明の光電変換素子では、第1電極構造体および第2電極構造体は、第1側面から基材部の内側に入り込む形状であることが好ましい。
この構成では、第1、第2電極構造体と基材部との接合安定性が向上する。
また、この発明の光電変換素子では、第1側面に第3電極構造体を備え、第1電極構造体、第2電極構造体、および、第3電極構造体は、一直線上に並ばない位置に配置されていることが好ましい。
この構成では、光電変換素子が三点支持されるため、配置時の姿勢保持の精度および安定性がさらに向上する。
また、この発明の光学モジュールは、上述の光電変換素子と、光電変換素子が実装される支持部材と、を備えている。支持部材における光電変換素子が実装される実装面には、第1電極構造体が嵌合する第1凹部と、第2電極構造体が勘合する第2凹部と、が形成されている。第1凹部と第2凹部との嵌合面には、金属膜が形成されている。
この構成では、第1、第2電極構造体が嵌合される側の精度も向上する。したがって、光電変換素子の配置時の姿勢保持の精度および安定性がさらに向上する。
また、この発明の光学モジュールは、上述の第3電極構造体を有する光電変換素子と、光電変換素子が実装される支持部材と、を備えており、次の構成であることが好ましい。支持部材における光電変換素子が実装される実装面には、第1電極構造体が嵌合する第1凹部と、第2電極構造体が勘合する第2凹部と、第3電極構造体が勘合する第3凹部と、が形成されている。第1凹部と第2凹部と第3凹部の嵌合面には、金属膜が形成されている。第1電極構造体、第2電極構造体、および第3電極構造体における第1側面からの突出する長さは、第1凹部、第2凹部、および第3凹部の深さ方向の長さよりも長い。
この構成では、精度の高い金属面の当接による位置決めが実現され、光電変換素子の配置時の姿勢保持の精度および安定性がさらに向上する。
また、この発明の光学モジュールは、次の構成であってもよい。光学モジュールは、光電変換素子の第1面側に光電変換素子から離間して配置されたレンズ部材と、このレンズ部材を挟んで光電変換素子と反対側に配置された光ファイバと、を備える。レンズ部材は、支持部材への実装面にレンズ部材用電極構造体を備える。支持部材は、レンズ部材用電極構造体が嵌合し、嵌合面に金属膜が形成されたレンズ部材用凹部を備える。
この構成では、光電変換素子とレンズ部材との配置の精度が向上し、これらの位置関係の精度が向上する。
また、この発明の光学モジュールでは、次の構成であることが好ましい。光ファイバは、支持部材に実装されるファイバ取り付け部材によって固定されている。ファイバ取り付け部材は、光電変換素子の基材部、およびレンズ部材の少なくとも一方に嵌合するファイバ取り付け用嵌合部を備える。
この構成では、光ファイバと当該光ファイバ以外の構成要素との間の位置関係の精度が向上する。
また、この発明の光学モジュールでは、次の構成であってもよい。ファイバ取り付け部材は、支持部材への実装面にファイバ用突起部を備える。支持部材は、ファイバ用突起部が嵌合するファイバ用凹部を備える。
この構成では、光ファイバの配置精度が向上し、光学モジュールの他の構成要素との位置関係の精度がさらに向上する。
この発明によれば、高い配置精度を有する光電変換素子を実現することができる。
本発明の第1の実施形態に係る光学モジュールの主要構成を示す外観斜視図である。 本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の外観斜視図である。 本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解斜視図である。 (A)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の正面図である。(B)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の側面断面図である。(C)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の正面図である。(D)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の側面断面図である。 (A)は、本発明の第2の実施形態に係る面発光素子の正面図である。(B)は、本発明の第2の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。 本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解斜視図である。 (A)は、本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の正面図である。(B),(C)は、本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の側面断面図である。 本発明の第4の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の嵌合状態を示す側面の拡大断面図である。 本発明の第5の実施形態に係る光学モジュールの分解斜視図である。 本発明の第6の実施形態に係る光学モジュールの分解斜視図である。
以下の各実施形態では、光電変換素子として、垂直面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting LASER)等の面発光素子を例に示すが、フォトダイオード等の受光素子に、以下の構成を適用することもできる。
本発明の第1の実施形態に係る光電変換素子、および光学モジュールについて、図を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る光学モジュールの主要構成を示す外観斜視図である。光学モジュール1は、面発光素子10、支持部材20、レンズ部材30、および、光ファイバ40を備える。面発光素子10、レンズ部材30、および、光ファイバ40は、支持部材20の表面に実装されている。面発光素子10の第1面101は、支持部材20の表面に直交している。この第1面101は出射面であり、面発光素子10は、出射面に対して直交する方向に、レーザ光を出射する。レンズ部材30は、面発光素子10の第1面101側に、第1面101から距離をおいて配置されている。光ファイバ40は、レンズ部材30を挟んで、面発光素子10と反対側に配置されている。面発光素子10、レンズ部材30、および、光ファイバ40は、それぞれの光軸Loが一致するように配置されている。光軸Loは、支持部材20の表面に略平行である。このような構成では、面発光素子10、レンズ部材30、および、光ファイバ40の支持部材20への配置の精度が重要となり、配置精度が高いほど高効率な光学モジュール1を実現することができる。
これを実現するため、面発光素子10および支持部材20は、次の構成を備える。図2は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の外観斜視図である。図3は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解斜視図である。図4(A)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の正面図である。図4(B)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の側面断面図である。図4(B)は、図4(A)のA−A’断面を示している。図4(C)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の正面図である。図4(D)は、本発明の第1の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の側面断面図である。図4(D)は、図4(C)のA−A’断面を示している。
面発光素子10は、直方体形状の基材部100を備える。基材部100は、対向する第1面101と第2面102を有する。基材部100には、半絶縁性GaAs、n型GaAsあるいはp型GaAsを基板とした、GaAsを主材料とする既知のVCSEL構造が形成されている。面発光素子10は、外部からの電圧印加によって、第1面101と第2面102とに直交する方向に共振する光を発生し、主面である第1面101から出射する。すなわち、基材部100は、光学素子部を有する。なお、面発光素子としては、他の半導体材料、例えばInP基板上のInGaAs系素子、サファイヤやSi上のGaN系素子であってもかまわない。
基材部100の第1面101には、電圧印加用の電極の組である第1電極パターン11と第2電極パターン12とが形成されており、それぞれVCSELのn層およびp層に接続されている。なお、図4に示す第1電極パターン11と第2電極パターン12の形状は一例であり、他の形状であってもよい。第1電極パターン11と第2電極パターン12は、薄膜の電極パターンである。
基材部100における第1面101と第2面102に直交する第1側面103には、第1電極構造体13と第2電極構造体14が形成されている。第1電極構造体13は、第1電極パターン11に接続されている。第2電極構造体14は、第2電極パターン12に接続されている。なお、第1電極パターン11および第2電極パターン12は、それぞれ第1電極構造体13および第2電極構造体14を兼ねるように構成されていてもよい。
第1電極構造体13と第2電極構造体14は、第1面101と第1側面103とが交わる辺に沿って配置されている。第1電極構造体13と第2電極構造体14は、第1側面103から外方に突出する部分と、第1側面103から基材部100の内側に入り込む部分とを有する。なお、第1電極構造体13と第2電極構造体14における基材部100の内側に入り込む部分は無くてもよいが、この部分が有ることによって、第1電極構造体13および第2電極構造体14と、基材部100との接合信頼性を向上させることができる。なお、2つの電極構造体間の導通をVCSELの活性領域に限定し、他の部分からのリークが発生しないように、基材部100と電極パターンおよび電極構造体の間には絶縁層が挿入されている。ただし、基材部100の基板に絶縁性基板を使用した場合は、絶縁層は必須ではない。
第1電極構造体13と第2電極構造体14は、直交する三方向の長さの差が少ない立体形状である。第1電極構造体13と第2電極構造体14における基材部100に入り込む側と反対側の端部は、正面視して(第1面101に直交する方向に視て)、幅が徐々に狭くなるテーパ部tpyを備える。
このような構成からなる面発光素子10は、次に示す工程によって製造することができる。まず、基材部100にVCSELの構造を形成する。この際、基材部100は、正面視して、第1電極構造体13と第2電極構造体14を形成可能な大きさで形成する。
次に、第1電極構造体13と第2電極構造体14を形成可能な大きさで形成した基材部100における第1側面103側となる側面を、第1電極構造体13および第2電極構造体14の形状に合わせてエッチングする。次に、このエッチングによる穴に対して電極シード層を形成する。次に、電極シード層が形成された穴を、メッキによって電極で充填する。これにより、第1電極構造体13および第2電極構造体14が形成される。具体的には、第1面101から突出するように十分な厚さでめっきを形成した後、研磨工程を経てめっき表面の高さを第1面101の高さと一致させる。
次に、第1電極構造体13を第1電極パターン11に接続し、第2電極構造体14を第2電極パターン12に接続する。
次に、第1電極構造体13と第2電極構造体14を形成可能な大きさで形成した基材部100における第1面101あるいは第2面102から、フォトリソ技術およびボッシュプロセス等の深掘り、RIE等にて基材部100を選択的に削る。これにより、第1電極構造体13と第2電極構造体14が突出する第1側面103が形成される。
このような構成を用いることで、第1電極構造体13および第2電極構造体14を、高い寸法精度で形成することができる。また、第1側面103の平坦度および垂直度を高くすることができる。これにより、面発光素子10の設置精度を向上することができる。
支持部材20は、絶縁性の平板であり、シリコン(Si)、ガラス、樹脂等を材料とする。支持部材20は、絶縁性を有しているか、あるいは絶縁層が形成可能であり、平板面に直交する方向への穴あけ加工精度が高い材料であれば、他の材料であってもよい。
支持部材20の1つの平板面である実装面には、第1凹部21と第2凹部22が形成されている。第1凹部21の表面および第1凹部21を含む実装面の所定範囲には、第1金属膜23が形成されている。第2凹部22の表面および第2凹部22を含む実装面の所定範囲には、第2金属膜24が形成されている。
第1凹部21と第2凹部22は、ドライエッチングによって形成されている。支持部材20の材料が穴あけ加工精度の高い材料であるので、第1凹部21および第2凹部22の寸法精度は高い。
第1金属膜23と第2金属膜24は、膜厚が制御し易いメッキや蒸着によって形成されている。これにより、第1金属膜23と第2金属膜24の膜厚は高精度になる。また、支持部材20が絶縁体でない場合には、金属膜23と金属膜24の間の絶縁性を確保するために、それぞれの金属膜の下に絶縁層を形成する。したがって、第1金属膜23で覆われた第1凹部21と、第2金属膜24で覆われた第2凹部22を高い寸法精度で実現することができる。また、第1金属膜23および第2金属膜24で覆われている実装面も、高い平坦度で実現することができる。
面発光素子10の第1電極構造体13は、支持部材20の第1凹部21に挿入され、これらは嵌合している。面発光素子10の第2電極構造体14は、支持部材20の第2凹部22に挿入され、これらは嵌合している。
この際、面発光素子10の第1側面103は、支持部材20の実装面(より詳細には、第1金属膜23および第2金属膜24の表面)に当接している。ここで、当接している各面の平坦度は高く、上述の嵌合している部分は寸法精度が高い。したがって、面発光素子10を支持部材20に対して高精度に配置、固定することができる。
さらに、従来技術に示すように、面発光素子10の形状を複雑な凹凸がある形状とすることなく、第1電極構造体13および第2電極構造体14が突出しているだけである構造を用いることによって、簡素な構造で高い配置精度を実現することができる。特に、上述の製造方法を用いることによって、それぞれの寸法精度を向上でき、より高い配置精度を容易に実現することができる。
また、本実施形態に構成では、第1電極構造体13と第2電極構造体14の先端がテーパ状になっている。したがって、第1電極構造体13を第1凹部21に挿入し、第2電極構造体14を第2凹部22に挿入する工程の精度が低くても、確実に第1電極構造体13を第1凹部21に挿入し、第2電極構造体14を第2凹部22に挿入することができる。これにより、面発光素子10と支持部材20との複合部材を、より容易に製造することができる。
また、本実施形態の構成では、VCSEL駆動用の電圧を印加するための一対の電極構造体を固定用にも利用しているため、固定用の突起を別途形成する構成よりも、簡素化が可能である。また、固定用にも用いる一対の電極構造体を用いて、支持部材20に形成された駆動回路(図示せず)から駆動用の電圧を面発光素子10に直接印加することができ、駆動系の構造も簡素化することができる。
なお、レンズ部材30は、上述の面発光素子10と同様の実装構造を備えることによって、支持部材20に対して高精度に配置することができる。また、光ファイバ40も、例えば後述の実施形態に示す固定構造等を用いることによって、支持部材20に対して高精度に配置することができる。これにより、面発光素子10、レンズ部材30、および、光ファイバ40を高精度な位置関係で配置でき、高効率な光学モジュール1を簡素な構成で実現することができる。
次に、本発明の第2の実施形態に係る光電変換素子について、図を参照して説明する。図5(A)は、本発明の第2の実施形態に係る面発光素子の正面図である。図5(B)は、本発明の第2の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。図5(B)は、図5(A)のA−A’断面を示している。
本実施形態に係る面発光素子10Aは、第1の実施形態に係る面発光素子10に対して、第1電極構造体13Aと第2電極構造体14Aの構成において異なる。他の構成は、第1の実施形態に係る面発光素子10と同じである。
第1電極構造体13Aと第2電極構造体14Aは、正面視して幅が狭くなるテーパ部tpyAとともに、側面視して幅が狭くなるテーパ部tpyBを備える。
このような構成とすることによって、第1電極構造体13Aを第1凹部21に挿入し、第2電極構造体14Aを第2凹部22に挿入する工程の精度が二次元の領域で低くても、より確実に第1電極構造体13Aを第1凹部21に挿入し、第2電極構造体14Aを第2凹部22に挿入することができる。これにより、面発光素子10Aと支持部材20との複合部材を、より容易に製造することができる。
なお、テーパ部tpyAとテーパ部tpyBは同時に備えられていなくてもよく、例えばテーパ部tpyBのみが備えられていてもよい。
次に、本発明の第3の実施形態に係る光学モジュールについて、図を参照して説明する。図6は、本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解斜視図である。図7(A)は、本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の正面図である。図7(B)および図7(C)は、本発明の第3の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の分解状態の側面断面図である。図7(B)は、図7(A)のA−A’断面を示している。図7(C)は、図7(A)のB−B’断面を示している。
本実施形態に係る面発光素子10Bは、第1の実施形態に係る面発光素子10に対して、第3電極構造体15の追加、複数の電極構造体の配置において異なる。また、本実施形態に係る支持部材20Bは、第1の実施形態に係る支持部材20に対して、第3凹部25の追加、複数の凹部の配置において異なる。他の構成は、第1の実施形態に係る面発光素子と支持部材の複合部材と同じである。
面発光素子10Bでは、基材部100Bの第1面101に第1電極パターン11が形成され、第2面102に第2電極パターン12Bが形成されている。基材部100BのVCSELの基板としてn型基板を使用した場合、第1電極構造体13はVCSELのp層に接続され、第2電極構造体14Bはn型基板に接続されている。基材部100BのVCSELの基板としてp型基板を使用した場合、第1電極構造体13はVCSELのn層に接続され、第2電極構造体14BはVCSELのp型基板に接続されている。基材部100BのVCSELの基板として絶縁性基板を使用した場合、第1電極構造体13はVCSELのn層あるいはp層に接続され、第2電極構造体14Bは第一面101近くに形成されているp層あるいはn層と接続されたビアを介して、電気的に接続されている。第1電極構造体13、第2電極構造体14B、および、第3電極構造体15は、第1側面103から突出する形状で形成されている。第2電極構造体14Bは、第2電極パターン12Bに接続されている。第3電極構造体15は、第1電極構造体13および第2電極構造体14Bと同様の工法によって形成されている。
第1電極構造体13および第3電極構造体15は、第1側面103における第1面101側に配置されている。第2電極構造体14Bは、第1側面103における第2面102側に配置されている。これにより、第1電極構造体13、第2電極構造体14B、および第3電極構造体15は、一直線上に並ばないように配置されている。
このような構成とすることによって、面発光素子10Bを正面視した状態での傾きだけでなく、面発光素子10Bを側面視した状態での傾きを抑制することができる。
この面発光素子10Bの構造に対応して、支持部材20Bは、第2凹部22Bおよび第3凹部25を備える。また、支持部材20Bは、第2金属膜24Bおよび第3金属膜26を備える。第2金属膜24Bは、第2凹部22Bの表面および第2凹部22Bを含む実装面の所定範囲を覆っている。第3金属膜26は、第3凹部25の表面および第3凹部25を含む実装面の所定範囲を覆っている。
第2凹部22Bには、第2電極構造体14Bが嵌合され、第3凹部25には、第3電極構造体15が嵌合されている。
このような構成によって、支持部材20Bに対する面発光素子10Bの配置精度および固定の安定性がさらに向上する。
なお、本実施形態では、基材部100Bの第1面101に第1電極パターン11が形成され、第2面102に第2電極パターン12Bが形成される構成を示したが、第1の実施形態と同様に、第1面101に2つの電極パターンが形成されていてもよい。この場合、第1電極構造体13と第2電極構造体14は第1側面103の第1面101側に配置され、第3電極構造体15は第1側面103の第2面102側に配置されていればよい。VCSELとの電気的接続は、第1電極構造体13と第2電極構造体14を介して行われている。
次に、本発明の第4の実施形態に係る光学モジュールについて、図を参照して説明する。図8は、本発明の第4の実施形態に係る面発光素子および支持部材からなる複合部材の嵌合状態を示す側面の拡大断面図である。
本実施形態に係る面発光素子10Cは、第3の実施形態に係る面発光素子10Bに対して、第1電極構造体13C、第2電極構造体14C、および、第3電極構造体の第1側面103からの突出寸法を具体的に設定した点で異なる。
第1電極構造体13C、第2電極構造体14C、および、第3電極構造体の第1側面103からの突出寸法Hは、支持部材20Cの第1凹部21、第2凹部22、第3凹部の深さ寸法Dよりも長い。
第1電極構造体13Cの先端は、第1凹部21の底面211に当接しており、第2電極構造体14Cの先端は、第2凹部22の底面221に当接している。また、第3電極構造体の先端は、第3凹部の底面に当接している。
上述のように、各凹部の各面は平坦度が高く、寸法精度も高い。また、第1電極構造体13C、第2電極構造体14C、および第3電極構造体の先端の平坦度および寸法精度も高い。
したがって、本実施形態に示すように、各電極構造体の先端を各凹部の底面に当接させることで、面発光素子10Cを支持部材20Cに対して、より高精度に所望の姿勢で配置することができる。
なお、本実施形態では、第1電極構造体13C、第2電極構造体14C、および第3電極構造体の突出寸法Hを同じとして、第1凹部21、第2凹部22、および第3凹部の深さ寸法Dを同じとする態様を示した。しかしながら、第1電極構造体13Cの突出寸法と第1凹部の深さ寸法の差、第2電極構造体14Cの突出寸法と第2凹部の深さ寸法の差、および、第3電極構造体の突出寸法と第3凹部の深さ寸法の差が同じであれば、それぞれの突出寸法および深さ寸法は異なっていてもよい。ただし、複数の電極構造体の突出寸法および複数の凹部の深さ寸法を同じにすることによって、より容易な工程で複合部材を製造することができる。
次に、本発明の第5の実施形態に係る光学モジュールについて、図を参照して説明する。図9は、本発明の第5の実施形態に係る光学モジュールの分解斜視図である。なお、図9では、光ファイバは図示していないが、後述のファイバ用貫通孔に装着されている。
本実施形態に係る光学モジュール1Dは、第1の実施形態に係る光学モジュール1に対して、ファイバ取り付け部材50を追加した点で異なる。また、このファイバ取り付け部材50の追加に応じて、面発光素子10Dの形状、およびレンズ部材30Dの形状が変更されている。
面発光素子10Dは、第1側面103に対向する第2側面104に突起部110を備える。レンズ部材30Dは、実装面に対向する天面に突起部310を備える。
ファイバ取り付け部材50は、主体部51と薄厚部52とを備え、主体部51と薄厚部52は一体成形されている。ファイバ取り付け部材50は、成形による寸法精度が高い材料からなる。主体部51には、ファイバ用貫通孔511が形成されている。ファイバ用貫通孔511には、図示しない光ファイバが挿通され、固定されている。薄厚部52には、ファイバ取り付け用嵌合部となる凹部521,522が形成されている。凹部521は、面発光素子10Dの突起部110に嵌合されており、凹部522は、レンズ部材30Dの突起部310に嵌合されている。
このような構造により、ファイバ取り付け部材50は、面発光素子10Dおよびレンズ部材30Dに対して、高い位置精度で配置、固定される。これにより、高効率な光学モジュール1Dを簡素な構成で実現することができる。
なお、本実施形態では、面発光素子10Dとレンズ部材30Dの両方に突起部を備える構成を示したが、いずれか一方に突起部を備えていればよい。
次に、本発明の第6の実施形態に係る光学モジュールについて、図を参照して説明する。図10は、本発明の第6の実施形態に係る光学モジュールの分解斜視図である。なお、図10では、光ファイバは図示していないが、後述のファイバ用貫通孔に装着されている。
本実施形態に係る光学モジュール1Eは、第5の実施形態に係る光学モジュールに対して、ファイバ取り付け部材50Eの構造において異なる。また、本実施形態に係る光学モジュール1Eは、第1の実施形態に係る面発光素子10とレンズ部材30を用いている。
ファイバ取り付け部材50Eには、ファイバ用貫通孔511が形成されている。ファイバ用貫通孔511には、図示しない光ファイバが挿通され、固定されている。ファイバ取り付け部材50Eの底面には、ファイバ用突起部531,532が形成されている。
支持部材20Eには、ファイバ用凹部251,252が形成されている。ファイバ用凹部251は、ファイバ用突起部531に嵌合されており、ファイバ用凹部252は、ファイバ用突起部532に勘合されている。ファイバ用凹部251,252およびファイバ用突起部531,532は、高い寸法精度で形成されているので、ファイバ取り付け部材50Eは、支持部材20Eに対して高い寸法精度で配置されている。そして、上述の構成を備えることによって、面発光素子10およびレンズ部材30の高い寸法精度で配置されている。これにより、ファイバ取り付け部材50Eは、面発光素子10およびレンズ部材30に対して、高い位置精度で配置、固定される。これにより、高効率な光学モジュール1Eを簡素な構成で実現することができる。
なお、第5の実施形態に係る構成と第6の実施形態に係る構成は組み合わせてもよい。
1,1D,1E:光学モジュール
10,10A,10B,10C,10D:面発光素子
11:第1電極パターン
12,12B:第2電極パターン
13,13A,13C:第1電極構造体
14,14A,14B,14C:第2電極構造体
15:第3電極構造体
20,20B,20C,20E:支持部材
21:第1凹部
22,22B:第2凹部
23:第1金属膜
24,24B:第2金属膜
25:第3凹部
26:第3金属膜
30,30D:レンズ部材
40:光ファイバ
50,50E:ファイバ取り付け部材
51:主体部
52:薄厚部
100,100B:基材部
101:第1面
102:第2面
103:第1側面
104:第2側面
110:突起部
211,221:底面
251,252:ファイバ用凹部
310:突起部
511:ファイバ用貫通孔
521,522:凹部
531,532:ファイバ用突起部

Claims (11)

  1. 主面から光を出射または受光する光学素子部を有する基材部と、
    前記基材部に形成され、前記光学素子部に接続される第1電極パターンおよび第2電極パターンと、
    前記主面と直交する第1側面に、該第1側面から突出する形状で形成され、前記第1電極パターンに接続する第1電極構造体および前記第2電極パターンに接続する第2電極構造体と、
    を備える、光電変換素子。
  2. 前記第1電極パターンは前記第1電極構造体を兼ねており、前記第2電極パターンは前記第2電極構造体を兼ねている、
    請求項1に記載の光電変換素子。
  3. 前記第1電極構造体および前記第2電極構造体の少なくとも一方は、前記第1側面と反対側の端部がテーパ状である、
    請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
  4. 前記第1電極構造体および前記第2電極構造体は、前記主面に直交する方向において異なる位置に配置されている、
    請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  5. 前記第1電極構造体および前記第2電極構造体は、前記第1側面から前記基材部の内側に入り込む形状である、
    請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  6. 前記第1側面には、第3電極構造体を備え、
    前記第1電極構造体、前記第2電極構造体、および、前記第3電極構造体は、一直線上に並ばない位置に配置されている、
    請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の光電変換素子。
  7. 請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の光電変換素子と、
    前記光電変換素子が実装される支持部材と、を備える光学モジュールであって、
    前記支持部材における前記光電変換素子が実装される実装面には、
    前記第1電極構造体が嵌合する第1凹部と、前記第2電極構造体が勘合する第2凹部と、が形成されており、
    前記第1凹部と前記第2凹部との嵌合面には、金属膜が形成されている、
    光学モジュール。
  8. 請求項6に記載の光電変換素子と、
    前記光電変換素子が実装される支持部材と、を備える光学モジュールであって、
    前記支持部材における前記光電変換素子が実装される実装面には、
    前記第1電極構造体が嵌合する第1凹部と、前記第2電極構造体が勘合する第2凹部と、前記第3電極構造体が勘合する第3凹部と、が形成されており、
    前記第1凹部、前記第2凹部、および前記第3凹部の嵌合面には、金属膜が形成されており、
    前記第1電極構造体、前記第2電極構造体、および前記第3電極構造体における前記第1側面からの突出する長さは、前記第1凹部、前記第2凹部、および前記第3凹部の深さ方向の長さよりも長い、
    光学モジュール。
  9. 請求項7または請求項8に記載の光学モジュールであって、
    前記光電変換素子の前記第1面側に、前記光電変換素子から離間して配置されたレンズ部材と、
    該レンズ部材を挟んで、前記光電変換素子と反対側に配置された光ファイバと、を備え、
    前記レンズ部材は、
    前記支持部材への実装面に、レンズ部材用電極構造体を備え、
    前記支持部材は、前記レンズ部材用電極構造体が嵌合し、嵌合面に金属膜が形成されたレンズ部材用凹部を備える、
    光学モジュール。
  10. 請求項9に記載の光学モジュールであって、
    前記光ファイバは、前記支持部材に実装されるファイバ取り付け部材によって固定されており、
    前記ファイバ取り付け部材は、
    前記光電変換素子の基材部、および前記レンズ部材の少なくとも一方に嵌合するファイバ取り付け用嵌合部を備える、
    光学モジュール。
  11. 請求項9または請求項10に記載の光学モジュールであって、
    前記ファイバ取り付け部材は、前記支持部材への実装面に、ファイバ用突起部を備え、
    前記支持部材は、前記ファイバ用突起部が嵌合するファイバ用凹部を備える、
    光学モジュール。
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