JP6551008B2 - 光モジュール、光学装置 - Google Patents
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Description
以上説明した本実施形態に係る方法により、半導体光素子19として働くレーザダイオードを備えるLDモジュールを作製する。LDモジュールの縦、横及び高さは、例えば数mm程度のサイズである。LDモジュールでは、図2に示されるように、レーザダイオードから出射されたレーザ光は、レンズで集光される。集光された光は、キャップの前壁のSi(111)面に対して垂直に入射するものでなく、具体的には(111)面に対して垂直ではない角度(例えば54.7度)で入射する。この入射角は、シリコンベースの主面の面方位及び(111)面の方向関係で決まる。シリコン半導体の屈折率(約3.4)は空気の屈折率(約1)より大きいので、レーザ光は、前壁のシリコン半導体に入射する際に入射方向に対して屈折されて、キャップ前壁のシリコン半導体内では入射位置に対してLDモジュールのベンチからキャップ前壁への方向に向きを変える。さらに、キャップ前壁のシリコン半導体から出射するときには、入射位置より高い出射位置に光軸を移して、入射光の伝搬方向に平行に伝搬していく。光を入射させる構造を作製できるので、当該製造方法におけるダイシングにより作製された前壁の先端による影響(光散乱による影響)を低減できる。LD光モジュールの製造では、キャップ生産物SPCPをダイシングにより分離するけれども、レーザ光がシリコンキャップの前壁を通過する際の光伝搬経路が、上述のように、当該ダイシングにより作製された前壁の先端から離れるように変化する。
Claims (7)
- 光モジュールであって、
第1エリア及び第2エリアを含む主面を有するベンチ、前記第1エリア及び前記第2エリア上に設けられた電極、前記第1エリアにおいて前記電極上に設けられた半導体光素子、並びに前記第1エリアに支持されたレンズを含むベンチ部品と、
前記ベンチ部品上に設けられたキャップと、
を備え、
前記キャップは、前記半導体光素子及び前記レンズを収容可能なキャビティ、天井、前壁、第1側壁、第2側壁並びに後壁を含むベースと、前記ベース上に設けられたパッド電極と、前記ベース上に設けられ前記パッド電極に接続された導電体とを備え、
前記ベンチの前記第2エリアは前記第1エリアを囲み、前記第2エリア上の前記電極は、前記ベース上の前記導電体に電気的に接続され、
前記半導体光素子、前記レンズ、並びに前記キャップの前記前壁及び前記後壁は、第1軸の方向に延在する光学基準面に沿って前記ベンチ部品の主面上において配列され、
前記ベースの前記天井は、第1基準面に沿って延在し、前記前壁は、前記第1基準面に交差する第2基準面に沿って延在する前外面を有し、前記後壁は、前記キャップから前記ベンチへ向かう方向に前記天井から延在する、光モジュール。 - 前記キャップの前記ベースの前記第1側壁及び前記第2側壁は、前記第1軸の方向に延在し、
前記前壁、前記第1側壁、前記第2側壁及び前記後壁は、前記ベンチ部品の前記第2エリア上に位置しており、
前記半導体光素子及び前記レンズは、前記ベンチ部品の前記第2エリア及び前記キャップにより封止されている、請求項1に記載された光モジュール。 - 前記ベンチはシリコン製のベースを含み、
前記ベンチの前記ベースの主面は、前記レンズを位置決めするための窪みを有する、請求項1又は請求項2に記載された光モジュール。 - 前記ベンチ部品は、前記第2エリアにおいて前記電極上に設けられた絶縁層を備え、前記電極は、第1部分、第2部分及び第3部分を含み、前記電極の前記第1部分は、前記第1エリア上を延在して前記第2部分に接続され、前記絶縁層は前記電極の前記第2部分上を横切って延在しており、前記電極の前記第2部分は前記第3部分に接続され、前記第3部分は前記導電体に接続される、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された光モジュール。
- 前記キャップは、前記ベンチ部品の前記第2エリア上に位置する絶縁層を備え、前記導電体は、第1部分、第2部分及び第3部分を含み、前記導電体の前記第1部分は、前記パッド電極を前記第2部分に接続しており、前記絶縁層は前記導電体の前記第2部分上を横切って延在しており、前記導電体の前記第2部分は前記第3部分に接続され、前記第3部分は前記電極に接続される、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された光モジュール。
- 光学装置であって、
請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された光モジュールと、
前記光モジュールの前記前壁を支持する光学部品と、
を備え、
前記光学部品は、前記光モジュールの前記前壁を介して前記半導体光素子に光学的に結合され、前記半導体光素子に係る光は、前記キャップの前記前壁を通過可能である、光学装置。 - 前記光学部品は、前記半導体光素子に光学的に結合されるグレーティングカプラを備える半導体集積素子を含む、請求項6に記載された光学装置。
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