JP6489001B2 - 光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 - Google Patents
光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6489001B2 JP6489001B2 JP2015240467A JP2015240467A JP6489001B2 JP 6489001 B2 JP6489001 B2 JP 6489001B2 JP 2015240467 A JP2015240467 A JP 2015240467A JP 2015240467 A JP2015240467 A JP 2015240467A JP 6489001 B2 JP6489001 B2 JP 6489001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- area
- bench
- optical module
- cap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 312
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 138
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 98
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 98
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 84
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 75
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 97
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 32
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 16
- HCJLVWUMMKIQIM-UHFFFAOYSA-M sodium;2,3,4,5,6-pentachlorophenolate Chemical compound [Na+].[O-]C1=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C(Cl)=C1Cl HCJLVWUMMKIQIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- UEDWDOQXHOTTRB-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-1-(2-sulfophenyl)methanimine oxide Chemical compound CC(C)(C)[N+]([O-])=CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O UEDWDOQXHOTTRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 102220196884 rs147131010 Human genes 0.000 description 5
- 102220058688 rs147815442 Human genes 0.000 description 5
- 102220058687 rs148738139 Human genes 0.000 description 5
- 102220035987 rs150390726 Human genes 0.000 description 5
- 102220035941 rs45619737 Human genes 0.000 description 5
- 102220281525 rs876660586 Human genes 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
以上説明した本実施形態に係る方法により、半導体光素子19として働くレーザダイオードを備えるLDモジュールを作製する。LDモジュールの縦、横及び高さは、例えば数mm程度のサイズである。LDモジュールでは、図2に示されるように、レーザダイオードから出射されたレーザ光は、レンズで集光される。集光された光は、キャップの前壁のSi(111)面に対して垂直に入射するものでなく、具体的には(111)面に対して垂直ではない角度(例えば54.7度)で入射する。この入射角は、シリコンベースの主面の面方位及び(111)面の方向関係で決まる。シリコン半導体の屈折率(約3.4)は空気の屈折率(約1)より大きいので、レーザ光は、前壁のシリコン半導体に入射する際に入射方向に対して屈折されて、キャップ前壁のシリコン半導体内では入射位置に対してLDモジュールのベンチからキャップ前壁への方向に向きを変える。さらに、キャップ前壁のシリコン半導体から出射するときには、入射位置より高い出射位置に光軸を移して、入射光の伝搬方向に平行に伝搬していく。光を入射させる構造を作製できるので、当該製造方法におけるダイシングにより作製された前壁の先端による影響(光散乱による影響)を低減できる。LD光モジュールの製造では、キャップ生産物SPCPをダイシングにより分離するけれども、レーザ光がシリコンキャップの前壁を通過する際の光伝搬経路が、上述のように、当該ダイシングにより作製された前壁の先端から離れるように変化する。
Claims (9)
- 光モジュールであって、
第1エリア及び第2エリアを含む主面を有するベンチ、前記第1エリア及び前記第2エリア上に設けられた電極、前記第1エリアにおいて前記電極上に設けられた半導体光素子、並びに前記第1エリアに支持されたレンズを含むベンチ部品と、
前記ベンチ部品上に設けられたキャップと、
を備え、
前記キャップは、前記半導体光素子及び前記レンズを収容可能なキャビティ、天井、前壁、第1側壁、第1ウイング並びに後壁を含むキャップベースと、前記第1ウイングに設けられたパッド電極と、前記キャップベース上に設けられ前記パッド電極に接続された導電体とを備え、
前記ベンチの前記第2エリアは前記第1エリアを囲み、前記第2エリア上の前記電極は、前記キャップベース上の前記導電体に電気的に接続され、
前記キャップベースの前記天井は、第1基準面に沿って延在し、前記前壁は、前記第1基準面に交差する第2基準面に沿って延在する前外面を有し、前記第1ウイングは、前記第1側壁に設けられ、前記後壁は、前記キャップから前記ベンチへ向かう方向に前記天井から延在する、光モジュール。 - 前記キャップの前記キャップベースは、第2側壁及び第2ウイングを更に備え、
前記第2ウイングは、前記第2側壁に設けられ、
前記キャップベースの前記第1側壁及び前記第2側壁は、前記前壁から前記後壁への方向に延在し、
前記前壁、前記第1側壁、前記第2側壁及び前記後壁は、前記ベンチ部品の前記第2エリア上に位置しており、
前記半導体光素子及び前記レンズは、前記ベンチ部品の前記第2エリア及び前記キャップにより封止されている、請求項1に記載された光モジュール。 - 前記ベンチはシリコン製のベースを含み、
前記ベンチの前記ベースの主面は、前記レンズを位置決めするための窪みを有する、請求項1又は請求項2に記載された光モジュール。 - 前記ベンチ部品は、前記第2エリアにおいて前記電極上に設けられた絶縁層を備え、前記電極は、第1部分、第2部分及び第3部分を含み、前記電極の前記第1部分は、前記第1エリア上を延在して前記第2部分に接続され、前記絶縁層は前記電極の前記第2部分上を横切って延在しており、前記電極の前記第2部分は前記第3部分に接続され、前記第3部分は前記導電体に接続される、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された光モジュール。
- 前記キャップは、前記ベンチ部品の前記第2エリア上に位置する絶縁層を備え、前記導電体は、第1部分、第2部分及び第3部分を含み、前記導電体の前記第1部分は、前記パッド電極を前記第2部分に接続しており、前記絶縁層は前記導電体の前記第2部分上を横切って延在しており、前記導電体の前記第2部分は前記第3部分に接続され、前記第3部分は前記電極に接続される、請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載された光モジュール。
- 光学装置であって、
請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載された光モジュールと、
前記光モジュールの前記前壁を支持する光学部品と、
を備え、
前記光学部品は、前記光モジュールの前記前壁を介して前記半導体光素子に光学的に結合され、前記半導体光素子に係る光は、前記キャップの前記前壁を通過可能である、光学装置。 - 前記光学部品は、前記半導体光素子に光学的に結合されるグレーティングカプラを備える半導体集積素子を含む、請求項6に記載された光学装置。
- 光モジュールを作製する方法であって、
複数の区画の配列における各区画において第1基準面に沿って配置された第1領域、第2領域、第3領域、第4領域、及び第5領域を備えており、第1面及び第2面を有する単結晶半導体基板を準備する工程と、
第1開口パターン及び第2開口パターンを有する第1マスクを前記単結晶半導体基板の前記第1面に形成する工程と、
前記第1マスクを用いたエッチングにより、前記第1開口パターン及び前記第2開口パターンにそれぞれ対応しておりキャビティのために設けられた第1内側開口及びウイングのために設けられた第2内側開口を前記単結晶半導体基板の前記第1面に形成する工程と、
前記第1内側開口及び前記第2内側開口を形成した後に、前記単結晶半導体基板の前記第2内側開口にパッド電極及び導電体のための金属層を形成する工程と、
第3開口パターンを有する第2マスクを前記単結晶半導体基板の前記第2面に形成する工程と、
前記第2マスクを用いたエッチングにより、前記第3開口パターンに対応しており前壁のために設けられた外側開口を前記単結晶半導体基板の前記第2面に形成する工程と、
複数の区画の配列における各区画において第1エリア及び第2エリアを含む主面を有する支持体と、前記支持体の前記第1エリア及び前記第2エリア上に設けられた電極と、前記支持体の前記第1エリアの前記電極上に設けられた半導体光素子と、前記支持体の前記第1エリア上に設けられたレンズとを含むベンチ生産物を準備する工程と、
前記第1内側開口、前記第2内側開口及び前記外側開口を形成した後に、前記ベンチ生産物の前記支持体の前記第2エリアが前記単結晶半導体基板を支持するように、前記ベンチ生産物及び前記単結晶半導体基板を組み立てて、前記ベンチ生産物の前記電極を前記単結晶半導体基板の前記導電体に接続した組立体を作製する工程と、
を備え、
前記単結晶半導体基板の前記第1面は前記第2面の反対側に位置し、
前記第1領域、前記第2領域、前記第3領域、前記第4領域、及び前記第5領域は、第1軸の方向に順に配列し、
前記外側開口の一側面及び前記外側開口の底面は、前記単結晶半導体基板の前記第1領域に設けられ、
前記外側開口の他側面は、前記単結晶半導体基板の前記第2領域に設けられ、
前記第1内側開口の一側面は、前記単結晶半導体基板の前記第2領域に設けられ、
前記第1内側開口の底面は、前記単結晶半導体基板の前記第3領域及び前記第4領域に延在し、
前記第1内側開口の他側面は、前記単結晶半導体基板の前記第4領域に設けられ、
前記第2内側開口の一側面は、前記単結晶半導体基板の前記第4領域に設けられ、
前記第2内側開口の底面は、前記単結晶半導体基板の前記第4領域及び前記第5領域に設けられ、
前記第1内側開口の前記一側面は前記第1基準面に交差する第11基準面に沿って延在し、前記外側開口の前記一側面は前記第1基準面に交差する第12基準面に沿って延在し、前記第2内側開口の前記一側面は前記第1基準面に交差する第13基準面に沿って延在する、光モジュールを作製する方法。 - 前記単結晶半導体基板の前記第1領域において前記組立体を切断する工程と、
前記単結晶半導体基板の前記第5領域において前記組立体を切断する工程と、
を更に備える、請求項8に記載された光モジュールを作製する方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015240467A JP6489001B2 (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 |
US15/373,329 US9887515B2 (en) | 2015-12-09 | 2016-12-08 | Optical module, optical apparatus, method for fabricating optical module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015240467A JP6489001B2 (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017107973A JP2017107973A (ja) | 2017-06-15 |
JP6489001B2 true JP6489001B2 (ja) | 2019-03-27 |
Family
ID=59020142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015240467A Active JP6489001B2 (ja) | 2015-12-09 | 2015-12-09 | 光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9887515B2 (ja) |
JP (1) | JP6489001B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10153615B2 (en) | 2015-07-30 | 2018-12-11 | Optipulse, Inc. | Rigid high power and high speed lasing grid structures |
US10630053B2 (en) | 2015-07-30 | 2020-04-21 | Optipulse Inc. | High power laser grid structure |
WO2018232410A1 (en) * | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Optipulse Inc. | Graphene lens structures for use with light engine and grid laser structures |
CA3072769A1 (en) | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Optipulse Inc. | Laser grid structures for wireless high speed data transfers |
US10374705B2 (en) | 2017-09-06 | 2019-08-06 | Optipulse Inc. | Method and apparatus for alignment of a line-of-sight communications link |
DE102017123413B4 (de) * | 2017-10-09 | 2023-09-14 | Osram Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN111352192B (zh) * | 2018-12-20 | 2021-08-10 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03249611A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-07 | Sony Corp | 集光性グレーティングカプラ装置 |
JPH0786693A (ja) * | 1993-09-16 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 光半導体モジュール |
EP0773591A3 (en) * | 1995-11-13 | 1998-09-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting/detecting module |
US5949654A (en) * | 1996-07-03 | 1999-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-chip module, an electronic device, and production method thereof |
EP1517166B1 (en) * | 2003-09-15 | 2015-10-21 | Nuvotronics, LLC | Device package and methods for the fabrication and testing thereof |
JP4807987B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-11-02 | 日本電信電話株式会社 | 気密封止パッケージおよび光サブモジュール |
US8168939B2 (en) * | 2008-07-09 | 2012-05-01 | Luxtera, Inc. | Method and system for a light source assembly supporting direct coupling to an integrated circuit |
-
2015
- 2015-12-09 JP JP2015240467A patent/JP6489001B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-08 US US15/373,329 patent/US9887515B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9887515B2 (en) | 2018-02-06 |
US20170170627A1 (en) | 2017-06-15 |
JP2017107973A (ja) | 2017-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6489001B2 (ja) | 光モジュール、光モジュールを作製する方法、及び光学装置 | |
JP5559358B2 (ja) | 導波路格子結合器を有する光集積回路 | |
JP4983391B2 (ja) | 光モジュール及びその製造方法 | |
JP6172679B2 (ja) | 光結合構造、半導体デバイス、マルチ・チップ・モジュールのための光インターコネクト構造、および光結合構造のための製造方法 | |
US7991251B2 (en) | Optical module mounted with WDM filter | |
JP2016535864A (ja) | モノリシックの物理的に変位可能な光導波路 | |
TW200302367A (en) | Optical circuit fabrication method and device | |
US10488595B2 (en) | Photonic component and method for producing same | |
JP6661901B2 (ja) | 光モジュール、光モジュールを作製する方法 | |
JP6551008B2 (ja) | 光モジュール、光学装置 | |
KR20020041755A (ko) | 광하이브리드모듈 및 그 광디바이스 및 그광디바이스용반제품 | |
JP4069856B2 (ja) | 光半導体素子実装用基板及びその製造方法 | |
JP4967283B2 (ja) | 半導体光学装置 | |
US20200257052A1 (en) | Wafer-level optoelectronic packaging | |
CN108886236A (zh) | 用于硅光子学中的iii-v芯片的宽带后视镜 | |
JP2014035435A (ja) | 光結合回路素子及びその作製方法 | |
JP2018146669A (ja) | 光半導体及びその製造方法 | |
JP6581641B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5753136B2 (ja) | 光結合回路素子及びその作製方法 | |
JP2008122877A (ja) | 光導波路モジュール | |
JP2010060950A (ja) | Wdmフィルタを実装した光モジュール及びその製造方法 | |
JP2016111087A (ja) | 光半導体素子、光半導体装置および光半導体素子の実装方法 | |
JP2012114145A (ja) | 光発生装置 | |
JP2010014831A (ja) | Wdmフィルタを実装した光モジュール | |
JP2001100064A (ja) | 光部品実装用基板及びそれを用いた光モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6489001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |